JPH06102673A - 反射防止膜用材料及び反射防止膜形成方法 - Google Patents
反射防止膜用材料及び反射防止膜形成方法Info
- Publication number
- JPH06102673A JPH06102673A JP4252647A JP25264792A JPH06102673A JP H06102673 A JPH06102673 A JP H06102673A JP 4252647 A JP4252647 A JP 4252647A JP 25264792 A JP25264792 A JP 25264792A JP H06102673 A JPH06102673 A JP H06102673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antireflection film
- group
- acrylic skeleton
- skeleton polymer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、レジスト層と反射防止膜との間にイ
ンターミキシング層の発生することを防止し得る反射防
止膜用材料及び反射防止膜形成方法を提供することを目
的としている。 【構成】本発明による反射防止膜用材料においては、不
揮発成分の主材として熱架橋基を有するアクリル骨格ポ
リマーを用いることとしている。また、本発明による反
射防止膜形成方法においては、上記本発明による反射防
止膜用材料を被エッチング物上に塗布した後、この反射
防止膜用材料を加熱して熱架橋基を熱架橋させることと
している。
ンターミキシング層の発生することを防止し得る反射防
止膜用材料及び反射防止膜形成方法を提供することを目
的としている。 【構成】本発明による反射防止膜用材料においては、不
揮発成分の主材として熱架橋基を有するアクリル骨格ポ
リマーを用いることとしている。また、本発明による反
射防止膜形成方法においては、上記本発明による反射防
止膜用材料を被エッチング物上に塗布した後、この反射
防止膜用材料を加熱して熱架橋基を熱架橋させることと
している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造プ
ロセスに用いられるフォトリソグラフィー技術に関し、
特にフォトレジストを露光する露光光の反射を防止する
反射防止膜の形成に用いられる反射防止膜用材料及びこ
の材料を用いて反射防止膜を形成する反射防止膜の形成
方法に関する。
ロセスに用いられるフォトリソグラフィー技術に関し、
特にフォトレジストを露光する露光光の反射を防止する
反射防止膜の形成に用いられる反射防止膜用材料及びこ
の材料を用いて反射防止膜を形成する反射防止膜の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造における、パターンを
形成すべき材料の成膜と、所望パターンの形成とが幾度
も行われる過程においては、表面に凹凸のある基板上に
レジストパターンを形成する場合が生じやすい。また、
ゲート電極を形成する層や配線を形成する層の上にレジ
ストパターンを形成する場合もある。凹凸表面上に所定
のレジストパターンを形成する場合、露光時にレジスト
層を通り抜けて基板表面に達した光は乱反射される。ま
た、ゲート電極や配線を形成する層の材料であるタング
ステンシリサイドやアルミニウム膜上にレジストパター
ンを形成する場合にも、これらの材料は光反射性である
ため、下層の膜表面で乱反射が増加する。レジスト露光
時に照射された光が基板表面で乱反射する結果として、
レジスト層の本来未露光であるべき部分にも反射光がま
わりこんでしまい（ハレーション）、レジストパターン
の線幅細りや断線などの欠陥を招く。
形成すべき材料の成膜と、所望パターンの形成とが幾度
も行われる過程においては、表面に凹凸のある基板上に
レジストパターンを形成する場合が生じやすい。また、
ゲート電極を形成する層や配線を形成する層の上にレジ
ストパターンを形成する場合もある。凹凸表面上に所定
のレジストパターンを形成する場合、露光時にレジスト
層を通り抜けて基板表面に達した光は乱反射される。ま
た、ゲート電極や配線を形成する層の材料であるタング
ステンシリサイドやアルミニウム膜上にレジストパター
ンを形成する場合にも、これらの材料は光反射性である
ため、下層の膜表面で乱反射が増加する。レジスト露光
時に照射された光が基板表面で乱反射する結果として、
レジスト層の本来未露光であるべき部分にも反射光がま
わりこんでしまい（ハレーション）、レジストパターン
の線幅細りや断線などの欠陥を招く。
【０００３】このため、レジスト層の正確な現像が困難
となるので、被エッチング物とフォトレジスト層との間
に露光光の反射防止膜を形成することが行われている。
これにより、露光光の反射によるハレーションを防止
し、レジスト層の正確な現像を確保するためである。そ
して、形成されたフォトレジストパターンをマスクとし
て反射防止膜と被エッチング物を選択的にドライエッチ
ングすることが行われている。
となるので、被エッチング物とフォトレジスト層との間
に露光光の反射防止膜を形成することが行われている。
これにより、露光光の反射によるハレーションを防止
し、レジスト層の正確な現像を確保するためである。そ
して、形成されたフォトレジストパターンをマスクとし
て反射防止膜と被エッチング物を選択的にドライエッチ
ングすることが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
反射防止膜の形成材料として用いられているのは、有機
溶剤にアルカリ不溶性のアクリル系樹脂を溶かしたもの
に露光光を吸収する顔料（染料）を添加したものであっ
た。また、反射防止膜の形成方法も、反射防止膜の形成
用材料を被エッチング物上に塗布し、それに含まれる有
機溶剤を単に揮発乾燥させて反射防止膜を形成している
にすぎなかった。
反射防止膜の形成材料として用いられているのは、有機
溶剤にアルカリ不溶性のアクリル系樹脂を溶かしたもの
に露光光を吸収する顔料（染料）を添加したものであっ
た。また、反射防止膜の形成方法も、反射防止膜の形成
用材料を被エッチング物上に塗布し、それに含まれる有
機溶剤を単に揮発乾燥させて反射防止膜を形成している
にすぎなかった。
【０００５】このため、反射防止膜上にフォトレジスト
を塗布したときに、フォトレジストに含まれる有機溶剤
に反射防止膜の一部が溶け、レジストと反射防止膜材料
が混ったインターミキシング層が形成されしまう。この
インターミキシング層は純粋なレジスト層とも反射防止
膜とも異なる性質を示すため、レジストパターンの現像
時に除去しきれず、抜け不良、すそ引きといったレジス
トパターン形状の劣化を招く。このため、被エッチング
物のパターンニング精度が低下するという問題が生じて
いる。
を塗布したときに、フォトレジストに含まれる有機溶剤
に反射防止膜の一部が溶け、レジストと反射防止膜材料
が混ったインターミキシング層が形成されしまう。この
インターミキシング層は純粋なレジスト層とも反射防止
膜とも異なる性質を示すため、レジストパターンの現像
時に除去しきれず、抜け不良、すそ引きといったレジス
トパターン形状の劣化を招く。このため、被エッチング
物のパターンニング精度が低下するという問題が生じて
いる。
【０００６】そこで、上述の事情に鑑み、本発明は、上
記したインターミキシング層の発生を防止し得る反射防
止膜用材料及び反射防止膜形成方法を提供することを目
的としている。
記したインターミキシング層の発生を防止し得る反射防
止膜用材料及び反射防止膜形成方法を提供することを目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明による反射防止膜用材料においては、不揮発
成分の主材として熱架橋基を有するアクリル骨格ポリマ
ーを用いていることが特徴となっている。また、本発明
による反射防止膜形成方法においては、上記本発明によ
る反射防止膜用材料を被エッチング物上に塗布した後、
この反射防止膜用材料を加熱して熱架橋基を熱架橋させ
ることを特徴としている。
め、本発明による反射防止膜用材料においては、不揮発
成分の主材として熱架橋基を有するアクリル骨格ポリマ
ーを用いていることが特徴となっている。また、本発明
による反射防止膜形成方法においては、上記本発明によ
る反射防止膜用材料を被エッチング物上に塗布した後、
この反射防止膜用材料を加熱して熱架橋基を熱架橋させ
ることを特徴としている。
【０００８】すなわち、本発明による反射防止膜用材料
は、その不揮発成分の主材として熱架橋基を有するアク
リル骨格ポリマーを用いていることが特徴となってい
る。熱架橋基は、加熱されることにより架橋反応を生ず
るもので、例えば、エポキシ基やグリシジル基又はカル
ボキシル基とその酸塩化基の組合わせがこれに該当す
る。そして、この熱架橋基を有するアクリル骨格ポリマ
ーを溶かす溶剤及びフォトレジストを露光する露光光を
吸収する顔料等によって反射防止膜用材料が構成されて
いる。
は、その不揮発成分の主材として熱架橋基を有するアク
リル骨格ポリマーを用いていることが特徴となってい
る。熱架橋基は、加熱されることにより架橋反応を生ず
るもので、例えば、エポキシ基やグリシジル基又はカル
ボキシル基とその酸塩化基の組合わせがこれに該当す
る。そして、この熱架橋基を有するアクリル骨格ポリマ
ーを溶かす溶剤及びフォトレジストを露光する露光光を
吸収する顔料等によって反射防止膜用材料が構成されて
いる。
【０００９】かかる熱架橋基を有するアクリル骨格ポリ
マーの構造式を図１〜図３に示す。図１（Ａ）に示した
構造式は、熱架橋基としてグリシジル基を有するアクリ
ル骨格ポリマーの一般式である。図中のＸには水素、ア
ルキル基、又はハロゲン基が入る。この一般式で示され
るアクリル系ポリマーの具体例として図１（Ｂ）に示し
たポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）や図１
（Ｃ）に示したポリグリシジルアクリレートを挙げるこ
とができる。
マーの構造式を図１〜図３に示す。図１（Ａ）に示した
構造式は、熱架橋基としてグリシジル基を有するアクリ
ル骨格ポリマーの一般式である。図中のＸには水素、ア
ルキル基、又はハロゲン基が入る。この一般式で示され
るアクリル系ポリマーの具体例として図１（Ｂ）に示し
たポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）や図１
（Ｃ）に示したポリグリシジルアクリレートを挙げるこ
とができる。
【００１０】図示したように、グリシジル基はエポキシ
基を含んでいるので、加熱されると、その三員環が開環
し、この開環部が他のグリシジル基の開環部と相補的に
結合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジス
トの溶剤に対し不溶性を示すようになる。また、図２
（Ａ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
を有するアクリル骨格ポリマーの一般式であり、図２
（Ｂ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
の酸塩化基（ＣＯＣｌ）を有するアクリル骨格ポリマー
の一般式であり、図２（Ｃ）に示した構造式はこれらの
バインダーポリマーとして用いられるアクリル骨格ポリ
マーの一般式である。図中のＸ、Ｙ、Ｚにはそれぞれ水
素、アルキル基、又はハロゲン基が入り、また、Ａには
アルキル基が入る。これらの一般式で示されるアクリル
系ポリマーの具体例として、それぞれ、図２（Ｄ）に示
したメタクリル酸、図２（Ｅ）に示したメタクリル酸ク
ロライド、図２（Ｆ）に示したメチルメタクリレートを
挙げることができる。
基を含んでいるので、加熱されると、その三員環が開環
し、この開環部が他のグリシジル基の開環部と相補的に
結合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジス
トの溶剤に対し不溶性を示すようになる。また、図２
（Ａ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
を有するアクリル骨格ポリマーの一般式であり、図２
（Ｂ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
の酸塩化基（ＣＯＣｌ）を有するアクリル骨格ポリマー
の一般式であり、図２（Ｃ）に示した構造式はこれらの
バインダーポリマーとして用いられるアクリル骨格ポリ
マーの一般式である。図中のＸ、Ｙ、Ｚにはそれぞれ水
素、アルキル基、又はハロゲン基が入り、また、Ａには
アルキル基が入る。これらの一般式で示されるアクリル
系ポリマーの具体例として、それぞれ、図２（Ｄ）に示
したメタクリル酸、図２（Ｅ）に示したメタクリル酸ク
ロライド、図２（Ｆ）に示したメチルメタクリレートを
挙げることができる。
【００１１】図２に示した構造式のポリマーを実際に使
用する場合には、図２（Ａ）、（Ｂ）もしくは図３
（Ｃ）を含む共重合体として用いる。例えば、図３に示
した単一重合体のかたちで使用することができる。すな
わち、図３（Ａ）に示したようにメタクリル酸、メタク
リル酸クロライド及びメチルメタクリレートが結合した
三元共重合体として用いることができ、図３（Ｂ）に示
したように三元共重合体とメタクリル酸及びメタクリル
酸クロライドの共重合体の混合物として用いることもで
きる。また、図３（Ｃ）に示したようにメタクリル酸及
びメチルメタクリレートの共重合体と、メタクリル酸ク
ロライド及びメチルメタクリレートの重合体との混合物
として用いることもできる。なお、図中のａ、ｂ、ｌ、
ｍ、ｎは１以上の整数である。
用する場合には、図２（Ａ）、（Ｂ）もしくは図３
（Ｃ）を含む共重合体として用いる。例えば、図３に示
した単一重合体のかたちで使用することができる。すな
わち、図３（Ａ）に示したようにメタクリル酸、メタク
リル酸クロライド及びメチルメタクリレートが結合した
三元共重合体として用いることができ、図３（Ｂ）に示
したように三元共重合体とメタクリル酸及びメタクリル
酸クロライドの共重合体の混合物として用いることもで
きる。また、図３（Ｃ）に示したようにメタクリル酸及
びメチルメタクリレートの共重合体と、メタクリル酸ク
ロライド及びメチルメタクリレートの重合体との混合物
として用いることもできる。なお、図中のａ、ｂ、ｌ、
ｍ、ｎは１以上の整数である。
【００１２】これらのアクリル系ポリマーを反射防止膜
用材料の不揮発成分の主材として用いた場合、カルボキ
シル基（ＣＯＯＨ）とその酸塩化基（ＣＯＣｌ）とが加
熱されることにより、塩化水素（ＨＣｌ）を放出して結
合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジスト
の溶剤に対し不溶性を示すようになる。
用材料の不揮発成分の主材として用いた場合、カルボキ
シル基（ＣＯＯＨ）とその酸塩化基（ＣＯＣｌ）とが加
熱されることにより、塩化水素（ＨＣｌ）を放出して結
合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジスト
の溶剤に対し不溶性を示すようになる。
【００１３】
【作用】このように、反射防止膜用材料の不揮発成分の
主材として熱架橋基を有するアクリル系樹脂を用いると
共に、反射防止膜用材料を被エッチング物上に塗布後、
これを加熱して熱架橋基を十分に架橋させることによ
り、フォトレジストの溶剤に溶け出すことのない反射防
止膜が形成され、従来のようにレジスト層と反射防止膜
との間にインターミキシング層が生じることが防止され
る。
主材として熱架橋基を有するアクリル系樹脂を用いると
共に、反射防止膜用材料を被エッチング物上に塗布後、
これを加熱して熱架橋基を十分に架橋させることによ
り、フォトレジストの溶剤に溶け出すことのない反射防
止膜が形成され、従来のようにレジスト層と反射防止膜
との間にインターミキシング層が生じることが防止され
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１〜図５を
用いて説明する。図１〜図３は本発明による反射防止膜
用材料に不揮発成分の主材として用いられる熱架橋基を
有するアクリル骨格ポリマーの一般構造式及びその具体
例を示し、図４及び図５は本発明による反射防止膜形成
方法を適用してフォトレジストを露光する露光光の反射
率が高いＡｌ層をフォトリソグラフィーによりパターン
ニングする工程を示している。
用いて説明する。図１〜図３は本発明による反射防止膜
用材料に不揮発成分の主材として用いられる熱架橋基を
有するアクリル骨格ポリマーの一般構造式及びその具体
例を示し、図４及び図５は本発明による反射防止膜形成
方法を適用してフォトレジストを露光する露光光の反射
率が高いＡｌ層をフォトリソグラフィーによりパターン
ニングする工程を示している。
【００１５】本発明による反射防止膜用材料は、その不
揮発成分の主材として熱架橋基を有するアクリル骨格ポ
リマーを用いていることが特徴となっている。熱架橋基
は、加熱されることにより架橋反応を生ずるもので、例
えば、エポキシ基やグリシジル基又はカルボキシル基と
その酸塩化基の組合わせがこれに該当する。そして、こ
の熱架橋基を有するアクリル骨格ポリマーを溶かす溶剤
及びフォトレジストを露光する露光光を吸収する顔料等
によって反射防止膜用材料が構成されている。
揮発成分の主材として熱架橋基を有するアクリル骨格ポ
リマーを用いていることが特徴となっている。熱架橋基
は、加熱されることにより架橋反応を生ずるもので、例
えば、エポキシ基やグリシジル基又はカルボキシル基と
その酸塩化基の組合わせがこれに該当する。そして、こ
の熱架橋基を有するアクリル骨格ポリマーを溶かす溶剤
及びフォトレジストを露光する露光光を吸収する顔料等
によって反射防止膜用材料が構成されている。
【００１６】かかる熱架橋基を有するアクリル骨格ポリ
マーの構造式を図１〜図３に示す。図１（Ａ）に示した
構造式は、熱架橋基としてグリシジル基を有するアクリ
ル骨格ポリマーの一般式である。図中のＸには水素、ア
ルキル基、又はハロゲン基が入る。この一般式で示され
るアクリル系ポリマーの具体例として図１（Ｂ）に示し
たポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）や図１
（Ｃ）に示したポリグリシジルアクリレートを挙げるこ
とができる。
マーの構造式を図１〜図３に示す。図１（Ａ）に示した
構造式は、熱架橋基としてグリシジル基を有するアクリ
ル骨格ポリマーの一般式である。図中のＸには水素、ア
ルキル基、又はハロゲン基が入る。この一般式で示され
るアクリル系ポリマーの具体例として図１（Ｂ）に示し
たポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）や図１
（Ｃ）に示したポリグリシジルアクリレートを挙げるこ
とができる。
【００１７】図示したように、グリシジル基はエポキシ
基を含んでいるので、加熱されると、その三員環が開環
し、この開環部が他のグリシジル基の開環部と相補的に
結合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジス
トの溶剤に対し不溶性を示すようになる。また、図２
（Ａ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
を有するアクリル骨格ポリマーの一般式であり、図２
（Ｂ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
の酸塩化基（ＣＯＣｌ）を有するアクリル骨格ポリマー
の一般式であり、図２（Ｃ）に示した構造式はこれらの
バインダーポリマーとして用いられるアクリル骨格ポリ
マーの一般式である。図中のＸ、Ｙ、Ｚにはそれぞれ水
素、アルキル基、又はハロゲン基が入り、また、Ａには
アルキル基が入る。これらの一般式で示されるアクリル
系ポリマーの具体例として、それぞれ、図２（Ｄ）に示
したメタクリル酸、図２（Ｅ）に示したメタクリル酸ク
ロライド、図２（Ｆ）に示したメチルメタクリレートを
挙げることができる。
基を含んでいるので、加熱されると、その三員環が開環
し、この開環部が他のグリシジル基の開環部と相補的に
結合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジス
トの溶剤に対し不溶性を示すようになる。また、図２
（Ａ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
を有するアクリル骨格ポリマーの一般式であり、図２
（Ｂ）に示した構造式は熱架橋基としてカルボキシル基
の酸塩化基（ＣＯＣｌ）を有するアクリル骨格ポリマー
の一般式であり、図２（Ｃ）に示した構造式はこれらの
バインダーポリマーとして用いられるアクリル骨格ポリ
マーの一般式である。図中のＸ、Ｙ、Ｚにはそれぞれ水
素、アルキル基、又はハロゲン基が入り、また、Ａには
アルキル基が入る。これらの一般式で示されるアクリル
系ポリマーの具体例として、それぞれ、図２（Ｄ）に示
したメタクリル酸、図２（Ｅ）に示したメタクリル酸ク
ロライド、図２（Ｆ）に示したメチルメタクリレートを
挙げることができる。
【００１８】図２に示した構造式のポリマーを実際に使
用する場合には、図２（Ａ）、（Ｂ）もしくは図３
（Ｃ）を含む共重合体として用いる。例えば、図３に示
した単一重合体のかたちで使用することができる。すな
わち、図３（Ａ）に示したようにメタクリル酸、メタク
リル酸クロライド及びメチルメタクリレートが結合した
三元共重合体として用いることができ、図３（Ｂ）に示
したように三元共重合体とメタクリル酸及びメタクリル
酸クロライドの共重合体の混合物として用いることもで
きる。また、図３（Ｃ）に示したようにメタクリル酸及
びメチルメタクリレートの共重合体と、メタクリル酸ク
ロライド及びメチルメタクリレートの重合体との混合物
として用いることもできる。なお、図中のａ、ｂ、ｌ、
ｍ、ｎは１以上の整数である。
用する場合には、図２（Ａ）、（Ｂ）もしくは図３
（Ｃ）を含む共重合体として用いる。例えば、図３に示
した単一重合体のかたちで使用することができる。すな
わち、図３（Ａ）に示したようにメタクリル酸、メタク
リル酸クロライド及びメチルメタクリレートが結合した
三元共重合体として用いることができ、図３（Ｂ）に示
したように三元共重合体とメタクリル酸及びメタクリル
酸クロライドの共重合体の混合物として用いることもで
きる。また、図３（Ｃ）に示したようにメタクリル酸及
びメチルメタクリレートの共重合体と、メタクリル酸ク
ロライド及びメチルメタクリレートの重合体との混合物
として用いることもできる。なお、図中のａ、ｂ、ｌ、
ｍ、ｎは１以上の整数である。
【００１９】これらのアクリル系ポリマーを反射防止膜
用材料の不揮発成分の主材として用いた場合、カルボキ
シル基（ＣＯＯＨ）とその酸塩化基（ＣＯＣｌ）とが加
熱されることにより、塩化水素（ＨＣｌ）を放出して結
合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジスト
の溶剤に対し不溶性を示すようになる。次に、本発明に
よる反射防止膜形成方法を適用してＡｌ等のフォトレジ
ストを露光する露光光の反射率が高い被エッチング物を
フォトリソグラフィーによりパターンニングする実施例
について、図４及び図５を参照しつつ説明する。
用材料の不揮発成分の主材として用いた場合、カルボキ
シル基（ＣＯＯＨ）とその酸塩化基（ＣＯＣｌ）とが加
熱されることにより、塩化水素（ＨＣｌ）を放出して結
合する。こうして架橋されたポリマーはフォトレジスト
の溶剤に対し不溶性を示すようになる。次に、本発明に
よる反射防止膜形成方法を適用してＡｌ等のフォトレジ
ストを露光する露光光の反射率が高い被エッチング物を
フォトリソグラフィーによりパターンニングする実施例
について、図４及び図５を参照しつつ説明する。
【００２０】図４（Ａ）に示したように、半導体基板１
上には配線用にフォトレジストを露光する露光光の反射
率が高いＡｌ層２がスパッタ等により形成されている。
このＡｌ層２上に露光光の反射防止膜３を２００ｎｍ程
度の厚さに形成した。反射防止膜３は、本発明による反
射防止膜用材料をスピンコートした後、これを１８０℃
に加熱しこの温度で３分間のベークを行い、溶剤を揮発
させると共に上述した熱架橋基を十分に架橋させて形成
した。
上には配線用にフォトレジストを露光する露光光の反射
率が高いＡｌ層２がスパッタ等により形成されている。
このＡｌ層２上に露光光の反射防止膜３を２００ｎｍ程
度の厚さに形成した。反射防止膜３は、本発明による反
射防止膜用材料をスピンコートした後、これを１８０℃
に加熱しこの温度で３分間のベークを行い、溶剤を揮発
させると共に上述した熱架橋基を十分に架橋させて形成
した。
【００２１】次に、図４（Ｂ）に示したように、ポジ型
フォトレジストを反射防止膜３上に塗布して１．２μｍ
程度の厚さのレジスト層５を形成した。このとき、反射
防止膜３は上述したように十分に熱架橋されているの
で、レジストの溶剤に溶けることがなく、従って、イン
ターミキシング層は生じなかった。ポジ型レジストとし
て、本実施例では、ＯＦＰＲ８００（東京応化工業製）
を用いた。
フォトレジストを反射防止膜３上に塗布して１．２μｍ
程度の厚さのレジスト層５を形成した。このとき、反射
防止膜３は上述したように十分に熱架橋されているの
で、レジストの溶剤に溶けることがなく、従って、イン
ターミキシング層は生じなかった。ポジ型レジストとし
て、本実施例では、ＯＦＰＲ８００（東京応化工業製）
を用いた。
【００２２】次に、図４（Ｃ）に示したように、マスク
６を介してレジスト層５の露光を行った。このときの露
光光は、ｇ線（４３６ｎｍ）を使用した。そして、レジ
スト現像液を用いてレジストパターンの現像を行った。
このときも、反射防止膜３は上述したように十分に熱架
橋されているので、現像液のアルカリに溶解せず、その
まま残存する。
６を介してレジスト層５の露光を行った。このときの露
光光は、ｇ線（４３６ｎｍ）を使用した。そして、レジ
スト現像液を用いてレジストパターンの現像を行った。
このときも、反射防止膜３は上述したように十分に熱架
橋されているので、現像液のアルカリに溶解せず、その
まま残存する。
【００２３】この後、図５（Ａ）に示したように、レジ
ストパターン５ａをマスクとして反射防止膜３をＯ2 Ｒ
ＩＥにより異方性エッチングを行った。このとき、反射
防止膜３はアクリル骨格ポリマーにより形成されてお
り、レジストパターン５ａに比べエッチングレートが高
く、レジストパターン５ａに比べて十分に膜厚が薄いた
め、レジストパターン５ａを劣化させることなく反射防
止膜３のエッチングを完了することができた。
ストパターン５ａをマスクとして反射防止膜３をＯ2 Ｒ
ＩＥにより異方性エッチングを行った。このとき、反射
防止膜３はアクリル骨格ポリマーにより形成されてお
り、レジストパターン５ａに比べエッチングレートが高
く、レジストパターン５ａに比べて十分に膜厚が薄いた
め、レジストパターン５ａを劣化させることなく反射防
止膜３のエッチングを完了することができた。
【００２４】つづいて、図５（Ｂ）に示したように、Ａ
ｌ層２を異方性エッチングすることにより、レジストパ
ターンがそのまま正確に転写されたＡｌ配線パターン２
ａを半導体基板１上に得ることができた。そして、図５
（Ｃ）に示したように、Ａｌ配線パターン２ａ上に残っ
たレジストパターン５ａ及び反射防止膜３をＯ2 プラズ
マによりアッシングして除去し、図５（Ｄ）に示したよ
うに、最終的なＡｌ配線パターン２ａを半導体基板１上
に形成した。
ｌ層２を異方性エッチングすることにより、レジストパ
ターンがそのまま正確に転写されたＡｌ配線パターン２
ａを半導体基板１上に得ることができた。そして、図５
（Ｃ）に示したように、Ａｌ配線パターン２ａ上に残っ
たレジストパターン５ａ及び反射防止膜３をＯ2 プラズ
マによりアッシングして除去し、図５（Ｄ）に示したよ
うに、最終的なＡｌ配線パターン２ａを半導体基板１上
に形成した。
【００２５】なお、上述の実施例では、露光光としてｇ
線（４３６ｎｍ）を使用したので、反射防止膜用材料に
添加される顔料として、Ｏｐｌａｓ Ｙｅｌｌｏｗ １
３６（オリエント化学製）を用いた。
線（４３６ｎｍ）を使用したので、反射防止膜用材料に
添加される顔料として、Ｏｐｌａｓ Ｙｅｌｌｏｗ １
３６（オリエント化学製）を用いた。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フォトレジストの溶剤に溶けることのない反射防止膜を
被エッチング物上に形成することができ、従来のよう
に、反射防止膜とレジスト層との間にインターミキシン
グ層が発生しない。また、反射防止膜はアクリル骨格ポ
リマーによって形成されているので、レジストの現像液
に侵されることがないと共に、レジストに比べエッチン
グレートが高く、膜厚が十分に薄いのでレジストパター
ンを劣化させることなく反射防止膜を異方性エッチング
することができる。
フォトレジストの溶剤に溶けることのない反射防止膜を
被エッチング物上に形成することができ、従来のよう
に、反射防止膜とレジスト層との間にインターミキシン
グ層が発生しない。また、反射防止膜はアクリル骨格ポ
リマーによって形成されているので、レジストの現像液
に侵されることがないと共に、レジストに比べエッチン
グレートが高く、膜厚が十分に薄いのでレジストパター
ンを劣化させることなく反射防止膜を異方性エッチング
することができる。
【００２７】従って、フォトレジストのを露光する露光
光に対する反射率が高いものでも、フォトリソグラフィ
ーにより高精度にパターンニングすることができる。
光に対する反射率が高いものでも、フォトリソグラフィ
ーにより高精度にパターンニングすることができる。
【図１】本発明の反射防止膜用材料に含まれる熱架橋基
を有するアクリル骨格ポリマーの構造式を示す図であ
る。
を有するアクリル骨格ポリマーの構造式を示す図であ
る。
【図２】本発明の反射防止膜用材料に含まれる熱架橋基
を有するアクリル骨格ポリマーの構造式を示す図であ
る。
を有するアクリル骨格ポリマーの構造式を示す図であ
る。
【図３】本発明の反射防止膜用材料に含まれる熱架橋基
を有するアクリル骨格ポリマーの構造式を示す図であ
る。
を有するアクリル骨格ポリマーの構造式を示す図であ
る。
【図４】本発明の反射防止膜形成方法を適用したフォト
リソグラフィー工程の工程断面図（その１）である。
リソグラフィー工程の工程断面図（その１）である。
【図５】本発明の反射防止膜形成方法を適用したフォト
リソグラフィー工程の工程断面図（その２）である。
リソグラフィー工程の工程断面図（その２）である。
【符号の説明】 １…半導体基板 ２…Ａｌ層 ２ａ…Ａｌ配線パターン ３…反射防止膜 ５…レジスト層 ５ａ…レジストパターン ５…マスク
Claims (5)
- 【請求項１】 フォトレジストを露光する露光光の反射
を防止するために被エッチング物上に形成される反射防
止膜に用いられる反射防止膜用材料において、 熱架橋基を有するアクリル骨格ポリマーを含むことを特
徴とする反射防止膜用材料。 - 【請求項２】 請求項１記載の反射防止膜用材料におい
て、 前記アクリル骨格ポリマーは、エポキシ基を有するアク
リル骨格ポリマーを含むことを特徴とする反射防止膜用
材料。 - 【請求項３】 請求項１記載の反射防止膜用材料におい
て、 前記アクリル骨格ポリマーは、グリシジル基を有するア
クリル骨格ポリマーを含むことを特徴とする反射防止膜
用材料。 - 【請求項４】 請求項１記載の反射防止膜用材料におい
て、 前記アクリル骨格ポリマーは、カルボキシル基及びこの
酸塩化基を有するアクリル骨格ポリマーを含むことを特
徴とする反射防止膜用材料。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の反射
防止膜用材料を被エッチング物上に塗布した後、この反
射防止膜用材料を加熱して前記熱架橋基を熱架橋させる
ことにより、前記被エッチング物上に反射防止膜を形成
することを特徴とする反射防止膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252647A JPH06102673A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 反射防止膜用材料及び反射防止膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252647A JPH06102673A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 反射防止膜用材料及び反射防止膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102673A true JPH06102673A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17240267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4252647A Pending JPH06102673A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 反射防止膜用材料及び反射防止膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11511194A (ja) * | 1995-08-21 | 1999-09-28 | ブリューアー サイエンス インコーポレイテッド | 熱硬化性反射防止性コーティングおよびその製造方法 |
| US6255225B1 (en) * | 1999-02-09 | 2001-07-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming a resist pattern, a method of manufacturing semiconductor device by the same method, and a device and a hot plate for forming a resist pattern |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61180241A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-12 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4252647A patent/JPH06102673A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61180241A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-12 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11511194A (ja) * | 1995-08-21 | 1999-09-28 | ブリューアー サイエンス インコーポレイテッド | 熱硬化性反射防止性コーティングおよびその製造方法 |
| US6255225B1 (en) * | 1999-02-09 | 2001-07-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming a resist pattern, a method of manufacturing semiconductor device by the same method, and a device and a hot plate for forming a resist pattern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3924910B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6319853B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device using a minute resist pattern, and a semiconductor device manufactured thereby | |
| JP4482332B2 (ja) | ファーストミニマム底面反射防止膜組成物を使用して像を形成する方法 | |
| JP4467857B2 (ja) | 電子線露光による１９３ｎｍ感光性フォトレジスト材料の改変 | |
| US5635333A (en) | Antireflective coating process | |
| JP3835545B2 (ja) | フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子の製造方法 | |
| US5223083A (en) | Process for etching a semiconductor device using an improved protective etching mask | |
| TWI516872B (zh) | 適於與上塗光阻倂用之塗覆組成物 | |
| US20040072096A1 (en) | Micropattern forming material and fine structure forming method | |
| US5401613A (en) | Method of manufacturing microelectronic devices having multifunctional photolithographic layers | |
| US20030027060A1 (en) | Photoresist and process for structuring such a photoresist | |
| US12488989B2 (en) | Method to form narrow slot contacts | |
| JPH11283905A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TW526536B (en) | Formation method of pattern | |
| US6669995B1 (en) | Method of treating an anti-reflective coating on a substrate | |
| JPH0148526B2 (ja) | ||
| JPH06102673A (ja) | 反射防止膜用材料及び反射防止膜形成方法 | |
| JPH04330709A (ja) | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 | |
| JP2663815B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR102956177B1 (ko) | 좁은 슬롯 접점을 형성하기 위한 방법 | |
| JPH0669124A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP4656217B2 (ja) | レジスト材およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP3243904B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH09115806A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| Houlihan et al. | Radiation sensitive developable bottom anti-reflective coatings (DBARC): recent results |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010724 |