JPH06101424B2 - 半導体ウエハ処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ処理装置Info
- Publication number
- JPH06101424B2 JPH06101424B2 JP61175142A JP17514286A JPH06101424B2 JP H06101424 B2 JPH06101424 B2 JP H06101424B2 JP 61175142 A JP61175142 A JP 61175142A JP 17514286 A JP17514286 A JP 17514286A JP H06101424 B2 JPH06101424 B2 JP H06101424B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- gas
- exhaust
- opening
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハに被着されたフォトレジスト膜
等をオゾンを利用して酸化して除去するアッシング処理
等を行う半導体ウエハ処理装置に関する。
等をオゾンを利用して酸化して除去するアッシング処理
等を行う半導体ウエハ処理装置に関する。
（従来の技術） 半導体集積回路の微細パターンの形成は、一般に露光お
よび現像によって形成された有機高分子のフォトレジス
ト膜をマスクとして用い、半導体ウエハ上に形成された
下地膜をエッチングすることが行なわれる。
よび現像によって形成された有機高分子のフォトレジス
ト膜をマスクとして用い、半導体ウエハ上に形成された
下地膜をエッチングすることが行なわれる。
このマスクとして用いられたフォトレジスト膜は、エッ
チング過程を経た後には、半導体ウエハの表面から除去
する必要がある。
チング過程を経た後には、半導体ウエハの表面から除去
する必要がある。
このような場合のフォトレジスト膜を除去する処理例と
してアッシング処理が行なわれる。
してアッシング処理が行なわれる。
このアッシング処理はレジストの除去、シリコンウエ
ハ、マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され、半導体プロセスのドライクリーニン
グ処理を行なう場合に適するものである。
ハ、マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され、半導体プロセスのドライクリーニン
グ処理を行なう場合に適するものである。
フォトレジスト膜除去を行なうアッシング処理を行なう
半導体ウエハ処理装置としては、酸素プラズマを用いた
ものが一般的である。
半導体ウエハ処理装置としては、酸素プラズマを用いた
ものが一般的である。
酸素プラズマによるフォトレジスト膜のアッシング処理
を行なう半導体ウエハ処理装置は、フォトレジスト膜の
付いた半導体ウエハを処理室に置き、処理室内に導入さ
れた酸素ガスを高周波の電場によりプラズマ化し、発生
した酸素原子ラジカルにより有機物であるフォトレジス
ト膜を酸化して二酸化炭素、一酸化炭素および水に分解
して除去する。
を行なう半導体ウエハ処理装置は、フォトレジスト膜の
付いた半導体ウエハを処理室に置き、処理室内に導入さ
れた酸素ガスを高周波の電場によりプラズマ化し、発生
した酸素原子ラジカルにより有機物であるフォトレジス
ト膜を酸化して二酸化炭素、一酸化炭素および水に分解
して除去する。
また、紫外線を照射することにより酸素原子ラジカルを
発生させて、バッチ処理でアッシング処理を行なう半導
体ウエハ処理装置がある。
発生させて、バッチ処理でアッシング処理を行なう半導
体ウエハ処理装置がある。
第11図はこのような紫外線照射により酸素原子ラジカル
を発生させる半導体ウエハ処理装置を示すもので、処理
室１には、多数の半導体ウエハ２が所定間隔をおいて垂
直に配置され、処理室１の上部に設置されている紫外線
発光管３からの紫外線を処理室１の上面に設けられた石
英等の透明な窓４を通して照射し、処理室１に充填され
た酸素を励起してオゾンを発生させる。そしてこのオゾ
ン雰囲気から生じる酸素原子ラジカルを半導体ウエハ２
に作用させてアッシング処理を行なう。
を発生させる半導体ウエハ処理装置を示すもので、処理
室１には、多数の半導体ウエハ２が所定間隔をおいて垂
直に配置され、処理室１の上部に設置されている紫外線
発光管３からの紫外線を処理室１の上面に設けられた石
英等の透明な窓４を通して照射し、処理室１に充填され
た酸素を励起してオゾンを発生させる。そしてこのオゾ
ン雰囲気から生じる酸素原子ラジカルを半導体ウエハ２
に作用させてアッシング処理を行なう。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記説明の従来の半導体ウエハ処理装置の
うち、酸素プラズマを用いた半導体ウエハ処理装置で
は、プラズマ中に存在する電場によって加速されたイオ
ンや電子を半導体ウエハに照射するため、半導体ウエハ
に損傷を与えるという問題がある。
うち、酸素プラズマを用いた半導体ウエハ処理装置で
は、プラズマ中に存在する電場によって加速されたイオ
ンや電子を半導体ウエハに照射するため、半導体ウエハ
に損傷を与えるという問題がある。
また、紫外線を用いた半導体ウエハ処理装置では、前記
のプラズマによる損傷を半導体ウエハに与えることはな
いが、アッシング速度が50〜150nm/minと遅く処理に時
間がかかるため、例えば大口径の半導体ウエハの処理に
適した、半導体ウエハを１枚１枚処理する枚葉処理が行
えないという問題がある。
のプラズマによる損傷を半導体ウエハに与えることはな
いが、アッシング速度が50〜150nm/minと遅く処理に時
間がかかるため、例えば大口径の半導体ウエハの処理に
適した、半導体ウエハを１枚１枚処理する枚葉処理が行
えないという問題がある。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
半導体ウエハに損傷を与えることなく、かつ処理速度が
速く、大口径半導体ウエハの枚葉処理等に対応すること
のできる半導体ウエハ処理装置を提供しようとするもの
である。
半導体ウエハに損傷を与えることなく、かつ処理速度が
速く、大口径半導体ウエハの枚葉処理等に対応すること
のできる半導体ウエハ処理装置を提供しようとするもの
である。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち第１の本発明は、処理室内に設けられ、半導体
ウエハを載置する載置台と、この載置台に内蔵され前記
半導体ウエハの温度を制御する温度制御装置と、前記半
導体ウエハに対向配置され、前記半導体ウエハに向けて
ガスを流出する開口を有するガス流出部と、前記半導体
ウエハに対向配置され、排ガスを前記処理室内から排出
する開口を有するガス排出部とを具備し、前記ガス流出
部の開口と前記ガス排出部の開口とが、交互に設けられ
ていることを特徴とする。
ウエハを載置する載置台と、この載置台に内蔵され前記
半導体ウエハの温度を制御する温度制御装置と、前記半
導体ウエハに対向配置され、前記半導体ウエハに向けて
ガスを流出する開口を有するガス流出部と、前記半導体
ウエハに対向配置され、排ガスを前記処理室内から排出
する開口を有するガス排出部とを具備し、前記ガス流出
部の開口と前記ガス排出部の開口とが、交互に設けられ
ていることを特徴とする。
また、第２の本発明は、処理室内に設けられ、半導体ウ
エハを載置する載置台と、前記半導体ウエハに対向配置
され、前記半導体ウエハに向けてガスを流出する開口
と、排ガスを前記処理室内から排出する開口とを交互に
設けたガス流出・排出部と、前記載置台と前記ガス流出
・排出部との相対位置を、前記半導体ウエハを搬送する
搬送装置のアームが導入される間隔と、前記半導体ウエ
ハを処理する間隔との間で変える昇降装置であって、前
記載置台と前記ガス流出・排出部との少なくとも一方の
昇降させる昇降装置とを具備したことを特徴とする。
エハを載置する載置台と、前記半導体ウエハに対向配置
され、前記半導体ウエハに向けてガスを流出する開口
と、排ガスを前記処理室内から排出する開口とを交互に
設けたガス流出・排出部と、前記載置台と前記ガス流出
・排出部との相対位置を、前記半導体ウエハを搬送する
搬送装置のアームが導入される間隔と、前記半導体ウエ
ハを処理する間隔との間で変える昇降装置であって、前
記載置台と前記ガス流出・排出部との少なくとも一方の
昇降させる昇降装置とを具備したことを特徴とする。
（作 用） 本発明の半導体ウエハ処理装置では、半導体ウエハに対
向して、この半導体ウエハへ向けてガスを流出させる開
口と、排ガスを処理室内から排出させる開口とが設けら
れている。
向して、この半導体ウエハへ向けてガスを流出させる開
口と、排ガスを処理室内から排出させる開口とが設けら
れている。
これらの開口から例えばオゾンを含む酸素ガス等を流出
させることにより、半導体ウエハ面に新しいオゾンを供
給することができ、酸素原子ラジカルと半導体ウエハに
被着された膜との酸化化学反応を促進させることができ
る。
させることにより、半導体ウエハ面に新しいオゾンを供
給することができ、酸素原子ラジカルと半導体ウエハに
被着された膜との酸化化学反応を促進させることができ
る。
また、半導体ウエハ表面において、被着された膜との酸
化化学反応により生じた排ガスは、直ちに処置室外に排
出される。
化化学反応により生じた排ガスは、直ちに処置室外に排
出される。
したがって、排ガス半導体ウエハの表面を通過すること
なく、直ちにこの半導体ウエハの表面から除去されるの
で、例えば縦軸のアッシング速度、横軸を半導体ウエハ
中心からの距離とした第10図のグラフに点線ａで示すよ
うに中心部と周辺部等における半導体ウエハの部位によ
るアッシング速度の違いが生じることなく、実線ｂで示
すように半導体ウエハ全体に高速で均一なアッシング速
度を得ることができる。
なく、直ちにこの半導体ウエハの表面から除去されるの
で、例えば縦軸のアッシング速度、横軸を半導体ウエハ
中心からの距離とした第10図のグラフに点線ａで示すよ
うに中心部と周辺部等における半導体ウエハの部位によ
るアッシング速度の違いが生じることなく、実線ｂで示
すように半導体ウエハ全体に高速で均一なアッシング速
度を得ることができる。
なお、ガス流出部およびガス排出部を冷却することによ
り、好ましいガス温度のガスを半導体ウエハへ供給する
ことができる。
り、好ましいガス温度のガスを半導体ウエハへ供給する
ことができる。
また、ガス流出部およびガス排出部の開口を、平行する
細長いスリット状とすることにより、半導体ウエハ全体
にわたって均一な処理を行なうことができる。
細長いスリット状とすることにより、半導体ウエハ全体
にわたって均一な処理を行なうことができる。
さらに、第２の発明の半導体ウエハ処理装置では、載置
台とガス流出・排出部との相対位置を、半導体ウエハを
搬送する搬送装置のアームが導入される広い間隔と、半
導体ウエハを処理する狭い間隔との間で変えることによ
り、半導体ウエハの処理に最適な配置をとることができ
る。
台とガス流出・排出部との相対位置を、半導体ウエハを
搬送する搬送装置のアームが導入される広い間隔と、半
導体ウエハを処理する狭い間隔との間で変えることによ
り、半導体ウエハの処理に最適な配置をとることができ
る。
（実施例） 以下、本発明の半導体ウエハ処理装置を図面を参照して
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体ウエハ処理装置を示
すもので、この実施例の半導体ウエハ処理装置では、処
理室11内には、例えば真空チャック等により半導体ウエ
ハ12を吸着保持する載置台13が配置されており、この載
置台13は、温度制御装置14によって制御されるヒータ15
を内蔵し、昇降装置16によって上下に移動可能に構成さ
れている。
すもので、この実施例の半導体ウエハ処理装置では、処
理室11内には、例えば真空チャック等により半導体ウエ
ハ12を吸着保持する載置台13が配置されており、この載
置台13は、温度制御装置14によって制御されるヒータ15
を内蔵し、昇降装置16によって上下に移動可能に構成さ
れている。
載置台13上方には、第２図にも示すように例えば0.1〜5
mm、好ましくは１〜2mm程度の幅を有し、平行する10本
の細長いスリット状の開口17a…17jから構成されるガス
流出・排出部17が配置されており、このガス流出・排出
部17は冷却装置18から循環される冷却水等により冷却さ
れている。
mm、好ましくは１〜2mm程度の幅を有し、平行する10本
の細長いスリット状の開口17a…17jから構成されるガス
流出・排出部17が配置されており、このガス流出・排出
部17は冷却装置18から循環される冷却水等により冷却さ
れている。
また、ガス流出・排出部17の開口17a〜17eはガス流量調
節器19を介して酸素供給源20に接続されたオゾン発生器
21に接続されており、開口17f〜17jは排出装置22に接続
されている。
節器19を介して酸素供給源20に接続されたオゾン発生器
21に接続されており、開口17f〜17jは排出装置22に接続
されている。
そして、上記構成のこの実施例の半導体ウエハ処理装置
では、次のようにしてアッシングを行なう。
では、次のようにしてアッシングを行なう。
すなわち、まず昇降装置16によって載置台13を下降さ
せ、ガス流出部17との間に図示しないウエハ搬送装置の
アーム等が導入される間隔が設けられ、半導体ウエハ12
がこのウエハ搬送装置等により載置台13上に載置され、
吸着保持される。
せ、ガス流出部17との間に図示しないウエハ搬送装置の
アーム等が導入される間隔が設けられ、半導体ウエハ12
がこのウエハ搬送装置等により載置台13上に載置され、
吸着保持される。
この後、昇降装置16によって載置台13を上昇させ、ガス
流出・排出部17と、半導体ウエハ12表面との間隔が例え
ば0.5〜20mm程度の所定の間隔に設定される。なおこの
場合、ガス流出・排出部17を昇降装置によって上下動さ
せてもよい。
流出・排出部17と、半導体ウエハ12表面との間隔が例え
ば0.5〜20mm程度の所定の間隔に設定される。なおこの
場合、ガス流出・排出部17を昇降装置によって上下動さ
せてもよい。
そして、載置台13に内蔵されたヒータ15を温度制御装置
14により制御し半導体ウエハ12を例えば150℃〜500℃程
度の範囲に加熱し、酸素供給源20およびオゾン発生器21
から供給されるオゾンを含有する酸素ガスをガス流量調
節器19によって、流量が例えば３〜15/min程度となる
よう調節し、開口17a〜17eから半導体ウエハ12に向けて
流出させ、排出装置22により開口17f〜17jから、例えば
処理室11内の気体圧力が700〜200Torr程度の範囲になる
よう排気する。
14により制御し半導体ウエハ12を例えば150℃〜500℃程
度の範囲に加熱し、酸素供給源20およびオゾン発生器21
から供給されるオゾンを含有する酸素ガスをガス流量調
節器19によって、流量が例えば３〜15/min程度となる
よう調節し、開口17a〜17eから半導体ウエハ12に向けて
流出させ、排出装置22により開口17f〜17jから、例えば
処理室11内の気体圧力が700〜200Torr程度の範囲になる
よう排気する。
なおこの時、第３図に矢印で示すようにガス流出・排出
部17と半導体ウエハ12との間には、開口17a〜17eから半
導体ウエハ12へ向かい、半導体ウエハ12表面において反
射され、開口17f〜17jへ向かい、ここから排出されるガ
スの流れが形成される。したがって、半導体ウエハ表面
において、被着された膜との酸化化学反応により生じた
排ガスが半導体ウエハ12の表面を通過することなく、直
ちにこの半導体ウエハ12の表面から除去されるので、半
導体ウエハ12の表面に常に新しいオゾンを供給すること
ができ、酸素原子ラジカルと半導体ウエハ12に被着され
た膜との酸化化学反応を促進させることができる。
部17と半導体ウエハ12との間には、開口17a〜17eから半
導体ウエハ12へ向かい、半導体ウエハ12表面において反
射され、開口17f〜17jへ向かい、ここから排出されるガ
スの流れが形成される。したがって、半導体ウエハ表面
において、被着された膜との酸化化学反応により生じた
排ガスが半導体ウエハ12の表面を通過することなく、直
ちにこの半導体ウエハ12の表面から除去されるので、半
導体ウエハ12の表面に常に新しいオゾンを供給すること
ができ、酸素原子ラジカルと半導体ウエハ12に被着され
た膜との酸化化学反応を促進させることができる。
そして、例えば中心部と周辺部等における半導体ウエハ
12の部位によるアッシング速度の違いが生じることな
く、半導体ウエハ12全体に高速で均一なアッシング速度
を得ることができる。
12の部位によるアッシング速度の違いが生じることな
く、半導体ウエハ12全体に高速で均一なアッシング速度
を得ることができる。
なお、オゾン発生器21で生成されたオゾンの寿命は、温
度に依存し、縦軸をオゾン分解半減期、横軸をオゾンを
含有するガスの温度とした第４図のグラフに示すよう
に、温度が高くなるとオゾンの寿命は急激に短くなる。
このためガス流出部17の開口の温度は25℃程度以下とす
ることが好ましく、一方、半導体ウエハ12の温度は150
℃程度以上に加熱することが好ましい。
度に依存し、縦軸をオゾン分解半減期、横軸をオゾンを
含有するガスの温度とした第４図のグラフに示すよう
に、温度が高くなるとオゾンの寿命は急激に短くなる。
このためガス流出部17の開口の温度は25℃程度以下とす
ることが好ましく、一方、半導体ウエハ12の温度は150
℃程度以上に加熱することが好ましい。
第５図のグラフは、縦軸をアッシング速度、横軸をオゾ
ンを含有するガスの流量とし、上記説明のこの実施例の
半導体ウエハ処理装置におけるガス流出・排出部17と半
導体ウエハ12間の距離をパラメータとして６インチの半
導体ウエハ12を300℃に加熱した場合のアッシング速度
の変化を示している。なおオゾン濃度は、３〜10重量％
程度となるよう調節されている。このグラフからわかる
ように、この実施例の半導体ウエハ処理装置では、半導
体ウエハ12とガス流出・排出部17との間を数mmとし、オ
ゾンを含有するガス流量を２〜40S（Ｓは常温常圧
換算での流量）程度の範囲とすることによりアッシング
速度が１〜数μm/minの高速なアッシング処理を行なう
ことができる。
ンを含有するガスの流量とし、上記説明のこの実施例の
半導体ウエハ処理装置におけるガス流出・排出部17と半
導体ウエハ12間の距離をパラメータとして６インチの半
導体ウエハ12を300℃に加熱した場合のアッシング速度
の変化を示している。なおオゾン濃度は、３〜10重量％
程度となるよう調節されている。このグラフからわかる
ように、この実施例の半導体ウエハ処理装置では、半導
体ウエハ12とガス流出・排出部17との間を数mmとし、オ
ゾンを含有するガス流量を２〜40S（Ｓは常温常圧
換算での流量）程度の範囲とすることによりアッシング
速度が１〜数μm/minの高速なアッシング処理を行なう
ことができる。
なお、この実施例ではガス流出・排出部17を、平行する
スリット状の開口17a…17jで構成したが、本発明は係る
実施例に限定されるものではなく、例えば第６図に示す
ように複数の同心円状のスリット27a…27jにより構成し
てもよく、あるいはスリットによらなくとも、例えば第
７図に示すように金属あるいはセラミック等の焼結体か
らなる拡散板を配置された開口37a…37jにより構成して
も、第８図に示すように小孔を備えた拡散板を配置され
た開口47a…47j等により構成してもよいことは勿論であ
る。
スリット状の開口17a…17jで構成したが、本発明は係る
実施例に限定されるものではなく、例えば第６図に示す
ように複数の同心円状のスリット27a…27jにより構成し
てもよく、あるいはスリットによらなくとも、例えば第
７図に示すように金属あるいはセラミック等の焼結体か
らなる拡散板を配置された開口37a…37jにより構成して
も、第８図に示すように小孔を備えた拡散板を配置され
た開口47a…47j等により構成してもよいことは勿論であ
る。
また第９図に示すように、開口17a〜17eを排出装置22に
も接続し、開口17f〜17jをガス流量調節器19にも接続し
て、これらの配管にガス流路切り替え用の弁23a〜23dを
配置することにより、１回のアッシング処理工程におい
てガスを流出する開口17a〜17eと排ガスを排出する開口
17f〜17jを時間等によって切り替えてガスの流出および
排出を行なうよう構成してもよい。
も接続し、開口17f〜17jをガス流量調節器19にも接続し
て、これらの配管にガス流路切り替え用の弁23a〜23dを
配置することにより、１回のアッシング処理工程におい
てガスを流出する開口17a〜17eと排ガスを排出する開口
17f〜17jを時間等によって切り替えてガスの流出および
排出を行なうよう構成してもよい。
また、この実施例ではアッシング対象としてフォトレジ
スト膜の場合について説明したが、インクの除去を初め
溶剤の除去等各種のものに適用でき、酸化して除去でき
るものならば、アッシング対象はどのようなものでもよ
く、オゾンを含有するガスは酸素に限らずオゾンと反応
しないようなガス、特にN2、Ar、Ne等のような不活性な
ガスにオゾンを含有させて使用することができる。
スト膜の場合について説明したが、インクの除去を初め
溶剤の除去等各種のものに適用でき、酸化して除去でき
るものならば、アッシング対象はどのようなものでもよ
く、オゾンを含有するガスは酸素に限らずオゾンと反応
しないようなガス、特にN2、Ar、Ne等のような不活性な
ガスにオゾンを含有させて使用することができる。
［発明の効果］ 上述のように本発明の半導体ウエハ処理装置では、半導
体ウエハに損傷を与えることなく、かつ処理速度が均一
で高速であるので、大口径半導体ウエハ等でも枚葉処理
により短時間で処理を行なうことができる。
体ウエハに損傷を与えることなく、かつ処理速度が均一
で高速であるので、大口径半導体ウエハ等でも枚葉処理
により短時間で処理を行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体ウエハ処理装置を示
す構成図、第２図は第１図の要部を示す下面図、第３図
はガスの流れを示す説明図、第４図はオゾンの半減期と
温度の関係を示すグラフ、第５図はアッシング速度とガ
ス流量およびガス流出部と半導体ウエハとの距離の関係
を示すグラフ、第６図〜第８図はガス流出・排出部の変
形例を示す下面図、第９図は第１図に示す半導体ウエハ
処理装置の変形例を示す構成図、第10図はアッシング速
度と半導体ウエハ中心からの距離との関係を示すグラ
フ、第11図は従来の半導体ウエハ処理装置を示す構成図
である。 12……半導体ウエハ、17……ガス流出・排出部、17a〜1
7j……開口、19……ガス流量調節器、21……オゾン発生
器、22……排出装置。
す構成図、第２図は第１図の要部を示す下面図、第３図
はガスの流れを示す説明図、第４図はオゾンの半減期と
温度の関係を示すグラフ、第５図はアッシング速度とガ
ス流量およびガス流出部と半導体ウエハとの距離の関係
を示すグラフ、第６図〜第８図はガス流出・排出部の変
形例を示す下面図、第９図は第１図に示す半導体ウエハ
処理装置の変形例を示す構成図、第10図はアッシング速
度と半導体ウエハ中心からの距離との関係を示すグラ
フ、第11図は従来の半導体ウエハ処理装置を示す構成図
である。 12……半導体ウエハ、17……ガス流出・排出部、17a〜1
7j……開口、19……ガス流量調節器、21……オゾン発生
器、22……排出装置。
Claims (4)
- 【請求項１】処理室内に設けられ、半導体ウエハを載置
する載置台と、 この載置台に内蔵され前記半導体ウエハの温度を制御す
る温度制御装置と、 前記半導体ウエハに対向配置され、前記半導体ウエハに
向けてガスを流出する開口を有するガス流出部と、 前記半導体ウエハに対向配置され、排ガスを前記処理室
内から排出する開口を有するガス排出部とを具備し、 前記ガス流出部の開口と前記ガス排出部の開口とが、交
互に設けられていることを特徴とする半導体ウエハ処理
装置。 - 【請求項２】前記ガス流出部と前記ガス排出部とを冷却
する冷却装置が設けられていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体ウエハ処理装置。 - 【請求項３】前記ガス流出部の開口と前記ガス排出部の
開口は、平行する細長いスリット状の開口であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウエハ処
理装置。 - 【請求項４】処理室内に設けられ、半導体ウエハを載置
する載置台と、 前記半導体ウエハに対向配置され、前記半導体ウエハに
向けてガスを流出する開口と、排ガスを前記処理室内か
ら排出する開口とを交互に設けたガス流出・排出部と、 前記載置台と前記ガス流出・排出部との相対位置を、前
記半導体ウエハを搬送する搬送装置のアームが導入され
る間隔と、前記半導体ウエハを処理する間隔との間で変
える昇降装置であって、前記載置台と前記ガス流出・排
出部との少なくとも一方を昇降させる昇降装置と を具備したことを特徴とする半導体ウエハ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175142A JPH06101424B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体ウエハ処理装置 |
| US07/073,978 US4812201A (en) | 1986-07-25 | 1987-07-15 | Method of ashing layers, and apparatus for ashing layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175142A JPH06101424B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体ウエハ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332924A JPS6332924A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH06101424B2 true JPH06101424B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=15991020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175142A Expired - Fee Related JPH06101424B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101424B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7594762B2 (en) | 2004-01-09 | 2009-09-29 | Ntn Corporation | Thrust needle roller bearing, support structure receiving thrust load of compressor for car air-conditioner, support structure receiving thrust load of automatic transmission, support structure for continuously variable transmission, and support structure receivin |
| US7641742B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-01-05 | Ntn Corporation | Rolling bearing and heat treatment method for steel |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080099450A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with backside optical sensors and multiple frequency control of etch distribution |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61175142A patent/JPH06101424B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7594762B2 (en) | 2004-01-09 | 2009-09-29 | Ntn Corporation | Thrust needle roller bearing, support structure receiving thrust load of compressor for car air-conditioner, support structure receiving thrust load of automatic transmission, support structure for continuously variable transmission, and support structure receivin |
| US7641742B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-01-05 | Ntn Corporation | Rolling bearing and heat treatment method for steel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332924A (ja) | 1988-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06101424B2 (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH06101423B2 (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPS63276225A (ja) | アッシング装置 | |
| JPS6358933A (ja) | アツシング装置 | |
| JPS6332930A (ja) | アッシング装置 | |
| JPH07105381B2 (ja) | アツシング装置 | |
| JP2519049B2 (ja) | アッシング装置 | |
| JPS6381823A (ja) | アツシング装置 | |
| JPS6358932A (ja) | アツシング装置 | |
| JPS6343322A (ja) | アツシング装置 | |
| JPH0810688B2 (ja) | アッシング装置 | |
| JPS6348825A (ja) | アツシング装置 | |
| JPS6332927A (ja) | アツシング装置 | |
| JPH06101425B2 (ja) | アツシング装置 | |
| JPS63133529A (ja) | アツシング方法 | |
| JPH06103666B2 (ja) | アッシング方法 | |
| JPH0766916B2 (ja) | アッシング方法 | |
| JPS6358934A (ja) | アツシング方法 | |
| JPH0748466B2 (ja) | 半導体ウェハの処理装置 | |
| JPS6332925A (ja) | アツシング装置 | |
| JPH0738387B2 (ja) | アッシング装置 | |
| JPS63133528A (ja) | アツシング装置 | |
| JPH06103663B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPS6370426A (ja) | アツシング装置 | |
| JPS63157423A (ja) | アツシング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |