JPH0598446A - 減圧化学気相成長炉 - Google Patents
減圧化学気相成長炉Info
- Publication number
- JPH0598446A JPH0598446A JP26015091A JP26015091A JPH0598446A JP H0598446 A JPH0598446 A JP H0598446A JP 26015091 A JP26015091 A JP 26015091A JP 26015091 A JP26015091 A JP 26015091A JP H0598446 A JPH0598446 A JP H0598446A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manifold
- vapor deposition
- chemical vapor
- pressure chemical
- deposition reactor
- Prior art date
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧化学気相成長炉の炉芯管、マニホール
ド、キャップの間に設ける緩衝部品の改良に関し、簡単
且つ容易に設けることができる緩衝材で被覆された冷却
管からなる緩衝部品を備えた減圧化学気相成長炉の提供
を目的とする。 【構成】 弾性を有する緩衝部品を介して炉芯管１とマ
ニホールド２とキャップ３とを結合した減圧化学気相成
長炉において、表面が緩衝材4bにて被覆された冷却管4a
を介してこの炉芯管１とこのマニホールド２とこのキャ
ップ３とを結合するように構成する。
ド、キャップの間に設ける緩衝部品の改良に関し、簡単
且つ容易に設けることができる緩衝材で被覆された冷却
管からなる緩衝部品を備えた減圧化学気相成長炉の提供
を目的とする。 【構成】 弾性を有する緩衝部品を介して炉芯管１とマ
ニホールド２とキャップ３とを結合した減圧化学気相成
長炉において、表面が緩衝材4bにて被覆された冷却管4a
を介してこの炉芯管１とこのマニホールド２とこのキャ
ップ３とを結合するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、減圧化学気相成長炉の
炉芯管、マニホールド、キャップの間に設ける緩衝部品
の改良に関するものである。
炉芯管、マニホールド、キャップの間に設ける緩衝部品
の改良に関するものである。
【０００２】トリクロルシランなどの反応ガスを用いる
減圧化学気相成長炉においては、反応ガスの導入口が設
けられているマニホールドと炉芯管やキャップとの間に
設けられている緩衝部品の耐熱温度以上にマニホールド
を高温にすることができないためにマニホールド内に冷
却水流路を設けてマニホールドを冷却している。
減圧化学気相成長炉においては、反応ガスの導入口が設
けられているマニホールドと炉芯管やキャップとの間に
設けられている緩衝部品の耐熱温度以上にマニホールド
を高温にすることができないためにマニホールド内に冷
却水流路を設けてマニホールドを冷却している。
【０００３】このため、半導体基板にシリコン窒化膜を
形成するような場合には、このマニホールドの内部の壁
面にシリコン窒化膜が付着し、この付着物が壁面から剥
離するとゴミとなって半導体基板に付着しその品質を低
下させている。
形成するような場合には、このマニホールドの内部の壁
面にシリコン窒化膜が付着し、この付着物が壁面から剥
離するとゴミとなって半導体基板に付着しその品質を低
下させている。
【０００４】以上のような状況から、マニホールドの内
部の壁面の温度を高温にしても、この高温に耐えること
が可能な緩衝部品が要望されている。
部の壁面の温度を高温にしても、この高温に耐えること
が可能な緩衝部品が要望されている。
【０００５】
【従来の技術】従来の減圧化学気相成長炉のマニホール
ド部について図４〜図７により詳細に説明する。
ド部について図４〜図７により詳細に説明する。
【０００６】図４は従来の減圧化学気相成長炉のマニホ
ールド部を示す図、図５は図４のＣ−Ｃ断面図、図６は
図４のＤ−Ｄ断面図、図７は図４のＥ−Ｅ断面図であ
る。図４に示すように炉芯管11とマニホールド12及びマ
ニホールド12とキャップ13は図５に示すようなＯリング
14などの緩衝部品を介して気密に結合されている。
ールド部を示す図、図５は図４のＣ−Ｃ断面図、図６は
図４のＤ−Ｄ断面図、図７は図４のＥ−Ｅ断面図であ
る。図４に示すように炉芯管11とマニホールド12及びマ
ニホールド12とキャップ13は図５に示すようなＯリング
14などの緩衝部品を介して気密に結合されている。
【０００７】このＯリング14の耐熱温度は 200°Ｃのた
め、図６に示すようにこのマニホールド12には冷却水を
通す冷却水流路12c を設け、冷却水導入口12b から冷却
水を導入し、冷却水流路12cを通して冷却水排出口12d
から排出して冷却している。
め、図６に示すようにこのマニホールド12には冷却水を
通す冷却水流路12c を設け、冷却水導入口12b から冷却
水を導入し、冷却水流路12cを通して冷却水排出口12d
から排出して冷却している。
【０００８】この炉芯管11内に半導体基板５などの被処
理物を載置し、図７に示すようにマニホールド12の導入
口12a からトリクロルシランなどの反応ガスを導入して
この半導体基板５の表面にシリコン窒化膜を形成する場
合には、この冷却されているマニホールド12の内部の壁
面にシリコン窒化膜が付着している。
理物を載置し、図７に示すようにマニホールド12の導入
口12a からトリクロルシランなどの反応ガスを導入して
この半導体基板５の表面にシリコン窒化膜を形成する場
合には、この冷却されているマニホールド12の内部の壁
面にシリコン窒化膜が付着している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の減
圧化学気相成長炉においては、炉芯管, マニホールド,
キャップの間の緩衝部品の耐熱温度の制約のためにマニ
ホールドを冷却水で冷却しているので、マニホールドの
内部の壁面にシリコン窒化膜が付着し、このシリコン窒
化膜が剥離するとゴミとなって処理する半導体基板に付
着してその品質を低下させるという問題点があった。
圧化学気相成長炉においては、炉芯管, マニホールド,
キャップの間の緩衝部品の耐熱温度の制約のためにマニ
ホールドを冷却水で冷却しているので、マニホールドの
内部の壁面にシリコン窒化膜が付着し、このシリコン窒
化膜が剥離するとゴミとなって処理する半導体基板に付
着してその品質を低下させるという問題点があった。
【００１０】本発明は以上のような状況から、簡単且つ
容易に設けることができる緩衝材で被覆された冷却管か
らなる緩衝部品を備えた減圧化学気相成長炉の提供を目
的としたものである。
容易に設けることができる緩衝材で被覆された冷却管か
らなる緩衝部品を備えた減圧化学気相成長炉の提供を目
的としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の減圧化学気相成
長炉は、弾性を有する緩衝部品を介して炉芯管とマニホ
ールドとキャップとを直列に結合した減圧化学気相成長
炉において、表面が緩衝材にて被覆された冷却管を介し
てこの炉芯管とこのマニホールド及びこのマニホールド
とこのキャップとを結合するように構成する。
長炉は、弾性を有する緩衝部品を介して炉芯管とマニホ
ールドとキャップとを直列に結合した減圧化学気相成長
炉において、表面が緩衝材にて被覆された冷却管を介し
てこの炉芯管とこのマニホールド及びこのマニホールド
とこのキャップとを結合するように構成する。
【００１２】
【作用】即ち本発明においては、炉芯管とマニホールド
の間、マニホールドとキャップの間に、表面が緩衝材に
て被覆された冷却管を介在させているので、冷却管内に
冷却水を流しておけば、この冷却管を被覆している緩衝
材の温度を上昇させないでマニホールドの内部の壁面の
温度を高く保持することができるので、シリコン窒化膜
などがマニホールドの内部の壁面に付着するのを防止す
ることが可能となる。
の間、マニホールドとキャップの間に、表面が緩衝材に
て被覆された冷却管を介在させているので、冷却管内に
冷却水を流しておけば、この冷却管を被覆している緩衝
材の温度を上昇させないでマニホールドの内部の壁面の
温度を高く保持することができるので、シリコン窒化膜
などがマニホールドの内部の壁面に付着するのを防止す
ることが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下図１〜図３により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例の減
圧化学気相成長炉のマニホールド部を示す図、図２は図
１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例の減
圧化学気相成長炉のマニホールド部を示す図、図２は図
１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図である。
【００１４】図１に示すように炉芯管１とマニホールド
２及びマニホールド２とキャップ３は表面が緩衝材4bに
て被覆された冷却管4aを介して気密に結合されている。
この緩衝材4bにはバイトンなどの弾性材料を用いてお
り、図２に示すように冷却管4a内には冷却水を流して冷
却しているが、炉芯管１やマニホールド２の内部の壁面
の温度は高温に保持されている。
２及びマニホールド２とキャップ３は表面が緩衝材4bに
て被覆された冷却管4aを介して気密に結合されている。
この緩衝材4bにはバイトンなどの弾性材料を用いてお
り、図２に示すように冷却管4a内には冷却水を流して冷
却しているが、炉芯管１やマニホールド２の内部の壁面
の温度は高温に保持されている。
【００１５】この炉芯管１内に半導体基板５などの被処
理物を載置し、図３に示すようにマニホールド２の導入
口2aからトリクロルシランなどの反応ガスを導入してこ
の半導体基板５の表面にシリコン窒化膜を形成する場合
においても、高温に保持されているマニホールド２の内
部の壁面にはシリコン窒化膜が付着しなくなる。
理物を載置し、図３に示すようにマニホールド２の導入
口2aからトリクロルシランなどの反応ガスを導入してこ
の半導体基板５の表面にシリコン窒化膜を形成する場合
においても、高温に保持されているマニホールド２の内
部の壁面にはシリコン窒化膜が付着しなくなる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば緩衝部品の極めて簡単な構造の変更により、マニ
ホールドの内部の壁面の温度を高温に保持することがで
き、シリコン窒化膜などが壁面に付着するのを防止する
ことが可能となる利点があり、著しい信頼性向上の効果
が期待できる減圧化学気相成長炉の提供が可能である。
よれば緩衝部品の極めて簡単な構造の変更により、マニ
ホールドの内部の壁面の温度を高温に保持することがで
き、シリコン窒化膜などが壁面に付着するのを防止する
ことが可能となる利点があり、著しい信頼性向上の効果
が期待できる減圧化学気相成長炉の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例の減圧化学気相成長炉
のマニホールド部を示す図、
のマニホールド部を示す図、
【図２】 図１のＡ−Ａ断面図、
【図３】 図１のＢ−Ｂ断面図、
【図４】 従来の減圧化学気相成長炉のマニホールド部
を示す図、
を示す図、
【図５】 図４のＣ−Ｃ断面図、
【図６】 図４のＤ−Ｄ断面図、
【図７】 図４のＥ−Ｅ断面図、
１は炉芯管、 ２はマニホールド、 2aは導入口、 ３はキャップ、 4aは冷却管、 4bは緩衝材、 ５は半導体基板、
Claims (1)
- 【請求項１】 弾性を有する緩衝部品を介して炉芯管
(1)とマニホールド(2)とキャップ(3)とを直列に結合し
た減圧化学気相成長炉において、 表面が緩衝材(4b)にて被覆された冷却管(4a)を介して前
記炉芯管(1) と前記マニホールド(2) 及び該マニホール
ド(2) と前記キャップ(3) とを結合することを特徴とす
る減圧化学気相成長炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26015091A JPH0598446A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 減圧化学気相成長炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26015091A JPH0598446A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 減圧化学気相成長炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0598446A true JPH0598446A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17344009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26015091A Withdrawn JPH0598446A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 減圧化学気相成長炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0598446A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19959845B4 (de) * | 1998-12-10 | 2012-11-29 | Stefan Laure | Plasmagenerator |
| CN103834932A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Lpcvd工艺设备 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP26015091A patent/JPH0598446A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19959845B4 (de) * | 1998-12-10 | 2012-11-29 | Stefan Laure | Plasmagenerator |
| CN103834932A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Lpcvd工艺设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |