JPH06100394A - 単結晶製造用原料供給方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】シリコン単結晶育成炉内の原料溶解部へ十分加
熱された粒状シリコン原料を供給することができ、シリ
コン単結晶育成の安定化に寄与することができる単結晶
製造用原料供給方法及び装置を提供することを目的とす
る。 【構成】シリコン単結晶育成炉に粒状シリコン原料を連
続的に供給する単結晶製造用原料供給装置であって、粒
状シリコン原料１６を貯蔵する貯蔵容器１８と、貯蔵容
器１８から排出された粒状シリコン原料をシリコン単結
晶育成炉に向けて供給するためのフィーダー２１と、フ
ィーダー２１からの粒状シリコン原料１６をシリコン単
結晶育成炉に導く流路２４と、貯蔵容器から排出された
粒状シリコン原料１６に直接熱エネルギーを照射して加
熱する加熱機構２３とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法に
よって単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成炉に、連
続的に粒状シリコン原料を供給する単結晶製造用原料供
給方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】原料を連続的に供給しながらチョクラル
スキー法によりシリコン単結晶を製造する方法（以下、
連続供給ＣＺ法と言う）の考え方は、特公昭４０−１０
１８４号公報にみられるように、古くからよく知られて
いる。

【０００３】従来のチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法
と言う）によるシリコン単結晶の製造法は、シリコン単
結晶の引き上げとともに、シリコン融液が減少する。こ
のため、結晶の長手方向でドーパント濃度及び酸素濃度
が変動する。厳しいスペックの場合には、使用可能なシ
リコンウェハの歩留まりは５０％以下となることがあ
る。これに対し、上述の連続供給ＣＺ法では、シリコン
融液量を一定に保つことが可能となるため、ＣＺ法と比
較して、シリコン単結晶の製造歩留まりを高くすること
ができる。

【０００４】連続供給ＣＺ法によるシリコン単結晶育成
炉は、前記特公昭４０−１０１８４号公報にも見られる
ように、図６に示す構成が一般的である。図６におい
て、参照符号３は石英ガラスるつぼであり、その中にシ
リコン融液２が貯留される。石英ガラスるつぼ３内に
は、その外壁と同心的に設けられた仕切り４を有してお
り、仕切り４の内側が単結晶育成部（内室）３ａ、その
外側が原料溶解部（外室）３ｂとなっている。外室３ｂ
には原料供給管７が挿入されており、この供給管７を介
して粒状シリコン原料６が連続的に供給される。仕切り
４には小孔５が設けられており、これを介して原料溶解
部３ｂから単結晶育成部３ａにシリコン融液２が供給さ
れる。そして単結晶育成部３ａの上部から上方へシリコ
ン単結晶１を引き上げる。なお、参照符号８はるつぼ３
内に供給されるシリコン原料６を溶解するための抵抗加
熱ヒーターである。

【０００５】このような単結晶育成炉では、単結晶育成
部３ａで育成されるシリコン単結晶重量と等しい重量の
粒状シリコン原料を仕切り４の外側の原料溶解部３ｂに
供給することで、石英ガラスるつぼ３内のシリコン融液
量を一定に保つことができる。

【０００６】しかし、単結晶径が６インチ以上と大口径
である場合及び単結晶育成速度が大きな場合、粒状シリ
コン原料の供給量も多くなる。このため、（１）前記原
料溶解部に供給された粒状シリコン原料が未融解とな
り、原料溶解部のシリコン融液表面を覆ってしまうこと
がある、（２）供給する粒状シリコン原料は低温（室
温）であるため、シリコン融液温度の変動が大きくな
り、シリコン単結晶の有転位化、結晶品質の低下を促進
する、（３）原料供給時の粒状シリコン原料とシリコン
融液との温度差によって生じる熱応力によって、粒状シ
リコン原料が破砕、飛散する頻度が大きくなり、これが
育成中のシリコン単結晶に付着すれば、有転位化の原因
となる。また、破砕した粒状シリコン原料或いは未融解
の粒状シリコン原料が飛散したことによる炉内の汚染、
断熱材等炉内の部材に付着すれば劣化を早める、といっ
た問題が生じる。このような問題を防止するための技術
として、例えば以下のイ）〜ニ）に示すものが公知であ
る。

【０００７】イ）特開平１−１１９５９２号公報は、る
つぼ近傍の高温の雰囲気ガスを粒状シリコン原料を供給
する供給管から吸引することにより、粒状シリコン原料
を加熱するものである。また、ロ）特開平１−１１９５
９４号公報及びハ）特開平３−８７９０号公報は、粒状
シリコン原料の供給管内での通過時間を長くすることに
より、シリコン融液全体を加熱している熱源からの輻射
熱によって、粒状シリコン原料を供給管内で加熱するも
のである。また、ニ）特開平２−２４３５８７号公報
は、新たな熱源を追加して、仕切り外側の融液上で粒状
シリコン原料を加熱するものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、イ）特
開平１−１１９５９２号公報に開示された発明では、高
温の雰囲気ガス中に含まれるシリコン酸化物、不純物を
高温の雰囲気ガスと同時に吸引するため、原料供給装置
全体が汚染されるという問題がある。また、ロ）特開平
１−１１９５９４号公報及びハ）特開平３−８７９０号
公報に開示された発明では、粒状シリコン原料を十分に
加熱するために供給管内での粒状シリコン原料の移動速
度を小さくする必要がある。しかし、粒状シリコン原料
を減速し過ぎると、粒状シリコン原料は供給管の内壁に
焼結し、最終的には供給管を閉塞する。このため粒状シ
リコン原料を安定に供給できなくなるという問題があ
る。さらに、ニ）特開平２−２４３５８７号公報に開示
された発明は、粒状シリコン原料を原料溶解部のシリコ
ン融液に供給した際に、粒状シリコン原料の破砕、シリ
コン融液の温度変動という問題が解決されていない。

【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、シリコン単結晶育成炉内の原料溶解部へ十
分加熱された粒状シリコン原料を供給することができ、
シリコン単結晶育成の安定化に寄与することができる単
結晶製造用原料供給方法及び装置を提供することを目的
とする。

【００１０】

【課題を解決しようとするための手段】本発明は、上記
課題を解決するために、第１に、シリコン単結晶育成炉
に粒状シリコン原料を連続的に供給する単結晶製造用原
料供給方法であって、貯蔵容器に貯蔵された粒状シリコ
ン原料を連続的に排出する工程と、排出された粒状シリ
コン原料に直接熱エネルギーを照射して粒状シリコンを
連続的に加熱する工程と、加熱された粒状シリコン原料
を連続的にシリコン単結晶育成炉に供給する工程とを有
することを特徴とする単結晶製造用原料供給方法を提供
する。

【００１１】また、第２に、シリコン単結晶育成炉に粒
状シリコン原料を連続的に供給する単結晶製造用原料供
給装置であって、粒状シリコン原料を貯蔵する貯蔵容器
と、この貯蔵容器から排出された粒状シリコン原料を前
記シリコン単結晶育成炉に向けて供給するためのフィー
ダーと、フィーダーからの粒状シリコン原料を前記シリ
コン単結晶育成炉に導く流路と、前記貯蔵容器から排出
された粒状シリコン原料に直接熱エネルギーを照射して
加熱する加熱手段とを具備することを特徴とする単結晶
製造用原料供給装置を提供する。

【００１２】この場合に、前記加熱手段は、レーザー又
は赤外線を射出する光源を有し、前記粒状シリコン原料
にレーザー又は赤外線を照射することが好ましい。ま
た、さらに、前記流路近傍に前記粒状シリコン原料を加
熱する第２の加熱手段を設けることが好ましい。

【００１３】

【作用】本発明においては、貯蔵容器から排出された粒
状シリコン原料に直接熱エネルギーを照射して粒状シリ
コンを連続的に加熱するので、粒状シリコン原料が有効
に加熱され、室温よりも十分高い温度でるつぼに供給さ
れる。従って、粒状シリコン原料供給時にシリコン融液
が凝固せず、また、シリコン融液の温度変動、粒状シリ
コン原料の破砕、飛散を低減でき、単結晶を無転位で引
き上げることができる。さらに、シリコン融液の温度変
動に起因する結晶欠陥の発生を抑制することができる。
加えて、加熱領域を極めて狭くすることができるので、
シリコン原料のみを効果的に加熱することができ、周辺
部材を不必要に加熱することがない。

【００１４】この場合に加熱手段の熱源としてレーザ又
は赤外線を用いれば、原料に十分な熱エネルギーを供給
することができるので加熱効率を高くすることができ
る。また、単結晶育成炉に至る原料の流路にも加熱手段
を設けることにより原料の温度低下を防止することがで
き、シリコン融液に対する悪影響を減少させることがで
きる。

【００１５】単結晶育成炉に供給される前の粒状シリコ
ン原料をヒーターにより加熱する思想は、例えば特開平
３−８３８８７号公報に開示されている。しかし、この
公報においては、原料貯蔵容器の外側から加熱している
ため、加熱効率が低くならざるを得ない。これに対し
て、本発明では上述したように、貯蔵容器から排出され
た原料に直接熱エネルギーを照射するので極めて高効率
で原料を加熱することができる。

【００１６】

【実施例】以下、添付図面を参照してこの発明の実施例
について説明する。

【００１７】図１は、この発明の一実施例に係る単結晶
製造用原料供給装置を示す断面図である。この供給装置
１０は、後述するシリコン単結晶育成炉に接続された原
料供給チャンバ１７と、このチャンバ１７内の上部に配
設され、粒状シリコン原料１６を貯蔵するホッパー１８
と、ホッパー１８の直下に配設され、ホッパー１８底部
の排出口１８ａから排出された粒状シリコン原料を下流
側へ連続的に供給する回転式フィーダー２１と、フィー
ダー２１によりホッパー１８から切り出された粒状シリ
コン原料をシリコン単結晶育成炉に導くための流路２４
と、排出口１８ａから排出され回転式フィーダー２１上
に一時的に滞留している粒状シリコン原料１６に赤外線
を直接照射して加熱する赤外線照射加熱装置２３とを備
えている。流路２４の上部は、フィーダー２１からの原
料を受けるロート状の受け部２２が設けられている。

【００１８】このように構成される単結晶製造用原料供
給装置においては、回転式フィーダー２１を軸２０を中
心として所定の速度で回転させ、ホッパー１８から排出
された粒状シリコン原料１６を一定速度で連続的に単結
晶育成炉に向けて供給する。フィーダー２１からの原料
は、流路２４を通って単結晶育成炉に導かれる。

【００１９】この際に、排出口１８ａから排出され回転
式フィーダー２１上に一時的に滞留している粒状シリコ
ン原料に赤外線照射加熱装置２３から赤外線を照射す
る。この場合に、直接的に原料を加熱するので、加熱効
率を高くすることができる。また、その加熱領域が非常
に狭いため、粒状シリコン原料のみを効果的に加熱する
ことができる。さらに、周辺部材は不必要に加熱される
ことがないので、熱的な対策も取り易い。

【００２０】なお、図２に示すように、流路２４の周囲
にヒーター２５を設け、流路２４を通流する原料を加熱
することにより、原料の温度低下を防止することがで
き、単結晶育成炉内のシリコン融液に対する悪影響を一
層減少させることができる。

【００２１】次に、図３を参照して、上述のような原料
供給装置１０を用いた連続供給ＣＺ装置の単結晶引上装
置３０について説明する。この単結晶引上装置３０にお
いて、シリコン融液３２が装入される石英ガラスるつぼ
３３は、黒鉛るつぼ３９の中にセットされており、その
外径は例えば２０インチである。石英ガラスるつぼ３３
内には、その外壁と同心的に設けられた仕切り部材３４
を有しており、仕切り３４の内側が単結晶育成部（内
室）３３ａ、その外側が原料溶解部（外室）３３ｂとな
っている。仕切り部材３４は石英ガラス製であり、その
外径は１６インチである。仕切り部材３４には小孔３５
が設けられており、これを介して原料溶解部３３ｂから
単結晶育成部３３ａにシリコン融液３２が供給される。
そして、単結晶育成部３３ａにおいてこの融液３２から
円柱状に育成されたシリコン単結晶３１が引き上げられ
る。なお、黒鉛るつぼ３９はペディスタル４０により支
持されており、上下動及び回転可能である。参照符号３
８は黒鉛るつぼを取り囲む抵抗加熱ヒーター、４１はこ
の抵抗加熱ヒーター３８を取り囲む保温部材であり、こ
れらは全て引上炉チャンバー４４内に収容されている。
以上の構成は、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造装置
と基本的には同じである。

【００２２】なお、前記原料供給装置１０内及び単結晶
引上装置３０内は同一雰囲気に保持され、図示しない真
空ポンプで排気して減圧下に保持されるか、あるいは図
示しない不活性ガス供給源から不活性ガスを導入して不
活性ガス雰囲気に保持される。

【００２３】上述した原料供給装置１０からの粒状シリ
コン原料１６は、供給管３７を通して石英ガラスるつぼ
３３の原料溶解部３３ｂへ連続的に供給され、そこで連
続的に溶解される。これにより、連続的な単結晶引上げ
が実現される。

【００２４】この場合に、粒状シリコン原料が十分に加
熱されているので、粒状シリコン原料供給時にシリコン
融液が凝固せず、また、シリコン融液の温度変動、粒状
シリコン原料の破砕、飛散を低減でき、単結晶を無転位
で引き上げることができる。さらに、シリコン融液の温
度変動に起因する結晶欠陥の発生を抑制することができ
る。次に、この発明の具体的な実施例について説明す
る。

【００２５】前記図１のように構成された原料供給装置
及び図３のように構成された単結晶引上装置を備えた連
続供給ＣＺ装置を用い、以下に示す条件で加熱処理を施
した粒状シリコン原料を使用し、シリコン単結晶引上試
験を実施した。図１の原料供給装置では、上述したよう
に、粒状シリコン原料貯蔵ホッパー１８から降下してき
た粒状シリコン原料１６は、それが定量切り出し部であ
る回転式フィーダー２１上に一時的に滞留している際
に、赤外線照射装置２３により局部的に加熱され昇温さ
れる。赤外線照射装置２３の加熱面積はφ２０ｍｍ、最
大出力は２ｋＷであり、出力を調節することにより粒状
シリコン原料の加熱温度を適宜設定することができる。
例えば、粒状シリコン原料の供給速度を５０ｇ／ｍｉｎ
に設定すると粒状シリコン原料は回転式フィーダー２１
上に約１５ｓｅｃ滞留し、その際に加熱される。なお、
この時原料供給装置１０内及び単結晶引上装置３０内は
アルゴン減圧雰囲気に保持され、その炉内圧は１５〜３
０Torrであった。

【００２６】この実施例では、赤外線照射装置の出力を
０．１０ｋＷ（ケース２）、０．１６ｋＷ（ケース
３）、０．２４ｋＷ（ケース４）、０．３３ｋＷ（ケー
ス５）、０．５０ｋＷ（ケース６）、０．６７ｋＷ（ケ
ース７）、０．８５ｋＷ（ケース８）、０．９５ｋＷ
（ケース９）と設定して加熱処理を施した場合、及び赤
外線照射装置を使用しない場合、すなわち０ｋＷ（粒状
シリコン原料温度は室温（２５℃）、ケース１）とした
ときの、前記計９ケースの粒状シリコン原料を使用し
て、シリコン単結晶引上試験を各ケースにつき１０回ず
つ実施した。なお、粒状シリコン原料としては、平均粒
径が１ｍｍで、粒径範囲が０．１ｍｍ〜３ｍｍのものを
使用し、原料の供給速度は５０ｇ／ｍｉｎであった。ま
た、加熱された粒状シリコン原料が回転式フィーダーか
ら落下して、るつぼ内の原料溶解部へ供給されるまでの
経過時間は約３ｓｅｃであった。

【００２７】以上９ケースの条件の粒状シリコン原料を
用いて、直径６インチのシリコン単結晶を引上速度１．
１ｍｍ／ｍｉｎの条件で引き上げた。この際に、シリコ
ン単結晶の直胴部が無転位で１ｍ以上引き上がったもの
を良とした。なお、加熱後原料溶解部に供給された時点
の粒状シリコン原料の温度は、予備試験を実施して熱電
対により測定した。前記９ケースにおけるシリコン単結
晶引上試験の結果及び無転位確率を表１、図４に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】ケース１の場合は、無転位単結晶が育成さ
れたのは１０回の引上試験の内３本であった。これに対
して、原料を加熱したケース２〜８の場合は、ケース１
と比較して無転位単結晶の育成される確率が高まり、そ
の確率は供給時の粒状シリコン原料温度が高くなるにつ
れて高くなることが確認された。

【００３０】これらケース２〜８では同時に、粒状シリ
コン原料の破砕、飛散が低減し、炉内の汚染、他の部材
への粒状シリコン原料の付着も減少した。前記ケース
１，３，５，７の試験終了後、シリコン単結晶引上装置
内から回収された粒状シリコン原料の破片個数と実験で
原料溶解部に供給した粒状シリコン原料の総重量より、
供給原料１ｋｇ当たりの粒状シリコン原料破片残留数を
算出した。その結果を表２に示す。

【００３１】

【表２】

【００３２】表２より、原料溶解部供給時の粒状シリコ
ン原料温度が高くなるにつれて、供給原料１ｋｇ当たり
の粒状シリコン原料破片残留数は低減していることが確
認される。これは、粒状シリコン原料が加熱されたこと
で、原料の破砕、飛散が生じにくくなったことを示して
おり、その結果、単結晶の育成を阻害する頻度が大幅に
減少した。なお、炉内の部材への付着も減少し、これら
部材の寿命が延長されることが確認された。

【００３３】また、粒状シリコン原料を加熱して昇温す
ることで、粒状シリコン原料をるつぼ内の原料溶解部へ
供給した際のシリコン融液の凝固する確率が低減するこ
とが確認された。

【００３４】この際の実験について説明する。原料溶解
部へ供給される際の粒状シリコン原料の温度が、２５℃
（ケース１０）、１８０℃（ケース１１）、３５０℃
（ケース１２）、５８０℃（ケース１３）、８００℃
（ケース１４）になるような加熱条件で、粒状シリコン
原料の供給速度を３５，４０，４５，５０，５５，６０
ｇ／ｍｉｎに設定してシリコン単結晶の育成を行った。
なお、単結晶の引上速度は粒状シリコン原料の供給速度
に応じて変化させ、シリコン融液量は一定になるように
した。

【００３５】このときの原料溶解部におけるシリコン融
液の凝固状況を、直径６インチのシリコン単結晶引上試
験（全３０ケース）を各ケースにつき１０回実施するこ
とで観察した。前記の試験において、赤外線照射装置の
出力を変化させて所望の粒状シリコン原料温度を維持す
るようにした。また、前記の原料溶解部において、供給
された粒状シリコン原料が未融解状態になり、所定の粒
状シリコン原料供給速度を維持できなくなったとき、シ
リコン融液が凝固したと判断した。実験結果を表３、図
５に示す。

【００３６】

【表３】

【００３７】原料溶解部へ供給する時の粒状シリコン原
料温度が２５℃（ケース１０）の場合、粒状シリコン原
料の供給速度が５０ｇ／ｍｉｎを超えると、原料溶解部
のシリコン融液が凝固し、シリコン単結晶の育成を続け
ることができなくなった。これに対して、粒状シリコン
原料温度が高くなるにつれて、原料溶解部のシリコン融
液の凝固確率は大きく低減された。更に、粒状シリコン
原料供給によるシリコン融液の温度変動も小さくなり、
融液の温度変動に起因する結晶欠陥の発生が抑制される
ことが確認された。

【００３８】しかしながら表１のケース９に見られるよ
うに、粒状シリコン原料を加熱する場合であっても、そ
の温度が８００℃と高すぎると、安定した原料供給が不
能となる場合があった。これは、シリコン融液の直上に
設置されている供給管３７の下端部で小粒径或いは粉状
のシリコン原料が管壁に焼結し、最終的に詰まる現象が
起こるからである。また、このケース９の場合、回転式
フィーダー上においても、小粒径或いは粉状のシリコン
原料が加熱による焼結を生じ、安定した原料供給が不能
となる場合があった。このとき、回転式フィーダー上に
おける粒状シリコン原料の温度を熱電対によって測定し
た結果、１１００℃であった。

【００３９】更にケース９の場合、原料溶解部のシリコ
ン融液及び石英ガラスるつぼ、石英ガラス製仕切り部材
の温度が、ケース１と比較して高温となり過ぎ、前記の
石英ガラス部材の劣化を促進させ、無転位焼結が育成さ
れる確率を更に悪くしていることが確認された。

【００４０】このような結果から、原料溶解部供給時の
粒状シリコン原料温度は３５０℃から７００℃の範囲が
良いことが確認された。また、回転式フィーダー上にお
いて粒状シリコン原料が焼結することなく安定して原料
供給を行うためには、回転式フィーダー上における粒状
シリコン原料の温度が１１００℃未満であることが必要
であることが確認された。

【００４１】なお、回転式フィーダー上において１１０
０℃未満の温度である粒状シリコン原料が、原料溶解部
供給時に３５０℃から７００℃の温度を保持するため
に、粒状シリコン原料は回転式フィーダーより３ｓｅｃ
以内に原料溶解部へ供給することが望ましい。さらに、
粒状シリコン原料が詰まらずに安定供給されるために、
流通経路は水平面より２５度以上の角度をもつことが必
要である。従って、回転式フィーダーは、水平面より２
５度以上の角度をもつ流通経路を３ｓｅｃ以内で粒状シ
リコン原料が通過して原料溶解部に到達できる位置に設
置する必要がある。

【００４２】なお、上記実施例では粒状シリコン原料を
赤外線照射加熱装置により加熱した場合について示した
が、これに限定されるものではなく、例えばビームを走
査させて加熱領域を選べるようにしたレーザー照射加熱
装置を用いることもできる。また、粒状シリコン原料を
回転式フィーダーで供給する例について示したが、回転
式フィーダーのみに限定されるものではなく、例えば振
動フィーダーを用いることもできる。

【００４３】

【発明の効果】この発明によれば、シリコン単結晶育成
炉内の原料溶解部へ十分加熱された粒状シリコン原料を
供給することができ、シリコン単結晶育成の安定化に寄
与することができる単結晶製造用原料供給方法及び装置
が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る単結晶製造用原料供
給装置を示す断面図。

【図２】この発明の他の実施例に係る単結晶製造用原料
供給装置を示す断面図。

【図３】図１の原料供給装置が適用される連続ＣＺ装置
の引上装置を示す断面図。

【図４】るつぼ供給時の粒状シリコン原料温度と引き上
げられた単結晶の無転位確率との関係を示す図。

【図５】原料供給速度とシリコン融液の凝固確率との関
係を示す図。

【図６】従来の連続ＣＺ装置を示す概念図。

【符号の説明】

１０；原料供給装置、１６；粒状シリコン原料、１７；
原料供給チャンバー、１８；ホッパー、２０；回転軸、
２１；回転式フィーダー、２２；受け部、２３；赤外線
照射加熱装置、２４；流路、２５；ヒーター。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島 芳延 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン単結晶育成炉に粒状シリコン原
   料を連続的に供給する単結晶製造用原料供給方法であっ
   て、貯蔵容器に貯蔵された粒状シリコン原料を連続的に
   排出する工程と、排出された粒状シリコン原料に直接熱
   エネルギーを照射して粒状シリコンを連続的に加熱する
   工程と、加熱された粒状シリコン原料を連続的にシリコ
   ン単結晶育成炉に供給する工程とを有することを特徴と
   する単結晶製造用原料供給方法。
2. 【請求項２】 シリコン単結晶育成炉に粒状シリコン原
   料を連続的に供給する単結晶製造用原料供給装置であっ
   て、粒状シリコン原料を貯蔵する貯蔵容器と、この貯蔵
   容器から排出された粒状シリコン原料を前記シリコン単
   結晶育成炉に向けて供給するためのフィーダーと、フィ
   ーダーからの粒状シリコン原料を前記シリコン単結晶育
   成炉に導く流路と、前記貯蔵容器から排出された粒状シ
   リコン原料に直接熱エネルギーを照射して加熱する加熱
   手段とを具備することを特徴とする単結晶製造用原料供
   給装置。
3. 【請求項３】 前記加熱手段は、レーザー又は赤外線を
   射出する光源を有し、前記粒状シリコン原料にレーザー
   又は赤外線を照射することを特徴とする請求項２に記載
   の単結晶製造用原料供給装置。
4. 【請求項４】 さらに、前記流路近傍に設けられ前記粒
   状シリコン原料を加熱する第２の加熱手段を有すること
   を特徴とする請求項２に記載の単結晶製造用原料供給装
   置。