JPH06102573B2 - 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物Info
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- JPH06102573B2 JPH06102573B2 JP63162568A JP16256888A JPH06102573B2 JP H06102573 B2 JPH06102573 B2 JP H06102573B2 JP 63162568 A JP63162568 A JP 63162568A JP 16256888 A JP16256888 A JP 16256888A JP H06102573 B2 JPH06102573 B2 JP H06102573B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 title claims description 14
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 13
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 16
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 14
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体磁器の外周に再酸化により絶縁層を形
成してなる還元再酸化型半導体セラミックコンデンサの
ための組成物の改良に関する。
成してなる還元再酸化型半導体セラミックコンデンサの
ための組成物の改良に関する。
〈従来の技術〉 近年の電子機器用の電子部品に小型化と高品質化の要求
がなされており、そのため高い絶縁抵抗、破壊電圧を有
しあわせて小型大容量でかつ誘電損失の小さい還元再酸
化型半導体セラミックコンデンサの開発が要望されてい
る。還元再酸化型半導体セラミックコンデンサに関する
特許公報や文献は数多いが、一般に実用化されているも
のは、静電容量の温度特性を±20〜±30％以内にした
時、誘電率は3000〜5000と未だ低い水準にあるのが現状
である。そして特開昭53−114100号公報においてBaTiO3
-BaZrO3-Bi2O3-TiO2系固溶体にNi化合物を添加した磁器
材料が開示されており、この材料からなる磁器コンデン
サは単位面積当たり0.57μF/cm2、tanδ4.3％、絶縁抵
抗200MΩ／cm2（15VDC.15秒後）、容量の−30〜85℃の
温度特性（％）が±30％以内、の特性が得られている。
又、特開昭62−30481号公報においてはBaTiO3-BaZrO3-B
i2O3-ZrO2系固溶体にNi化合物を添加した磁器材料が開
示されており、この材料からなる磁器コンデンサでは単
位面積当たり0.60μF/cm2、tanδ4.5％、絶縁抵抗210M
Ω／cm2（15VDC.15秒後）、容量の−30〜85℃の温度特
性（％）が±30％以内、の特性が得られている。
がなされており、そのため高い絶縁抵抗、破壊電圧を有
しあわせて小型大容量でかつ誘電損失の小さい還元再酸
化型半導体セラミックコンデンサの開発が要望されてい
る。還元再酸化型半導体セラミックコンデンサに関する
特許公報や文献は数多いが、一般に実用化されているも
のは、静電容量の温度特性を±20〜±30％以内にした
時、誘電率は3000〜5000と未だ低い水準にあるのが現状
である。そして特開昭53−114100号公報においてBaTiO3
-BaZrO3-Bi2O3-TiO2系固溶体にNi化合物を添加した磁器
材料が開示されており、この材料からなる磁器コンデン
サは単位面積当たり0.57μF/cm2、tanδ4.3％、絶縁抵
抗200MΩ／cm2（15VDC.15秒後）、容量の−30〜85℃の
温度特性（％）が±30％以内、の特性が得られている。
又、特開昭62−30481号公報においてはBaTiO3-BaZrO3-B
i2O3-ZrO2系固溶体にNi化合物を添加した磁器材料が開
示されており、この材料からなる磁器コンデンサでは単
位面積当たり0.60μF/cm2、tanδ4.5％、絶縁抵抗210M
Ω／cm2（15VDC.15秒後）、容量の−30〜85℃の温度特
性（％）が±30％以内、の特性が得られている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ
に於ては、各種の性能向上の要望は強く、このため特に
破壊電圧を400V以上、温度特性が±30％以内を必須条件
として単位面積当たりの容量が大きく、誘電損失もさら
に低いという特性を有する組成物の開発が切望されてお
り、種々の検討が為されている。還元再酸化型半導体セ
ラミックコンデンサにおいては、一般的に表面部の薄い
誘電体層が、コンデンサの容量、容量の温度特性、絶縁
抵抗、破壊電圧及び誘電損失に大きな影響をもってい
る。然し誘電体層を薄くすると、コンデンサの単位面積
当たりの容量は大きくなるが、反面絶縁抵抗及び破壊電
圧は低下し、絶縁抵抗及び破壊電圧を高くしようとする
と誘電体層も厚くする必要があり、単位面積当たりの容
量が低下するという相反する性質を有している。一方、
コンデンサの誘電損失は、誘電体層のtanδに依存する
が、それ以上に誘電体層と半導体磁器の境界の直列抵抗
分が大きく寄与する。tanδを小さくするためには、こ
の直列抵抗分を小さくする必要がある。特にtanδはコ
ンデンサの重要な特性であるので、その値の増加は大き
な欠点となり、且つ少しでもその値を低下させることが
種々の改良の大きな課題であった。このためには誘電体
層の単位層当たりの絶縁抵抗値及び破壊電圧が高く且つ
直接抵抗分の低く高容量の磁器組成物を新たに見出すこ
とが必要である。具体的な数値を示せば、破壊電圧400V
以上、絶縁抵抗109Ω以上で、単位面積当たりの容量が
0.65μF/cm2を越え、しかもtanδが2.5％未満という特
性が求められている。
に於ては、各種の性能向上の要望は強く、このため特に
破壊電圧を400V以上、温度特性が±30％以内を必須条件
として単位面積当たりの容量が大きく、誘電損失もさら
に低いという特性を有する組成物の開発が切望されてお
り、種々の検討が為されている。還元再酸化型半導体セ
ラミックコンデンサにおいては、一般的に表面部の薄い
誘電体層が、コンデンサの容量、容量の温度特性、絶縁
抵抗、破壊電圧及び誘電損失に大きな影響をもってい
る。然し誘電体層を薄くすると、コンデンサの単位面積
当たりの容量は大きくなるが、反面絶縁抵抗及び破壊電
圧は低下し、絶縁抵抗及び破壊電圧を高くしようとする
と誘電体層も厚くする必要があり、単位面積当たりの容
量が低下するという相反する性質を有している。一方、
コンデンサの誘電損失は、誘電体層のtanδに依存する
が、それ以上に誘電体層と半導体磁器の境界の直列抵抗
分が大きく寄与する。tanδを小さくするためには、こ
の直列抵抗分を小さくする必要がある。特にtanδはコ
ンデンサの重要な特性であるので、その値の増加は大き
な欠点となり、且つ少しでもその値を低下させることが
種々の改良の大きな課題であった。このためには誘電体
層の単位層当たりの絶縁抵抗値及び破壊電圧が高く且つ
直接抵抗分の低く高容量の磁器組成物を新たに見出すこ
とが必要である。具体的な数値を示せば、破壊電圧400V
以上、絶縁抵抗109Ω以上で、単位面積当たりの容量が
0.65μF/cm2を越え、しかもtanδが2.5％未満という特
性が求められている。
〈課題を解決するための手段〉 本発明者らは前記要求に応ずるセラミックコンデンサ用
組成物を開発する目的で種々研究の結果本発明を完成し
た。即ち本発明は、BaZrO3の含有量が０〜20モル％であ
るBaTiO3とBaZrO3とよりなるバリウム複合酸化物100モ
ル％と、Bi2O30.3〜3.0モル％、TiO2又はZrO20.1〜8.5
モル％を実質的主成分とする組成物に、さらにCu酸化物
が0.001〜1.00重量％含有されている還元再酸化型半導
体セラミックコンデンサ用組成物に関する。
組成物を開発する目的で種々研究の結果本発明を完成し
た。即ち本発明は、BaZrO3の含有量が０〜20モル％であ
るBaTiO3とBaZrO3とよりなるバリウム複合酸化物100モ
ル％と、Bi2O30.3〜3.0モル％、TiO2又はZrO20.1〜8.5
モル％を実質的主成分とする組成物に、さらにCu酸化物
が0.001〜1.00重量％含有されている還元再酸化型半導
体セラミックコンデンサ用組成物に関する。
次に各成分について説明する。
BaTiO3は周知のように、この種の組成物の主成分であ
る。このBaTiO3のうち、20モル％までをBaZrO3と交換し
たものは温度による容量の変化を少なくすることができ
る。即ち容量の温度特性を向上せしめる。尚、添加量が
20モル％を越えると、キュリー点が０℃以下となるた
め、温度特性が±30％を越えてしまう。
る。このBaTiO3のうち、20モル％までをBaZrO3と交換し
たものは温度による容量の変化を少なくすることができ
る。即ち容量の温度特性を向上せしめる。尚、添加量が
20モル％を越えると、キュリー点が０℃以下となるた
め、温度特性が±30％を越えてしまう。
Bi2O3は誘電体磁器の容量の温度特性の平坦化、及びキ
ュリー点の移動の効果がある。その添加量が前記範囲よ
り少ない場合は効果を示さず、又前記範囲より添加量が
多いと焼成の際の蒸発量が多くなり、その組成物はセラ
ミックコンデンサとしての使用に不適となる。特に好ま
しい組成範囲は0.5〜2.5モル％である。
ュリー点の移動の効果がある。その添加量が前記範囲よ
り少ない場合は効果を示さず、又前記範囲より添加量が
多いと焼成の際の蒸発量が多くなり、その組成物はセラ
ミックコンデンサとしての使用に不適となる。特に好ま
しい組成範囲は0.5〜2.5モル％である。
TiO2又はZrO2は誘電体磁器の容量の温度特性の平坦化、
還元温度の低下、さらに磁器自体の比抵抗の低下等の効
果がある。前記範囲より少ない場合は効果がなく、又多
過ぎると誘電率が低下し、又絶縁抵抗も低下する。
還元温度の低下、さらに磁器自体の比抵抗の低下等の効
果がある。前記範囲より少ない場合は効果がなく、又多
過ぎると誘電率が低下し、又絶縁抵抗も低下する。
Cu酸化物の添加が本発明の特徴であり、これにより破壊
電圧、絶縁抵抗、単位面積当たりの容量を大幅に向上
し、しかもtanδを極めて低い値とすることができる。
尚、添加量は実験の結果、好適の範囲は前記の合計組成
に対して0.001〜1.00重量％、好ましくは0.005〜0.80重
量％であることを確認した。
電圧、絶縁抵抗、単位面積当たりの容量を大幅に向上
し、しかもtanδを極めて低い値とすることができる。
尚、添加量は実験の結果、好適の範囲は前記の合計組成
に対して0.001〜1.00重量％、好ましくは0.005〜0.80重
量％であることを確認した。
この磁器組成物から還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
を製造するには、慣用の方法を用いれば足りる。すなわ
ち、先ず前記範囲の組成物を空気中で1200〜1400℃の温
度に１〜４時間加熱し、焼結して絶縁体磁器を製造す
る。次に、これを還元性ガス例えば水素、一酸化炭素、
アンモニア等の単独又は窒素ガス、アルゴン等の不活性
ガスとの混合ガス流中で、900〜1250℃にて0.5〜10時間
処理して磁器を半導体化する。更に、空気中で700〜120
0℃で0.25〜５時間処理することにより半導体磁器の表
面部に薄い再酸化層すなわち誘電体層が形成される。次
に、電極用の銀ペーストを塗布し焼き付けすることによ
り、還元再酸化型半導体セラミックコンデンサが完成す
る。
を製造するには、慣用の方法を用いれば足りる。すなわ
ち、先ず前記範囲の組成物を空気中で1200〜1400℃の温
度に１〜４時間加熱し、焼結して絶縁体磁器を製造す
る。次に、これを還元性ガス例えば水素、一酸化炭素、
アンモニア等の単独又は窒素ガス、アルゴン等の不活性
ガスとの混合ガス流中で、900〜1250℃にて0.5〜10時間
処理して磁器を半導体化する。更に、空気中で700〜120
0℃で0.25〜５時間処理することにより半導体磁器の表
面部に薄い再酸化層すなわち誘電体層が形成される。次
に、電極用の銀ペーストを塗布し焼き付けすることによ
り、還元再酸化型半導体セラミックコンデンサが完成す
る。
〈発明の効果〉 本発明の組成物は、従来の組成物に比しコンデンサ用と
して優れた性質を有する。即ち、容量の温度特性が±30
％以内、破壊電圧400V以上、絶縁抵抗109Ω以上、単位
面積当たりの容量が0.65μF/cm2以上と大きいにもかか
わらず、tanδが2.5％以下と極めて優れた特性を同時に
満足するものであり、これにより、他の性能を低下させ
ることなく高誘電率で低誘電損失を有する還元再酸化型
半導体セラミックコンデンサを提供することが可能とな
った。
して優れた性質を有する。即ち、容量の温度特性が±30
％以内、破壊電圧400V以上、絶縁抵抗109Ω以上、単位
面積当たりの容量が0.65μF/cm2以上と大きいにもかか
わらず、tanδが2.5％以下と極めて優れた特性を同時に
満足するものであり、これにより、他の性能を低下させ
ることなく高誘電率で低誘電損失を有する還元再酸化型
半導体セラミックコンデンサを提供することが可能とな
った。
〈実施例・比較例〉 実施例１〜６ 市販の工業用原料BaCO3粉末（純度99.0％以上）、TiO2
粉末（純度99.0％以上）、ZrO2粉末（純度99.0％以
上）、Bi2O3（純度99.0％以上）及び市販の試薬特級CuO
の粉末を用い、下記の第１表の組成比になるように配合
し、ポットとナイロンボールを用いて湿式混合した。乾
燥後、各混合物を1150℃の温度で４時間仮焼成した。こ
の仮焼物を湿式粉砕して、乾燥した後ポリビニールアル
コール水溶液をバインダーにして混合し、32メッシュパ
スに整粒した。この整粒物を直径9.5mm、厚さ0.5mmの円
板形に約1t/cm2の圧力で成形し、これらの成形体を空気
中において135℃の温度で２時間焼成して得た直径約8.0
mm,厚さ約0.4mmの円板形誘電体磁器を90％N2−10％H2混
合ガス気流中にて1050℃の温度で２時間加熱処理して半
導体した。次にこの半導体磁器を空気中において1000℃
の温度で１時間加熱処理した。このようにして得られた
還元再酸化型半導体磁器の両面に、銀電極を焼き付けて
コンデンサ素子とし、その単位面積当たりの容量Ｃ、誘
電損失tanδ（以上測定電圧；交流0.1V、周波数;1kH
z）、絶縁抵抗1R（印加電圧；直流10V）、絶縁破壊電圧
Vbを測定した。その結果を第１表に示す。
粉末（純度99.0％以上）、ZrO2粉末（純度99.0％以
上）、Bi2O3（純度99.0％以上）及び市販の試薬特級CuO
の粉末を用い、下記の第１表の組成比になるように配合
し、ポットとナイロンボールを用いて湿式混合した。乾
燥後、各混合物を1150℃の温度で４時間仮焼成した。こ
の仮焼物を湿式粉砕して、乾燥した後ポリビニールアル
コール水溶液をバインダーにして混合し、32メッシュパ
スに整粒した。この整粒物を直径9.5mm、厚さ0.5mmの円
板形に約1t/cm2の圧力で成形し、これらの成形体を空気
中において135℃の温度で２時間焼成して得た直径約8.0
mm,厚さ約0.4mmの円板形誘電体磁器を90％N2−10％H2混
合ガス気流中にて1050℃の温度で２時間加熱処理して半
導体した。次にこの半導体磁器を空気中において1000℃
の温度で１時間加熱処理した。このようにして得られた
還元再酸化型半導体磁器の両面に、銀電極を焼き付けて
コンデンサ素子とし、その単位面積当たりの容量Ｃ、誘
電損失tanδ（以上測定電圧；交流0.1V、周波数;1kH
z）、絶縁抵抗1R（印加電圧；直流10V）、絶縁破壊電圧
Vbを測定した。その結果を第１表に示す。
比較例１〜５ 第１表に示す組成になる様に実施例１〜２と全く同様に
原料を配合し、ついで同様にコンデンサ素子を得、その
特性を測定した。その結果を第１表に示す。
原料を配合し、ついで同様にコンデンサ素子を得、その
特性を測定した。その結果を第１表に示す。
実施例７〜12 実施例１〜６と全く同様に原料を第２表の組成比になる
様に配合し、前記実施例１〜２と全く同様に処理し、コ
ンデンサ素子を製造し、該コンデンサ素子の物性を測定
した。その結果を第２表に示す。
様に配合し、前記実施例１〜２と全く同様に処理し、コ
ンデンサ素子を製造し、該コンデンサ素子の物性を測定
した。その結果を第２表に示す。
比較例６〜10 第２表に示す組成になる様に実施１〜５と全く同様に原
料を配合し、ついで同様にコンデンサ素子を得、その特
性を測定した。
料を配合し、ついで同様にコンデンサ素子を得、その特
性を測定した。
その結果を第２表に示す。
本発明に係る組成物は、表から明らかなように還元再酸
化型半導体セラミックコンデサとして非常に優れた特性
を有している。例えば、第１表のCuO0.1重量％の実施例
１、CuO0.001重量％の実施例３において容量の温度特性
がいずれも±25％以内、単位面積当たりの容量が実施例
１では0.72μF/cm2、実施例３では0.65μF/cm2、絶縁抵
抗がいずれも3.4×109Ω、破壊電圧VBが、いずれも420V
と大きいにもかかわらず、誘電損失tanδが実施例１で
は2.1％、実施例３では2.3％と極めて小さい。これに比
較し、CuOを配合していない比較例１については、容量
の温度特性が±28％以内、絶縁抵抗が6.0×108Ω、破壊
電圧Vbが370V、単位面積当たりの容量が0.43μF/cm2と
小さいにもかかわらず、誘電損失tanδが3.5％と大きか
った。
化型半導体セラミックコンデサとして非常に優れた特性
を有している。例えば、第１表のCuO0.1重量％の実施例
１、CuO0.001重量％の実施例３において容量の温度特性
がいずれも±25％以内、単位面積当たりの容量が実施例
１では0.72μF/cm2、実施例３では0.65μF/cm2、絶縁抵
抗がいずれも3.4×109Ω、破壊電圧VBが、いずれも420V
と大きいにもかかわらず、誘電損失tanδが実施例１で
は2.1％、実施例３では2.3％と極めて小さい。これに比
較し、CuOを配合していない比較例１については、容量
の温度特性が±28％以内、絶縁抵抗が6.0×108Ω、破壊
電圧Vbが370V、単位面積当たりの容量が0.43μF/cm2と
小さいにもかかわらず、誘電損失tanδが3.5％と大きか
った。
さらに第２表のCuOが0.1重量％の実施例７、CuOが0.001
重量％の実施例９において容量温度特性がいずれも±23
％以内、単位面積当たりの容量が実施例７において0.70
μF/cm2、実施例９において0.65μF/cm2、絶縁抵抗が実
施例７では2.5×109Ω、実施例９では3.3×109、破壊電
圧VBが、実施例７では410V、実施例９では420Vと大きい
にもかかわらず、誘電損失tanδがいずれも2.4％と極め
て小さい。これに比較し、CuOを配合していない比較例
６については、容量の温度特性が±21％以内、絶縁抵抗
が4.4×108Ω、破壊電圧Vbが330V、単位面積当たりの容
量が0.44μF/cm2と小さいにもかかわらず、誘電損失tan
δが4.0％と大きかった。更にCuO重量％が1.00重量％を
越えた場合夫々の特性が低下することが第１表、第２表
の実施例、比較例に示されている。
重量％の実施例９において容量温度特性がいずれも±23
％以内、単位面積当たりの容量が実施例７において0.70
μF/cm2、実施例９において0.65μF/cm2、絶縁抵抗が実
施例７では2.5×109Ω、実施例９では3.3×109、破壊電
圧VBが、実施例７では410V、実施例９では420Vと大きい
にもかかわらず、誘電損失tanδがいずれも2.4％と極め
て小さい。これに比較し、CuOを配合していない比較例
６については、容量の温度特性が±21％以内、絶縁抵抗
が4.4×108Ω、破壊電圧Vbが330V、単位面積当たりの容
量が0.44μF/cm2と小さいにもかかわらず、誘電損失tan
δが4.0％と大きかった。更にCuO重量％が1.00重量％を
越えた場合夫々の特性が低下することが第１表、第２表
の実施例、比較例に示されている。
Claims (1)
- 【請求項１】BaZrO3の含有量が０〜20モル％であるBaTi
O3とBaZrO3とよりなるバリウム複合酸化物100モル％
と、Bi2O30.3〜3.0モル％、TiO2又はZrO20.1〜8.5モル
％を実質的主成分とする組成物に、さらに該組成物に対
してCu酸化物が0.001〜1.00重量％含有されている還元
再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162568A JPH06102573B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物 |
| KR1019890006993A KR960004290B1 (ko) | 1988-07-01 | 1989-05-25 | 환원 재산화형 반도체세라믹콘덴서용 조성물 |
| GB8912939A GB2220201B (en) | 1988-07-01 | 1989-06-06 | Composition for reduction-reoxidation type semiconductive ceramic capacitor |
| US07/365,793 US4990323A (en) | 1988-07-01 | 1989-06-14 | Composition for reduction-reoxidation type semiconductive ceramic capacitor |
| HK796/92A HK79692A (en) | 1988-07-01 | 1992-10-15 | Composition for reduction-reoxidation type semiconductive ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162568A JPH06102573B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214875A JPH0214875A (ja) | 1990-01-18 |
| JPH06102573B2 true JPH06102573B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=15757062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63162568A Expired - Lifetime JPH06102573B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4990323A (ja) |
| JP (1) | JPH06102573B2 (ja) |
| KR (1) | KR960004290B1 (ja) |
| GB (1) | GB2220201B (ja) |
| HK (1) | HK79692A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010038890A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 双信電機株式会社 | 複合電子部品 |
| WO2017204672A1 (ru) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Общество с ограниченной ответственностью "Научная лаборатория Бисант" | Cегнетоэлектрическая керамика |
| CN114591079B (zh) * | 2022-03-11 | 2023-04-28 | 汕头市瑞升电子有限公司 | 一种高压低损陶瓷电容器介质及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1614605B2 (de) * | 1967-09-20 | 1974-06-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und geringerer Temperaturabhängigkeit |
| DE2641701C3 (de) * | 1976-09-16 | 1980-04-17 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung eines Kondensatordielektrikums mit inneren Sperrschichten |
| US4233282A (en) * | 1979-10-18 | 1980-11-11 | General Electric Company | Molten salt synthesis of barium and/or strontium titanate powder |
| US4347167A (en) * | 1980-10-01 | 1982-08-31 | University Of Illinois Foundation | Fine-grain semiconducting ceramic compositions |
| US4487755A (en) * | 1982-07-01 | 1984-12-11 | General Electric Company | Preparation of large crystal sized barium and/or strontium titanate powder |
| US4534956A (en) * | 1983-07-08 | 1985-08-13 | General Electric Company | Molten salt synthesis of barium and/or strontium titanate powder |
| JPS6115529A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-23 | 三菱電機株式会社 | デマンドコントロ−ル装置 |
| JPS6120504A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-29 | 川上 利男 | スパイク機構を内蔵したハイヒ−ル |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63162568A patent/JPH06102573B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-25 KR KR1019890006993A patent/KR960004290B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-06 GB GB8912939A patent/GB2220201B/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-14 US US07/365,793 patent/US4990323A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-15 HK HK796/92A patent/HK79692A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2220201B (en) | 1992-05-20 |
| US4990323A (en) | 1991-02-05 |
| HK79692A (en) | 1992-10-23 |
| JPH0214875A (ja) | 1990-01-18 |
| GB8912939D0 (en) | 1989-07-26 |
| KR900002367A (ko) | 1990-02-28 |
| KR960004290B1 (ko) | 1996-03-30 |
| GB2220201A (en) | 1990-01-04 |
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