JPH0610138A - Ｍｏｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
Ｍｏｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH0610138A JPH0610138A JP15934091A JP15934091A JPH0610138A JP H0610138 A JPH0610138 A JP H0610138A JP 15934091 A JP15934091 A JP 15934091A JP 15934091 A JP15934091 A JP 15934091A JP H0610138 A JPH0610138 A JP H0610138A
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 有機金属（ＭＯ）原料ガスと反応ガスとの混
合噴き出し工程において、両ガスの乱流を形成させる。 【効果】 組成が均質であり、且つ大面積の基板に対し
ても均質な膜が得られるＭＯＣＶＤ法による酸化物超電
導体の製造方法を提供できる。
合噴き出し工程において、両ガスの乱流を形成させる。 【効果】 組成が均質であり、且つ大面積の基板に対し
ても均質な膜が得られるＭＯＣＶＤ法による酸化物超電
導体の製造方法を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属化学気相蒸着
（ＭＯＣＶＤ）法を用いた酸化物超電導体の製造方法に
関するものである。
（ＭＯＣＶＤ）法を用いた酸化物超電導体の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液体窒素温度（７７Ｋ）以上で超
電導状態を示すＹ−Ｂa−Ｃu−Ｏ系やＢi−Ｓr−Ｃa−
Ｃu−Ｏ系等の酸化物超電導体を各種の方法で作製する
ことが盛んに行われてきた。その中で有機金属化合物原
料を用いるＭＯＣＶＤ法は一般に合成速度が速い、連続
合成が可能、自由な形状の物の上に合成できる、厚膜状
に合成できる等の利点から酸化物超電導体のデバイス化
および線材化に有力な手法と見られ、広く検討されてい
る。
電導状態を示すＹ−Ｂa−Ｃu−Ｏ系やＢi−Ｓr−Ｃa−
Ｃu−Ｏ系等の酸化物超電導体を各種の方法で作製する
ことが盛んに行われてきた。その中で有機金属化合物原
料を用いるＭＯＣＶＤ法は一般に合成速度が速い、連続
合成が可能、自由な形状の物の上に合成できる、厚膜状
に合成できる等の利点から酸化物超電導体のデバイス化
および線材化に有力な手法と見られ、広く検討されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
従来のＭＯＣＶＤ法を用いた場合、ジャパニーズ・ジャ
ーナル・オブ・アプライド・フィジックス・レターズ
（Japanese Journal of Applied Physics Letters）２
７巻、1473頁（1988年）、および同アプライド・フィジ
ックス・レターズ、５４巻、380頁（1989年）等の文献
に見られるように、得られた超電導体は、臨界温度が低
く、また不均質で表面の粗いものしか得られなかった。
これは、従来の方法が、原料ガスと反応ガスとの混合噴
き出し工程において、原料ガスと反応ガスとの混合が完
全ではなく、不均質な混合状態のまま基板上へと達する
ため、気相中の組成が不均一となり、基板上での反応も
不完全なものとなる。その結果、超電導特性と表面形状
の不良な膜が形成されることになる。従って、従来のＭ
ＯＣＶＤ法による酸化物超電導体の製造においては、原
料ガスと反応ガスとの混合方法および基板へのガスの噴
き出し方法に問題があるために、良好な特性を有する酸
化物超電導体の合成ができない、あるいは大きな面積に
均質な膜を作製できない等の欠点があった。さらに、従
来の方法では合成（反応）時間を連続的に長くして膜厚
を厚くした場合にも、その膜厚は組成が不均質になるた
めに超電導性を示さない、臨界温度が低い等の超電導性
能上の欠点が避けられなかった。本発明は、上記のよう
な従来の課題を解決し、原料ガスと反応ガスとの混合噴
き出し工程において、原料ガスと反応ガスとの混合を完
全に行うことにより、組成が均質であり、且つ大面積の
基板に対しても均質な膜が得られるＭＯＣＶＤ法による
酸化物超電導体の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
従来のＭＯＣＶＤ法を用いた場合、ジャパニーズ・ジャ
ーナル・オブ・アプライド・フィジックス・レターズ
（Japanese Journal of Applied Physics Letters）２
７巻、1473頁（1988年）、および同アプライド・フィジ
ックス・レターズ、５４巻、380頁（1989年）等の文献
に見られるように、得られた超電導体は、臨界温度が低
く、また不均質で表面の粗いものしか得られなかった。
これは、従来の方法が、原料ガスと反応ガスとの混合噴
き出し工程において、原料ガスと反応ガスとの混合が完
全ではなく、不均質な混合状態のまま基板上へと達する
ため、気相中の組成が不均一となり、基板上での反応も
不完全なものとなる。その結果、超電導特性と表面形状
の不良な膜が形成されることになる。従って、従来のＭ
ＯＣＶＤ法による酸化物超電導体の製造においては、原
料ガスと反応ガスとの混合方法および基板へのガスの噴
き出し方法に問題があるために、良好な特性を有する酸
化物超電導体の合成ができない、あるいは大きな面積に
均質な膜を作製できない等の欠点があった。さらに、従
来の方法では合成（反応）時間を連続的に長くして膜厚
を厚くした場合にも、その膜厚は組成が不均質になるた
めに超電導性を示さない、臨界温度が低い等の超電導性
能上の欠点が避けられなかった。本発明は、上記のよう
な従来の課題を解決し、原料ガスと反応ガスとの混合噴
き出し工程において、原料ガスと反応ガスとの混合を完
全に行うことにより、組成が均質であり、且つ大面積の
基板に対しても均質な膜が得られるＭＯＣＶＤ法による
酸化物超電導体の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、上記のような従来の課題を解決することができ
た。すなわち本発明は、有機金属（ＭＯ）原料ガスと反
応ガスとの混合噴き出し工程において、両ガスの乱流を
形成させることを特徴とする、ＭＯＣＶＤ法による酸化
物超電導体の製造方法を提供するものである。
の結果、上記のような従来の課題を解決することができ
た。すなわち本発明は、有機金属（ＭＯ）原料ガスと反
応ガスとの混合噴き出し工程において、両ガスの乱流を
形成させることを特徴とする、ＭＯＣＶＤ法による酸化
物超電導体の製造方法を提供するものである。
【０００５】以下に、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明方法では、有機金属原料ガスと反応ガスとの混合
は、両ガスを乱流させることを特徴としている。両ガス
の乱流を起こさせる方法としては、ＭＯＣＶＤ法を適用
する形態によって、様々に変わるものであり、とくに制
限されるものではないが、例えばコーン型あるいは円筒
型のガス噴き出しノズルにおいては、そのノズル断面の
接線方向あるいはそれに対してある角度をもたせて、そ
れぞれのガスが別の流入口から供給されるようにする
と、簡単に乱流を起こすことができる。また、別な方法
としては、反応管の中に内羽根を形成させ、これを回転
させながら、原料および反応ガスをノズル内に入射させ
ても乱流を起こすこともできる。また、原料ガスおよび
反応ガスの種類、酸化物超電導膜を基板上に形成させる
ための条件およびその膜厚等は、とくに限定されるもの
ではなく、自由に設定することができる。
本発明方法では、有機金属原料ガスと反応ガスとの混合
は、両ガスを乱流させることを特徴としている。両ガス
の乱流を起こさせる方法としては、ＭＯＣＶＤ法を適用
する形態によって、様々に変わるものであり、とくに制
限されるものではないが、例えばコーン型あるいは円筒
型のガス噴き出しノズルにおいては、そのノズル断面の
接線方向あるいはそれに対してある角度をもたせて、そ
れぞれのガスが別の流入口から供給されるようにする
と、簡単に乱流を起こすことができる。また、別な方法
としては、反応管の中に内羽根を形成させ、これを回転
させながら、原料および反応ガスをノズル内に入射させ
ても乱流を起こすこともできる。また、原料ガスおよび
反応ガスの種類、酸化物超電導膜を基板上に形成させる
ための条件およびその膜厚等は、とくに限定されるもの
ではなく、自由に設定することができる。
【０００６】
【作用】本発明において、有機金属（ＭＯ）原料ガスと
反応ガスとの乱流を作ることにより、均質なガス混合と
混合ガスが一様に噴き出され、均質で特性の優れた酸化
物超電導膜を大面積へも安定に形成させることが可能と
なる。
反応ガスとの乱流を作ることにより、均質なガス混合と
混合ガスが一様に噴き出され、均質で特性の優れた酸化
物超電導膜を大面積へも安定に形成させることが可能と
なる。
【０００７】
【実施例】以下、実施例によって本発明を説明する。実施例１ 図１は、この発明の一実施例を示す外部加熱型ＣＶＤ装
置の構成図であり、１は反応管、２は加熱ヒーター、３
は基板、４は原料ガス流入口、５は反応ガス流入口、６
は、ガス噴き出しノズル、７は排気口である。図２は図
１のガス噴き出しノズル付近の拡大図であり、８は混合
ガスの乱流を示す。このノズルは図２に示すように、有
機金属（ＭＯ）原料ガスと反応ガスとをコーン型ノズル
内へ、ノズル断面の同一の接線方向へと入射することに
よってガスの乱流を作り、ガス噴き出しを行うものであ
る。次に具体的な作製条件として、イットリウム系酸化
物超電導体ＹＢa2Ｃu3Ｏ7-Xを酸化マグネシウム基板上
に合成する実験を行った。原料としては、Ｙ、Ｂa、Ｃu
のジピアロイルメタン誘導体を用い、これらを加熱によ
り気化させた。合成条件としては、原料の加熱温度をＹ
１２０℃、Ｂa２４０℃、Ｃu１２０℃に設定し、キャリ
アガスはアルゴン、反応ガスは酸素で反応部（炉）内圧
力は１５Ｔｏｒｒ、基板温度は８２０℃に保持した。原
料ガス流入口４および反応ガス流入口からそれぞれガス
を噴き出し、乱流を形成させ、３０分間反応を行った。
反応後、酸素気流中で室温まで自然放冷を行ったとこ
ろ、膜厚０.４１ミクロンの酸化物膜が得られた。四端
子法により臨界温度を測定した。また、螢光Ｘ線分析に
より基板への堆積量測定結果からこの場合の合成速度を
計算で求めた。
置の構成図であり、１は反応管、２は加熱ヒーター、３
は基板、４は原料ガス流入口、５は反応ガス流入口、６
は、ガス噴き出しノズル、７は排気口である。図２は図
１のガス噴き出しノズル付近の拡大図であり、８は混合
ガスの乱流を示す。このノズルは図２に示すように、有
機金属（ＭＯ）原料ガスと反応ガスとをコーン型ノズル
内へ、ノズル断面の同一の接線方向へと入射することに
よってガスの乱流を作り、ガス噴き出しを行うものであ
る。次に具体的な作製条件として、イットリウム系酸化
物超電導体ＹＢa2Ｃu3Ｏ7-Xを酸化マグネシウム基板上
に合成する実験を行った。原料としては、Ｙ、Ｂa、Ｃu
のジピアロイルメタン誘導体を用い、これらを加熱によ
り気化させた。合成条件としては、原料の加熱温度をＹ
１２０℃、Ｂa２４０℃、Ｃu１２０℃に設定し、キャリ
アガスはアルゴン、反応ガスは酸素で反応部（炉）内圧
力は１５Ｔｏｒｒ、基板温度は８２０℃に保持した。原
料ガス流入口４および反応ガス流入口からそれぞれガス
を噴き出し、乱流を形成させ、３０分間反応を行った。
反応後、酸素気流中で室温まで自然放冷を行ったとこ
ろ、膜厚０.４１ミクロンの酸化物膜が得られた。四端
子法により臨界温度を測定した。また、螢光Ｘ線分析に
より基板への堆積量測定結果からこの場合の合成速度を
計算で求めた。
【０００８】比較のため、上記と同一の原料および合成
条件を用いて、混合ガスの乱流を作らずに、同一組成の
酸化物超電導膜の合成を実施した。本発明の場合と同様
に、反応後、酸素気流中で室温まで自然放冷を行って、
０.２８ミクロンの厚さの膜を得た。この膜についても
同様に、膜質および超電導特性の測定を行った。これら
の結果を表１に示す。
条件を用いて、混合ガスの乱流を作らずに、同一組成の
酸化物超電導膜の合成を実施した。本発明の場合と同様
に、反応後、酸素気流中で室温まで自然放冷を行って、
０.２８ミクロンの厚さの膜を得た。この膜についても
同様に、膜質および超電導特性の測定を行った。これら
の結果を表１に示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１から明らかなように、本発明による方
法を用いれば、従来の方法と比べて合成速度がやや早く
なるとともに、臨界温度が従来の方法による膜と比べる
とはるかに高くなった。また膜の表面が本発明によるも
のの方がはるかに滑らかであった。
法を用いれば、従来の方法と比べて合成速度がやや早く
なるとともに、臨界温度が従来の方法による膜と比べる
とはるかに高くなった。また膜の表面が本発明によるも
のの方がはるかに滑らかであった。
【００１１】実施例２ 図３は、この発明の一実施例を示す内部加熱型ＣＶＤ装
置の構成図であり、１は反応管、２は加熱ヒーター、３
は基板、４は原料ガス流入口、５は反応ガス流入口、６
はガス噴き出しノズル、７は排気口である。図４は、図
３のガス噴き出しノズル付近の拡大図であり、９は乱流
を作るための内羽根、８は混合ガスの乱流を示す。次に
具体的な作製条件として、イットリウム系酸化物超電導
体ＹＢa2Ｃu3Ｏ7-Xを１cm角のチタン酸ストロンチウム
基板９枚を並べた大面積基板上に合成する実験を行っ
た。原料としては、Ｙ、Ｂa、Ｃuのジピアロイルメタン
誘導体を用い、これらを加熱により気化させた。合成条
件としては、原料の加熱温度をＹ１３０℃、Ｂa２５０
℃、Ｃu１４０℃に設定し、キャリアガスはアルゴン、
反応ガスは酸素で反応部（炉）内圧力は１０Ｔｏｒｒ、
基板温度は８００℃に保持した。原料ガス流入口４およ
び反応ガス流入口からそれぞれガスを噴き出し、内羽根
を回転させて乱流を形成させ、３０分間反応を行った。
反応後、酸素気流中で室温まで自然放冷を行ったとこ
ろ、膜厚０.５ミクロンの酸化物膜が得られた。四端子
法により臨界温度を測定した。また、膜厚は蛍光Ｘ線に
より膜の付着量を調べ、計算により求めた。
置の構成図であり、１は反応管、２は加熱ヒーター、３
は基板、４は原料ガス流入口、５は反応ガス流入口、６
はガス噴き出しノズル、７は排気口である。図４は、図
３のガス噴き出しノズル付近の拡大図であり、９は乱流
を作るための内羽根、８は混合ガスの乱流を示す。次に
具体的な作製条件として、イットリウム系酸化物超電導
体ＹＢa2Ｃu3Ｏ7-Xを１cm角のチタン酸ストロンチウム
基板９枚を並べた大面積基板上に合成する実験を行っ
た。原料としては、Ｙ、Ｂa、Ｃuのジピアロイルメタン
誘導体を用い、これらを加熱により気化させた。合成条
件としては、原料の加熱温度をＹ１３０℃、Ｂa２５０
℃、Ｃu１４０℃に設定し、キャリアガスはアルゴン、
反応ガスは酸素で反応部（炉）内圧力は１０Ｔｏｒｒ、
基板温度は８００℃に保持した。原料ガス流入口４およ
び反応ガス流入口からそれぞれガスを噴き出し、内羽根
を回転させて乱流を形成させ、３０分間反応を行った。
反応後、酸素気流中で室温まで自然放冷を行ったとこ
ろ、膜厚０.５ミクロンの酸化物膜が得られた。四端子
法により臨界温度を測定した。また、膜厚は蛍光Ｘ線に
より膜の付着量を調べ、計算により求めた。
【００１２】比較のため、上記と同一の原料および合成
条件を用い、内羽根のないノズルで混合ガスの乱流を作
らずに、同一組成の酸化物超電導膜の合成を実施した。
本発明の場合と同様に、反応後、酸素気流中で室温まで
自然放冷を行って、０.７〜０.１ミクロンの厚さの膜を
得た。この膜についても同様に、膜質および超電導特性
の測定を行った。これらの結果を表２に示す。
条件を用い、内羽根のないノズルで混合ガスの乱流を作
らずに、同一組成の酸化物超電導膜の合成を実施した。
本発明の場合と同様に、反応後、酸素気流中で室温まで
自然放冷を行って、０.７〜０.１ミクロンの厚さの膜を
得た。この膜についても同様に、膜質および超電導特性
の測定を行った。これらの結果を表２に示す。
【００１３】
【表２】
【００１４】表２から明らかなように、本発明による方
法を用いれば、膜厚と臨界温度のばらつきが小さく、全
体的に臨界温度が高い。それに対して、従来法による膜
は、膜厚と臨界温度のばらつきが大きく、全体的に臨界
温度が低い。また膜の表面形状は本発明によるものの方
がはるかに滑らかであった。
法を用いれば、膜厚と臨界温度のばらつきが小さく、全
体的に臨界温度が高い。それに対して、従来法による膜
は、膜厚と臨界温度のばらつきが大きく、全体的に臨界
温度が低い。また膜の表面形状は本発明によるものの方
がはるかに滑らかであった。
【００１５】実施例１において、従来法で合成した酸化
物超電導体の合成速度が遅く、また臨界温度が低い理由
は、原料ガスと反応がスとの混合が不完全であるため反
応効率が低くなるとともに、反応管内でのガスの流れが
一様でないため、合成膜中における組成の不均質性が生
じることによると推定される。一方、実施例２におい
て、従来法による膜厚と臨界温度に大きなバラツキがあ
るのは、上記に示したのと同じ理由によるもので、大き
な面積の基板の場合それがさらに顕著なものになると推
定される。
物超電導体の合成速度が遅く、また臨界温度が低い理由
は、原料ガスと反応がスとの混合が不完全であるため反
応効率が低くなるとともに、反応管内でのガスの流れが
一様でないため、合成膜中における組成の不均質性が生
じることによると推定される。一方、実施例２におい
て、従来法による膜厚と臨界温度に大きなバラツキがあ
るのは、上記に示したのと同じ理由によるもので、大き
な面積の基板の場合それがさらに顕著なものになると推
定される。
【００１６】なお、本発明は、上記実施例に示した装置
構成に限らず、有機金属材料と反応ガスの混合噴き出し
工程において両ガスの乱流を作るものであればどのよう
な装置構成を用いてもよい。
構成に限らず、有機金属材料と反応ガスの混合噴き出し
工程において両ガスの乱流を作るものであればどのよう
な装置構成を用いてもよい。
【００１７】実施例１は、請求項１に示した乱流を用い
る方法において、請求項２に示したコーン型ノズルを用
いる乱流の形成方法を使用した。この場合、コーン型ノ
ズルの代わりに請求項３に示した円筒型ノズルを用いて
も同様の効果を得ることができた。また、実施例２は乱
流を作る方法として、請求項４に示した内バネをもった
ノズルを使用したものである。
る方法において、請求項２に示したコーン型ノズルを用
いる乱流の形成方法を使用した。この場合、コーン型ノ
ズルの代わりに請求項３に示した円筒型ノズルを用いて
も同様の効果を得ることができた。また、実施例２は乱
流を作る方法として、請求項４に示した内バネをもった
ノズルを使用したものである。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、有機金属（ＭＯ）原料ガ
スと反応ガスとの混合噴き出し工程において、両ガスの
乱流を作ることによって、均質なガス混合と混合ガスの
一様な噴き出しを行うことができるため、均質で特性の
優れた酸化物超電導体を大面積へも安定に合成すること
が可能となる。
スと反応ガスとの混合噴き出し工程において、両ガスの
乱流を作ることによって、均質なガス混合と混合ガスの
一様な噴き出しを行うことができるため、均質で特性の
優れた酸化物超電導体を大面積へも安定に合成すること
が可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す外部加熱型ＣＶＤ装置の
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の実施例を示すガス噴き出しノズル付近
の拡大図である。
の拡大図である。
【図３】本発明の実施例を示す内部加熱型ＣＶＤ装置の
構成図である。
構成図である。
【図４】本発明の実施例を示すガス噴き出しノズル付近
の拡大図である。
の拡大図である。
１ 反応管 ２ 加熱ヒーター ３ 基板 ４ 原料ガス流入口 ５ 反応ガス流入口 ６ ガス噴き出しノズル ７ 排気口 ８ 混合ガスの乱流 ９ 内羽根
Claims (4)
- 【請求項１】 有機金属（ＭＯ）原料ガスと反応ガスと
の混合噴き出し工程において、両ガスの乱流を形成させ
ることを特徴とする、ＭＯＣＶＤ法による酸化物超電導
体の製造方法。 - 【請求項２】 有機金属（ＭＯ）ガスと反応ガスとをコ
ーン型ノズル内へ、ノズル断面の接線方向に、あるいは
それに対してある角度をもたせて入射することによっ
て、両ガスの乱流が形成するように両ガスの噴き出しを
行う、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 有機金属（ＭＯ）原料ガスと反応ガスと
を円筒型ノズル内へ、ノズル断面の接線方向に入射する
ことによって両ガスの乱流が形成するように両ガスの噴
き出しを行う、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 有機金属（ＭＯ）原料ガスと反応ガスと
を、乱流形成用の内羽根をもったノズル内へ、該内羽根
を回転させながら入射することによって、ガスの乱流を
形成させる、請求項１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15934091A JPH0610138A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｍｏｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15934091A JPH0610138A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｍｏｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0610138A true JPH0610138A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=15691699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15934091A Pending JPH0610138A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｍｏｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610138A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728223A (en) * | 1995-06-09 | 1998-03-17 | Ebara Corporation | Reactant gas ejector head and thin-film vapor deposition apparatus |
| CN104471672A (zh) * | 2012-07-12 | 2015-03-25 | 应用材料公司 | 气体混合设备 |
| FR3029939A1 (fr) * | 2014-12-16 | 2016-06-17 | Saint-Gobain Lumilog | Reacteur de depot chimique en phase vapeur |
| JP2018050040A (ja) * | 2016-09-08 | 2018-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムのための渦状微粒化ノズルアセンブリ、気化器、及び関連する方法 |
| US11732355B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying improved gas flow to a processing volume of a processing chamber |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP15934091A patent/JPH0610138A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5728223A (en) * | 1995-06-09 | 1998-03-17 | Ebara Corporation | Reactant gas ejector head and thin-film vapor deposition apparatus |
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| JP2015528060A (ja) * | 2012-07-12 | 2015-09-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ガス混合装置 |
| US10232324B2 (en) | 2012-07-12 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Gas mixing apparatus |
| FR3029939A1 (fr) * | 2014-12-16 | 2016-06-17 | Saint-Gobain Lumilog | Reacteur de depot chimique en phase vapeur |
| WO2016097610A1 (fr) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | Saint-Gobain Lumilog | Reacteur de depot chimique en phase vapeur |
| JP2018050040A (ja) * | 2016-09-08 | 2018-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムのための渦状微粒化ノズルアセンブリ、気化器、及び関連する方法 |
| US11732355B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying improved gas flow to a processing volume of a processing chamber |
| US12595560B2 (en) | 2018-12-20 | 2026-04-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying improved gas flow to a processing volume of a processing chamber |
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