JPH0595167A - 微小隙間測定装置 - Google Patents
微小隙間測定装置Info
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- JPH0595167A JPH0595167A JP3253816A JP25381691A JPH0595167A JP H0595167 A JPH0595167 A JP H0595167A JP 3253816 A JP3253816 A JP 3253816A JP 25381691 A JP25381691 A JP 25381691A JP H0595167 A JPH0595167 A JP H0595167A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微小隙間測定装置を、効率を高めても半導体
レーザを容易に取付けられるようにする。 【構成】 微小隙間測定装置１０は、半導体レーザ１１
の第１の出力端面１１1と被測定体２０との間に設けら
れた光学レンズ１３を含む点で従来のものと異なる。こ
こで、半導体レーザ１１と光検出器１２とはベース１４
の図示右側の上面に載置されている。また、光学レンズ
１３は、半導体レーザ１１の活性層１１3とほぼ同じ高
さに中心がくるように、ベース１４の図示左側の上面に
接着剤などで固着されている。なお、光学レンズ１３の
中心と半導体レーザ１１の第１の出力端面１１1 との間
の距離Ｌは、半導体レーザ１１の第１の出力端面１１1
から出射された第１の出射光Ｌ1 が光学レンズ１３を透
過することによりほぼ平行光となるように、光学レンズ
１３の焦点距離の２倍以内にされている。
レーザを容易に取付けられるようにする。 【構成】 微小隙間測定装置１０は、半導体レーザ１１
の第１の出力端面１１1と被測定体２０との間に設けら
れた光学レンズ１３を含む点で従来のものと異なる。こ
こで、半導体レーザ１１と光検出器１２とはベース１４
の図示右側の上面に載置されている。また、光学レンズ
１３は、半導体レーザ１１の活性層１１3とほぼ同じ高
さに中心がくるように、ベース１４の図示左側の上面に
接着剤などで固着されている。なお、光学レンズ１３の
中心と半導体レーザ１１の第１の出力端面１１1 との間
の距離Ｌは、半導体レーザ１１の第１の出力端面１１1
から出射された第１の出射光Ｌ1 が光学レンズ１３を透
過することによりほぼ平行光となるように、光学レンズ
１３の焦点距離の２倍以内にされている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微小隙間測定装置に関
し、特に、半導体レーザの複合共振作用を利用して微小
隙間量を測定する微小隙間測定装置に関する。
し、特に、半導体レーザの複合共振作用を利用して微小
隙間量を測定する微小隙間測定装置に関する。
【０００２】
【従来技術】図５は、この種の微小隙間測定装置の一従
来例を示す概略構成図である。
来例を示す概略構成図である。
【０００３】微小隙間測定装置５０は、互いに対向する
第１の出力端面５１1 および第２の出力端面５１2 を有
する半導体レーザ５１と、半導体レーザ５１の第２の出
力端面５１2 側に設けられた光検出器５２とからなり、
半導体レーザ５１の第１の出力端面５１1 から出射した
第１の出射光Ｌ1 を被測定体６０の表面で反射させて第
１の出力端面５１1 に帰還させたときの半導体レーザ５
１の第２の出力端面５１2 から出射される第２の出射光
Ｌ2 の光量を光検出器５２で検出して、半導体レーザ５
１と被測定体６０との間の隙間量ｈを測定するものであ
る。
第１の出力端面５１1 および第２の出力端面５１2 を有
する半導体レーザ５１と、半導体レーザ５１の第２の出
力端面５１2 側に設けられた光検出器５２とからなり、
半導体レーザ５１の第１の出力端面５１1 から出射した
第１の出射光Ｌ1 を被測定体６０の表面で反射させて第
１の出力端面５１1 に帰還させたときの半導体レーザ５
１の第２の出力端面５１2 から出射される第２の出射光
Ｌ2 の光量を光検出器５２で検出して、半導体レーザ５
１と被測定体６０との間の隙間量ｈを測定するものであ
る。
【０００４】すなわち、微小隙間測定装置５０は、半導
体レーザ５１の第１の出力端面５１ 1 から被測定体６０
の表面に向けて第１の出射光Ｌ1 を出射させて、被測定
体６０の表面から反射してくる反射光Ｒを半導体レーザ
５１の第１の出力端面５１1に帰還させ、このとき半導
体レーザ５１の第２の出力端面５１2 から出射される第
２の出射光Ｌ2 の光量を光検出器５２で検出して、半導
体レーザ５１と被測定体６０との間の隙間量ｈを測定す
るものである。
体レーザ５１の第１の出力端面５１ 1 から被測定体６０
の表面に向けて第１の出射光Ｌ1 を出射させて、被測定
体６０の表面から反射してくる反射光Ｒを半導体レーザ
５１の第１の出力端面５１1に帰還させ、このとき半導
体レーザ５１の第２の出力端面５１2 から出射される第
２の出射光Ｌ2 の光量を光検出器５２で検出して、半導
体レーザ５１と被測定体６０との間の隙間量ｈを測定す
るものである。
【０００５】なお、この種の微小隙間測定装置は、被測
定体の表面を非接触に走査して被測定体の表面形状を計
測するために用いられている。
定体の表面を非接触に走査して被測定体の表面形状を計
測するために用いられている。
【０００６】次に、微小隙間測定装置５０を用いること
により、半導体レーザ５１と被測定体６０との間の隙間
量ｈを測定することができる原理について説明する。
により、半導体レーザ５１と被測定体６０との間の隙間
量ｈを測定することができる原理について説明する。
【０００７】半導体レーザ５１の第１および第２の出力
端面５１1，５１2と被測定体６０とは上述したように複
合共振系を構成しているため、半導体レーザ５１のＩＬ
特性は、半導体レーザ５１と被測定体６０との間の隙間
量ｈにより図６に示すように変化する。ここで、ＩＬ特
性とは、第２の出射光Ｌ2 の光量（以下、「光出力Ｖ」
と称する。）対電流Ｉ特性をいう。
端面５１1，５１2と被測定体６０とは上述したように複
合共振系を構成しているため、半導体レーザ５１のＩＬ
特性は、半導体レーザ５１と被測定体６０との間の隙間
量ｈにより図６に示すように変化する。ここで、ＩＬ特
性とは、第２の出射光Ｌ2 の光量（以下、「光出力Ｖ」
と称する。）対電流Ｉ特性をいう。
【０００８】すなわち、半導体レーザ５１の第１の出力
端面５１1 の反射率をｒ1 ，被測定体６０の表面の反射
率をｒ2 ，空間での光伝播定数をｋ（＝２π／λ）およ
び光結合係数（反射光Ｒの第１の出力端面５１1 への帰
還率）をηとすると、レーザ発振しきい値Ｉthは、 Ｉth＝Ｉth(0)・〔１−（１−ｒ1）η｛ｒ2・cos(２ｋｈ）｝1/2〕 （１） ここで、Ｉth(0)は、被測定体６０がないときのレーザ
発振しきい値で表される（たとえば、末松安晴，「半導
体レーザと光集積回路」，オーム社，ｐ．２５５，昭和
５９）。なお、第１の出射光Ｌ1 は拡散して広がるの
で、隙間量ｈが大きいほど光結合係数ηは小さくなる。
端面５１1 の反射率をｒ1 ，被測定体６０の表面の反射
率をｒ2 ，空間での光伝播定数をｋ（＝２π／λ）およ
び光結合係数（反射光Ｒの第１の出力端面５１1 への帰
還率）をηとすると、レーザ発振しきい値Ｉthは、 Ｉth＝Ｉth(0)・〔１−（１−ｒ1）η｛ｒ2・cos(２ｋｈ）｝1/2〕 （１） ここで、Ｉth(0)は、被測定体６０がないときのレーザ
発振しきい値で表される（たとえば、末松安晴，「半導
体レーザと光集積回路」，オーム社，ｐ．２５５，昭和
５９）。なお、第１の出射光Ｌ1 は拡散して広がるの
で、隙間量ｈが大きいほど光結合係数ηは小さくなる。
【０００９】また、（１）式の余弦項は、現在市販され
ている通常の半導体レーザを使用した場合に生じる被測
定体からの反射光と半導体レーザの内部光との干渉によ
り、光出力Ｖが周期的に変化することを意味する。すな
わち、この場合には、光出力Ｖは、図７に示すように、
発振波長λの１／２周期で隙間量ｈの変化に対応して大
きく変化する。その結果、微小隙間測定装置５０では、
オングストロームまたはそれ以下の分解能が得られる。
ている通常の半導体レーザを使用した場合に生じる被測
定体からの反射光と半導体レーザの内部光との干渉によ
り、光出力Ｖが周期的に変化することを意味する。すな
わち、この場合には、光出力Ｖは、図７に示すように、
発振波長λの１／２周期で隙間量ｈの変化に対応して大
きく変化する。その結果、微小隙間測定装置５０では、
オングストロームまたはそれ以下の分解能が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の微小隙間測定装置５０は、半導体レーザ５１を
被測定体６０から遠ざけるにつれて、被測定体６０の表
面からの反射光Ｒの光量が減少して隙間量ｈの増大とと
もに光結合係数ηが低下するため、高い効率を得るため
には隙間量ｈを発振波長λの数倍以内に抑えなければな
らず、半導体レーザ５１の取付けが非常に困難になると
いう問題がある。
た従来の微小隙間測定装置５０は、半導体レーザ５１を
被測定体６０から遠ざけるにつれて、被測定体６０の表
面からの反射光Ｒの光量が減少して隙間量ｈの増大とと
もに光結合係数ηが低下するため、高い効率を得るため
には隙間量ｈを発振波長λの数倍以内に抑えなければな
らず、半導体レーザ５１の取付けが非常に困難になると
いう問題がある。
【００１１】本発明は、効率を高めても半導体レーザを
容易に取付けられる微小隙間測定装置を提供することに
ある。
容易に取付けられる微小隙間測定装置を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の微小隙間測定装
置は、互いに対向する第１の出力端面および第２の出力
端面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの前記第
２の出力端面側に設けられた光検出器とを含み、前記半
導体レーザの前記第１の出力端面から出射した第１の出
射光を被測定体の表面で反射させて該第１の出力端面に
帰還させたときの前記半導体レーザの前記第２の出力端
面から出射される第２の出射光の光量を前記光検出器で
検出して、前記半導体レーザと前記被測定体との間の隙
間量を測定する微小隙間測定装置において、前記半導体
レーザの前記第１の出力端面と前記被測定体との間に設
けられた光学レンズを含む。
置は、互いに対向する第１の出力端面および第２の出力
端面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの前記第
２の出力端面側に設けられた光検出器とを含み、前記半
導体レーザの前記第１の出力端面から出射した第１の出
射光を被測定体の表面で反射させて該第１の出力端面に
帰還させたときの前記半導体レーザの前記第２の出力端
面から出射される第２の出射光の光量を前記光検出器で
検出して、前記半導体レーザと前記被測定体との間の隙
間量を測定する微小隙間測定装置において、前記半導体
レーザの前記第１の出力端面と前記被測定体との間に設
けられた光学レンズを含む。
【００１３】ここで、前記光学レンズが、前記第１の出
射光をほぼ平行光に変換する位置に設けられていてもよ
いし、前記光学レンズが、前記被測定体側の干渉が生じ
る位置に焦点を結ぶよう配置されていてもよいし、前記
半導体レーザが、ＧａＩｎＰ系の長波長半導体レーザで
あってもよい。
射光をほぼ平行光に変換する位置に設けられていてもよ
いし、前記光学レンズが、前記被測定体側の干渉が生じ
る位置に焦点を結ぶよう配置されていてもよいし、前記
半導体レーザが、ＧａＩｎＰ系の長波長半導体レーザで
あってもよい。
【００１４】
【作用】本発明の微小隙間測定装置は、半導体レーザの
第１の出力端面と被測定体との間に設けられた光学レン
ズを含むことにより、第１の出力端面から出射される第
１の出射光を光学レンズで平行光または集光光に変換し
て被測定体にあてられるため、隙間量を大きくしても被
測定体から第１の出力端面に戻ってくる反射光の光量を
増大することができる。
第１の出力端面と被測定体との間に設けられた光学レン
ズを含むことにより、第１の出力端面から出射される第
１の出射光を光学レンズで平行光または集光光に変換し
て被測定体にあてられるため、隙間量を大きくしても被
測定体から第１の出力端面に戻ってくる反射光の光量を
増大することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１６】図１は、本発明の微小隙間測定装置の第１
の実施例を示す概略構成図である。微小隙間測定装置１
０が図５に示した従来の微小隙間測定装置５０と異なる
点は、半導体レーザ１１の第１の出力端面１１1 と被測
定体２０との間に設けられた光学レンズ１３を含むこと
である。ここで、半導体レーザ１１と光検出器１２とは
ベース１４の図示右側の上面に載置されている。また、
光学レンズ１３は、半導体レーザ１１の活性層１１3 と
ほぼ同じ高さに中心がくるように、ベース１４の図示左
側の上面に接着剤などで固着されている。なお、光学レ
ンズ１３の中心と半導体レーザ１１の第１の出力端面１
１1 との間の距離Ｌは、半導体レーザ１１の第１の出力
端面１１1 から出射された第１の出射光Ｌ1 が光学レン
ズ１３を透過することによりほぼ平行光となるように、
光学レンズ１３の焦点距離の２倍以内にされている。
の実施例を示す概略構成図である。微小隙間測定装置１
０が図５に示した従来の微小隙間測定装置５０と異なる
点は、半導体レーザ１１の第１の出力端面１１1 と被測
定体２０との間に設けられた光学レンズ１３を含むこと
である。ここで、半導体レーザ１１と光検出器１２とは
ベース１４の図示右側の上面に載置されている。また、
光学レンズ１３は、半導体レーザ１１の活性層１１3 と
ほぼ同じ高さに中心がくるように、ベース１４の図示左
側の上面に接着剤などで固着されている。なお、光学レ
ンズ１３の中心と半導体レーザ１１の第１の出力端面１
１1 との間の距離Ｌは、半導体レーザ１１の第１の出力
端面１１1 から出射された第１の出射光Ｌ1 が光学レン
ズ１３を透過することによりほぼ平行光となるように、
光学レンズ１３の焦点距離の２倍以内にされている。
【００１７】微小隙間測定装置１０では、半導体レーザ
１１の第１の出力端面１１1 から出射された第１の出射
光Ｌ1 は、光学レンズ１３によりほぼ平行光に変換され
たのち、被測定体２０の表面にほぼ垂直にあたる。被測
定体２０の表面からの反射光Ｒは光学レンズ１３により
集光されて、ほぼ全光量が半導体レーザ１１の第１の出
力端面１１1 に戻る。その結果、半導体レーザ１１の第
１の出力端面１１1 から被測定体２０までの隙間量ｈに
ほとんど依存することなく、図７に示したような共振現
象が生じる。
１１の第１の出力端面１１1 から出射された第１の出射
光Ｌ1 は、光学レンズ１３によりほぼ平行光に変換され
たのち、被測定体２０の表面にほぼ垂直にあたる。被測
定体２０の表面からの反射光Ｒは光学レンズ１３により
集光されて、ほぼ全光量が半導体レーザ１１の第１の出
力端面１１1 に戻る。その結果、半導体レーザ１１の第
１の出力端面１１1 から被測定体２０までの隙間量ｈに
ほとんど依存することなく、図７に示したような共振現
象が生じる。
【００１８】図２は、微小隙間測定装置１０における共
振現象の発生を確認するために行った一実験結果を示す
グラフである。
振現象の発生を確認するために行った一実験結果を示す
グラフである。
【００１９】この実験においては、半導体レーザ１１と
してＧａＩｎＰ系の１．３μｍ帯の長波長半導体レーザ
を使用し、光学レンズ１３として直径０．６ｍｍの球レ
ンズを使用して、半導体レーザ１１の第２の出射面１１
2 から出射される第２の出射光Ｌ2 の干渉による光量変
動を隙間量ｈを徐々に変えて測定した。なお、図２の縦
軸であるモジュレーションＰは、光検出器１２の出力電
圧のピーク電圧をａ，谷電圧をｂとしたとき、 Ｐ＝（ｂ／ａ）×１００ （２） より求めたものである。この実験より、隙間量ｈを１ｍ
ｍ以上としたときも、約１ｍｍおきに、半導体レーザ１
１の発振波長の半分である０．６５μｍごとの従来とほ
ぼ同等の光量変動が得られることが確認できた。共振
は、半導体レーザ１１のキャビティ長をＴｍｍ，導波路
（空間）の屈折率をｎおよび任意の整数をＮとするとＮ
×Ｔ×ｎ（ｍｍ）ごとに生じる。また、隙間量ｈが１０
μｍ程度になると結合係数ηの低下により光量変動が著
しく小さくなってＳＮ比の劣化が問題となる従来の微小
隙間測定装置５０（図５参照）に比べて、本実施例の微
小隙間測定装置１０では、隙間量ｈを１ｍｍ以上として
も光量変動がほとんど低下しないため十分なＳＮ比を得
ることができることが確認できた。
してＧａＩｎＰ系の１．３μｍ帯の長波長半導体レーザ
を使用し、光学レンズ１３として直径０．６ｍｍの球レ
ンズを使用して、半導体レーザ１１の第２の出射面１１
2 から出射される第２の出射光Ｌ2 の干渉による光量変
動を隙間量ｈを徐々に変えて測定した。なお、図２の縦
軸であるモジュレーションＰは、光検出器１２の出力電
圧のピーク電圧をａ，谷電圧をｂとしたとき、 Ｐ＝（ｂ／ａ）×１００ （２） より求めたものである。この実験より、隙間量ｈを１ｍ
ｍ以上としたときも、約１ｍｍおきに、半導体レーザ１
１の発振波長の半分である０．６５μｍごとの従来とほ
ぼ同等の光量変動が得られることが確認できた。共振
は、半導体レーザ１１のキャビティ長をＴｍｍ，導波路
（空間）の屈折率をｎおよび任意の整数をＮとするとＮ
×Ｔ×ｎ（ｍｍ）ごとに生じる。また、隙間量ｈが１０
μｍ程度になると結合係数ηの低下により光量変動が著
しく小さくなってＳＮ比の劣化が問題となる従来の微小
隙間測定装置５０（図５参照）に比べて、本実施例の微
小隙間測定装置１０では、隙間量ｈを１ｍｍ以上として
も光量変動がほとんど低下しないため十分なＳＮ比を得
ることができることが確認できた。
【００２０】図３は、本発明の微小隙間測定装置の第２
の実施例を示す概略構成図である。
の実施例を示す概略構成図である。
【００２１】本実施例の微小隙間測定装置３０が図１に
示した微小隙間測定装置１０と異なる点は、光学レンズ
１３が被測定体２０側の干渉が生じる位置に焦点を結ぶ
よう配置されていることである。
示した微小隙間測定装置１０と異なる点は、光学レンズ
１３が被測定体２０側の干渉が生じる位置に焦点を結ぶ
よう配置されていることである。
【００２２】すなわち、本実施例の微小隙間測定装置３
０では、被測定体２０側のＮ×Ｔ×ｎ（ｍｍ）の距離に
応じた位置に焦点を結ぶように光学レンズ１３を配置す
ることにより、光学レンズ１３を図１に示したように配
置する場合に比べて、反射光Ｒの光量を確実に増加させ
ることができる。その結果、ＳＮ比のよい干渉効果が得
られる。
０では、被測定体２０側のＮ×Ｔ×ｎ（ｍｍ）の距離に
応じた位置に焦点を結ぶように光学レンズ１３を配置す
ることにより、光学レンズ１３を図１に示したように配
置する場合に比べて、反射光Ｒの光量を確実に増加させ
ることができる。その結果、ＳＮ比のよい干渉効果が得
られる。
【００２３】図４は、微小隙間測定装置３０における共
振現象の発生を確認するために行った一実験結果を示す
グラフである。
振現象の発生を確認するために行った一実験結果を示す
グラフである。
【００２４】この実験においては、半導体レーザ１１と
してＧａＩｎＰ系の１．３μｍ帯の長波長半導体レーザ
を使用し、光学レンズ１３として直径０．６ｍｍの球レ
ンズを使用するとともに、被測定体２０側の約２ｍｍの
位置に焦点を結ぶように光学レンズ１３を配置して、半
導体レーザ１１の第２の出射面１１2 から出射される第
２の出射光Ｌ2 の干渉による光量変動を隙間量ｈを徐々
に変えて測定した。なお、図４の縦軸の一つであるモジ
ュレーションＰは、上記（２）式と同様に、光検出器１
２の出力電圧のピーク電圧をａ，谷電圧をｂとしたと
き、 Ｐ＝（ｂ／ａ）×１００ （３） より求めたものである。
してＧａＩｎＰ系の１．３μｍ帯の長波長半導体レーザ
を使用し、光学レンズ１３として直径０．６ｍｍの球レ
ンズを使用するとともに、被測定体２０側の約２ｍｍの
位置に焦点を結ぶように光学レンズ１３を配置して、半
導体レーザ１１の第２の出射面１１2 から出射される第
２の出射光Ｌ2 の干渉による光量変動を隙間量ｈを徐々
に変えて測定した。なお、図４の縦軸の一つであるモジ
ュレーションＰは、上記（２）式と同様に、光検出器１
２の出力電圧のピーク電圧をａ，谷電圧をｂとしたと
き、 Ｐ＝（ｂ／ａ）×１００ （３） より求めたものである。
【００２５】図４の結果より、本実施例の微小隙間測定
装置３０では、５０〜８０μｍの広い範囲にわって干渉
現象が生じるため、取付け精度として数μｍオーダの精
度が要求された従来の微小隙間測定装置５０（図５参
照）に比べて、取付け精度が１０倍程度緩和できること
が確認できた。
装置３０では、５０〜８０μｍの広い範囲にわって干渉
現象が生じるため、取付け精度として数μｍオーダの精
度が要求された従来の微小隙間測定装置５０（図５参
照）に比べて、取付け精度が１０倍程度緩和できること
が確認できた。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。
ので、次に記載する効果を奏する。
【００２７】半導体レーザの第１の出力端面と被測定体
との間に設けられた光学レンズを含むことにより、隙間
量を大きくしても被測定体から第１の出力端面に戻って
くる反射光の光量を増大することができるため効率を高
めることができるとともに、広い範囲にわたって干渉現
象を生じさせることができるため半導体レーザの取付け
精度を緩和することができる。また、破損しやすい半導
体レーザの端面と被測定体との間に光学レンズがあるの
で、誤って被測定体に装置を接触させても、装置（半導
体レーザ）が破損することはない。
との間に設けられた光学レンズを含むことにより、隙間
量を大きくしても被測定体から第１の出力端面に戻って
くる反射光の光量を増大することができるため効率を高
めることができるとともに、広い範囲にわたって干渉現
象を生じさせることができるため半導体レーザの取付け
精度を緩和することができる。また、破損しやすい半導
体レーザの端面と被測定体との間に光学レンズがあるの
で、誤って被測定体に装置を接触させても、装置（半導
体レーザ）が破損することはない。
【図１】本発明の微小隙間測定装置の第１の実施例を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図２】図１に示した微小隙間測定装置における共振現
象の発生を確認するために行った一実験結果を示すグラ
フである。
象の発生を確認するために行った一実験結果を示すグラ
フである。
【図３】本発明の微小隙間測定装置の第２の実施例を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図４】図３に示した微小隙間測定装置における共振現
象の発生を確認するために行った一実験結果を示すグラ
フである。
象の発生を確認するために行った一実験結果を示すグラ
フである。
【図５】この種の微小隙間測定装置の一従来例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図６】図５に示した半導体レーザのＩＬ特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図７】現在市販されている通常の半導体レーザにおけ
る反射光と内部光との干渉の結果生じる光出力の周期的
変化を示すグラフである。
る反射光と内部光との干渉の結果生じる光出力の周期的
変化を示すグラフである。
１０，３０ 微小隙間測定装置 １１ 半導体レーザ １１1 第１の出力端面 １１2 第２の出力端面 １１3 活性層 １２ 光検出器 １３ 光学レンズ １４ ベース ２０ 被測定体 Ｌ1 第１の出射光 Ｌ2 第２の出射光 Ｒ 反射光 ｈ 隙間量 Ｐ モジュレーション ａ ピーク電圧 ｂ 谷電圧 Ｌ 距離
Claims (4)
- 【請求項１】 互いに対向する第１の出力端面および第
２の出力端面を有する半導体レーザと、該半導体レーザ
の前記第２の出力端面側に設けられた光検出器とを含
み、 前記半導体レーザの前記第１の出力端面から出射した第
１の出射光を被測定体の表面で反射させて該第１の出力
端面に帰還させたときの前記半導体レーザの前記第２の
出力端面から出射される第２の出射光の光量を前記光検
出器で検出して、前記半導体レーザと前記被測定体との
間の隙間量を測定する微小隙間測定装置において、 前記半導体レーザの前記第１の出力端面と前記被測定体
との間に設けられた光学レンズを含むことを特徴とする
微小隙間測定装置。 - 【請求項２】 前記光学レンズが、前記第１の出射光を
ほぼ平行光に変換する位置に設けられている請求項１記
載の微小隙間測定装置。 - 【請求項３】 前記光学レンズが、前記被測定体側の干
渉が生じる位置に焦点を結ぶよう配置されている請求項
１記載の微小隙間測定装置。 - 【請求項４】 前記半導体レーザが、ＧａＩｎＰ系の長
波長半導体レーザである請求項１乃至請求項３いずれか
１項記載の微小隙間測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253816A JPH0595167A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 微小隙間測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253816A JPH0595167A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 微小隙間測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595167A true JPH0595167A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17256538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253816A Pending JPH0595167A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 微小隙間測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595167A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108202A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微少隙間の測定方法及びその測定装置 |
| JPH0294489A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Nec Corp | 光機能素子 |
| JPH02130985A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3253816A patent/JPH0595167A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108202A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微少隙間の測定方法及びその測定装置 |
| JPH0294489A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Nec Corp | 光機能素子 |
| JPH02130985A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
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