JPH06102232A - イオン伝導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
イオン伝導体デバイスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06102232A JPH06102232A JP4275545A JP27554592A JPH06102232A JP H06102232 A JPH06102232 A JP H06102232A JP 4275545 A JP4275545 A JP 4275545A JP 27554592 A JP27554592 A JP 27554592A JP H06102232 A JPH06102232 A JP H06102232A
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- JP
- Japan
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- ion conductor
- electrode
- zro
- oxygen
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】優れた電極接合特性を持つ薄膜型のイオン伝導
体デバイスとその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】シリコン基板１上にシリコン酸化膜１２を介し
てイオン伝導体膜としてＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３を形
成し、この上に選択的にバッファ層１４，１５を介して
Ｐｔカソード電極１６，アノード電極１７を形成してい
る。バッファ層１４，１５は、酸素ガスをキャリアガス
とする反応性スパッタ法により酸素ガス供給量を可変制
御しながら形成された、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３と同
系統の酸化物膜であり、Ｐｔ電極１６，１７に接する部
分では酸素含有量がほぼ零となるように、酸素含有量に
傾斜分布を持たせている。
体デバイスとその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】シリコン基板１上にシリコン酸化膜１２を介し
てイオン伝導体膜としてＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３を形
成し、この上に選択的にバッファ層１４，１５を介して
Ｐｔカソード電極１６，アノード電極１７を形成してい
る。バッファ層１４，１５は、酸素ガスをキャリアガス
とする反応性スパッタ法により酸素ガス供給量を可変制
御しながら形成された、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３と同
系統の酸化物膜であり、Ｐｔ電極１６，１７に接する部
分では酸素含有量がほぼ零となるように、酸素含有量に
傾斜分布を持たせている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物イオン伝導体を
用いた薄膜型のイオン伝導体デバイスとその製造方法に
関する。
用いた薄膜型のイオン伝導体デバイスとその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、イットリウム（Ｙ）で安定化
した酸化ジルコニウム、即ちジルコニア−イットリア
（ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ）をイオン伝導体（固体電解質）
として用いたセラミック酸素センサが知られている。バ
ルク型のセラミック酸素センサでは、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ
3 イオン伝導体バルクをプレス成形，焼成により得て、
これに触媒作用を有するＰｔ電極を、Ｐｔペーストの印
刷，焼成により形成している。これに対して、素子の小
型化，微細化，量産化等のために、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
イオン伝導体および電極を蒸着やスパッタ等の薄膜技術
により形成する薄膜型のセラミック酸素センサも提案さ
れている。
した酸化ジルコニウム、即ちジルコニア−イットリア
（ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ）をイオン伝導体（固体電解質）
として用いたセラミック酸素センサが知られている。バ
ルク型のセラミック酸素センサでは、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ
3 イオン伝導体バルクをプレス成形，焼成により得て、
これに触媒作用を有するＰｔ電極を、Ｐｔペーストの印
刷，焼成により形成している。これに対して、素子の小
型化，微細化，量産化等のために、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
イオン伝導体および電極を蒸着やスパッタ等の薄膜技術
により形成する薄膜型のセラミック酸素センサも提案さ
れている。
【０００３】バルク型の酸素センサでは、電極とイオン
伝導体の接合特性は、機械的強度，電気的特性共に比較
的良好である。これは、イオン伝導体バルクが焼結体セ
ラミックスであって、電極を形成すべき面に凹凸があ
り、電極ペーストの印刷，焼成により優れた電極密着性
が得られること、またペースト焼成過程で電極とイオン
伝導体との界面で化学的結合等の反応も生じること等の
ためと思われる。また印刷法の場合には、接合助剤を用
いることによっても、ある程度の接合強度を得ることが
できる。しかし、スパッタや蒸着を利用した薄膜型のセ
ラミック酸素センサでは、電極の接合特性がバルク型に
比べて劣っている。これは、スパッタ等の薄膜技術によ
り形成されるイオン伝導体膜の表面が平滑であり、この
上に薄膜技術により形成される電極は単に物理的に堆積
されているのみで、化学的反応等による強固な結合は生
じていないからである。このため、電極と酸化物イオン
伝導体膜の間の電気抵抗（接触抵抗）が大きく、十分な
センサ能力を得ることができない。また通常酸素センサ
は、イオン伝導体を活性化するために加熱して用いられ
るため、機械的にも、経時的に劣化して界面剥離が生じ
易く、信頼性に乏しい。
伝導体の接合特性は、機械的強度，電気的特性共に比較
的良好である。これは、イオン伝導体バルクが焼結体セ
ラミックスであって、電極を形成すべき面に凹凸があ
り、電極ペーストの印刷，焼成により優れた電極密着性
が得られること、またペースト焼成過程で電極とイオン
伝導体との界面で化学的結合等の反応も生じること等の
ためと思われる。また印刷法の場合には、接合助剤を用
いることによっても、ある程度の接合強度を得ることが
できる。しかし、スパッタや蒸着を利用した薄膜型のセ
ラミック酸素センサでは、電極の接合特性がバルク型に
比べて劣っている。これは、スパッタ等の薄膜技術によ
り形成されるイオン伝導体膜の表面が平滑であり、この
上に薄膜技術により形成される電極は単に物理的に堆積
されているのみで、化学的反応等による強固な結合は生
じていないからである。このため、電極と酸化物イオン
伝導体膜の間の電気抵抗（接触抵抗）が大きく、十分な
センサ能力を得ることができない。また通常酸素センサ
は、イオン伝導体を活性化するために加熱して用いられ
るため、機械的にも、経時的に劣化して界面剥離が生じ
易く、信頼性に乏しい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
薄膜技術を用いたイオン伝導体デバイスでは、電極−イ
オン伝導体の接合特性が、電気的にも機械的にもバルク
型に劣るという問題があった。本発明は、この様な事情
を考慮してなされたもので、優れた電極接合特性を持つ
薄膜型のイオン伝導体デバイスとその製造方法を提供す
ることを目的とする。
薄膜技術を用いたイオン伝導体デバイスでは、電極−イ
オン伝導体の接合特性が、電気的にも機械的にもバルク
型に劣るという問題があった。本発明は、この様な事情
を考慮してなされたもので、優れた電極接合特性を持つ
薄膜型のイオン伝導体デバイスとその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に酸化
物イオン伝導体膜とこれに接する電極が形成されたイオ
ン伝導体デバイスにおいて、前記酸化物イオン伝導体膜
と電極との間に、前記酸化物イオン伝導体と同じ金属材
料の酸化物であって、かつ、電極側に行くにつれて酸素
含有量が低下するバッファ層を介在させたことを特徴と
している。本発明はまた、上述のようなイオン伝導体デ
バイスのバッファ層を形成する方法として、前記酸化物
イオン伝導体を構成する金属材料をターゲットとし、酸
素ガスをキャリアガスとする反応性スパッタ法を用い
て、酸素ガス供給量を変化させて電極側に行くにつれて
酸素含有量が低下した金属酸化物を形成するようにした
ことを特徴としている。
物イオン伝導体膜とこれに接する電極が形成されたイオ
ン伝導体デバイスにおいて、前記酸化物イオン伝導体膜
と電極との間に、前記酸化物イオン伝導体と同じ金属材
料の酸化物であって、かつ、電極側に行くにつれて酸素
含有量が低下するバッファ層を介在させたことを特徴と
している。本発明はまた、上述のようなイオン伝導体デ
バイスのバッファ層を形成する方法として、前記酸化物
イオン伝導体を構成する金属材料をターゲットとし、酸
素ガスをキャリアガスとする反応性スパッタ法を用い
て、酸素ガス供給量を変化させて電極側に行くにつれて
酸素含有量が低下した金属酸化物を形成するようにした
ことを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明によるイオン伝導体デバイスでは、酸化
物イオン伝導体膜と電極との間に厚み方向に酸素含有量
の傾斜を持つバッファ層を介在させることにより、優れ
た電極の接合特性が得られる。即ち、バッファ層の電極
に接する部分を酸素含有量が零またはそれに近い状態と
することにより、その接合部は金属同士の接合となっ
て、機械的な強度が十分高く、また低いコンタクト抵抗
が得られる。またバッファ層の酸化物イオン伝導体膜側
の部分はほぼイオン伝導体膜と同じ酸化物となる。従っ
て本発明では、バッファ層がイオン伝導体膜のイオン伝
導性と電極の電子伝導性をそれぞれ十分に発揮させなが
ら、電極の接合特性を向上させることができる。また本
発明の方法によれば、供給酸素ガス量を経時的に制御す
る反応性スパッタ法を利用することにより、容易に電極
の接合特性を改善した薄膜型のイオン伝導体デバイスを
得ることができる。
物イオン伝導体膜と電極との間に厚み方向に酸素含有量
の傾斜を持つバッファ層を介在させることにより、優れ
た電極の接合特性が得られる。即ち、バッファ層の電極
に接する部分を酸素含有量が零またはそれに近い状態と
することにより、その接合部は金属同士の接合となっ
て、機械的な強度が十分高く、また低いコンタクト抵抗
が得られる。またバッファ層の酸化物イオン伝導体膜側
の部分はほぼイオン伝導体膜と同じ酸化物となる。従っ
て本発明では、バッファ層がイオン伝導体膜のイオン伝
導性と電極の電子伝導性をそれぞれ十分に発揮させなが
ら、電極の接合特性を向上させることができる。また本
発明の方法によれば、供給酸素ガス量を経時的に制御す
る反応性スパッタ法を利用することにより、容易に電極
の接合特性を改善した薄膜型のイオン伝導体デバイスを
得ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１は、本発明の一実施例に係るプレーナ型
のセラミック薄膜酸素センサである。シリコン基板１１
上に、スパッタ法または熱酸化法により約０．１μm の
シリコン酸化膜１２が形成され、この上に酸化物イオン
伝導体であるＺｒＯ2 −8mol％Ｙ2 Ｏ3 膜（以下単にＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜と称する）１３が形成されている。
ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３は例えば、Ｚｒ−Ｙ合金ター
ゲットを用いたアルゴンと酸素の混合ガスをキャリアガ
スとする反応性スパッタにより、またはＺｒＯ2 −Ｙ2
Ｏ3 セラミックターゲットを用いたスパッタリングによ
り形成され、その厚みは約０．５μm する。ＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 膜１３上には、選択的にバッファ層１４，１５
を介してＰｔカソード電極１６，Ｐｔアノード電極１７
が形成されている。
説明する。図１は、本発明の一実施例に係るプレーナ型
のセラミック薄膜酸素センサである。シリコン基板１１
上に、スパッタ法または熱酸化法により約０．１μm の
シリコン酸化膜１２が形成され、この上に酸化物イオン
伝導体であるＺｒＯ2 −8mol％Ｙ2 Ｏ3 膜（以下単にＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜と称する）１３が形成されている。
ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３は例えば、Ｚｒ−Ｙ合金ター
ゲットを用いたアルゴンと酸素の混合ガスをキャリアガ
スとする反応性スパッタにより、またはＺｒＯ2 −Ｙ2
Ｏ3 セラミックターゲットを用いたスパッタリングによ
り形成され、その厚みは約０．５μm する。ＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 膜１３上には、選択的にバッファ層１４，１５
を介してＰｔカソード電極１６，Ｐｔアノード電極１７
が形成されている。
【０００８】バッファ層１４，１５は、この実施例の場
合イオン伝導体であるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３と同じ
材料系の金属酸化物膜であり、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１
３との界面ではほぼＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 、電極１６，１
７との界面ではほぼＺｒ−Ｙとなっていて、その間酸素
含有量が例えば図２に示すように変化している。即ちバ
ッファ層１４，１５のＰｔ電極１６，１７との界面では
金属同士の接合になっている。
合イオン伝導体であるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１３と同じ
材料系の金属酸化物膜であり、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜１
３との界面ではほぼＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 、電極１６，１
７との界面ではほぼＺｒ−Ｙとなっていて、その間酸素
含有量が例えば図２に示すように変化している。即ちバ
ッファ層１４，１５のＰｔ電極１６，１７との界面では
金属同士の接合になっている。
【０００９】この様に酸素含有量が厚み方向に傾斜した
バッファ層１４，１５を形成するためこの実施例では、
Ｚｒ−Ｙ合金ターゲットを用い、アルゴンと酸素の混合
ガスをキャリアガスとした反応性スパッタ法を用いて、
成膜中のガス流量制御を行っている。即ち、バッファ層
１４，１５を形成するスパッタリングの初期は酸素ガス
供給過剰状態とし、その後順次酸素ガス供給量を減らし
ながらスパッタリングを行い、スパッタ期間の後半には
酸素ガス供給を停止した状態でのスパッタリングを行
う。
バッファ層１４，１５を形成するためこの実施例では、
Ｚｒ−Ｙ合金ターゲットを用い、アルゴンと酸素の混合
ガスをキャリアガスとした反応性スパッタ法を用いて、
成膜中のガス流量制御を行っている。即ち、バッファ層
１４，１５を形成するスパッタリングの初期は酸素ガス
供給過剰状態とし、その後順次酸素ガス供給量を減らし
ながらスパッタリングを行い、スパッタ期間の後半には
酸素ガス供給を停止した状態でのスパッタリングを行
う。
【００１０】図３は、この実施例による薄膜酸素センサ
の電圧電流特性を比較例と共に示している。測定温度は
４００℃である。比較例は実施例のバッファ層１４，１
５がない他、実施例と同様の条件で作成した薄膜酸素セ
ンサである。図から明らかなようにこの実施例によれ
ば、電流立上がりの優れた特性が得られている。またこ
の実施例では、バッファ層１４，１５の組成が連続的に
変化しているため、熱的ストレスに対して強く、信頼性
の高い電極接合が得られる。ピールテストの結果によれ
ば、電極剥離は見られず、電極接合部の機械的強度も十
分であることが確認された。なおバッファ層１４，１５
の上述のような酸素含有量は、Ｘ線分析計，マイクロア
ナライザー（ＥＰＭＡ），二次イオン質量分析計により
確認された。
の電圧電流特性を比較例と共に示している。測定温度は
４００℃である。比較例は実施例のバッファ層１４，１
５がない他、実施例と同様の条件で作成した薄膜酸素セ
ンサである。図から明らかなようにこの実施例によれ
ば、電流立上がりの優れた特性が得られている。またこ
の実施例では、バッファ層１４，１５の組成が連続的に
変化しているため、熱的ストレスに対して強く、信頼性
の高い電極接合が得られる。ピールテストの結果によれ
ば、電極剥離は見られず、電極接合部の機械的強度も十
分であることが確認された。なおバッファ層１４，１５
の上述のような酸素含有量は、Ｘ線分析計，マイクロア
ナライザー（ＥＰＭＡ），二次イオン質量分析計により
確認された。
【００１１】図４は、別の実施例の限界電流式薄膜酸素
センサである。この実施例では、酸素分子の拡散を律速
して限界電流特性を得るために、ポーラスアルミナ等の
気体透過性絶縁基板２１を用いている。この基板上に、
Ｐｔカソード電極２２、酸化物イオン伝導体膜であるＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜２４およびＰｔアノード電極２６が
積層形成されている。ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜２４とＰｔ
電極２２，２６との間にはそれぞれバッファ層２３，２
５が形成されている。下部のバッファ層２３，ＺｒＯ2
−Ｙ2 Ｏ3 膜２４および上部のバッファ層２５は、アル
ゴンと酸素の混合ガスをキャリアガスとする反応性スパ
ッタ法により連続的に形成されたものである。
センサである。この実施例では、酸素分子の拡散を律速
して限界電流特性を得るために、ポーラスアルミナ等の
気体透過性絶縁基板２１を用いている。この基板上に、
Ｐｔカソード電極２２、酸化物イオン伝導体膜であるＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜２４およびＰｔアノード電極２６が
積層形成されている。ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜２４とＰｔ
電極２２，２６との間にはそれぞれバッファ層２３，２
５が形成されている。下部のバッファ層２３，ＺｒＯ2
−Ｙ2 Ｏ3 膜２４および上部のバッファ層２５は、アル
ゴンと酸素の混合ガスをキャリアガスとする反応性スパ
ッタ法により連続的に形成されたものである。
【００１２】但し、下部のバッファ層２３，および上部
のバッファ層２５の成膜過程では、次のように酸素ガス
供給量が可変制御される。即ち、下部のバッファ層２３
については、成膜開始時は酸素ガス供給量が零であり、
次第に酸素ガス供給量を増やして酸素過剰状態とし、引
続きＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜２４を成膜する。その後酸素
ガス供給量を減らしながら最終的に酸素ガス供給量を零
として上部のバッファ層２５を得る。これにより、バッ
ファ層２３，２５はそれぞれ、Ｐｔ電極２２，２６に接
する部分では酸素含有量がほぼ零の状態、即ちＺｒ−Ｙ
となっており、膜厚方向に酸素含有量が連続的に変化し
た状態が得られる。その様子を図５に示す。
のバッファ層２５の成膜過程では、次のように酸素ガス
供給量が可変制御される。即ち、下部のバッファ層２３
については、成膜開始時は酸素ガス供給量が零であり、
次第に酸素ガス供給量を増やして酸素過剰状態とし、引
続きＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜２４を成膜する。その後酸素
ガス供給量を減らしながら最終的に酸素ガス供給量を零
として上部のバッファ層２５を得る。これにより、バッ
ファ層２３，２５はそれぞれ、Ｐｔ電極２２，２６に接
する部分では酸素含有量がほぼ零の状態、即ちＺｒ−Ｙ
となっており、膜厚方向に酸素含有量が連続的に変化し
た状態が得られる。その様子を図５に示す。
【００１３】この実施例によっても、先の実施例と同様
の優れた電気的かつ機械的な電極接合特性を持つ薄膜酸
素センサが得られる。また基板を気体拡散層として、優
れた限界電流特性が得られる。
の優れた電気的かつ機械的な電極接合特性を持つ薄膜酸
素センサが得られる。また基板を気体拡散層として、優
れた限界電流特性が得られる。
【００１４】本発明は上記実施例に限られない。実施例
では酸化物イオン伝導体としてＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 を用
いた薄膜酸素センサを説明したが、本発明は同様のセラ
ミックイオン伝導体薄膜と電極構造を有する各種セン
サ、更には燃料電池等のデバイスにも適用することが可
能である。また限界電流特性を得るための気体透過性絶
縁基板として実施例ではポーラスアルミナを用いたが、
ＺｒＯ2 −ＢＮ（ＢＮ10％）基板等を用いることもでき
る、その他イオン伝導体としての酸化物セラミック材料
や、電極に他の材料を用いた場合にも、同様に本発明は
有効である。
では酸化物イオン伝導体としてＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 を用
いた薄膜酸素センサを説明したが、本発明は同様のセラ
ミックイオン伝導体薄膜と電極構造を有する各種セン
サ、更には燃料電池等のデバイスにも適用することが可
能である。また限界電流特性を得るための気体透過性絶
縁基板として実施例ではポーラスアルミナを用いたが、
ＺｒＯ2 −ＢＮ（ＢＮ10％）基板等を用いることもでき
る、その他イオン伝導体としての酸化物セラミック材料
や、電極に他の材料を用いた場合にも、同様に本発明は
有効である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、酸
化物イオン伝導体膜と電極の界面部にイオン伝導体膜と
同系統の金属酸化物膜であってかつ酸素含有量が厚み方
向に傾斜したバッファ層を介在させることにより、電極
の接合特性が優れた薄膜型のイオン伝導体デバイスを得
ることができる。
化物イオン伝導体膜と電極の界面部にイオン伝導体膜と
同系統の金属酸化物膜であってかつ酸素含有量が厚み方
向に傾斜したバッファ層を介在させることにより、電極
の接合特性が優れた薄膜型のイオン伝導体デバイスを得
ることができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る酸素センサを示す図
である。
である。
【図２】 同実施例のバッファ層の酸素含有量分布を示
す図である。
す図である。
【図３】 同実施例の電圧電流特性を示す図である。
【図４】 本発明の他の実施例の酸素センサを示す図で
ある。
ある。
【図５】 同実施例の電極間の酸素含有量分布を示す図
である。
である。
【符号の説明】 １１…シリコン基板、１２…シリコン酸化膜、１３…Ｚ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜、１４，１５…バッファ層、１６，
１７…Ｐｔ電極、２１…ポーラスアルミナ基板、２２，
２６…Ｐｔ電極、２３，２５…バッファ層、２４…Ｚｒ
Ｏ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜。
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜、１４，１５…バッファ層、１６，
１７…Ｐｔ電極、２１…ポーラスアルミナ基板、２２，
２６…Ｐｔ電極、２３，２５…バッファ層、２４…Ｚｒ
Ｏ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 35/48 Ｂ Ｃ２３Ｃ 28/00 Ｂ Ｇ０１Ｎ 27/416 Ｈ０１Ｂ 1/06 Ａ 7244−5Ｇ (72)発明者 石橋 功成 東京都江東区木場１丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 (72)発明者 加藤 嘉則 東京都江東区木場１丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に酸化物イオン伝導体膜とこれに
接する電極が形成されたイオン伝導体デバイスにおい
て、前記酸化物イオン伝導体膜と電極との間に、前記酸
化物イオン伝導体と同じ金属材料の酸化物であって、か
つ、電極側に行くにつれて酸素含有量が低下するバッフ
ァ層を介在させたことを特徴とするイオン伝導体デバイ
ス。 - 【請求項２】 基板上に酸化物イオン伝導体膜とこれに
バッファ層を介して接する電極とが形成されたイオン伝
導体デバイスの製造方法において、前記バッファ層の形
成工程は、前記酸化物イオン伝導体を構成する金属材料
をターゲットとし酸素ガスをキャリアガスとする反応性
スパッタにより、酸素ガス供給量を変化させて電極側に
行くにつれて酸素含有量が低下した金属酸化物を形成す
るものであることを特徴とするイオン伝導体デバイスの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275545A JPH081427B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | イオン伝導体デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275545A JPH081427B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | イオン伝導体デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102232A true JPH06102232A (ja) | 1994-04-15 |
| JPH081427B2 JPH081427B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17556946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275545A Expired - Fee Related JPH081427B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | イオン伝導体デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081427B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011506945A (ja) * | 2007-12-11 | 2011-03-03 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | Ｓｐｒおよび／または電気化学法による検出のために少なくとも一つの金属膜と少なくとも一つの透明導電性酸化物層で覆われた固体支持体 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4275545A patent/JPH081427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011506945A (ja) * | 2007-12-11 | 2011-03-03 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | Ｓｐｒおよび／または電気化学法による検出のために少なくとも一つの金属膜と少なくとも一つの透明導電性酸化物層で覆われた固体支持体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081427B2 (ja) | 1996-01-10 |
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