JPH0610146A

JPH0610146A - 触媒活性の非常に高いプラチナ金属層を得る方法

Info

Publication number: JPH0610146A
Application number: JP5060833A
Authority: JP
Inventors: Juergen Boecker; ユエルゲン・ボエケル; Michael Butz; ミカエル・ブーツ; Alfred Frey; アルフレッド・フレイ; Petra Hofmeister; ペトラ・ホフメイシュテル; Hans-Dieter Schmidt; ハンス・ディエテル・シュミット
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1992-04-06
Filing date: 1993-03-22
Publication date: 1994-01-18
Also published as: DE69205415T2; EP0564673A1; DE69205415D1; US5855959A; EP0564673B1

Abstract

(57)【要約】【目的】より均一で、より高い触媒活性を有するプラ
チナ金属層を得るための方法を提供する。【構成】触媒活性の非常に高いプラチナ金属層を、酸
性のイオノゲンであって、プラチナ金属イオンを含み、
さらにスルフォン酸を含む溶液より得る。この活性化に
よって、触媒層がより均一になり、表面積が増して触媒
としての効率が向上する。本発明の処理は、化学合成、
環境関連の応用、表面の金属被覆など、プラチナ金属触
媒を用いるいかなる化学的処理においても実施できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、触媒活性の非常に高い
プラチナ金属層の作製に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プラチナ金属という言葉は一般に、元素
周期律表のＶＩＩＩ族の金属を指し、それにはＲｕ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，ならびにＰｔが含まれる。これ
らの金属は、その触媒としての特性のため、種々の化学
処理において用いられている。プラチナ金属触媒を用い
た処理の例としては、例えばオイルおよびグリースの製
造およびフィッシャー・トロプシュ反応による化学合成
や、車の触媒あるいは水の浄化などの環境保護における
水素化処理がある。その他、プラチナ金属触媒はメッキ
処理にも用いられ、その場合には、絶縁体あるいは金属
表面上に金属イオンを堆積させるためのシード層とな
る。

【０００３】プラチナ金属シード層の触媒活性は、プラ
チナ金属層の表面に依存する。すなわち、シードが小さ
くその数が多いほど、触媒活性は良好と成る。このこと
は、上記プラチナ金属触媒の応用のすべてにおいて言え
ることである。

【０００４】一般にプラチナ金属は、プラチナ金属塩を
含む酸性の溶液から表面に堆積させる。しかし、この標
準的な方法では、プラチナ金属層が不整で、厚さが不均
一となり、満足できる結果は得られない。そしてこの方
法によって得られたプラチナ金属層の触媒活性は、種々
の応用にとって不十分であることが分かっている。この
問題を解決するため、従来よりいくつかの試みが行われ
ている。

【０００５】米国特許第４，７０４，４０１号明細書に
はその１つについて記述されており、メッキ処理におけ
る金属堆積のための触媒層に、プラチナ金属を応用する
ことが書かれている。それによると、周期律表のＩＢ族
およびＶＩＩＩ族の元素による有機金属化合物によって
表面が活性化される。上記化合物の有機部分は、活性化
剤を基板表面に固定するのに適した、少なくとも１つの
官能基を有している。その結果、強固に接着した金属コ
ーティングを実現できるが、触媒活性はいまだ満足でき
るものではない。

【０００６】他の方法として、界面活性剤を添加する方
法がある。界面活性剤としては非常に多様な組成のもの
が提案されている。例えば欧州特許公開第０，１４４，
６１２号明細書には、金属メッキのために表面を活性化
するための、コロイド溶液に添加する界面活性剤がいく
つか示されている。それによって基板表面に対する銅の
接着性が増すが、現在ではコロイド溶液はイオノゲン溶
液に置き換えられている。

【０００７】ＩＢＭＴＤＢ（０８−８１，ｐ．１５２
５）には、コロイド溶液にリグニン・スルフォン化ナト
リウムを添加し、より厚みが均一なパラジウム・フィル
ムを得、そして塩化パラジウムの酸性溶液からより多数
のパラジウム原子から成る核を獲得する方法が開示され
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】これらの方法によって
堆積パラジウム金属層を改善することができるが、触媒
活性に関してはいまだ不十分であり、またこれらの方法
では高価なパラジウムを多量に使用しなければならな
い。メッキ処理に関する限り、コロイド溶液についての
み議論されており、近年のイオノゲン活性化溶液に対す
る効率の良い添加剤については知られていない。

【０００９】本発明の目的は、より均一で、より高い触
媒活性を有するプラチナ金属層を得るための方法を見つ
けることである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、この目的を達
成するため、以下のステップを含んでいる。（ａ）溶媒内に均一に分散させた活性化剤化合物を準備
する。上記活性化剤化合物は、プラチナ金属イオンを放
出できるイオノゲン化合物であり、上記溶媒は有機およ
び／または無機酸溶液である。（ｂ）陰イオン界面活性剤を、ステップ（ａ）で準備し
た溶液に添加する。上記陰イオン界面活性剤はスルフォ
ン酸である。（ｃ）ステップ（ｂ）で得られた溶液を、触媒化すべき
表面に設ける。

【００１１】

【実施例】本発明は、絶縁体あるいは金属などの種々の
表面にプラチナ金属から成る層を堆積させることに関す
るものである。以下では本発明について、ニッケル、コ
バルト、鉄、銅、あるいはそれらの合金などの金属を選
択的にかつ化学的に、絶縁体基板上の金属パターンの上
に堆積させる方法、およびそれによって作製される物を
例に説明する。ただし本発明はこの特定の応用例に限定
されるものではない。より具体的には、高回路密度電子
部品内のセラミック基板上の金属パターンの上にニッケ
ルを無電解メッキする場合を例に説明する。

【００１２】そして本発明は特に、半導体パッケージ・
アセンブリに用いる多層セラミック・モジュールに関連
し、より詳しくは、無電解メッキ手順により、基本的に
クラックのない、厚みが均一なニッケル層を複数の電気
的に分離したコンタクト・パッドおよびそれを囲むシー
ル領域の上に、同時に化学的に堆積させることに関連し
ている。本発明により、ニッケル層の半田付け、ろう付
け、ならびに配線およびダイオードの接続の点で改善で
き、さらにシール領域のハーメチック・シール特性を改
善することができる。

【００１３】一般に、多層セラミック基板では、それに
取り付ける集積回路デバイス・チップに適合するように
するため、極めてサイズの小さいバイア・ホールに配線
を形成することが望ましい。そして表面には、互いに電
気的に分離した多数の小さいパッドを狭い間隔で設け、
その表面にモジュールを配置して、その近接して配置し
たターミナル・デバイスと上記パッドとを電気的に接続
できるようにする。近年の集積回路技術をより効率よく
利用するには、同じモジュールによってできるだけ多数
の集積回路デバイスを支持し、相互接続するようにす
る。その結果、相互接続したデバイス間の距離は短くな
り、相互に関連するデバイスから電気信号が伝わるのに
要する時間が短縮される。また、このような構成とする
ことにより、必要な電気的相互接続の数が減少し、その
ためパッケージのコストの低減および信頼性の向上が可
能となる。以上の結果、比較的多数の集積回路デバイス
を有し、それらの内部に微細化した多数の内部プリント
回路を収納した極めて複雑な多層セラミック・パッケー
ジを実現できる。

【００１４】これらの多層セラミック・モジュールで
は、上面では集積回路デバイスに接続し、またエンジニ
アリング変更パッドを設け、一方、下面では、Ｉ／Ｏパ
ッドなどに接続するため、複雑な金属パターン（すなわ
ち、比較的薄い金属パターン層のさらなる応用）が必要
となる。

【００１５】以下のパラグラフでは、この金属パターン
をモジュール上にどのように形成するかについて説明す
る。

【００１６】焼結に続いて、モジュールの上面をクリー
ニングする。一般には適切なアルカリ・クリーニング処
理により、汚れをすべて除去する。次にそのセラミック
表面の個々の回路素子間の領域において、導電ペースト
（例えば、モリブデンを含む化合物）のトレースを除去
する処理を行う。当業者にとって明らかなように、この
ステップは種々の方法で行うことができるが、一例を挙
げるなら、水酸化カリウム１に対してフェリシアン化カ
リウム２から成る溶液を表面に設けることによって行え
る。このステップでは、電気的コンタクト・パッド間を
ショートする可能性のある導電材料のトレースが除去さ
れるだけでなく、続くメッキ処理のためにコンタクト・
パッドの表面が活性化される。

【００１７】一般には、約３０〜約５０秒間室温にて、
上記表面を上述のような溶液に浸す。次に表面を洗浄し
て、アルカリ溶液のトレースをすべて除去する。通常
は、脱イオン水により１分間洗浄すれば充分である。

【００１８】その後、上面を、１００°Ｃに加熱した、
１ｌ当り１００ｇの水酸化カリウムを含む溶液などの加
熱腐食性溶液中に１０〜１５分間浸し、導電性ペースト
堆積物からガラスのトレースを除去する。この処理時間
が充分でないと、露出する金属の量が不十分となり、メ
ッキにおいて満足のいく密着性が得られない。一方、処
理時間が長すぎると、メッキ結合が弱くなる。その後、
例えば脱イオン水により、適当に洗浄を行って残った水
酸化カリウムを除去する。

【００１９】次に、最終的なメッキ処理の前に上面を、
例えば濃度が１〜１０重量％の塩酸の溶液中に、６〜１
０秒間浸して表面を処理し、金属酸化物を除去する。残
った塩酸は、ここでも脱イオン水あるいは他の適切な洗
浄剤によって洗浄することにより、除去する。

【００２０】この段階で、得られた導電ペーストの金属
パターンに対して、触媒化を行うことができる。すなわ
ち、化学的メッキ処理の無電解メッキ槽内で、ボロンを
含む還元剤により、ニッケル・イオンの還元を行い、表
面に堆積物の均一な層を形成させることができるように
表面を活性化する。その際、当業者にとって明らかなよ
うに、種々の適切な触媒化剤を用いることができる。望
ましい触媒化剤としては、塩化物、硫酸塩、アセテート
など（例えば、ＰｄＣｌ₂あるいはＰｔＣｌ₂）のプラ
チナ金属塩を挙げることができる。これらは一般に、約
０．０１〜約１％、望ましくは０．１％のプラチナ金属
塩の水溶液にして用いる。この溶液は、ＨＣｌ，Ｈ₂Ｓ
Ｏ₄，ＣＨ₃ＣＯＯＨ，あるいはＣＣｌ₃ＣＯＯＨなど
の有機酸および／または無機酸を、ｐＨが約０．１から
約３．０、望ましくは約１．０〜約２．０となるまで添
加して、酸性とする。

【００２１】本発明では、上記触媒化剤にスルフォン酸
を添加する。このスルフォン酸は、塩の形ではなく、ア
ルカリを含まない酸の形で添加することが重要である。
このスルフォン酸としては、アリール・スルフォン酸、
アルキル・スルフォン酸、分岐鎖または非分岐鎖を有す
るアリール・アルキル・スルフォン酸、あるいはそれら
の混合物が適している。スルフォン酸は、モル比で約
１：１の比率でプラチナ金属塩に添加し、溶液を均一化
する。プラチナ金属の実際の最適濃度は、金属被覆の条
件に応じて変化し、また特定の応用に応じてどのような
化合物を選択するかによって変化する。

【００２２】次に、触媒化すべき表面を、スルフォン酸
を含むプラチナ金属塩化物溶液中に、約３０〜約８０秒
間浸す。これは約０°Ｃ〜約８０°Ｃの温度、望ましく
はほぼ室温で行う。

【００２３】驚くべきことに、本発明により堆積させた
プラチナ金属層の触媒活性は、スルフォン酸を添加しな
い場合より約４０〜約８０％高く、スルフォン酸塩を添
加した場合より約３０〜約４０％高い。また、触媒化剤
の量を同じとした場合、単位面積（μｍ²）当りのシー
ドの数が増加し（標準の活性化の場合の２０に対して、
スルフォン酸を添加した場合、７０となる）、シードの
大きさは、電界放出走査型電子顕微鏡の検出限界以下と
なる。従って、触媒化剤層の表面が大幅に増加する。シ
ードの分布は表面全体に渡って非常に均一である。

【００２４】触媒により活性化したモリブデンの表面
で、自己触媒反応によるジメチルアミン・ボラン（ＤＭ
ＡＢ）の分解を、クロノポテンショメトリーにより測定
し、試料をＤＭＡＢ中に５秒間置いた場合、本発明にも
とづく試料では、標準の方法で活性化した試料に比べて
極めて高い電位が得られ、また一定電位により速く到達
することが示された。

【００２５】さらに、触媒シードの表面密度が高いため
に、モリブデン層が遮蔽され、その結果、その腐食が防
止される。

【００２６】また、このようなプラチナ金属塩化物溶液
は導電ペースト上に吸収されて、そこで金属、すなわち
強力な触媒に還元され、一方、絶縁体表面あるいはセラ
ミック表面に接触し、洗浄の後も存在するプラチナ金属
塩化物は、プラチナ金属塩化物、すなわち比較的弱い触
媒として残る。従って、続くメッキ処理において、ニッ
ケルはコンタクト・パッドおよびシール・ブランク領域
により強く堆積し、そしてその結果、個々のコンタクト
・パッド間の電気的絶縁が保証される。

【００２７】触媒化に続いて、上述のように処理した表
面に対して洗浄を行い（例えば、５％のＨＣｌ水溶液ま
たは３％のクエン酸水溶液を用いる）、その結果、メッ
キすべき表面はメッキ槽に浸せる状態となる。一般に行
われているように、例えば鉛アセテートなどの鉛安定化
剤を用いることにより、メッキ槽の性能を高めることが
できる。従って、本発明において重要な無電解メッキ槽
にも、約０．５〜約２ｐｐｍの鉛塩を含ませる。このよ
うに鉛の濃度を非常に低くし、有機二価イオウ安定化剤
の濃度を比較的高くすることにより、以下にさらに詳し
く説明するように、コンタクト・パッド上に厚みが極め
て均一なメッキ・ニッケル層を形成できる。このメッキ
・ニッケル層は、ソリッド・ステート・マイクロエレク
トロニクス部品の他の厳しい、高レベルの設計要求に関
しても欠点のない表面を形成する。

【００２８】本発明において重要な無電解メッキ槽に
は、一般に適切なニッケル源、ボラン還元剤、基本的に
メッキ槽の安定化剤として機能する、有効量の有機二価
イオウ化合物、および必要に応じて１種あるいはそれ以
上の追加的安定化剤、緩衝剤、緩衝系、湿潤剤、ならび
に従来から用いられているその他のメッキ槽成分を含ま
せる。

【００２９】これらのニッケル・メッキ槽のニッケル陽
イオン源としては、従来よりこのようなメッキにおいて
使用されている水溶性あるいは半水溶性のニッケル塩を
用いることができる。ニッケル陽イオン源に適した金属
塩には、例えば、ニッケル・アセテート、塩化ニッケ
ル、ニッケル・スルファメート（ｓｕｌｆａｍａｔ
ｅ）、硫酸ニッケルが含まれ、さらに他のニッケル塩お
よび無電解ニッケル系に適合する他の陰イオンが含まれ
る。例えば、化合物を適切に調整して、ニッケル・グリ
コレート（ｇｌｙｃｏｌａｔｅ）などのニッケル有機化
合物を、メッキ槽のニッケル・イオン源として用いるこ
とができる。これらのメッキ槽におけるニッケルの濃度
は、無電解ニッケル・メッキを行う場合の典型的な値と
し、一般に約０．０５ｍｏｌ／ｌ〜約１ｍｏｌ／ｌとす
る。

【００３０】ボラン還元剤としては、メッキ槽で溶解す
るボラン源であればいかなるものでも用いることがで
き、例えばアミン・ボラン、下部アルキル置換アミン・
ボラン、およびピリミジン・ボラン、モルフォリン・ボ
ランなどの窒素含有複素環式ボランを用いることができ
る。これらの化合物の典型的な特徴は、ＢＨ₃グループ
を含んでいることである。アルキル・アミン・ボラン、
特にジメチル・アミン・ボランが還元剤として好まし
い。一般に、メッキ槽内の還元剤の濃度は、用いる反応
条件下でニッケル陽イオンの還元が充分に起こるような
ものとする。例えば、グリーン・シートに付けるのに先
立って、触媒化剤を直接導電ペーストに混合する場合に
は、還元剤の濃度は高くする必要がある。還元剤の典型
的な最低濃度は、わずか約０．００２ｍｏｌ／ｌである
が、より一般的にはそれより高い０．０１〜約０．１ｍ
ｏｌ／ｌ程度とし、多くの場合約０．０４ｍｏｌ／ｌと
することが望ましい。ジメチル・アミン・ボランを用い
る場合には、そのメッキ槽での濃度は１〜５ｇ／ｌとす
ればよく、望ましくは約２．０〜２．５ｇ／ｌとする。

【００３１】本発明において重要なこれらのニッケル・
メッキ槽には、メッキ槽安定剤として有機二価イオウ化
合物を含ませるが、それはメッキ槽内に溶解させること
ができ、そしてイオウ原子の２つの原子価は、炭素原子
と直接結合する。本発明で用いる有機二価イオウ化合物
としては、例えばイオウを含む脂肪族カルボン酸、アル
コールおよびその誘導体、イオウを含む芳香族／脂肪族
カルボン酸、イオウを含むアセチレン化合物、芳香族ス
ルファイド、チオフェンおよびチオナフテン、チアゾー
ルおよびチオ尿素が適している。これらの有機イオウ化
合物については、米国特許第３，２３４，０３１号明細
書に説明されている。特にチオジグリコール酸が安定化
剤として上記ニッケル・メッキ槽に適している。

【００３２】これらのイオウを含む安定化剤の濃度は、
一般に、使用する個々の安定化剤およびメッキ槽の他の
条件によって異なる。従って、このような安定化剤の有
効量は、メッキ槽において所望の安定性が得られ、同時
に、メッキすべき表面でのニッケルの堆積を所望の速度
とし、その結果、堆積したニッケルの厚さをほぼ均一と
し、表面の凹凸およびエッジ部の不良がなく、そして基
本的にクラックがないようにできるような量と言える。
これらのイオン含有安定化剤の濃度は、一般に約０．５
〜５ｍｍｏｌの範囲とする。望ましい安定化剤としてチ
オジグリコール酸を用いた場合には、メッキ槽でのその
濃度は、約２５〜約７００ｐｐｍとできることが分かっ
た。チオジグリコール酸の濃度を高くすると、ニッケル
が堆積する速度が低下するので、多くの場合、約５０〜
約３５０ｐｐｍとすることが望ましい。

【００３３】本発明のニッケル・メッキ槽では、入手の
容易さ、経済性、用いるメッキ槽に適した性質などを考
慮した上で、様々の錯化剤を用いることができる。一般
的には、メッキ槽可溶カルボン酸、置換カルボン酸、お
よびヒドロキシ置換カルボン酸などの、メッキ槽可溶カ
ルボン酸あるいは置換カルボン酸のメッキ槽可溶誘導
体、ならびに無水物、塩、あるいはエステルなどの形
の、メッキ槽可溶カルボン酸あるいは置換カルボン酸の
メッキ槽可溶誘導体を用いることができる。適した錯化
剤としてはまた、アンモニアの他、１つまたは複数の以
下の官能基を含む、有機錯体形成剤を用いることができ
る。上記官能基は、第１アミノ基、第２アミノ基、第３
アミノ基、イミノ基、カルボキシ基、ならびにヒドロキ
シ基である。従って、望ましい錯化剤として、エチレン
・ジアミン、ジエチレン・トリアミン、トリエチレン・
テトラミン、エチレン・ジアミン・テトラ酢酸、クエン
酸、乳酸、ならびにそれらの水溶性の塩を用いることが
できる。また、関連するポリアミンおよびそのＮ−カル
ボキシ・メチル誘導体を用いることもできる。

【００３４】錯化剤のメッキ槽内での濃度は通常、どの
ような錯化剤を用いるか、そしてメッキ槽内でどのよう
な錯化剤と共に使用しているか、さらにメッキ槽におけ
る反応条件によって異なる。一般的には、本発明のニッ
ケル・メッキ槽における錯化剤の濃度は、最低で約０．
０５ｍｏｌ／ｌ、最高はメッキ槽内に溶解できる限界値
とするが、経済性を考慮するなら、約１．５ｍｏｌ／ｌ
以下とする。典型的な濃度は約０．０５〜約１ｍｏｌ／
ｌであり、望ましい濃度は約０．１〜０．７ｍｏｌ／ｌ
である。

【００３５】本発明のニッケル・メッキ槽には通常、緩
衝剤および緩衝系を含ませる。使用する緩衝剤は、メッ
キ系に相反しないものでなければならない。酢酸やプロ
ピオン酸など、一般に酸性あるいはアルカリ性の緩衝系
が共に有効である。通常、弱酸を添加することによって
メッキ槽の緩衝を行え、そして所望量の上記弱酸の塩を
添加することができる。無電解ニッケル・メッキ槽内に
存在させる緩衝剤あるいは緩衝系の量は一般に条件によ
って異なるが、全体の濃度を最低で０．００５ｍｏｌ／
ｌとするのが一般的である。しかし、緩衝剤あるいは緩
衝系の濃度は、維持すべきｐＨ値に応じて異なるが、通
常、約０．４ｍｏｌ／ｌを越えることはない。本発明の
ニッケル・メッキ槽の反応条件は、約５０〜７５°Ｃと
するのがよく、通常は、バレル・メッキおよびラック・
メッキのいずれの場合にも、６５°Ｃとする。しかし、
基板上に予め形成した金属パターン上に必要なメッキ・
ニッケルを得るために、温度は上述の値以下あるいは以
上としてもよい。また、ｐＨは一般に約４．５〜約７．
５とし、多くの場合一般に約６．５とするのが望まし
い。

【００３６】本発明によって得られるメッキ・ニッケル
層は、非常に純度が高いという特徴を有している。すな
わち、ニッケルの純度は、重量で少なくとも９９．５％
であり、他の堆積物としてボロン、イオウ、鉛、炭素を
含む他は他の金属あるいは不純物は一切含まない。ま
た、ボロンの含有量は、主にメッキ槽内の有機二価イオ
ウ化合物の安定化剤の濃度によって制御されること、お
よび望ましいチオジグリコール酸を望ましい濃度で用い
た、鉛を含まないメッキ槽では、ボロンを０．１〜０．
２％含むニッケルを容易に得られることが分かった。

【００３７】次に本発明によるメッキ処理の具体例につ
いて説明する。

【００３８】上述したアルミナ・セラミック材料を用い
て多層セラミック・モジュールを作製した。上面は、モ
リブデン導電材料のコンタクト・パッドおよびシール・
バンド領域を有している。これらは、焼結前のグリーン
・セラミック上に、モリブデンと有機ビヒクル・ペース
トとの混合物をシルク印刷して形成した。焼結時に上記
ビヒクルは、基板内のバインダ樹脂と共に焼き尽くされ
る。モリブデン・パッドの厚さは、基板表面から計測し
て５μｍであった。焼結させた基板はまず、蒸気を吹き
付けて油分を除去し、次に４５秒間、２１５ｇ／ｌのＫ
₂Ｆｅ（ＣＮ）₆および７５ｇ／ｌのＫＯＨの水溶液に
浸した。その後、表面を１分間脱イオン水で洗浄し、１
００ｇ／ｌの濃度の加熱水酸化カリウム溶液に浸した。
このステップに続いて、全体を脱イオン水で洗浄し、さ
らに表面を１０秒間、１０％の塩酸溶液に浸した後、脱
イオン水で全体を洗浄した。以下の成分を有するスルフ
ォン酸溶液を準備した。

【００３９】９重量％のデシル・アリール・スルフォン酸４０重量％のウンデシル・アリール・スルフォン酸４０重量％のドデシル・アリール・スルフォン酸８重量％のトリデシル・アリール・スルフォン酸３重量％の塩酸（３６％）表面を１分間、以下の成分を有し、ｐＨ１．７（塩酸に
より調整）の溶液に浸すことによって触媒化した。

【００４０】塩化パラジウム（１０ｍｌの濃縮塩酸中に溶解）０．５ｇ／ｌスルフォン酸溶液０．５ｇ／ｌ次に表面を、５％の塩酸に浸して洗浄し、余分な塩化パ
ラジウムを除去し、さらに脱イオン水によって洗浄し
て、残った塩化物を除去し、そして次のような無電解メ
ッキ槽に浸した。

【００４１】ニッケル・イオン１０．５ｇ／ｌクエン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ乳酸２５ｇ／ｌチオジグリコール酸０．１７ｇ／ｌ湿潤剤０．０１２ｇ／ｌジメチルアミン・ボラン２．８ｇ／ｌｐＨ６．５メッキ槽温度６５°Ｃメッキ処理は約４５分間行い、厚さが約５．０μｍで、
ボロンを０．１重量％含むメッキ・ニッケル層を得た。
次に、このようにメッキした基板を洗浄し、そして観察
によって、各コンタクト・パッドおよびシール・バンク
領域の厚みがほぼ均一であり、メッキ・ニッケルにクラ
ックがなく、エッジ部の不具合もないことが分かった。
さらに、個々のコンタクト・パッドは、互いに完全に電
気的に絶縁されており、電気部品のリードを直ちに半田
付けあるいはろう付けできた。

【００４２】以上、本発明について電解メッキ処理をも
とに説明したが、当業者にとって明らかなように、触媒
活性の非常に高いプラチナ金属層を得るための本発明の
方法は、プラチナ金属触媒層を用いる他のいかなる処理
においても実施できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ミカエル・ブーツドイツ国 7047 ヤッチンゲンレテンシュトラーセ 30 (72)発明者アルフレッド・フレイドイツ国 7047 ヤッチンゲンバインガルテンシュトラーセ 27 (72)発明者ペトラ・ホフメイシュテルドイツ国 7034 ガートリンゲン−ローラウガートリンゲルシュトラーセ 36 ／２ (72)発明者ハンス・ディエテル・シュミットドイツ国 7403 アンメルバッファホーヘンベルクシュトラーセ６

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】触媒活性の非常に高いプラチナ金属層を得
る方法において、（ａ）プラチナ金属イオンを放出でき
るイオノゲン化合物である活性化剤化合物を、有機酸溶
液および無機酸溶液またはこれらの一方である溶媒内に
均一に分散させ、（ｂ）スルフォン酸である陰イオン界
面活性剤をステップ（ａ）で得た溶液に添加し、（ｃ）
ステップ（ｂ）で得た溶液を触媒化すべき表面に設ける
ことを特徴とする方法。
【請求項２】前記陰イオン界面活性剤は、モノ・アルキ
ル・スルフォン酸、ジ・アルキル・スルフォン酸、ポリ
・アルキル・スルフォン酸、モノ・アリール・スルフォ
ン酸、ジ・アリール・スルフォン酸、ポリ・アリール・
スルフォン酸、モノ・アルキル・アリール・スルフォン
酸、分岐鎖または非分岐鎖を有する、ジ・アルキル・ア
リール・スルフォン酸、ポリ・アルキル・アリール・ス
ルフォン酸のいずれか、あるいはこれらの混合物である
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】前記陰イオン界面活性剤は、ｎ−アルキル
・アリール・スルフォン酸であることを特徴とする請求
項２記載の方法。
【請求項４】前記活性化剤化合物は、プラチナ金属塩の
形で与えることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】前記プラチナ金属は、パラジウムあるいは
プラチナであることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】前記溶媒中の前記活性化剤化合物の濃度
は、約０．０１〜約１％の範囲内にあり、前記活性化剤
化合物とスルフォン酸とのモル比は１：１であることを
特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】前記溶媒は、ＨＣｌ，Ｈ₂ＳＯ₄，ＣＨ₃
ＣＯＯＨ，あるいはＣＣｌ₃ＣＯＯＨであることを特徴
とする請求項６記載の方法。
【請求項８】ステップ（ｂ）で得た前記酸の溶液は、約
０．１〜約３．０のｐＨを有することを特徴とする請求
項７記載の方法。
【請求項９】ステップ（ｂ）で得た前記溶液は、約０°
Ｃ〜約８０°Ｃの間の温度で用いることを特徴とする請
求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】前記触媒活性の非常に高いプラチナ金属
層は、モリブデンを含む金属の表面に堆積させることを
特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】前記触媒活性の非常に高いプラチナ金属
層は、無電解金属被覆処理の前に堆積させることを特徴
とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】触媒活性の非常に高いプラチナ金属層を
得るための溶液であって、（ａ）プラチナ金属イオンを
放出できるイオノゲン化合物である活性化剤化合物と、
（ｂ）有機酸溶液あるいは無機酸溶液である溶媒と、
（ｃ）スルフォン酸である陰イオン界面活性剤と、を含
むことを特徴とする溶液。