JPH06101488B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06101488B2 JPH06101488B2 JP63279764A JP27976488A JPH06101488B2 JP H06101488 B2 JPH06101488 B2 JP H06101488B2 JP 63279764 A JP63279764 A JP 63279764A JP 27976488 A JP27976488 A JP 27976488A JP H06101488 B2 JPH06101488 B2 JP H06101488B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- thermoplastic resin
- insulating substrate
- leads
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置
に関する。
に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は第４図に示すように、鉄
系又は銅系の合金から成るリードフレーム31に、半導体
素子12を銀ペースト等のろう材により固着し、次いで、
金等のボンディングワイヤー13により半導体素子12の電
極端子とリードフレーム31とを電気的に接続した後、モ
ールド樹脂14により封止し、外部のリードを加工成形し
て製造されていた。
系又は銅系の合金から成るリードフレーム31に、半導体
素子12を銀ペースト等のろう材により固着し、次いで、
金等のボンディングワイヤー13により半導体素子12の電
極端子とリードフレーム31とを電気的に接続した後、モ
ールド樹脂14により封止し、外部のリードを加工成形し
て製造されていた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、金属板をプレ
ス方式やエッチング方式で加工したリードフレームを用
いているため、リード数が増えて微細な加工を行なった
場合に、内部又は外部のリードが変形しやすくなるとい
う欠点がある。リードの変形は、組立歩留の低下やプリ
ント基板へ実装する際の半田付不良を生じやすく、超多
ピンタイプの樹脂封止型半導体装置を開発する上で大き
な支障をきたすという欠点がある。
ス方式やエッチング方式で加工したリードフレームを用
いているため、リード数が増えて微細な加工を行なった
場合に、内部又は外部のリードが変形しやすくなるとい
う欠点がある。リードの変形は、組立歩留の低下やプリ
ント基板へ実装する際の半田付不良を生じやすく、超多
ピンタイプの樹脂封止型半導体装置を開発する上で大き
な支障をきたすという欠点がある。
本発明の目的は、外部リードの変形がなく、組立歩留が
高く、プリント基板へ実装する際の半田付不良がなく、
超多ピン化へ対応できる樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
高く、プリント基板へ実装する際の半田付不良がなく、
超多ピン化へ対応できる樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
本発明は、複数の内部リードと外部リードとを有する樹
脂封止型半導体装置において、熱可塑性樹脂絶縁基板上
に金属薄膜のリードパターンを形成し、前記熱可塑性樹
脂絶縁基板上に半導体素子を載置し、前記金属薄膜のリ
ードと前記半導体素子の電極端子とが結線されている。
脂封止型半導体装置において、熱可塑性樹脂絶縁基板上
に金属薄膜のリードパターンを形成し、前記熱可塑性樹
脂絶縁基板上に半導体素子を載置し、前記金属薄膜のリ
ードと前記半導体素子の電極端子とが結線されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面図
である。
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面図
である。
第２図において、熱可塑性樹脂絶縁基板11上には金属配
線層15のパターンが形成されており、半導体素子12と外
部との電気的接続をとる役目を果たす。外部リード部の
加工は熱可塑性樹脂を用いているため、軟化する程度に
加熱して曲げ加工をすれば容易に形状を変えることがで
き、第１図の如き形状を得ることができる。また、外部
リード部は一体構造となっているため、変形の心配もな
く、プリント基板への半田付けの歩留を飛躍的に向上さ
せることができる。
線層15のパターンが形成されており、半導体素子12と外
部との電気的接続をとる役目を果たす。外部リード部の
加工は熱可塑性樹脂を用いているため、軟化する程度に
加熱して曲げ加工をすれば容易に形状を変えることがで
き、第１図の如き形状を得ることができる。また、外部
リード部は一体構造となっているため、変形の心配もな
く、プリント基板への半田付けの歩留を飛躍的に向上さ
せることができる。
ここで熱可塑性樹脂絶縁基板11の材質としてはガラス繊
維等で強化したPPS（ポリフェニレンサルファイド）樹
脂やPET（ポリエチレンテレフタレート樹脂等が適して
いるが限定されるものではない。また金属配線層15は、
銅等の金属をラミネート又はめっき等により熱可塑性樹
脂絶縁基板11上に形成する。その厚さは数十μｍで充分
である。その後、ホトエッチング法等によりパターンを
形成すればよく薄膜であるため微細加工が容易であるこ
とから、超多ピンパッケージ用として適している。な
お、ボンディングを行なうために、予め金や銀等の部分
めっき層を金属配線層15上に設けておくとよい。
維等で強化したPPS（ポリフェニレンサルファイド）樹
脂やPET（ポリエチレンテレフタレート樹脂等が適して
いるが限定されるものではない。また金属配線層15は、
銅等の金属をラミネート又はめっき等により熱可塑性樹
脂絶縁基板11上に形成する。その厚さは数十μｍで充分
である。その後、ホトエッチング法等によりパターンを
形成すればよく薄膜であるため微細加工が容易であるこ
とから、超多ピンパッケージ用として適している。な
お、ボンディングを行なうために、予め金や銀等の部分
めっき層を金属配線層15上に設けておくとよい。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第２の実施例では、熱可塑性樹脂絶縁基板21にスルーホ
ール部26を設け、金属配線層25を表面から裏面側に移行
させている。従って、本方式を用いれば熱可塑性樹脂絶
縁基板21の表裏両面に金属配線層25を形成することが可
能となり、より多ピンのパッケージを製作するのに有利
となる。
ール部26を設け、金属配線層25を表面から裏面側に移行
させている。従って、本方式を用いれば熱可塑性樹脂絶
縁基板21の表裏両面に金属配線層25を形成することが可
能となり、より多ピンのパッケージを製作するのに有利
となる。
以上説明したように本発明は、熱可塑性樹脂絶縁基板上
に金属配線層を設け、樹脂封止部の内部及び外部のリー
ドとすることで、微細配線加工が容易となり、超多ピン
化への応対がとれる効果がある。
に金属配線層を設け、樹脂封止部の内部及び外部のリー
ドとすることで、微細配線加工が容易となり、超多ピン
化への応対がとれる効果がある。
また、熱可塑性樹脂絶縁基板及びその上に形成された金
属配線層を加熱加工により一体成形し、外部リードとす
ることで、リードの変形を皆無にでき、半田付の歩留を
飛躍的に高められる効果も有する。
属配線層を加熱加工により一体成形し、外部リードとす
ることで、リードの変形を皆無にでき、半田付の歩留を
飛躍的に高められる効果も有する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面
図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４図は
従来の半導体装置の一例の断面図である。 11,21……熱可塑性樹脂絶縁基板、12……半導体素子、1
3……ボンディングワイヤー、14……モールド樹脂、15,
25……金属配線層、26……スルーホール部、31……リー
ドフレーム。
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面
図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４図は
従来の半導体装置の一例の断面図である。 11,21……熱可塑性樹脂絶縁基板、12……半導体素子、1
3……ボンディングワイヤー、14……モールド樹脂、15,
25……金属配線層、26……スルーホール部、31……リー
ドフレーム。
Claims (1)
- 【請求項１】複数の内部リードと外部リードとを有する
樹脂封止型半導体装置において、熱可塑性樹脂絶縁基板
上に金属薄膜のリードパターンを形成し、前記熱可塑性
樹脂絶縁基板上に半導体素子を載置し、前記金属薄膜の
リードと前記半導体素子の電極端子とを結線したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279764A JPH06101488B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279764A JPH06101488B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125629A JPH02125629A (ja) | 1990-05-14 |
| JPH06101488B2 true JPH06101488B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=17615578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63279764A Expired - Fee Related JPH06101488B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101488B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0637241A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63279764A patent/JPH06101488B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02125629A (ja) | 1990-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5874784A (en) | Semiconductor device having external connection terminals provided on an interconnection plate and fabrication process therefor | |
| US5652461A (en) | Semiconductor device with a convex heat sink | |
| JPH05129473A (ja) | 樹脂封止表面実装型半導体装置 | |
| JPH02502323A (ja) | 集積回路用支持組立体 | |
| US5929513A (en) | Semiconductor device and heat sink used therein | |
| EP0582052A1 (en) | Low profile overmolded semiconductor device and method for making the same | |
| EP0732744A2 (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same | |
| US6700198B2 (en) | Resin for semiconductor wire | |
| US5382546A (en) | Semiconductor device and method of fabricating same, as well as lead frame used therein and method of fabricating same | |
| JPH06209068A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPH06101488B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2740977B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2678696B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07249708A (ja) | 半導体装置及びその実装構造 | |
| JPH09307019A (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ | |
| JP3028153B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2784209B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2568057B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS5998544A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2700257B2 (ja) | 配線基板付きリードフレームとその製造方法 | |
| JPH06326227A (ja) | 多層リードフレームの製造方法及び構造 | |
| JPH0389539A (ja) | リードフレーム，これを用いた半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3211116B2 (ja) | 電子部品及びそのモジュール構造 | |
| KR100335759B1 (ko) | 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH09270435A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |