JPH0597106U - 誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 入出力電極間のアイソレーションを向上させ
て、高性能な誘電体フィルタを作製すること。 【構成】 誘電体基板１２の両入出力電極１４，１５の
間にスリット１７を形成する。入出力電極１４，１５間
にスリット１７を形成することにより、入出力電極１
４，１５間の静電結合が弱くなり、入出力電極１４，１
５間のアイソレーションが向上する。特に、入出力電極
１４，１５間のアイソレーションを向上させることで、
減衰特性が良くなり、高性能な誘電体フィルタが形成で
きる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるマイ クロ波帯用の誘電体フィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

図７は従来の誘電体フィルタの分解斜視図を示しており、例えば、４段の共振 器構成となっている。４個並設される誘電体同軸共振器１〜４は、誘電体の穴５ の内面に形成した内導体と、該誘電体の外面に形成した外導体とで所定の周波数 で共振するようになっている。 誘電体同軸共振器１〜４の穴５には内部の内導体と接触した接続端子６がそれ ぞれ圧入されていて、接続端子６の先端が結合基板７の上面に形成したコンデン サ電極膜８〜１１に接続されるようになっている。

【０００３】 誘電体からなる平板状の誘電体基板１２には上記結合基板７と誘電体同軸共振 器１〜４が実装され、上面の一部と底面にはアース電極１３が形成してある。尚 図８は誘電体基板１２の底面図を示している。 この誘電体基板１２の端部側の両側には信号の入出力を行う入出力電極１４， １５が形成されている。 誘電体基板１２の上面に結合基板７及び誘電体同軸共振器１〜４が半田付け等 で実装され、その上面には金属製で下面を開口した箱状のカバー１６が覆設され る。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

上記の誘電体フィルタの構成において、２つの入出力電極１４，１５が同一の 誘電体基板１２上に形成されているために、両入出力電極１４，１５間でのアイ ソレーションが悪化するという問題があった。特に、このアイソレーションの悪 化によりフィルタの減衰特性が悪くなる。

【０００５】 本考案は上述の点に鑑みて提供したものであって、入出力電極間のアイソレー ションを向上させて、高性能な誘電体フィルタを作製することを目的としたもの である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

本考案は、誘電体の穴の内面に形成した内導体と、上記誘電体の外面に形成し た外導体とで所定の周波数で共振する複数の誘電体同軸共振器と、上記複数の誘 電体同軸共振器をその上面に配設する誘電体基板と、上記誘電体同軸共振器の内 導体と接続した接続端子の先端とそれぞれ接続され、互いに静電結合する複数の コンデンサ電極膜を形成した誘電体からなる結合基板と、この結合基板のコンデ ンサ電極膜と静電結合して信号の入出力を行い、上記誘電体基板に形成された複 数の入出力電極とを備えた誘電体フィルタにおいて、互いの入出力電極間の結合 を減少させる結合減少手段を上記誘電体基板に設けたものである。

【０００７】

【作用】

本考案は、結合減少手段により互いの入出力電極間の結合を減少させて、入出 力電極間のアイソレーションを向上させることができる。このアイソレーション を向上させることで、特にフィルタの減衰特性が向上し、高性能な誘電体フィル タを作製することができる。

【０００８】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図面を参照して説明する。図１は本考案の一実施例の 誘電体フィルタの分解斜視図を示し、誘電体同軸共振器１〜４、結合基板７等は 従来と同様に構成されている。なお、上記誘電体フィルタは、例えば、自動車電 話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるものである。 誘電体同軸共振器１〜４は、直方体状に形成されている誘電体の穴５の内周面 に形成した電極膜状の内導体と、該誘電体の表面に形成した電極膜状の外導体と で構成されている。この誘電体同軸共振器１〜４の穴５には一端側を略円筒状に 形成した金属製の接続端子６が圧入されて、穴５内の内導体と接触して導通を得 ている。 上記接続端子６の他端側は舌片状に形成されていて、結合基板７の上面に形成 した複数のコンデンサ電極膜８〜１１に半田付け等で接続されるようになってい る。なお、この結合基板７は誘電体で形成されている。

【０００９】 平板状で誘電体からなる誘電体基板１２の上面の一部及び底面には電極膜状の アース電極１３が形成されており、また、誘電体基板１２の端部の両側にはそれ ぞれ膜状の入出力電極１４，１５が上面から側面を介して下面に至るように形成 されている。なお、図２は底面（実装面）側から見た誘電体基板１２の斜視図を 示している。 上記結合基板７の両側のコンデンサ電極膜８，１１の下面にはコンデンサ電極 膜が形成されていて、該コンデンサ電極膜が誘電体基板１２の両入出力電極１４ ，１５と半田付け等で接続されるようになっている。 誘電体同軸共振器１〜４は誘電体基板１２上に配設されて、誘電体基板１２の アース電極１３に半田付け等で実装される。また、金属製で下面開口のカバー１ ６は上記誘電体同軸共振器１〜４を覆設し、カバー１６の側片と誘電体基板１２ とが半田付けで結合される。

【００１０】 図３は図１に示す誘電体フィルタの等価回路図を示し、Ｃ₁ ，Ｃ₅ は結合基板 ７のコンデンサ電極膜８，１１と下面のコンデンサ電極膜との間で形成されるキ ャパシタを示している。また、Ｃ₂ 〜Ｃ₃ は結合基板７のコンデンサ電極膜８〜 １１間で形成されるキャパシタを示し、Ｃ₆ 〜Ｃ₉ は結合基板７の各コンデンサ 電極膜８〜１１と誘電体基板１２の下面のアース電極１３との間で形成されるキ ャパシタを示している。このようにして構成される誘電体フィルタはバンドパス フィルタとして作用する。また、かかる誘電体フィルタは配線基板に表面実装タ イプとして実装されるようになっている。

【００１１】 次に、本考案の要旨について詳述する。図１及び図２に示すように、誘電体基 板１２の両入出力電極１４，１５の間には結合減少手段であるスリット１７を形 成している。このスリット１７の形成方法は、誘電体基板１２に矩形状の貫通孔 を穿設した後に、端部側を切り出して端部を開口して形成される。尚、スリット １７の内面には、アース電極１３と同様に電極膜を形成しても良く、また、電極 膜を形成しなくても良い。 このように、入出力電極１４，１５間にスリット１７を形成することにより、 入出力電極１４，１５間の静電結合が弱くなり、入出力電極１４，１５間のアイ ソレーションを向上させることができる。特に、入出力電極１４，１５間のアイ ソレーションを向上させることで、減衰特性が良くなり、高性能な誘電体フィル タを形成することができる。 なお、スリット１７の幅及び奥行きは適宜な寸法で形成される。

【００１２】 （実施例２） 図４は実施例２を示し、入出力電極１４，１５間に端部側が閉塞された溝１８ を形成したものである。この溝１８により入出力電極１４，１５間のアイソレー ションを向上させている。なお、図４は誘電体基板１２の実装面側を示している 。 また、この溝１８は上下面に貫通していても良く、また、貫通していなくても 良い。更に、溝１８の内面は電極膜を形成していても良く、また、電極膜を形成 していなくても良い。

【００１３】 なお、上記の各実施例では、バンドパスフィルタの場合を例にして説明したが 、他のハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ 等にも適用できるのは勿論である。また、誘電体同軸共振器が４段の場合につい て説明したが、段数に限定されず適用できるものである。

【００１４】 （実施例３） 次に、実施例３について説明する。図５は例えば、自動車電話等に用いられる アンテナ共用器のブロック図を示し、受信用と送信用の周波数を異ならせて使用 する関係から、それぞれ共振周波数が異なるフィルタを用いている。 受信用のＲＸ用フィルタ部２１としては、例えばバンドパスフィルタで構成さ れ、ＴＸ用フィルタ部２２としては、例えばバンドエリミネーションフィルタで 構成されている。そして、ＲＸ用フィルタ部２１の出力側の端子として図６に示 すような入出力電極２３が誘電体基板２６に形成されており、また、ＴＸ用フィ ルタ部２２の入力側の端子として入出力電極２４が形成されている。ＲＸ用フィ ルタ部２１とＴＸ用フィルタ部２２の共通端子として、アンテナに接続される入 出力電極２５が誘電体基板２６に形成されている。

【００１５】 ここで、図６に示すように、誘電体基板２６の両側に入出力電極２３，２４が 形成されていて、中央の端部側に入出力電極２５が形成されている。そして、入 出力電極２３と入出力電極２５との間にスリット２７を形成し、入出力電極２４ と入出力電極２５の間にもスリット２７を形成している。 これにより、入出力電極２３と入出力電極２５との間、及び入出力電極２４と 入出力電極２５との間の静電結合を弱めてアイソレーションを向上させて、フィ ルタ特性を向上させることができる。

【００１６】 なお、スリット２７は、各電極２３，２４，２５の間にそれぞれ形成したが、 どちらか片方に形成するようにしてもよい。また、スリット２７の形状として、 上記実施例２で示した構成（溝状、或いは貫通孔状）でも良い。 更に、本実施例では、バンドパスフィルタとバンドエリミネーションフィルタ の組み合わせの例を示したが、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バンドパ スフィルタ、バンドエリミネーションフィルタとの各組み合わせの場合にも適用 できる。

【００１７】

【考案の効果】

本考案は上述のように、誘電体の穴の内面に形成した内導体と、上記誘電体の 外面に形成した外導体とで所定の周波数で共振する複数の誘電体同軸共振器と、 上記複数の誘電体同軸共振器をその上面に配設する誘電体基板と、上記誘電体同 軸共振器の内導体と接続した接続端子の先端とそれぞれ接続され、互いに静電結 合する複数のコンデンサ電極膜を形成した誘電体からなる結合基板と、この結合 基板のコンデンサ電極膜と静電結合して信号の入出力を行い、上記誘電体基板に 形成された複数の入出力電極とを備えた誘電体フィルタにおいて、互いの入出力 電極間の結合を減少させる結合減少手段を上記誘電体基板に設けたものであるか ら、結合減少手段により互いの入出力電極間の結合を減少させて、入出力電極間 のアイソレーションを向上させることができる。そのため、このアイソレーショ ンを向上させることで、特にフィルタの減衰特性が向上し、高性能な誘電体フィ ルタを作製することができるという効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例の誘電体フィルタの分解斜視図
である。

【図２】誘電体基板の底面側から見た斜視図である。

【図３】誘電体フィルタの等価回路図である。

【図４】実施例２の誘電体基板の底面側から見た斜視図
である。

【図５】実施例３の誘電体フィルタのブロック図であ
る。

【図６】実施例３の誘電体基板の底面図である。

【図７】従来例の誘電体フィルタの分解斜視図である。

【図８】従来例の誘電体基板の底面図である。

【符号の説明】

１〜４ 誘電体同軸共振器 ５ 穴 ６ 接続端子 ７ 結合基板 ８〜１１ コンデンサ電極膜 １２ 誘電体基板 １７ スリット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 寄田 忠弘 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体の穴の内面に形成した内導体と、
   上記誘電体の外面に形成した外導体とで所定の周波数で
   共振する複数の誘電体同軸共振器と、上記複数の誘電体
   同軸共振器をその上面に配設する誘電体基板と、上記誘
   電体同軸共振器の内導体と接続した接続端子の先端とそ
   れぞれ接続され、互いに静電結合する複数のコンデンサ
   電極膜を形成した誘電体からなる結合基板と、この結合
   基板のコンデンサ電極膜と静電結合して信号の入出力を
   行い、上記誘電体基板に形成された複数の入出力電極と
   を備えた誘電体フィルタにおいて、互いの入出力電極間
   の結合を減少させる結合減少手段を上記誘電体基板に設
   けたことを特徴とする誘電体フィルタ。