JPH06101443B2 - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH06101443B2 JPH06101443B2 JP62231343A JP23134387A JPH06101443B2 JP H06101443 B2 JPH06101443 B2 JP H06101443B2 JP 62231343 A JP62231343 A JP 62231343A JP 23134387 A JP23134387 A JP 23134387A JP H06101443 B2 JPH06101443 B2 JP H06101443B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- sample
- magnetic
- permanent magnet
- flux density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はCVD（Chemical Vapor Deposition）装置、エッ
チング装置等として用いられるプラズマ装置に関するも
のである。
チング装置等として用いられるプラズマ装置に関するも
のである。
〔従来技術〕 電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ装置は低ガ
ス圧で活性度の高いプラズマを生成出来、また大径のプ
ラズマ流を引き出せることから高集積半導体素子等にお
ける薄膜形成、エッチング等に適用し得るものとしてそ
の研究，開発が進められている。
ス圧で活性度の高いプラズマを生成出来、また大径のプ
ラズマ流を引き出せることから高集積半導体素子等にお
ける薄膜形成、エッチング等に適用し得るものとしてそ
の研究，開発が進められている。
第12図はCVD装置として構成した従来のプラズマ装置を
示す縦断面図であり、図中31はプラズマ生成室を示して
いる。プラズマ生成室31は上部壁中央に石英ガラス板31
bにて封止したマイクロ波導入口31cを、また下部壁中央
には前記マイクロ波導入口31cと対向する位置にプラズ
マ引出窓31dを夫々備えており、前記マイクロ波導入口3
1cには他端を図示しない高周波発振器に接続した導波管
32の一端が接続され、またプラズマ引出窓31dに臨ませ
て試料室33を配設し、更に周囲にはプラズマ生成室31及
びこれに接続した導波管32の一端部にわたってこれらを
囲繞する態様でこれらと同心状に励磁コイル34を配設し
てある。
示す縦断面図であり、図中31はプラズマ生成室を示して
いる。プラズマ生成室31は上部壁中央に石英ガラス板31
bにて封止したマイクロ波導入口31cを、また下部壁中央
には前記マイクロ波導入口31cと対向する位置にプラズ
マ引出窓31dを夫々備えており、前記マイクロ波導入口3
1cには他端を図示しない高周波発振器に接続した導波管
32の一端が接続され、またプラズマ引出窓31dに臨ませ
て試料室33を配設し、更に周囲にはプラズマ生成室31及
びこれに接続した導波管32の一端部にわたってこれらを
囲繞する態様でこれらと同心状に励磁コイル34を配設し
てある。
試料室33内にはプラズマ引出窓31dと対向する位置に円
盤形の試料台35が配設され、その上には円板形をなすウ
ェーハ等の試料Ｓがそのまま、又は静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置され、更に試料室33の下部壁には図示
しない排気装置に連なる排気口33aが開口されている。
なお31g,33gは原料ガス供給管、また31e,31fは冷却水の
給水系，排水系である。
盤形の試料台35が配設され、その上には円板形をなすウ
ェーハ等の試料Ｓがそのまま、又は静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置され、更に試料室33の下部壁には図示
しない排気装置に連なる排気口33aが開口されている。
なお31g,33gは原料ガス供給管、また31e,31fは冷却水の
給水系，排水系である。
而してこのようなCVD装置にあっては所要の真空度に設
定したプラズマ生成室31,試料室33内に原料ガスを供給
し、励磁コイル34にて磁界を形成しつつプラズマ生成室
31内にマイクロ波による高周波電界を印加してプラズマ
を生成させ、生成させたプラズマを励磁コイル34にて形
成される発散磁界によってプラズマ生成室31からプラズ
マ引出窓31dを経て試料室33内における試料台35の試料
Ｓ周辺に導出し、試料Ｓ表面でプラズマ流中のイオン，
ラジカル粒子による表面反応を生起させ、試料Ｓ表面に
成膜を施すようになっている。
定したプラズマ生成室31,試料室33内に原料ガスを供給
し、励磁コイル34にて磁界を形成しつつプラズマ生成室
31内にマイクロ波による高周波電界を印加してプラズマ
を生成させ、生成させたプラズマを励磁コイル34にて形
成される発散磁界によってプラズマ生成室31からプラズ
マ引出窓31dを経て試料室33内における試料台35の試料
Ｓ周辺に導出し、試料Ｓ表面でプラズマ流中のイオン，
ラジカル粒子による表面反応を生起させ、試料Ｓ表面に
成膜を施すようになっている。
然るにかかる従来のプラズマ装置にあってはプラズマ生
成室31で発生せしめられたプラズマは励磁コイル34によ
って形成される発散磁界の磁力線に沿ってプラズマ引出
窓31dを経て試料室33内の試料Ｓ側に引き出されるが、
プラズマ生成室31内で発生するプラズマは一様ではな
く、プラズマ生成室31内の中心部での密度が周縁でのそ
れよりも高くなるため、ここから発散磁界により引出さ
れるプラズマ流にも同様の密度分布が生じ、この分布む
らがそのまま試料Ｓに向かって拡大投影されることとな
り，試料Ｓを試料台35上にプラズマ引出窓31dと同心状
に配設した場合、試料Ｓの中央部と周縁部とでは堆積速
度に差が生じ、試料Ｓ表面に施される膜厚が不均一にな
るという問題があった。そしてかかる問題はCVD装置の
みならずエッチング装置においても同様にエッチング速
度の不均一となって現れる。
成室31で発生せしめられたプラズマは励磁コイル34によ
って形成される発散磁界の磁力線に沿ってプラズマ引出
窓31dを経て試料室33内の試料Ｓ側に引き出されるが、
プラズマ生成室31内で発生するプラズマは一様ではな
く、プラズマ生成室31内の中心部での密度が周縁でのそ
れよりも高くなるため、ここから発散磁界により引出さ
れるプラズマ流にも同様の密度分布が生じ、この分布む
らがそのまま試料Ｓに向かって拡大投影されることとな
り，試料Ｓを試料台35上にプラズマ引出窓31dと同心状
に配設した場合、試料Ｓの中央部と周縁部とでは堆積速
度に差が生じ、試料Ｓ表面に施される膜厚が不均一にな
るという問題があった。そしてかかる問題はCVD装置の
みならずエッチング装置においても同様にエッチング速
度の不均一となって現れる。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、試料
表面でのプラズマ密度を均一にし、均一な厚さの成膜、
或いは均一なエッチング処理を行い得るようにしたプラ
ズマ装置を提供することを目的とする。
表面でのプラズマ密度を均一にし、均一な厚さの成膜、
或いは均一なエッチング処理を行い得るようにしたプラ
ズマ装置を提供することを目的とする。
本発明に係るプラズマ装置は、電子サイクロトロン共鳴
励起によりプラズマを発生させ、これを磁界を利用して
プラズマ引出窓から試料台を備えた試料室に導出するよ
うにしたプラズマ装置において、前記試料室に導出され
るプラズマ分布を制御すべく前記試料台の試料に対しプ
ラズマ引出窓と反対側に、試料の周縁部の磁束密度が中
央部の磁束密度よりも高くなるよう永久磁石と常磁性体
とを組み合わせた磁気生成器を配設したことを特徴とす
る。
励起によりプラズマを発生させ、これを磁界を利用して
プラズマ引出窓から試料台を備えた試料室に導出するよ
うにしたプラズマ装置において、前記試料室に導出され
るプラズマ分布を制御すべく前記試料台の試料に対しプ
ラズマ引出窓と反対側に、試料の周縁部の磁束密度が中
央部の磁束密度よりも高くなるよう永久磁石と常磁性体
とを組み合わせた磁気生成器を配設したことを特徴とす
る。
〔作用〕 本発明にあっては試料に対しプラズマ引出窓と反対側に
試料の周縁部の磁束密度が中央部の磁束密度よりも高く
なるよう永久磁石と常磁性体とを組み合わせた磁気生成
器を配設したから、発生したプラズマ密度がプラズマ引
出窓の中央部で高く、周縁部で低い場合も、試料表面に
おいて均一化することが可能となる。
試料の周縁部の磁束密度が中央部の磁束密度よりも高く
なるよう永久磁石と常磁性体とを組み合わせた磁気生成
器を配設したから、発生したプラズマ密度がプラズマ引
出窓の中央部で高く、周縁部で低い場合も、試料表面に
おいて均一化することが可能となる。
以下本発明をCVD装置として構成した実施例につき図面
に基づき具体的に説明する。
に基づき具体的に説明する。
第１図は本発明に係るプラズマ装置（以下本発明装置と
いう）の模式的縦断面図であり、図中１はプラズマ生成
室、２は導波管、３は試料室、４は励磁コイルを示して
いる。
いう）の模式的縦断面図であり、図中１はプラズマ生成
室、２は導波管、３は試料室、４は励磁コイルを示して
いる。
プラズマ生成室１は上部壁中央には石英ガラス板1bで閉
鎖されたマイクロ波導入口1cを備え、また下部壁中央に
は前記マイクロ波導入口1cと対向する位置に円形のプラ
ズマ引出窓1dを備えており、前記マイクロ波導入口1cに
は導波管２の一端部が接続され、またプラズマ引出窓1d
にはこれに臨ませて試料室３が配設され、更に周囲には
プラズマ生成室１及びこれに連結された導波管２の一端
部にわたって励磁コイル４が周設せしめられている。
鎖されたマイクロ波導入口1cを備え、また下部壁中央に
は前記マイクロ波導入口1cと対向する位置に円形のプラ
ズマ引出窓1dを備えており、前記マイクロ波導入口1cに
は導波管２の一端部が接続され、またプラズマ引出窓1d
にはこれに臨ませて試料室３が配設され、更に周囲には
プラズマ生成室１及びこれに連結された導波管２の一端
部にわたって励磁コイル４が周設せしめられている。
導波管２の他端部は図示しない高周波発振器に接続され
ており、発せられたマイクロ波はマイクロ波導入口1cか
らプラズマ生成室１内に導入されるようにしてある。励
磁コイル４は図示しない直流電源に接続されており、直
流電流の通流によって、プラズマ生成室１内にマイクロ
波の導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を形成す
る。この磁界は試料室３側に向けて磁束密度が低くなる
発散磁界となっており、プラズマ生成室１内に生成され
たプラズマを試料室３内に導出せしめるようになってい
る。
ており、発せられたマイクロ波はマイクロ波導入口1cか
らプラズマ生成室１内に導入されるようにしてある。励
磁コイル４は図示しない直流電源に接続されており、直
流電流の通流によって、プラズマ生成室１内にマイクロ
波の導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を形成す
る。この磁界は試料室３側に向けて磁束密度が低くなる
発散磁界となっており、プラズマ生成室１内に生成され
たプラズマを試料室３内に導出せしめるようになってい
る。
試料室３内にはその下部中央であって、プラズマ引出窓
1dと対向する位置に試料台５が配設され、その上にはウ
ェーハ等の試料Ｓがそのまま、又は静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置されるようにしてあり、また底壁には
図示しない排気装置に連なる排気口3aを開口してある。
1dと対向する位置に試料台５が配設され、その上にはウ
ェーハ等の試料Ｓがそのまま、又は静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置されるようにしてあり、また底壁には
図示しない排気装置に連なる排気口3aを開口してある。
1g,3gは原料ガス供給管、また1e,1fは冷却水の給水系，
排水系である。
排水系である。
そして本発明装置にあっては前記試料室３内であって試
料台５上に載置される試料Ｓに対しプラズマ引出窓1dと
反対側、即ち試料Ｓ用の試料台５下に磁気生成器６を配
設してある。
料台５上に載置される試料Ｓに対しプラズマ引出窓1dと
反対側、即ち試料Ｓ用の試料台５下に磁気生成器６を配
設してある。
磁気生成器６は中心に常磁性体製の棒状ヨーク6aを、ま
たこれと同心状にその外周に円筒形をなす常磁性体製の
環状ヨーク6bを配置し、これら棒状ヨーク6aと環状ヨー
ク6bとの間の環状空間内であって、この空間底部を埋め
る態様で複数の永久磁石6cを配設してある。
たこれと同心状にその外周に円筒形をなす常磁性体製の
環状ヨーク6bを配置し、これら棒状ヨーク6aと環状ヨー
ク6bとの間の環状空間内であって、この空間底部を埋め
る態様で複数の永久磁石6cを配設してある。
第２図は磁気生成器６の平面図、第３図は同じく縦断面
図である。各永久磁石6cはいずれも扇形であって、その
中心側がＮ極、周縁部側がＳ極としてあり、中心部側、
即ち棒状ヨーク6a側にＮ極を、また周縁部側、即ち環状
ヨーク側にＳ極を位置させた状態で密に嵌合配設せしめ
てある。
図である。各永久磁石6cはいずれも扇形であって、その
中心側がＮ極、周縁部側がＳ極としてあり、中心部側、
即ち棒状ヨーク6a側にＮ極を、また周縁部側、即ち環状
ヨーク側にＳ極を位置させた状態で密に嵌合配設せしめ
てある。
棒状ヨーク6a,環状ヨーク6b,永久磁石6cの各材質につて
いは特に限定するものではなく従来知られているものを
適宜採択すればよい。
いは特に限定するものではなく従来知られているものを
適宜採択すればよい。
而してこのような本発明装置にあってはその磁力線の分
布及び磁力（Gauss）分布は第4,5図に示す如くになる。
布及び磁力（Gauss）分布は第4,5図に示す如くになる。
第４図は励磁コイル４及び磁気生成器６による磁力線の
分布図であり、励磁コイル４にて形成される試料室３側
に向かう発散磁界を形成する磁力線M1は試料台５の周縁
部寄りを通るように、また磁気生成器６の永久磁石6cに
て形成される磁界の磁力線M2の殆どは中心部側のＮ極か
ら棒状ヨーク6aを経て試料台５の中心部からその周縁部
側に向かい、周縁部から環状ヨーク6bを経て周縁部側の
Ｓ極に至るように形成され、永久磁石6cのＮ極からヨー
ク6a,6bを経ることなく直接Ｓ極に至る磁力線は極めて
少なくなっている。
分布図であり、励磁コイル４にて形成される試料室３側
に向かう発散磁界を形成する磁力線M1は試料台５の周縁
部寄りを通るように、また磁気生成器６の永久磁石6cに
て形成される磁界の磁力線M2の殆どは中心部側のＮ極か
ら棒状ヨーク6aを経て試料台５の中心部からその周縁部
側に向かい、周縁部から環状ヨーク6bを経て周縁部側の
Ｓ極に至るように形成され、永久磁石6cのＮ極からヨー
ク6a,6bを経ることなく直接Ｓ極に至る磁力線は極めて
少なくなっている。
従って前記磁気生成器６の存在によって試料Ｓの周縁部
における磁束密度が相対的に高くなる一方、試料Ｓの中
心部における磁束密度が相対的に低くなることとなる。
これは第５図からも明らかである。
における磁束密度が相対的に高くなる一方、試料Ｓの中
心部における磁束密度が相対的に低くなることとなる。
これは第５図からも明らかである。
第５図は上述のプラズマ装置によって得られる鉛直方向
磁束密度Bz（Gauss）の試料台５の半径方向（ｘ方向）
における分布図であり、実線は試料台５の表面における
分布を、また破線は試料台５の表面上1cmにおける分布
を示している。
磁束密度Bz（Gauss）の試料台５の半径方向（ｘ方向）
における分布図であり、実線は試料台５の表面における
分布を、また破線は試料台５の表面上1cmにおける分布
を示している。
この分布図から明らかなような磁気生成器６を配置しな
い状態、即ち励磁コイル４による発散磁界による磁束密
度分布パターンと、上記した磁気生成器６による磁束密
度分布との組合わせにより、試料Ｓ周縁部の磁束密度を
試料Ｓ中央部のそれよりも十分に高くした磁界を得るこ
とができることが分かる。そして磁界を上述の如くなす
ことによって試料Ｓ表面のプラズマ密度を均一化するこ
とが可能となる。第６図（ａ）は本発明において用いる
磁気生成器による、また第６図（ｂ）は一般出的な永久
磁石による磁力線を示す説明図である。両者を対比すれ
ば明らかなように、第６図（ｂ）に示す如く永久磁石単
独の場合、永久磁石表面近傍では磁力線本数は多く、磁
束密度が高いが、表面から離れるに従って急激に磁束密
度が減衰するのに対し、第６図（ａ）に示す如く棒状ヨ
ーク6a,環状ヨーク6bを同心状であって、且つこれを永
久磁石6cよりも上方に高く突き出して位置するよう組み
合わせることで、表面近傍での磁束密度は大きくないも
のの表面から離れてゆく場合の磁束密度の減衰の割合が
小さく遠方まで磁力線が伸びていることが解る。このこ
とは第５図に示す試料台５の上方をも含めて試料の周縁
部に高磁束密度領域を形成する上で極めて効果的な構成
と言うことが出来る。
い状態、即ち励磁コイル４による発散磁界による磁束密
度分布パターンと、上記した磁気生成器６による磁束密
度分布との組合わせにより、試料Ｓ周縁部の磁束密度を
試料Ｓ中央部のそれよりも十分に高くした磁界を得るこ
とができることが分かる。そして磁界を上述の如くなす
ことによって試料Ｓ表面のプラズマ密度を均一化するこ
とが可能となる。第６図（ａ）は本発明において用いる
磁気生成器による、また第６図（ｂ）は一般出的な永久
磁石による磁力線を示す説明図である。両者を対比すれ
ば明らかなように、第６図（ｂ）に示す如く永久磁石単
独の場合、永久磁石表面近傍では磁力線本数は多く、磁
束密度が高いが、表面から離れるに従って急激に磁束密
度が減衰するのに対し、第６図（ａ）に示す如く棒状ヨ
ーク6a,環状ヨーク6bを同心状であって、且つこれを永
久磁石6cよりも上方に高く突き出して位置するよう組み
合わせることで、表面近傍での磁束密度は大きくないも
のの表面から離れてゆく場合の磁束密度の減衰の割合が
小さく遠方まで磁力線が伸びていることが解る。このこ
とは第５図に示す試料台５の上方をも含めて試料の周縁
部に高磁束密度領域を形成する上で極めて効果的な構成
と言うことが出来る。
第７図は本発明装置に用いる磁気生成器の他の例を示す
縦断面図であり、第2,3図に示す磁気生成器の外周にそ
の環状ヨーク6bと同心状に同じく常磁性体製の第２の環
状ヨーク6dを配設し、この第２の環状ヨーク6dをその軸
心線方向、換言すれば試料台５に対して遠近する向きに
移動可能に構成してある。
縦断面図であり、第2,3図に示す磁気生成器の外周にそ
の環状ヨーク6bと同心状に同じく常磁性体製の第２の環
状ヨーク6dを配設し、この第２の環状ヨーク6dをその軸
心線方向、換言すれば試料台５に対して遠近する向きに
移動可能に構成してある。
なお、第２の環状ヨーク6dを移動する代わりに棒状ヨー
ク6a、環状ヨーク6b、、永久磁石6cの結合体を一体的に
昇降移動させてもよい。
ク6a、環状ヨーク6b、、永久磁石6cの結合体を一体的に
昇降移動させてもよい。
このような実施例にあっては試料台５の表面直上又はそ
れよりも上方における磁束密度分布を調節し得ることと
なり、試料Ｓ面付近のプラズマ分布の一層の均一化が図
れることとなる。
れよりも上方における磁束密度分布を調節し得ることと
なり、試料Ｓ面付近のプラズマ分布の一層の均一化が図
れることとなる。
他の構成，作用は前記第2,3図に示したものと実質的に
同じであり、対応する部分に同じ番号を付して説明を省
略する。
同じであり、対応する部分に同じ番号を付して説明を省
略する。
第8,9図及び第10,11図は夫々本発明装置に用いる磁気生
成器の更に他の例を示しており、第8,10図は各磁気生成
器の平面図、第9,11図は同じく夫々の縦断面図である。
成器の更に他の例を示しており、第8,10図は各磁気生成
器の平面図、第9,11図は同じく夫々の縦断面図である。
第8,9図に示す磁気生成器16は永久磁石16cを棒状に構成
し、そのＮ極を中心側に、またＳ極を周縁部側に位置さ
せて常磁性体製の棒状ヨーク16aと環状ヨーク16bとの間
に周方向に略等角度で放射状に配設してある。
し、そのＮ極を中心側に、またＳ極を周縁部側に位置さ
せて常磁性体製の棒状ヨーク16aと環状ヨーク16bとの間
に周方向に略等角度で放射状に配設してある。
このような例にあっては永久磁石16c自体の構成が簡略
化される利点がある。
化される利点がある。
他の構成及び作用効果は前記第2,3図に示した例と実質
的に同じであり、説明を省略する。
的に同じであり、説明を省略する。
第10,11図に示す磁気生成器26にあっては中心部に棒状
永久磁石26aを試料台側をＮ極にして、またその周囲に
これと同心状に環状永久磁石26bを試料台側をＳ極にし
て夫々常磁性体製の円盤状ヨーク26c上に同心状に配設
して構成してある。
永久磁石26aを試料台側をＮ極にして、またその周囲に
これと同心状に環状永久磁石26bを試料台側をＳ極にし
て夫々常磁性体製の円盤状ヨーク26c上に同心状に配設
して構成してある。
このような例にあっては、磁力線が中心に位置する棒状
永久磁石26aのＮ極である上端から環状永久磁石26bのＳ
極である上端に向けて形成され、磁力線の向きに沿うよ
う移動せしめられるプラズマは棒状永久磁石26a側から
環状永久磁石26b側へ、換言すれば試料台５の中心部側
から周縁部側に分散せしめられることとなり、プラズマ
分布の均一化が図れることとなる。しかも環状永久磁石
26bのＮ極から棒状永久磁石26aに至る磁力線の殆どは円
盤状ヨーク26c内を経ることとなってより効果的に磁束
密度分布を改善することができる。
永久磁石26aのＮ極である上端から環状永久磁石26bのＳ
極である上端に向けて形成され、磁力線の向きに沿うよ
う移動せしめられるプラズマは棒状永久磁石26a側から
環状永久磁石26b側へ、換言すれば試料台５の中心部側
から周縁部側に分散せしめられることとなり、プラズマ
分布の均一化が図れることとなる。しかも環状永久磁石
26bのＮ極から棒状永久磁石26aに至る磁力線の殆どは円
盤状ヨーク26c内を経ることとなってより効果的に磁束
密度分布を改善することができる。
他の構成及び作用は前記第2,3図に示すものと実質的に
同じである。
同じである。
次に上記第１〜３図に示した実施例について具体的数値
を掲げて説明する。試料台５上にこれと中心を一致させ
て直径６″のシリコンウエーハを載置し、マイクロ波パ
ワーを600Wとし、試料室３内にSiH4ガスを28sccm、N2ガ
スを35sccmの流量で導入し、シリコンウエーハ上にシリ
コン酸化膜を形成した。この結果、膜の堆積速度は2100
Å／分、また膜厚分布は±3.5％であった。
を掲げて説明する。試料台５上にこれと中心を一致させ
て直径６″のシリコンウエーハを載置し、マイクロ波パ
ワーを600Wとし、試料室３内にSiH4ガスを28sccm、N2ガ
スを35sccmの流量で導入し、シリコンウエーハ上にシリ
コン酸化膜を形成した。この結果、膜の堆積速度は2100
Å／分、また膜厚分布は±3.5％であった。
なお第12図に示す従来装置では同条件のもとで堆積速度
は2100Å／分、膜厚分布は±20％であった。
は2100Å／分、膜厚分布は±20％であった。
なおここに膜厚分布は下式によって求めた。
｛±（最大膜厚−最小膜厚）／（最大膜厚＋最小膜厚）
×100％｝ なお上述の各実施例は本発明をいずれもCVD装置として
構成した場合につき説明したが何らこれに限るものでは
なく、例えばエッチング装置等として構成し得ることは
勿論である。
×100％｝ なお上述の各実施例は本発明をいずれもCVD装置として
構成した場合につき説明したが何らこれに限るものでは
なく、例えばエッチング装置等として構成し得ることは
勿論である。
以上の如く本発明装置にあっては、試料に対しプラズマ
引出窓と反対側に試料の周縁部の磁束密度が中央部の磁
束密度より高くなるよう永久磁石と常磁性体とを組み合
わせた磁気生成器を配設したから、プラズマ引出窓にお
いて中央部でプラズマ密度が高く、周縁部に向かうに従
ってプラズマ密度が低くなる場合においても試料表面で
はプラズマ密度分布を均一化することが出来て、処理速
度が均一となる優れた効果を奏する。
引出窓と反対側に試料の周縁部の磁束密度が中央部の磁
束密度より高くなるよう永久磁石と常磁性体とを組み合
わせた磁気生成器を配設したから、プラズマ引出窓にお
いて中央部でプラズマ密度が高く、周縁部に向かうに従
ってプラズマ密度が低くなる場合においても試料表面で
はプラズマ密度分布を均一化することが出来て、処理速
度が均一となる優れた効果を奏する。
第１図は本発明装置の縦断面図、第２図は本発明装置に
用いた磁気生成器の平面図、第３図は同じく磁気生成器
の縦断面図、第４図は本発明装置における磁力線分布
図、第５図は同じく磁束密度分布図、第６図は本発明装
置における如く磁気生成器を永久磁石と常磁性体とを組
み合わせた構成とした場合と、永久磁石単独の場合との
磁力線分布を対比して示す説明図、第７図は本発明装置
に用いる磁気生成器の他の例を示す縦断面図、第8,9は
本発明装置に用いる磁気生成器の更に他の例を示す平面
図，縦断面図、第10,11図は本発明装置に用いる磁気生
成器の更に他の例を示す平面図，縦断面図、第12図は従
来装置の縦断面図である。 １……プラズマ生成室、３……試料室、４……励磁コイ
ル、５……試料台、６……磁気生成器、6a……棒状ヨー
ク、6b……環状ヨーク、6c……永久磁石、6d……第２環
状ヨーク、16……磁気生成器、16c……棒状永久磁石、2
6……磁気生成器、26a……棒状永久磁石、26b……環状
永久磁石、26……円盤状ヨーク、Ｓ……試料
用いた磁気生成器の平面図、第３図は同じく磁気生成器
の縦断面図、第４図は本発明装置における磁力線分布
図、第５図は同じく磁束密度分布図、第６図は本発明装
置における如く磁気生成器を永久磁石と常磁性体とを組
み合わせた構成とした場合と、永久磁石単独の場合との
磁力線分布を対比して示す説明図、第７図は本発明装置
に用いる磁気生成器の他の例を示す縦断面図、第8,9は
本発明装置に用いる磁気生成器の更に他の例を示す平面
図，縦断面図、第10,11図は本発明装置に用いる磁気生
成器の更に他の例を示す平面図，縦断面図、第12図は従
来装置の縦断面図である。 １……プラズマ生成室、３……試料室、４……励磁コイ
ル、５……試料台、６……磁気生成器、6a……棒状ヨー
ク、6b……環状ヨーク、6c……永久磁石、6d……第２環
状ヨーク、16……磁気生成器、16c……棒状永久磁石、2
6……磁気生成器、26a……棒状永久磁石、26b……環状
永久磁石、26……円盤状ヨーク、Ｓ……試料
Claims (1)
- 【請求項１】電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズ
マを発生させ、これを磁界を利用してプラズマ引出窓か
ら試料台を備えた試料室に導出するようにしたプラズマ
装置において、前記試料室に導出されるプラズマ分布を
制御すべく前記試料台の試料に対しプラズマ引出窓と反
対側に、試料の周縁部の磁束密度が中央部の磁束密度よ
りも高くなるよう永久磁石と常磁性体とを組み合わせた
磁気生成器を配設したことを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62231343A JPH06101443B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | プラズマ装置 |
| EP87311451A EP0273741B1 (en) | 1986-12-29 | 1987-12-24 | Plasma apparatus |
| DE8787311451T DE3774098D1 (de) | 1986-12-29 | 1987-12-24 | Plasmageraet. |
| KR1019870015216A KR920004912B1 (ko) | 1986-12-29 | 1987-12-29 | 플라즈마 장치 |
| US07/364,585 US5019117A (en) | 1986-12-29 | 1989-06-12 | Plasma apparatus |
| US07/414,511 US5016564A (en) | 1986-12-29 | 1989-09-29 | Plasma apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62231343A JPH06101443B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6473716A JPS6473716A (en) | 1989-03-20 |
| JPH06101443B2 true JPH06101443B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=16922145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62231343A Expired - Fee Related JPH06101443B2 (ja) | 1986-12-29 | 1987-09-16 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101443B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB201016917D0 (en) * | 2010-10-07 | 2010-11-24 | Stfc Science & Technology | Improved multipole magnet |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947733A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | プラズマプロセス方法および装置 |
| JPS61267324A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
-
1987
- 1987-09-16 JP JP62231343A patent/JPH06101443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6473716A (en) | 1989-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5016564A (en) | Plasma apparatus | |
| JP2670623B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP4896164B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20040121610A1 (en) | Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma | |
| KR20040028985A (ko) | 플라즈마 반응기 코일자석시스템 | |
| KR20060046605A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR100455350B1 (ko) | 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법 | |
| JP4283360B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0346172B2 (ja) | ||
| JP2003077904A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH0722195A (ja) | 高密度プラズマ処理装置 | |
| JPH0680640B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH0415921A (ja) | プラズマ活性化方法及びその装置 | |
| JPH0687440B2 (ja) | マイクロ波プラズマ発生方法 | |
| JP2576139B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH025413A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH05106051A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4223143B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH04107919A (ja) | 有磁場マイクロ波吸収プラズマ処理装置 | |
| JPS63192229A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JPS6380523A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH0222486A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS61119036A (ja) | 低温プラズマ電磁界制御機構 | |
| JP3455616B2 (ja) | エッチング装置 | |
| JP2001338797A (ja) | 磁気中性線放電プラズマ発生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |