JPH06101054A - 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液 - Google Patents

銅系素材選択型無電解めっき用触媒液

Info

Publication number
JPH06101054A
JPH06101054A JP25119392A JP25119392A JPH06101054A JP H06101054 A JPH06101054 A JP H06101054A JP 25119392 A JP25119392 A JP 25119392A JP 25119392 A JP25119392 A JP 25119392A JP H06101054 A JPH06101054 A JP H06101054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
copper
based material
same
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25119392A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Haga
正記 芳賀
Mamoru Uchida
衛 内田
Takashi Okada
岡田  隆
Hiroko Uchida
宏子 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ishihara Chemical Co Ltd
Original Assignee
Ishihara Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ishihara Chemical Co Ltd filed Critical Ishihara Chemical Co Ltd
Priority to JP25119392A priority Critical patent/JPH06101054A/ja
Publication of JPH06101054A publication Critical patent/JPH06101054A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、銅系素材のみ選択的に触媒活性化で
き、かつ、スキップ現象、ブリッジ現象等を防止でき、
更に、コスト的に有利な無電解めっき用触媒液を提供す
ることを目的とする。 【構成】本発明は、(I)ニッケル化合物及びコバルト
化合物の少なくとも1種、並びに(II)チオ尿素類の
少なくとも1種を含有する水溶液からなることを特徴と
する銅系素材選択型無電解めっき用触媒液を提供するも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、銅系素材選択型無電解
めっき用触媒液に関する。
【0002】
【従来の技術及びその課題】次亜リン酸化合物を還元剤
とするNi、Pd、Pd−Ni等の無電解めっきを、銅
系素材上に施す場合には、通常めっき皮膜の還元析出用
の触媒として、Pd化合物を素材上に付与した後、無電
解めっきが行なわれる。かかる場合の触媒付与方法とし
ては、SnCl2溶液とPdCl2溶液による2段処理、
PdCl2/SnCl2混合系の塩酸酸性水溶液による処
理等が行なわれている。しかしながら、これらの処理法
を、プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶
縁体と導体とが一体となったものに対して適用する場合
には、絶縁部分及び導体部分の全てが触媒活性化され
て、無電解めっき工程で全面にめっきが行なわれ、導体
部分にのみめっき皮膜を形成することができない。ま
た、PdCl2の塩酸酸性水溶液を用いて銅系素材を触
媒活性化する方法も知られているが、この場合にも絶縁
体部分に触媒成分が一部吸着されて、めっき工程で絶縁
体部分の一部にめっき皮膜が形成され、特に、導体間の
間隔が狭い場合には、導体と導体とが部分的に結合する
ブリッジ(メッキブリッジ)現象が生じるという問題点
がある。
【0003】この対策として、pHを上げて触媒活性を
弱める工夫がなされているが、pHを5程度に上げても
メッキブリッジを解消することはできず、一方pHが6
以上となるとコロイド状の沈殿が生じるために、実際上
の取り扱いが困難である。
【0004】また、PdCl2の濃度を減少させて、触
媒活性力を弱める工夫もなされているが、この場合、メ
ッキブリッジはなくなるが、反対に触媒活性が弱くなり
すぎて、一部めっきがつかない現象(スキップ現象)を
引きおこすという問題点がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した従
来技術の現状に鑑みて、銅系素材のみを選択的に活性化
でき、かつスキップ現象、ブリッジ現象等を生じること
のない無電解めっき用の触媒を見出すべく鋭意研究を重
ねてきた。その結果、ニッケル化合物及びコバルト化合
物の少なくとも1種とチオ尿素類とを含有する水溶液に
よれば、銅系素材のみ選択的に触媒活性化でき、かつ、
スキップ現象、ブリッジ現象等も防止でき、更には、パ
ラジウム化合物を使用しないためにコスト的に非常に有
利になることを見出した。
【0006】即ち、本発明は、(I)ニッケル化合物及
びコバルト化合物の少なくとも1種0.001〜3モル
/l、並びに(II)チオ尿素類の少なくとも1種0.
05〜5モル/lを含有する水溶液からなることを特徴
とする銅系素材選択型無電解めっき用触媒液に係る。
【0007】本発明触媒液では、触媒化合物として、ニ
ッケル化合物及びコバルト化合物の少なくとも1種を用
いることが必要である。
【0008】本発明で使用するニッケル化合物として
は、酢酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、安息香
酸ニッケル、臭化ニッケル、炭酸ニッケル、塩化ニッケ
ル、クエン酸ニッケル、水酸化ニッケル、ヨウ化ニッケ
ル、硝酸ニッケル、しゅう酸ニッケル、酸化ニッケル、
ステアリン酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、硫酸
ニッケル等を例示できる。
【0009】また、本発明で使用するコバルト化合物と
しては、酢酸コバルト、塩化コバルトアンモニウム、硫
酸コバルトアンモニウム、臭化コバルト、炭酸コバル
ト、塩化コバルト、硫酸二アンモニウムコバルト、ぎ酸
コバルト、ナフテン酸コバルト、硝酸コバルト、オレイ
ン酸コバルト、しゅう酸コバルト、酸化コバルト、ステ
アリン酸コバルト、硫酸コバルト等を例示できる。
【0010】本発明において、ニッケル化合物及びコバ
ルト化合物から選ばれた少なくとも一種の化合物の添加
量は、0.001〜3モル/l程度、好ましくは0.0
1〜1.5モル/l程度とすればよい。この添加量が、
0.001モル/lを下回るとスキップ現象が生じ易く
なり、一方3モル/lを上回ると不経済となるので好ま
しくない。
【0011】本発明の触媒液では、ニッケル化合物及び
コバルト化合物から選ばれた少なくとも一種の化合物に
加えて、チオ尿素類を配合することが必要である。これ
によって、銅系素材の析出電位を下げ、ニッケル又はコ
バルトとの置換を可能にすることができる。
【0012】チオ尿素類としては、チオ尿素、ジメチル
チオ尿素、トリメチルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセ
チルチオ尿素、エチレンチオ尿素、フェニルチオ尿素等
を例示でき、これらの少なくとも一種を用いればよい。
添加量は、0.05〜5モル/l程度、好ましくは0.
5〜3モル/l程度とすればよく、0.05モル/lを
下回るとスキップ現象が生じ易くなり、5モル/lを上
回ると不経済となるので好ましくない。
【0013】本発明の触媒液では、更に必要に応じて、
キレート化剤を配合することによって、触媒液の安定性
を向上させることができる。
【0014】本発明で使用できるキレート化剤として
は、下記(a)〜(g)で示す化合物を挙げることがで
きる。
【0015】(a)一般式
【0016】
【化8】
【0017】(式中、X1、X2及びX3は各々同一又は
異なって、−CH2CO2M、−CH2PO3MM、−CH
(CH3)CO2M又は−CH2CH2CO2Mを示し、X4
は−CH2CO2M、−CH2PO3MM、−CH2CH2
H、−CH (CH3)CO2M又は−CH2CH2CO2
Mを示し、X5はH、−CH2CO2M、−CH2PO3
M、−CH(CH3)CO2M又は−CH2CH2CO2
を示す。上記において、Mは、同一又は異なって、各々
H、K、Na又はNH4を示し、nは0〜2の整数を示
す)で表わされる化合物、(b)一般式
【0018】
【化9】
【0019】(式中、X6及びX7は、同一又は異なっ
て、各々H、C1-5アルキル、アラルキル、アラルケニ
ル、アリール、−CH2CO2M、−CH(CH3)CO2
M、−CH2CH2CO2M、−CH2PO3MM又は−C
2CH2OHを示し、X8は、H、C1-5アルキル、アラ
ルキル、アリール、−CH2CO2M、−CH(CH3
CO 2M、−CH2CH2CO2M、−CH2PO3MM、−
CH2CH2OH、−(CH2p−NH2又は−〔(C
2q−NH〕r−Hを示す。上記において、Mは前記
に同じ、Pは0〜10の整数、qは1〜3の整数、rは
1〜10の整数を示す)で表わされる化合物、(c)一
般式
【0020】
【化10】
【0021】(式中、X9はH、−CH2CO2M又は−
PO3MMを示し、X10はC1-5アルキル、−CO2M又
は−CH2CO2Mを示し、X11は−CO2M、−CH2
2M、−PO3MM又は−CH(OH)CO2Mを示
し、X12はH又はOHを示す。上記において、Mは前記
に同じ)で表わされる化合物、(d)一般式
【0022】
【化11】
【0023】(式中、Z1、Z2、Z3及びZ4は同一又は
異なって、各々H、CH3、CONH2又は−C(N
2)=NHを示す。上記においてMは前記に同じ、m
は1〜15の整数を示す。)で表わされる化合物、
(e)一般式
【0024】
【化12】
【0025】(式中、AはH、−OH、−SH、NH2
CO−、−COOM、アミノ基、−NHC(NH2)=
NH、−ONH2、−CH(NH2)CO2H、RS−、
NH2CONH−、
【0026】
【化13】
【0027】又は
【0028】
【化14】
【0029】を示し、Z5、Z6及びZ7は同一又は異な
って各々H、CH3又はC25を示し、Z8はNH2又は
OHを示す。上記において、Mは前記に同じ、RはC
1-5アルキルを示し、lは0〜4の整数、kは0又は1
を示す。)で表わされる化合物、(f)一般式(IV)の
化合物及び/又は一般式(V)の化合物が縮合したジペ
プチド又はトリペプチド化合物、及び(g)環状窒素化
合物。
【0030】前記(b)、(c)、(e)及び(f)に
おいて示されたアルキル基としては、好ましくは、炭素
数1〜5のもの、具体的には、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、シクロプロピル、n−ブチル、t−
ブチル、n−ペンチル、イソアミル、ネオペンチル等を
挙げることができる。前記(b)において示されたアラ
ルキル基又はアラルケニル基としては、ベンジル、フェ
ネチル、フェニルプロピル、シンナミル、フルフリル、
ナフチルメチル、ナフチルエチル、ピリジルメチル、ピ
リジルエチル、キノリルメチル等を挙げることができ
る。前記(b)において示されたアリール基としては、
フェニル、トリル、メシチル、1ーナフチル、2−ナフ
チル、ピリジル、キノリル、キノキサリル、アントラキ
ノリル、チアゾリル、フリル等を挙げることができる。
【0031】本発明で用いるキレート化剤の好ましい具
体例を以下に示す。
【0032】化合物(a):エチレンジアミン四酢酸
(EDTA)、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩
(EDTA・2Na)、ヒドロキシエチルエチレンジア
ミン三酢酸(HEDTA)、ジエチレントリアミン五酢
酸(DTPA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TT
HA)、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、エチレ
ンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリ
アミンペンタメチレンホスホン酸等。
【0033】化合物(b):ニトリロ三酢酸(NT
A)、イミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸
(IDP)、アミノトリメチレンホスホン酸、アミノト
リメチレンホスホン酸五ナトリウム塩、メチルアミン、
エチルアミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、トリ
メチルアミン、ジメチルエチルアミン、ベンジルアミ
ン、2−ナフチルアミン、イソブチルアミン、イソアミ
ルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テト
ラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサ
メチレンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエチ
レンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサエ
チレンヘプタミン、シンナミルアミン、p−メトキシシ
ンナミルアミン、アンモニア等。
【0034】化合物(c):1−ヒドロキシエチリデン
−1,1−ジホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−
1,1−ジホスホン酸三ナトリウム塩、クエン酸、酒石
酸、リンゴ酸、マロン酸等。
【0035】化合物(d):グリシン、アラニン、N−
メチルグリシン、グリコシアミン、ジメチルグリシン、
ヒダントイン酸、アミノ吉草酸、β−アラニン等。
【0036】化合物(e):バリン、ノルバリン、ロイ
シン、ノルロイシン、イソロイシン、セリン、システイ
ン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン酸、オ
ルニチン、リジン、アルギニン、グルタミン、ジアミノ
プロピオン酸、シトルリン、ヒドロキシ−L−リジン、
ジアミノ酪酸、アミノアジピン酸、カナリン、キヌレニ
ン、ジアミノピメリン酸、ホモシステイン、ヒスチジ
ン、メチオニン等。
【0037】化合物(f):アスパルチル−ヒスチジ
ン、アラニル−アラニン、アラニル−β−アラニン、β
−アラニル−β−アラニン、グリシル−リジン、アラニ
ル−オルニチン、リジル−リジン、オルニチル−オルニ
チン、グリシル−オルニチン、β−アラニル−リジル−
リジン、オルニチル−リジル−リジン、グリシルーオル
ニチルーオルニチン等。
【0038】化合物(g):イミダゾリン、2,4,5
−トリフェニル−2−イミダゾリン、2,2´−ビス
(2−イミダゾリン)、ピリジン、モルホリン、ビピリ
ジル、ピラゾール、トリアジン等。
【0039】本発明触媒液では、上記した(a)〜
(g)のキレート化剤の少なくとも1種を用いればよ
く、その配合量は、触媒液中に0.001〜6モル/l
程度とすることが好ましく、より好ましくは0.01〜
3モル/l程度とする。0.001モル/lを下回ると
触媒液の安定性を向上させる効果はなく、6モル/lを
上回ると不経済となるので好ましくない。
【0040】本発明の触媒液のpHは特に限定されるも
のではないが、pH調整を行なう場合には、必要に応じ
て、HCl、H2SO4等の酸やNaOH等のアルカリ化
合物を用いればよい。
【0041】また、該触媒液中には、非イオン性、カチ
オン性、アニオン性、両性等の界面活性剤を添加するこ
ともでき、これにより、触媒液の表面張力を下げ、銅系
素材表面の触媒活性力を均一にすることができる。
【0042】また、pH緩衝剤として、塩酸−塩化カリ
ウム、フタル酸水素カリウム−塩酸、フタル酸水素カリ
ウム−水酸化ナトリウム、リン酸二水素カリウム−水酸
化ナトリウム、ホウ酸−水酸化ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム−水酸化ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム
−水酸化ナトリウム、水酸化ナトリウム−塩化カリウ
ム、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン−塩酸、
酢酸ナトリウム−酢酸等を添加することもできる。界面
活性剤及びpH緩衝剤は、必要に応じて単独又は適宜混
合して用いることができる。
【0043】本発明触媒液は、銅系素材を選択的に触媒
活性化するものであり、プリント基板、セラミック基
板、チップ部品等の絶縁体と導体が一体となった材料に
対しても、銅系素材のみを選択的に触媒活性化して、銅
系素材部分にのみ無電解めっきを行なうことが可能とな
る。
【0044】適用対象となる銅系素材としては、銅、黄
銅、リン青銅、洋白等を挙げることができ、これら素材
自体又は、各種素地の上に、めっき、蒸着、ペースト等
によってこれらの銅系素材の皮膜を形成したものに適用
できる。
【0045】本発明の触媒液による処理法は、通常の触
媒液による処理と同様でよく、液温10〜90℃程度、
好ましくは25〜70℃程度の触媒液中に、被処理物を
10秒〜10分程度浸漬すればよい。液温が低すぎる場
合には、スキップ現象が生じ易く、一方液温が高すぎる
と作業環境が悪くなるので注意が必要である。
【0046】触媒液によって活性化した後、無電解めっ
きを行なうことによって、銅系素材上に選択的にめっき
皮膜を形成できる。本発明触媒液は、無電解めっき液と
しては、特に限定はないが、次亜リン酸化合物を還元剤
とするNi、Pd、Pd−Ni等の無電解めっき液を用
いる場合に特に有効である。
【0047】本発明触媒液を用いる場合には、脱脂、酸
洗等の前処理は、常法に従えばよく、また無電解めっき
条件も通常通りでよい。
【0048】
【発明の効果】本発明触媒液を用いることによって、銅
系素材上にのみ選択的に無電解めっきを行なうことがで
き、プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶
縁体と導体とからなる材料に対しても、スキップ現象、
ブリッジ現象等を生じることなく、導体部分にのみ良好
なめっき皮膜を形成することが可能となる。また、本発
明触媒液は、触媒金属として、ニッケル又はコバルトを
使用するものであり、パラジウムを触媒金属とする従来
の触媒液と比べて、コスト的に有利である。
【0049】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。
【0050】
【実施例1】ガラスエポキシ銅張積層板に穴あけをし、
無電解銅めっき、電気銅めっきを行なった後、エッチン
グレジスト層を形成し、次いで、エッチング、エッチン
グレジスト層剥離、ソルダーレジスト印刷、文字印刷、
外形加工の工程を経て得られた両面表面実装部品と片面
挿入型部品の混在実装用の100×170×16mmの
銅めっきスルーホールプリント配線板について、以下の
処理を行なった。
【0051】プリント配線板を浸漬脱脂、酸洗した後、
過硫酸アンモニウム150g/l水溶液に30℃で60
秒間浸漬してソフトエッチングを行ない、次いで酸洗
後、表1に示した触媒液組成及び条件で触媒を付与し
た。次いで、下記組成及び条件でNi、Pd、Pd−N
iの各々の無電解めっきを行ない、スキップ現象及びブ
リッジ現象の発生の有無を調べた。スキップ現象の評価
の場合には、めっき時間を30秒とし、ブリッジ現象の
評価の場合にはめっき時間を30分とした。
【0052】無電解Niメッキ液 硫酸ニッケル(6水塩) 20g/l りんご酸 20g/l 次亜リン酸ナトリウム(1水塩) 30g/l 酢酸鉛(3水塩) 1mg/l pH(アンモニア水で調整) 6 浴温 85℃ 析出速度 約8μm/h 無電解Pdメッキ液 塩化パラジウム 0.01モル/l エチレンジアミン 0.08モル/l チオジグリコール酸 20mg/l 次亜リン酸ソーダ 0.06モル/l pH 8 浴温 50℃ 析出速度 約1μm/h 無電解Pd−Niメッキ液 塩化パラジウム 0.01モル/l 塩化ニッケル 0.1モル/l エチレンジアミン 0.08モル/l チオジグリコール酸 20mg/l 次亜リン酸ソーダ 0.06モル/l pH 8 浴温 50℃ 析出速度 約2μm/h
【0053】
【表1】
【0054】以上の試験の結果、チオ尿素類を添加して
いないNo.1〜8の触媒液を用いた場合には、銅系素
材とニッケル又はコバルトとの置換反応が生じないた
め、その後Ni、Pd及びPd−Niの無電解めっきを
行うと、全てのめっき液について、無めっき現象又はス
キップ現象が多く認められた。
【0055】一方、本発明触媒液であるNo.9〜36
の触媒液を用いた場合には、銅めっき皮膜上にのみ良好
なめっき皮膜を形成することができ、無めっき現象、ス
キップ現象及びブリッジ現象は全く認められなかった。
【0056】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(I)ニッケル化合物及びコバルト化合物
    の少なくとも1種0.001〜3モル/l、並びに(I
    I)チオ尿素類の少なくとも1種0.05〜5モル/l
    を含有する水溶液からなることを特徴とする銅系素材選
    択型無電解めっき用触媒液。
  2. 【請求項2】(a)一般式 【化1】 (式中、X1、X2及びX3は各々同一又は異なって、−
    CH2CO2M、−CH2PO3MM、−CH(CH3)C
    2M又は−CH2CH2CO2Mを示し、X4は−CH2
    2M、−CH2PO3MM、−CH2CH2OH、−CH
    (CH3)CO2M又は−CH2CH2CO2Mを示し、
    5はH、−CH2CO2M、−CH2PO3MM、−CH
    (CH3)CO2M又は−CH2CH2CO2Mを示す。上
    記において、Mは、同一又は異なって、各々H、K、N
    a又はNH4を示し、nは0〜2の整数を示す)で表わ
    される化合物、(b)一般式 【化2】 (式中、X6及びX7は、同一又は異なって、各々H、C
    1-5アルキル、アラルキル、アラルケニル、アリール、
    −CH2CO2M、−CH(CH3)CO2M、−CH2
    2CO2M、−CH2PO3MM又は−CH2CH2OHを
    示し、X8は、H、C1-5アルキル、アラルキル、アリー
    ル、−CH2CO2M、−CH(CH3)CO2M、−CH
    2CH2CO2M、−CH2PO3MM、−CH2CH2
    H、−(CH2p−NH2又は−〔(CH2q−NH〕r
    −Hを示す。上記において、Mは前記に同じ、Pは0〜
    10の整数、qは1〜3の整数、rは1〜10の整数を
    示す)で表わされる化合物、(c)一般式 【化3】 (式中、X9はH、−CH2CO2M又は−PO3MMを示
    し、X10はC1-5アルキル、−CO2M又は−CH2CO2
    Mを示し、X11は−CO2M、−CH2CO2M、−PO3
    MM又は−CH(OH)CO2Mを示し、X12はH又は
    OHを示す。上記において、Mは前記に同じ)で表わさ
    れる化合物、(d)一般式 【化4】 (式中、Z1、Z2、Z3及びZ4は同一又は異なって、各
    々H、CH3、CONH2又は−C(NH2)=NHを示
    す。上記においてMは前記に同じ、mは1〜15の整数
    を示す。)で表わされる化合物、(e)一般式 【化5】 (式中、AはH、−OH、−SH、NH2CO−、−C
    OOM、アミノ基、−NHC(NH2)=NH、−ON
    2、−CH(NH2)CO2H、RS−、NH2CONH
    −、 【化6】 又は 【化7】 を示し、Z5、Z6及びZ7は同一又は異なって各々H、
    CH3又はC25を示し、Z8はNH2又はOHを示す。
    上記において、Mは前記に同じ、RはC1-5アルキルを
    示し、lは0〜4の整数、kは0又は1を示す。)で表
    わされる化合物、(f)一般式(IV)の化合物及び/又
    は一般式(V)の化合物が縮合したジペプチド又はトリ
    ペプチド化合物、及び(g)環状窒素化合物から選ばれ
    た少なくとも一種のキレート化剤0.001〜6モル/
    lを更に含有する請求項1に記載の銅系素材選択型無電
    解めっき用触媒液。
JP25119392A 1992-09-21 1992-09-21 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液 Pending JPH06101054A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25119392A JPH06101054A (ja) 1992-09-21 1992-09-21 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25119392A JPH06101054A (ja) 1992-09-21 1992-09-21 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06101054A true JPH06101054A (ja) 1994-04-12

Family

ID=17219072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25119392A Pending JPH06101054A (ja) 1992-09-21 1992-09-21 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06101054A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7056448B2 (en) 2002-05-20 2006-06-06 Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. Method for forming circuit pattern
JP2007056343A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Ebara Udylite Kk ポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法
JP2008294060A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Nippon Steel Chem Co Ltd 導体層形成用組成物、導体層の形成方法および回路基板の製造方法
JP5096165B2 (ja) * 2005-12-06 2012-12-12 株式会社Jcu パラジウム錯体およびこれを利用する触媒付与処理液
JP2016222956A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 石原ケミカル株式会社 銅表面処理用の置換ニッケルメッキ浴、当該メッキ浴を用いた銅張り部品の製造方法並びに当該銅張り部品

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7056448B2 (en) 2002-05-20 2006-06-06 Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. Method for forming circuit pattern
JP2007056343A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Ebara Udylite Kk ポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法
JP5096165B2 (ja) * 2005-12-06 2012-12-12 株式会社Jcu パラジウム錯体およびこれを利用する触媒付与処理液
US8354014B2 (en) 2005-12-06 2013-01-15 Ebara-Udylite Co., Ltd. Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same
JP2008294060A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Nippon Steel Chem Co Ltd 導体層形成用組成物、導体層の形成方法および回路基板の製造方法
JP2016222956A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 石原ケミカル株式会社 銅表面処理用の置換ニッケルメッキ浴、当該メッキ浴を用いた銅張り部品の製造方法並びに当該銅張り部品

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0795043B1 (en) Silver plating
JP4596553B2 (ja) 無電解パラジウムめっき液
CN101319318A (zh) 无电镀金浴、无电镀金方法及电子部件
JP2927142B2 (ja) 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法
JP2008169425A (ja) 無電解金めっき浴のめっき能維持管理方法
KR20080052479A (ko) 무전해 금도금욕, 무전해 금도금 방법 및 전자 부품
US6503343B1 (en) Controlled plating on reactive metals
US6336962B1 (en) Method and solution for producing gold coating
US6911230B2 (en) Plating method
JP2649750B2 (ja) 銅系素材上への選択的無電解めっき方法
JP3051683B2 (ja) 無電解金めっき方法
JPH06101054A (ja) 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液
JPH0711448A (ja) 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液
JP4599599B2 (ja) 無電解金めっき液
JP4638818B2 (ja) 無電解金めっき液
JP5363142B2 (ja) 錫めっき皮膜の成膜方法
JP6901847B2 (ja) 無電解金めっき浴
JP2021511438A (ja) 無電解金めっき浴
JP2004323963A (ja) 金めっき液
JP4051513B2 (ja) 置換型無電解金めっき液
US20260110094A1 (en) Phosphorus free electroless palladium
JPH05295558A (ja) 高速置換型無電解金めっき液
JP3178135B2 (ja) 置換金めっき液
JP2007246955A (ja) 無電解金めっき浴
JPH09510411A (ja) 銅のビスマスコーティング保護