JPH0597552A - イオン伝導体およびイオン伝導体薄膜の製造方法 - Google Patents
イオン伝導体およびイオン伝導体薄膜の製造方法Info
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- JPH0597552A JPH0597552A JP3287061A JP28706191A JPH0597552A JP H0597552 A JPH0597552 A JP H0597552A JP 3287061 A JP3287061 A JP 3287061A JP 28706191 A JP28706191 A JP 28706191A JP H0597552 A JPH0597552 A JP H0597552A
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- Japan
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- thin film
- ion conductive
- ionic conductor
- ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】多成分系の場合にも成分比をコントロールし
て、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みでしかも特性の
良好なイオン伝導性セラミックからなるイオン伝導体薄
膜を形成する。 【構成】予めＺｒ（ジルコニウム）とＹ（イットリウ
ム）のターゲットを作製し、これらＺｒとＹとをそれぞ
れターゲットにして、ＺｒのスパッタリングとＹのスパ
ッタリングとを交互に繰り返し行い、得られた積層薄膜
を焼成酸化してイオン伝導性酸化物セラミックとする。
て、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みでしかも特性の
良好なイオン伝導性セラミックからなるイオン伝導体薄
膜を形成する。 【構成】予めＺｒ（ジルコニウム）とＹ（イットリウ
ム）のターゲットを作製し、これらＺｒとＹとをそれぞ
れターゲットにして、ＺｒのスパッタリングとＹのスパ
ッタリングとを交互に繰り返し行い、得られた積層薄膜
を焼成酸化してイオン伝導性酸化物セラミックとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物イオン伝導性セ
ラミック薄膜を用いたイオン伝導体およびイオン伝導体
薄膜の製造方法に係り、特にイオン伝導性を利用した酸
素センサに好適なイオン伝導体およびイオン伝導体薄膜
の製造方法に関する。
ラミック薄膜を用いたイオン伝導体およびイオン伝導体
薄膜の製造方法に係り、特にイオン伝導性を利用した酸
素センサに好適なイオン伝導体およびイオン伝導体薄膜
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン伝導性セラミックを用いた酸素セ
ンサが実用化されつつあるが、この種のイオン伝導性セ
ラミックは、薄板化すればするほど良好なイオン伝導特
性を得ることが可能であり、酸素センサの小型化も可能
となる。また、イオン伝導性セラミックは、応答性に温
度特性があり、通常加熱して使用する。この点でも、イ
オン伝導性セラミックを薄板化することは特性の改善に
寄与する。
ンサが実用化されつつあるが、この種のイオン伝導性セ
ラミックは、薄板化すればするほど良好なイオン伝導特
性を得ることが可能であり、酸素センサの小型化も可能
となる。また、イオン伝導性セラミックは、応答性に温
度特性があり、通常加熱して使用する。この点でも、イ
オン伝導性セラミックを薄板化することは特性の改善に
寄与する。
【０００３】酸素センサ等に用いられるイオン伝導性セ
ラミックを薄板化しようとする場合、従来は、酸化物イ
オン伝導性セラミックの原材料であるイオン伝導性の良
好なＺｒＯ2 −８mol％Ｙ2 Ｏ3 等のジルコニアパウダ
をプレス成型した後、それを焼成し、最終工程で機械的
にカットおよびラッピングを行うことによって、薄板状
のイオン伝導性セラミックを形成する方法が主流であっ
た。しかしながら、この方法の場合、薄板状のイオン伝
導性セラミックの製造の歩留まりまで考慮すると、７０
μｍ程度の厚みが製作できる限界であり、それ以上の薄
板化はは非常に困難で、もし得られてもクラックやピン
ホールが発生し易い。よって、この方法による薄板化
は、例えば数μｍまたは数Å（オングストローム）オー
ダの薄膜のレベルまでは至っていない。
ラミックを薄板化しようとする場合、従来は、酸化物イ
オン伝導性セラミックの原材料であるイオン伝導性の良
好なＺｒＯ2 −８mol％Ｙ2 Ｏ3 等のジルコニアパウダ
をプレス成型した後、それを焼成し、最終工程で機械的
にカットおよびラッピングを行うことによって、薄板状
のイオン伝導性セラミックを形成する方法が主流であっ
た。しかしながら、この方法の場合、薄板状のイオン伝
導性セラミックの製造の歩留まりまで考慮すると、７０
μｍ程度の厚みが製作できる限界であり、それ以上の薄
板化はは非常に困難で、もし得られてもクラックやピン
ホールが発生し易い。よって、この方法による薄板化
は、例えば数μｍまたは数Å（オングストローム）オー
ダの薄膜のレベルまでは至っていない。
【０００４】イオン伝導性セラミックを薄板化する他の
方法として、いわゆるグリーンシート法がある。グリー
ンシート法は、セラミックスの薄い成形体を連続して得
る方法の一つであり、セラミック原料粉末に成形助剤
（結合剤、可塑剤、分散剤）、溶剤などを加えて充分に
混合したスラリを、例えばドクタブレード法等の成形手
法によりキャリア上にシート状に成形してシート状成形
体すなわちグリーンシートとし、このグリーンシートを
適宜なる寸法・形状に加工するとともに焼成してシート
状のセラミックを得る方法である。ドクタブレード法で
は、上述のスラリを、キャリアフィルム上に供給し、こ
のスラリの乗ったキャリアフィルムを移動させ、このキ
ャリアフィルムの上方に配設されたドクタブレードによ
って、スラリを一定の厚みに薄く延ばして引き出さして
グリーンシートを成形する。グリーンシートの厚みを精
度よく制御するためにドクタブレードを２枚設けること
も少なくない。
方法として、いわゆるグリーンシート法がある。グリー
ンシート法は、セラミックスの薄い成形体を連続して得
る方法の一つであり、セラミック原料粉末に成形助剤
（結合剤、可塑剤、分散剤）、溶剤などを加えて充分に
混合したスラリを、例えばドクタブレード法等の成形手
法によりキャリア上にシート状に成形してシート状成形
体すなわちグリーンシートとし、このグリーンシートを
適宜なる寸法・形状に加工するとともに焼成してシート
状のセラミックを得る方法である。ドクタブレード法で
は、上述のスラリを、キャリアフィルム上に供給し、こ
のスラリの乗ったキャリアフィルムを移動させ、このキ
ャリアフィルムの上方に配設されたドクタブレードによ
って、スラリを一定の厚みに薄く延ばして引き出さして
グリーンシートを成形する。グリーンシートの厚みを精
度よく制御するためにドクタブレードを２枚設けること
も少なくない。
【０００５】また、セラミックスを均質にするため、上
述のスラリに代えて、１種以上の無機質を分散相とし水
を分散媒とするとともに必要に応じて有機質バインダを
含ませたコロイドを調整し、このコロイドからその分散
媒を離脱して生成したゲルを用いてグリーンシートをつ
くることも行われる。このグリーンシート法は、有機樹
脂を用いたフィルム化の手法に非常に似ており、大面積
化することも可能であるが、この場合も３０μｍ程度の
厚みが限界であるし、得られる膜も密度が小さく緻密で
ないために、イオン伝導性が低下する。
述のスラリに代えて、１種以上の無機質を分散相とし水
を分散媒とするとともに必要に応じて有機質バインダを
含ませたコロイドを調整し、このコロイドからその分散
媒を離脱して生成したゲルを用いてグリーンシートをつ
くることも行われる。このグリーンシート法は、有機樹
脂を用いたフィルム化の手法に非常に似ており、大面積
化することも可能であるが、この場合も３０μｍ程度の
厚みが限界であるし、得られる膜も密度が小さく緻密で
ないために、イオン伝導性が低下する。
【０００６】一方、μｍオーダにさらにÅ（オングスト
ローム）オーダの薄膜を実現する方法としては、スパッ
タ、蒸着等のドライプロセスによる薄膜形成が考えられ
る。しかしながら、ドライプロセスの場合、単一な材料
の薄膜、例えばＡｌ（アルミニウム）またはＡｕ（金）
のみのターゲットを用いる場合であれば非常に良好なも
のが得られるが、合金あるいはイオン伝導性セラミック
のように酸化物混合体をターゲットとする場合は、成膜
レートの不均一が生じるため均一な薄膜を得ることが困
難である。
ローム）オーダの薄膜を実現する方法としては、スパッ
タ、蒸着等のドライプロセスによる薄膜形成が考えられ
る。しかしながら、ドライプロセスの場合、単一な材料
の薄膜、例えばＡｌ（アルミニウム）またはＡｕ（金）
のみのターゲットを用いる場合であれば非常に良好なも
のが得られるが、合金あるいはイオン伝導性セラミック
のように酸化物混合体をターゲットとする場合は、成膜
レートの不均一が生じるため均一な薄膜を得ることが困
難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、μｍオ
ーダ、もしくはそれ以下の厚みの、イオン伝導体薄膜を
作製するためには、スパッタ、蒸着等のドライプロセス
を用いることが考えられるが、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 のよ
うに、酸化物であって、しかも単一成分でなく多成分系
（この場合２成分系）の場合、ＺｒＯ2 とＹ2 Ｏ3 との
分別蒸留による成膜レートの違いで、適切な成分比のも
のが得られなかったり、全般的に酸化物をターゲットと
するために、金属等に比べ、成膜レートが低く、結果的
に成膜するのに時間がかかるという問題があった。
ーダ、もしくはそれ以下の厚みの、イオン伝導体薄膜を
作製するためには、スパッタ、蒸着等のドライプロセス
を用いることが考えられるが、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 のよ
うに、酸化物であって、しかも単一成分でなく多成分系
（この場合２成分系）の場合、ＺｒＯ2 とＹ2 Ｏ3 との
分別蒸留による成膜レートの違いで、適切な成分比のも
のが得られなかったり、全般的に酸化物をターゲットと
するために、金属等に比べ、成膜レートが低く、結果的
に成膜するのに時間がかかるという問題があった。
【０００８】したがって、従来は、μｍオーダもしくは
それ以下の厚みのイオン伝導体薄膜からなるイオン伝導
体を実現することは、非常に困難であった。
それ以下の厚みのイオン伝導体薄膜からなるイオン伝導
体を実現することは、非常に困難であった。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、多成分系の場合にも成分比をコントロールし
て、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みでしかも特性の
良好なイオン伝導性セラミックからなる薄膜を形成する
ことのできるイオン伝導体薄膜の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
たもので、多成分系の場合にも成分比をコントロールし
て、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みでしかも特性の
良好なイオン伝導性セラミックからなる薄膜を形成する
ことのできるイオン伝導体薄膜の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
【００１０】また、本発明の他の目的は、μｍオーダ、
またはそれ以下の厚みのイオン伝導性セラミックの薄膜
を用いたイオン伝導体を提供することにある。
またはそれ以下の厚みのイオン伝導性セラミックの薄膜
を用いたイオン伝導体を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るイオン伝導
体は、基板と、この基板上に形成され少なくとも２成分
にて成立する酸化物イオン伝導性セラミックの薄膜から
なるイオン伝導性薄膜とを具備することを特徴としてい
る。
体は、基板と、この基板上に形成され少なくとも２成分
にて成立する酸化物イオン伝導性セラミックの薄膜から
なるイオン伝導性薄膜とを具備することを特徴としてい
る。
【００１２】本発明に係るイオン伝導体薄膜の製造方法
は、少なくとも２成分にて成立する酸化物イオン伝導性
セラミックからなるイオン伝導体薄膜の製造方法におい
て、酸化物イオン伝導性セラミックの主成分の原材料と
なる金属と前記酸化物イオン伝導性セラミックの副成分
の原材料となる金属とを少なくとも各１層ずつ交互に積
層した後に、これら積層金属層を酸化させることによっ
て、酸化物イオン伝導性セラミック薄膜を形成すること
を特徴としている。
は、少なくとも２成分にて成立する酸化物イオン伝導性
セラミックからなるイオン伝導体薄膜の製造方法におい
て、酸化物イオン伝導性セラミックの主成分の原材料と
なる金属と前記酸化物イオン伝導性セラミックの副成分
の原材料となる金属とを少なくとも各１層ずつ交互に積
層した後に、これら積層金属層を酸化させることによっ
て、酸化物イオン伝導性セラミック薄膜を形成すること
を特徴としている。
【００１３】
【作用】本発明においては、予め金属材料のターゲット
を作製し、基板上に金属の薄膜を形成した後に、後工程
として焼成等で酸化させることにより、酸化物セラミッ
クを形成させるようにして、２成分系以上の多成分系の
場合にも、別々にターゲットを作製し、積層後に酸化さ
せることによって、成分比をコントロールすることがで
きるので、μｍオーダまたはそれ以下の厚みの薄膜状の
酸化物イオン伝導体セラミックを形成することが可能と
なる。
を作製し、基板上に金属の薄膜を形成した後に、後工程
として焼成等で酸化させることにより、酸化物セラミッ
クを形成させるようにして、２成分系以上の多成分系の
場合にも、別々にターゲットを作製し、積層後に酸化さ
せることによって、成分比をコントロールすることがで
きるので、μｍオーダまたはそれ以下の厚みの薄膜状の
酸化物イオン伝導体セラミックを形成することが可能と
なる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係るイオン伝
導体の製造過程を示している。すなわち、予め、Ｚｒ
（ジルコニウム）とＹ（イットリウム）のターゲットを
それぞれ作製しておき、まずＺｒのターゲットを用いて
スパッタリングを行い、基板１上にＺｒの薄膜２を形成
し、次いで、Ｙのターゲットを用いてスパッタリングを
行い、基板１上のＺｒの薄膜２の上にさらにＹの薄膜３
を積層する。その後に、１６００℃、３ｈｒという条件
で焼成酸化を行って、基板１上に積層されたＺｒの薄膜
２およびＹの薄膜３をＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 の薄膜４とす
る。
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係るイオン伝
導体の製造過程を示している。すなわち、予め、Ｚｒ
（ジルコニウム）とＹ（イットリウム）のターゲットを
それぞれ作製しておき、まずＺｒのターゲットを用いて
スパッタリングを行い、基板１上にＺｒの薄膜２を形成
し、次いで、Ｙのターゲットを用いてスパッタリングを
行い、基板１上のＺｒの薄膜２の上にさらにＹの薄膜３
を積層する。その後に、１６００℃、３ｈｒという条件
で焼成酸化を行って、基板１上に積層されたＺｒの薄膜
２およびＹの薄膜３をＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 の薄膜４とす
る。
【００１５】このようにして、基板１上にＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 の充分に薄い薄膜４が形成されたイオン伝導体を
作製することができる。この場合、ＺｒＯ2 とＹ2 Ｏ3
の比率は、ＺｒとＹのスパッタレベルすなわち膜厚をコ
ントロールすることによって、調整することができる。
実験によれば、ＺｒとＹの膜厚比を１００：５程度とし
たときに良好なイオン伝導性を示すことが確認されてい
る。
2 Ｏ3 の充分に薄い薄膜４が形成されたイオン伝導体を
作製することができる。この場合、ＺｒＯ2 とＹ2 Ｏ3
の比率は、ＺｒとＹのスパッタレベルすなわち膜厚をコ
ントロールすることによって、調整することができる。
実験によれば、ＺｒとＹの膜厚比を１００：５程度とし
たときに良好なイオン伝導性を示すことが確認されてい
る。
【００１６】図２は、本発明の第２の実施例に係るイオ
ン伝導体の製造過程を示している。第１の実施例の場合
と同様にＺｒとＹをそれぞれターゲットにして、Ｚｒの
スパッタリングとＹのスパッタリングとを交互に繰り返
し行って、得られた積層薄膜を酸化してイオン伝導性酸
化物セラミックとする。その膜厚は１００Å（オングス
トローム）〜数μｍの厚みがあれば充分に機能する。
ン伝導体の製造過程を示している。第１の実施例の場合
と同様にＺｒとＹをそれぞれターゲットにして、Ｚｒの
スパッタリングとＹのスパッタリングとを交互に繰り返
し行って、得られた積層薄膜を酸化してイオン伝導性酸
化物セラミックとする。その膜厚は１００Å（オングス
トローム）〜数μｍの厚みがあれば充分に機能する。
【００１７】すなわち、まずＺｒのターゲットを用いて
スパッタリングを行い、基板１１上にＺｒの薄膜１２を
形成し、次いで、Ｙのターゲットを用いてスパッタリン
グを行い、基板１１上のＺｒの薄膜１２の上にさらにＹ
の薄膜１３を積層する。次にＺｒのターゲットを用いて
スパッタリングを行い、Ｙの薄膜１３の上にさらにＺｒ
の薄膜１４を積層し、さらにＹのターゲットを用いてス
パッタリングを行って、Ｚｒの薄膜１４の上にさらにＹ
の薄膜１５を積層する。その後に、１６００℃、３ｈｒ
という条件で焼成酸化を行って、基板１１上に積層され
たＺｒ薄膜１２、Ｙ薄膜１３、Ｚｒ薄膜１４およびＹ薄
膜１５をＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 の薄膜１６とする。
スパッタリングを行い、基板１１上にＺｒの薄膜１２を
形成し、次いで、Ｙのターゲットを用いてスパッタリン
グを行い、基板１１上のＺｒの薄膜１２の上にさらにＹ
の薄膜１３を積層する。次にＺｒのターゲットを用いて
スパッタリングを行い、Ｙの薄膜１３の上にさらにＺｒ
の薄膜１４を積層し、さらにＹのターゲットを用いてス
パッタリングを行って、Ｚｒの薄膜１４の上にさらにＹ
の薄膜１５を積層する。その後に、１６００℃、３ｈｒ
という条件で焼成酸化を行って、基板１１上に積層され
たＺｒ薄膜１２、Ｙ薄膜１３、Ｚｒ薄膜１４およびＹ薄
膜１５をＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 の薄膜１６とする。
【００１８】このようにして、基板１１上にＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 の薄膜１６が形成されたイオン伝導体を作製す
ることができる。このように、ＺｒとＹとの交互積層構
造においても次式のように酸化され、充分にイオン伝導
性酸化物セラミックを形成することが可能であることが
わかった。
Ｙ2 Ｏ3 の薄膜１６が形成されたイオン伝導体を作製す
ることができる。このように、ＺｒとＹとの交互積層構
造においても次式のように酸化され、充分にイオン伝導
性酸化物セラミックを形成することが可能であることが
わかった。
【００１９】
【化１】
【００２０】結局、先に述べたように、ＺｒとＹのスパ
ッタレベルをコントロールすることにより、イオン伝導
性の良好な条件を容易に設定できるし、同時に２成分を
スパッタリングするわけではないので、再現性も非常に
良好である。
ッタレベルをコントロールすることにより、イオン伝導
性の良好な条件を容易に設定できるし、同時に２成分を
スパッタリングするわけではないので、再現性も非常に
良好である。
【００２１】このように、金属のスパッタリングにて薄
膜形成を行うため、酸化物のスパッタリングと比較して
非常に高い成膜レートが得られる。しかも、各成分毎
に、単一成分のターゲットを用いて交互に成膜するため
に、それぞれの薄膜の再現性が良好であり、積層の膜厚
レベルにて成分比を容易にコントロールすることができ
る。そして、後工程としては、焼成等による酸化のみ
で、イオン伝導体の酸化物セラミック薄膜が形成でき
る。
膜形成を行うため、酸化物のスパッタリングと比較して
非常に高い成膜レートが得られる。しかも、各成分毎
に、単一成分のターゲットを用いて交互に成膜するため
に、それぞれの薄膜の再現性が良好であり、積層の膜厚
レベルにて成分比を容易にコントロールすることができ
る。そして、後工程としては、焼成等による酸化のみ
で、イオン伝導体の酸化物セラミック薄膜が形成でき
る。
【００２２】また、このようにして形成したセラミック
薄膜が充分な強度を有する場合には、セラミック薄膜形
成後、すなわち焼成酸化後に基板１，１１等を取り除い
てもよい。
薄膜が充分な強度を有する場合には、セラミック薄膜形
成後、すなわち焼成酸化後に基板１，１１等を取り除い
てもよい。
【００２３】なお、金属薄膜を形成するにあたり、金属
のスパッタリングに代えて他の金属蒸着プロセスを用い
てもよい。また、イオン伝導性酸化物セラミックとし
て、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 すなわちジルコニア−イットリ
アの代わりに、ジルコニア−酸化イットリビウムを用い
てもよい。この場合、Ｚｒの金属薄膜とＹｂ（イットリ
ビウム）の金属薄膜とを交互に形成してから、その積層
金属薄膜を酸化させることになる。
のスパッタリングに代えて他の金属蒸着プロセスを用い
てもよい。また、イオン伝導性酸化物セラミックとし
て、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 すなわちジルコニア−イットリ
アの代わりに、ジルコニア−酸化イットリビウムを用い
てもよい。この場合、Ｚｒの金属薄膜とＹｂ（イットリ
ビウム）の金属薄膜とを交互に形成してから、その積層
金属薄膜を酸化させることになる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板上に金属の薄膜を形成した後に、後工程として焼成等
で酸化させることにより、酸化物セラミックを形成させ
るようにして、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みのイ
オン伝導性セラミックの薄膜を用いたイオン伝導体を提
供すること、および多成分系の場合にも成分比をコント
ロールして、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みでしか
も特性の良好なイオン伝導性セラミックからなる薄膜を
形成することのできるイオン伝導体薄膜の製造方法を提
供することができる。
板上に金属の薄膜を形成した後に、後工程として焼成等
で酸化させることにより、酸化物セラミックを形成させ
るようにして、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みのイ
オン伝導性セラミックの薄膜を用いたイオン伝導体を提
供すること、および多成分系の場合にも成分比をコント
ロールして、μｍオーダ、またはそれ以下の厚みでしか
も特性の良好なイオン伝導性セラミックからなる薄膜を
形成することのできるイオン伝導体薄膜の製造方法を提
供することができる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係るイオン伝導体薄
膜の製造工程を説明するための図である。
膜の製造工程を説明するための図である。
【図２】 本発明の第２の実施例に係るイオン伝導体薄
膜の製造工程を説明するための図である。
膜の製造工程を説明するための図である。
１，１１…基板、２，１２，１４…Ｚｒ薄膜、３，１
３，１５…Ｙ薄膜、４，１６…ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 薄
膜。
３，１５…Ｙ薄膜、４，１６…ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 薄
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｎ 27/409 Ｈ０１Ｂ 1/06 Ａ 7244−5Ｇ (72)発明者 中村 克明 東京都江東区木場１丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 (72)発明者 石橋 功成 東京都江東区木場１丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に形成され少なくと
も２成分にて成立する酸化物イオン伝導性セラミックの
薄膜からなるイオン伝導性薄膜とを具備することを特徴
とするイオン伝導体。 - 【請求項２】 少なくとも２成分にて成立する酸化物イ
オン伝導性セラミックからなるイオン伝導体薄膜の製造
方法において、酸化物イオン伝導性セラミックの主成分
の原材料となる金属と前記酸化物イオン伝導性セラミッ
クの副成分の原材料となる金属とを少なくとも各１層ず
つ交互に積層した後に、これら積層金属層を酸化させる
ことによって、酸化物イオン伝導性セラミック薄膜を形
成することを特徴とするイオン伝導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287061A JPH0694394B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | イオン伝導体およびイオン伝導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287061A JPH0694394B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | イオン伝導体およびイオン伝導体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597552A true JPH0597552A (ja) | 1993-04-20 |
| JPH0694394B2 JPH0694394B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=17712549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3287061A Expired - Fee Related JPH0694394B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | イオン伝導体およびイオン伝導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0694394B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7306965B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oxygen ion conductor device, method for fabricating oxygen ion conductor device, and oxygen concentration control system |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3287061A patent/JPH0694394B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7306965B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oxygen ion conductor device, method for fabricating oxygen ion conductor device, and oxygen concentration control system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0694394B2 (ja) | 1994-11-24 |
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