JPH059912B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH059912B2 JPH059912B2 JP1211570A JP21157089A JPH059912B2 JP H059912 B2 JPH059912 B2 JP H059912B2 JP 1211570 A JP1211570 A JP 1211570A JP 21157089 A JP21157089 A JP 21157089A JP H059912 B2 JPH059912 B2 JP H059912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- temperature
- ferroelectric
- specimen
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発熱素子に関し、特に強誘電絶縁体セ
ラミツク発熱素子に関する。
ラミツク発熱素子に関する。
従来からのセラミツクヒータは主として半導体
磁器（抵抗係数103オームセンチメートル以下）
を発熱素子とし、普通の抵抗加熱器と同様に、通
電して発生するジユール熱を利用している。この
ような半導体磁器発熱素子は、現今、主として、
（Ba、Pb）TiO3などの、いわゆる正温度係数
（PTC）セラミツクを基体として使用している。
磁器（抵抗係数103オームセンチメートル以下）
を発熱素子とし、普通の抵抗加熱器と同様に、通
電して発生するジユール熱を利用している。この
ような半導体磁器発熱素子は、現今、主として、
（Ba、Pb）TiO3などの、いわゆる正温度係数
（PTC）セラミツクを基体として使用している。
上述の従来技術において、正温度係数セラミツ
クは、ある特定の温度になると急激に抵抗値を増
加し、電流が流れにくくなり、発熱量が減少する
正の抵抗温度特性を有するので、過熱することが
なく、温度を一定に保ち、電気製品の安全性を向
上させる利点があることがよく知られているが、
製造過程において多くの変数に影響され、安定な
特性の再現特性を安定に保持し難いのみならず、
たとえば、耐電圧性が下回ることでもあると、実
用上、時々電圧の変動によつて破壊され、火災さ
えを起こしかねない。その上、電流により発熱作
用をするので、キユリー温度に達すると、オン／
オフ切り替え瞬間の電流振動によるサージ電流に
干渉される欠点があることもよく知られている。
クは、ある特定の温度になると急激に抵抗値を増
加し、電流が流れにくくなり、発熱量が減少する
正の抵抗温度特性を有するので、過熱することが
なく、温度を一定に保ち、電気製品の安全性を向
上させる利点があることがよく知られているが、
製造過程において多くの変数に影響され、安定な
特性の再現特性を安定に保持し難いのみならず、
たとえば、耐電圧性が下回ることでもあると、実
用上、時々電圧の変動によつて破壊され、火災さ
えを起こしかねない。その上、電流により発熱作
用をするので、キユリー温度に達すると、オン／
オフ切り替え瞬間の電流振動によるサージ電流に
干渉される欠点があることもよく知られている。
上記欠点に鑑み、この発明は、製作が簡単で、
耐電圧性が高く、正温度係数セラミツク同様に温
度を一定に保つことができ、また、電圧の印加に
より発熱作用をする、強誘電絶縁体セラミツクを
用いた発熱素子を提供することを目的とする。
耐電圧性が高く、正温度係数セラミツク同様に温
度を一定に保つことができ、また、電圧の印加に
より発熱作用をする、強誘電絶縁体セラミツクを
用いた発熱素子を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、交流電
圧を印加することによつて強誘電絶縁体セラミツ
クを発熱素子の発熱体とすることを要旨とする。
圧を印加することによつて強誘電絶縁体セラミツ
クを発熱素子の発熱体とすることを要旨とする。
W.Kanzigの“Ferroelectrics and
Antiferroelectrics”、Academic Press（1957）
と、B.Jaffe、R.W.Cook and H.Jaffeの
“Piezoelectic Ceramics”、Academic Press
（1971）と、J.Grindlayの”An Introduction to
the Phenomenological Theory of
Ferroelectricity”、PergamonPress（1970）など
の文献から分かるように、強誘電体セラミツクな
どのイオン結晶は絶縁体で、普通の抵抗加熱器に
使用されている高抵抗導体ないし従来のセラミツ
クヒータに使用されている半導体磁器とまつたく
異なり、電流が通過できないのみならず、また、
自発分極をもつ上、電界などの外力を加えた時、
電気分解を更に進んで生じさせることができるの
で、従来からよくコンデンサーや圧電素子の基体
として利用されている。しかしながら、強誘電体
セラミツクをコンデンサーの基体とした場合、該
コンデンサーを電気分極させて充電する時、も
し、電界が時間的に変化すると、分極された電気
双極子は変動電界に作用されてスピンし、電気双
極子同志間に摩擦が生じて発熱し、誘電損失をも
たらす恐れがあるので、電圧は10ボルトくらいの
低電圧しか使用できず、誘電損失をなるべく抑制
して蓄電容量を増加することを目標とし、また、
圧電素子の基体とした場合、高電圧の時流電界を
印加して成極させた後使用するので、機電変換効
率を強調し、誘電損失をもなるべく抑制すること
などが現状である。
Antiferroelectrics”、Academic Press（1957）
と、B.Jaffe、R.W.Cook and H.Jaffeの
“Piezoelectic Ceramics”、Academic Press
（1971）と、J.Grindlayの”An Introduction to
the Phenomenological Theory of
Ferroelectricity”、PergamonPress（1970）など
の文献から分かるように、強誘電体セラミツクな
どのイオン結晶は絶縁体で、普通の抵抗加熱器に
使用されている高抵抗導体ないし従来のセラミツ
クヒータに使用されている半導体磁器とまつたく
異なり、電流が通過できないのみならず、また、
自発分極をもつ上、電界などの外力を加えた時、
電気分解を更に進んで生じさせることができるの
で、従来からよくコンデンサーや圧電素子の基体
として利用されている。しかしながら、強誘電体
セラミツクをコンデンサーの基体とした場合、該
コンデンサーを電気分極させて充電する時、も
し、電界が時間的に変化すると、分極された電気
双極子は変動電界に作用されてスピンし、電気双
極子同志間に摩擦が生じて発熱し、誘電損失をも
たらす恐れがあるので、電圧は10ボルトくらいの
低電圧しか使用できず、誘電損失をなるべく抑制
して蓄電容量を増加することを目標とし、また、
圧電素子の基体とした場合、高電圧の時流電界を
印加して成極させた後使用するので、機電変換効
率を強調し、誘電損失をもなるべく抑制すること
などが現状である。
この発明の強誘電体セラミツク発熱素子は上記
コンデンサーおよび圧電素子と正反対で、強誘電
体の上記誘電損失を利用すること、即ち、誘電発
熱現象を良く発揮させてその加熱作用を利用しよ
うとすることを主眼とする。
コンデンサーおよび圧電素子と正反対で、強誘電
体の上記誘電損失を利用すること、即ち、誘電発
熱現象を良く発揮させてその加熱作用を利用しよ
うとすることを主眼とする。
このように構成した発熱素子は、交流電圧を引
火して該強誘電絶縁体セラミツクの電気双極子を
スピンさせることにより、電気双極子同志間に摩
擦をもたらせて発熱させることができる。
火して該強誘電絶縁体セラミツクの電気双極子を
スピンさせることにより、電気双極子同志間に摩
擦をもたらせて発熱させることができる。
この発明の上記またその他の目的、特徴および
利点は、図面を参照しての以下の実施例の詳細な
説明から一層あきらかとなろう。
利点は、図面を参照しての以下の実施例の詳細な
説明から一層あきらかとなろう。
以下、本発明の実施例を図面に沿つて説明す
る。
る。
第１図および第２図に示すように、構造面から
みれば、この発明の強誘電体セラミツク発熱素子
１は強誘電体セラミツク１０を基体としてその両
端に電極１１，１２を形成することで済むが、次
に述べるのはその技術上に欠かすことができない
要件である。
みれば、この発明の強誘電体セラミツク発熱素子
１は強誘電体セラミツク１０を基体としてその両
端に電極１１，１２を形成することで済むが、次
に述べるのはその技術上に欠かすことができない
要件である。
上記のように、強誘電絶縁体に、交流電圧、す
なわち、周波数が０ヘルツより大きいの変動電界
を印加すると、該変動電界に作用されて、繰り返
してスピンすることにより、摩擦発節作用をする
ことができる電気双極子をもつが、強誘電体とい
えども、キユリー温度（Tc）があつて、このキ
ユリー温度を越えると、誘電係数が急に下がり、
温度を引続きあげることができないので、この発
明はキユリー温度が室温以上の強誘電絶縁体に限
られる。また、強誘電絶縁体として下記の例のペ
ロブスカイト型構造を有し、かつ、キユリー温度
以下の温度において正方晶系を呈する材料から作
られる。
なわち、周波数が０ヘルツより大きいの変動電界
を印加すると、該変動電界に作用されて、繰り返
してスピンすることにより、摩擦発節作用をする
ことができる電気双極子をもつが、強誘電体とい
えども、キユリー温度（Tc）があつて、このキ
ユリー温度を越えると、誘電係数が急に下がり、
温度を引続きあげることができないので、この発
明はキユリー温度が室温以上の強誘電絶縁体に限
られる。また、強誘電絶縁体として下記の例のペ
ロブスカイト型構造を有し、かつ、キユリー温度
以下の温度において正方晶系を呈する材料から作
られる。
例 １
BaTiO（Tc＝130℃）
Tcを降下させるよう、BaTiO3にはSrTiO3を
添加することができ、また、Tcを増加させるよ
う、BaTiO3にはPbTiO3を添加することができ
る。
添加することができ、また、Tcを増加させるよ
う、BaTiO3にはPbTiO3を添加することができ
る。
例 ２
Pb（ZrxTi1-x）O3［ｘ＝０−１］
必要に応じ、軟性や硬性の配分を添加すること
ができ、例えば、 （PbxSr1-x）［（Zr0.52Ti0.48）1-y）（Sb1/2Nb1/2）
］
O3 （PbxSr1-x）［（Zr0.52Ti0.48）1-y（Mn1/3Nb2/3）］
O3 などが挙げられる。
ができ、例えば、 （PbxSr1-x）［（Zr0.52Ti0.48）1-y）（Sb1/2Nb1/2）
］
O3 （PbxSr1-x）［（Zr0.52Ti0.48）1-y（Mn1/3Nb2/3）］
O3 などが挙げられる。
次に、試験データを参照しながらこの発明の利
点を説明する。
点を説明する。
試片１−４は下記の配分に従つて作られた。
試片１１0.93モルBaTiO3＋0.07モルSrTiO3
試片２２0.89モルBaTiO3＋0.11モルSrTiO3
試片３３0.92モルBaTiO3＋0.08モルPbTiO3
試片４４純BaTiO3
参照のために、上記成分PbTiO3、BaTiO3お
よびSrTiO3のキユリー温度（Tc）および分子量
を下記のように羅列する。
よびSrTiO3のキユリー温度（Tc）および分子量
を下記のように羅列する。
PbTiO3 Tc＝363℃ 分子量＝303.067ｇ／モル
BaTiO3Tc＝120℃ 分子量＝233.207ｇ／モル
SrTiO3 Tc＝163℃ 分子量＝183.479ｇ／モル
上記試片は、まず、上記の配分をボールミルに
おいて６時間粉砕混合した後、乾燥してから、
1000℃の下で〓焼し、そして、再びボールミルに
おいて６時間粉砕混合し、次いで、乾燥してから
直径20mm、厚さ１mmの薄錠状に圧縮成形し、そし
て、1350℃の下で焼結した後、電極層を形成する
ように製作した。
おいて６時間粉砕混合した後、乾燥してから、
1000℃の下で〓焼し、そして、再びボールミルに
おいて６時間粉砕混合し、次いで、乾燥してから
直径20mm、厚さ１mmの薄錠状に圧縮成形し、そし
て、1350℃の下で焼結した後、電極層を形成する
ように製作した。
上記電極層は銀電極やアルミ電極などの導電性
金属を使用すれば良いが、この実施例では
Dupont7095の銀電極グルーを使用し、焼結前の
厚さは約１mm−1.5mmで、焼結後の厚さは100μｍ
未満である。
金属を使用すれば良いが、この実施例では
Dupont7095の銀電極グルーを使用し、焼結前の
厚さは約１mm−1.5mmで、焼結後の厚さは100μｍ
未満である。
上記試片を、第３図に示すように、クリツプ３
１で、Al2O3製の絶縁材３２を介して試片３３を
固定し、該試片３３に所定の交流電界を印加し、
また、温度測定器３４によつてその温度を測定す
るように、下記の試験を行なつた。
１で、Al2O3製の絶縁材３２を介して試片３３を
固定し、該試片３３に所定の交流電界を印加し、
また、温度測定器３４によつてその温度を測定す
るように、下記の試験を行なつた。
試験 １
誘電率を変化させながら試片１−試片４の温度
をそれぞれ測定したところ、第４図のようなグラ
フが得られる。このグラフから分かるように、試
片１１−試片４のTcはそれぞれ約90℃、105℃、
155℃、130℃である。
をそれぞれ測定したところ、第４図のようなグラ
フが得られる。このグラフから分かるように、試
片１１−試片４のTcはそれぞれ約90℃、105℃、
155℃、130℃である。
即ち、この試験から、キユリー温度が室温以上
の強誘電体は、製造が簡単でかつ、再現性及び生
産率も良い、一般ありふれた、誘電セラミツクか
ら容易に選ばれることが知られる。
の強誘電体は、製造が簡単でかつ、再現性及び生
産率も良い、一般ありふれた、誘電セラミツクか
ら容易に選ばれることが知られる。
試験 ２
電圧を変化させながら試片１−試片４の温度を
それぞれ測定したところ、第５図のようなグラフ
が得られる。このグラフから分かるように、試片
の作業温度は電圧の増加に伴つて段々上がるが、
一定温度に達すると、平穏になつて最高作業温度
になる。この最高作業温度はそれぞれ約90℃、
105℃、155℃、130℃で、上記それと対応するキ
ユリー温度と等しい。
それぞれ測定したところ、第５図のようなグラフ
が得られる。このグラフから分かるように、試片
の作業温度は電圧の増加に伴つて段々上がるが、
一定温度に達すると、平穏になつて最高作業温度
になる。この最高作業温度はそれぞれ約90℃、
105℃、155℃、130℃で、上記それと対応するキ
ユリー温度と等しい。
即ち、この試験から、強誘電体セラミツクはキ
ユリー温度に達すると、その温度を引続きあげる
ことができなく、一定に保持することができ、正
温度係数作用と同様な効果があり、また、１mmの
セラミツクに対し2KVの電圧を印加しても、破
壊されず、耐電圧性が良いことが知られる。
ユリー温度に達すると、その温度を引続きあげる
ことができなく、一定に保持することができ、正
温度係数作用と同様な効果があり、また、１mmの
セラミツクに対し2KVの電圧を印加しても、破
壊されず、耐電圧性が良いことが知られる。
次に、試片４を例としてその作用電流をチエツ
クする。
クする。
試験 ３
電圧を変化させながら試片４の電流を測定した
ところ、第６図のようにグラフが得られる。この
グラフから分かるように、試片４に流れる電流
は、電圧を上げると共に大になるが、電圧が試片
４のキユリー温度に対応する電圧（約1.1KV、第
５図参照）に上げると、電流は急にほぼ０近くに
至るほどさがる。
ところ、第６図のようにグラフが得られる。この
グラフから分かるように、試片４に流れる電流
は、電圧を上げると共に大になるが、電圧が試片
４のキユリー温度に対応する電圧（約1.1KV、第
５図参照）に上げると、電流は急にほぼ０近くに
至るほどさがる。
即ち、この試験から、強誘電体セラミツクは純
コンデンサー特性があり、かつ、一定の温度を保
てることが知られる。
コンデンサー特性があり、かつ、一定の温度を保
てることが知られる。
試験 ４
電力を変化させながら試片４｛BaTiO3、Tc＝
130℃｝およびPZTセラミツク材試片｛Pb
（ZrTi）O3、Tc＝300℃｝の温度を測定したとこ
ろ、第７図および第８図のようなグラフがそれぞ
れ得られる。このグラフから分かるように、試料
４は温度が100℃に近付くと段々カーブが緩やか
になるが、PZTセラミツク材試料は、温度が電
力に伴つて正比例に上がる（試験は170℃まで行
なう）。
130℃｝およびPZTセラミツク材試片｛Pb
（ZrTi）O3、Tc＝300℃｝の温度を測定したとこ
ろ、第７図および第８図のようなグラフがそれぞ
れ得られる。このグラフから分かるように、試料
４は温度が100℃に近付くと段々カーブが緩やか
になるが、PZTセラミツク材試料は、温度が電
力に伴つて正比例に上がる（試験は170℃まで行
なう）。
この試験から、この発明の強誘電体セラミツク
発熱素子は誘電発熱作用を有するが、需要に応じ
る所定温度を保つよう、キユリー温度に基づき材
料をよく選択しなければならないことが知られ
る。
発熱素子は誘電発熱作用を有するが、需要に応じ
る所定温度を保つよう、キユリー温度に基づき材
料をよく選択しなければならないことが知られ
る。
上記実施例および試験例により証明できるよう
に、この発明の強誘電絶縁体セラミツク発熱体は
強誘電体セラミツクを発熱素子の発熱体としたの
で、交流電圧を印加して該強誘電絶縁体セラミツ
クの電気双極子をスピンさせることにより、電気
双極子同志間に摩擦をもたらせて発熱させること
ができ、また、キユリー温度に達すると、一定の
温度を保持することができるので、電気製品の安
全性を向上させる利点があるのみならず、製作過
程も簡単で、再現性が良く、また、耐電圧性が高
くて電圧変化に破壊されにくく、火災を防止する
ことができ、その上、電圧により発熱作用をする
ので、オン／オフ切り替え瞬間の電流振動による
サージ電流に干渉される欠点もない。
に、この発明の強誘電絶縁体セラミツク発熱体は
強誘電体セラミツクを発熱素子の発熱体としたの
で、交流電圧を印加して該強誘電絶縁体セラミツ
クの電気双極子をスピンさせることにより、電気
双極子同志間に摩擦をもたらせて発熱させること
ができ、また、キユリー温度に達すると、一定の
温度を保持することができるので、電気製品の安
全性を向上させる利点があるのみならず、製作過
程も簡単で、再現性が良く、また、耐電圧性が高
くて電圧変化に破壊されにくく、火災を防止する
ことができ、その上、電圧により発熱作用をする
ので、オン／オフ切り替え瞬間の電流振動による
サージ電流に干渉される欠点もない。
第１図はこの発明の強誘電体セラミツク発熱素
子の断面構成図で、第２図Ａは前記発熱素子を使
用して組み立てた発熱装置の斜視図で、第２図Ｂ
は第２図Ａの断面構成図で、第２図Ｃおよび第２
図Ｄは該発熱素子の電極層配列を示す側面図で、
第３図は発熱素子の発熱を測定するためのテスト
方式で、第４図は強誘電体セラミツク試片の誘電
率−温度関係を示す曲線図で、第５図は強誘電体
セラミツク試片の作業温度−作業電流関係を示す
曲線図で、第６図は強誘電体セラミツク試片の作
業電流−作業電圧関係を示す曲線図で、第７図お
よび第８図はそれぞれBaTiO3試片とPZT試片の
電力−温度関係を示すグラフである。 １……強誘電体セラミツク発熱素子、１０……
強誘電体セラミツク、１１，１２……電極層、１
……試片１、２……試片２、３……試片３、４…
…試片４、３１……クリツプ、３２……Al2O3絶
縁体、３３……試片、３４……温度測定器。
子の断面構成図で、第２図Ａは前記発熱素子を使
用して組み立てた発熱装置の斜視図で、第２図Ｂ
は第２図Ａの断面構成図で、第２図Ｃおよび第２
図Ｄは該発熱素子の電極層配列を示す側面図で、
第３図は発熱素子の発熱を測定するためのテスト
方式で、第４図は強誘電体セラミツク試片の誘電
率−温度関係を示す曲線図で、第５図は強誘電体
セラミツク試片の作業温度−作業電流関係を示す
曲線図で、第６図は強誘電体セラミツク試片の作
業電流−作業電圧関係を示す曲線図で、第７図お
よび第８図はそれぞれBaTiO3試片とPZT試片の
電力−温度関係を示すグラフである。 １……強誘電体セラミツク発熱素子、１０……
強誘電体セラミツク、１１，１２……電極層、１
……試片１、２……試片２、３……試片３、４…
…試片４、３１……クリツプ、３２……Al2O3絶
縁体、３３……試片、３４……温度測定器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 強誘電絶縁体セラミツク体に交流電圧を印加
して該強誘電絶縁体セラミツク体を発熱させるこ
とを特徴とする発熱素子。 ２ 強誘電絶縁体セラミツクを基体としてその表
面に２電極を形成し、この２電極に交流電圧を印
加して該基体を発熱させることを特徴とする請求
項１記載の発熱素子。 ３ キユリー温度が室温以上にある強誘電絶縁体
セラミツクを基体としてその表面に２電極を形成
し、この２電極に交流電圧を印加して該基体を発
熱させることを特徴とする請求項１記載の発熱素
子。 ４ キユリー温度が室温以上にある強誘電絶縁体
セラミツクを基体としてその両端に電極を形成
し、該両電極に0.5KV／mm以上の電界を発生させ
うる、周波数０ヘルツより大きい交流電圧を印加
して該基体を発熱させることを特徴とする請求項
１記載の発熱素子。 ５ 請求項１記載の発熱素子を使用した加熱機
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21157089A JPH0388294A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 強誘電体セラミック発熱素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21157089A JPH0388294A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 強誘電体セラミック発熱素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388294A JPH0388294A (ja) | 1991-04-12 |
| JPH059912B2 true JPH059912B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=16607970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21157089A Granted JPH0388294A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 強誘電体セラミック発熱素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388294A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724974A (en) * | 1980-07-22 | 1982-02-09 | Canon Inc | Fixing device |
| JPS57194479A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | Ngk Insulators Ltd | Heating element |
| US4377485A (en) * | 1981-09-15 | 1983-03-22 | Lenox Institute For Research, Inc. | Apparatus and method for clarification of water using combined flotation and filtration processes |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21157089A patent/JPH0388294A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0388294A (ja) | 1991-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| El-Mallah | AC Electrical Conductivity and Dielectric Properties of Perovskite (Pb,Ca)TiO_3 Ceramic | |
| US4620262A (en) | Pyroelectric energy converter element comprising vinylidene fluoride-trifluoroethylene copolymer | |
| KR20100134563A (ko) | 가변용량 소자와 그 제어 방법, 전자 디바이스 및 통신 모바일 기기 | |
| Aparna et al. | Effect of lanthanum doping on electrical and electromechanical properties of Ba1− x La x TiO3 | |
| Zhang et al. | (Pb, Sm)(Zr, Sn, Ti) O3 multifunctional ceramics with large electric‐field‐induced strain and high‐energy storage density | |
| Hsiao-Lin | Structure and dielectric properties of perovskite–Barium Titanate (BaTiO3) | |
| Zhigao et al. | An impedance study of Pb2KNb5O15 ferroelectric ceramics | |
| Hoh | Conversion of thermal to electrical energy with ferroelectric materials | |
| JPH059912B2 (ja) | ||
| Sharma et al. | Dielectric and pyroelectric characteristics of PZT doped with gadolinium | |
| CN117602934A (zh) | LiNbO3改性的PNN–PZT陶瓷材料及其制备方法 | |
| Thongrueng et al. | Properties and degradation of polarization reversal of soft BaTiO3 ceramics for ferroelectric thin-film devices | |
| JPS6255281B2 (ja) | ||
| Wang et al. | Ferroelectric heater by use of Pb (ZrTi) O3 and BaTiO3 ceramics | |
| JPS6230682B2 (ja) | ||
| Anokhin et al. | Investigation of time and frequency characteristics of the electrocaloric response in ferroelectric materials | |
| Jamadar et al. | Pyroelectric properties of lead-barium titanate and lead-strontium titanate | |
| Ploss et al. | Poling of P (VDF-TrFE) with ferroelectrically applied dielectric displacement | |
| JPH09301778A (ja) | 磁器材料の焼成方法及び焼結装置、並びに圧電材料 | |
| WO2021234984A1 (ja) | 発電システム | |
| CN119822817A (zh) | 一种高机械品质因数、耐老化的压电陶瓷及制备方法 | |
| JPS63182532A (ja) | 温度センサ及びそれを用いた温度検知器 | |
| JPH056826U (ja) | コンデンサ | |
| JP2716083B2 (ja) | Ｐｚｔ系光起電力素子 | |
| RO138198A2 (ro) | Element piezoceramic activ pentru proiectile autopropulsate şi procedeu de obţinere |