JPH06104239A - 基板の乾燥方法及び装置 - Google Patents
基板の乾燥方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06104239A JPH06104239A JP27551292A JP27551292A JPH06104239A JP H06104239 A JPH06104239 A JP H06104239A JP 27551292 A JP27551292 A JP 27551292A JP 27551292 A JP27551292 A JP 27551292A JP H06104239 A JPH06104239 A JP H06104239A
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- JP
- Japan
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- substrate
- atmosphere
- inert gas
- drying
- wafer
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄により高清浄化した基板を、有機物雰囲
気に晒すことなく、また静電気の発生を起こすことな
く、効果的に乾燥することができるようにする。 【構成】 キャリア２に搭載された水洗浄後のウエハ１
を乾燥チャンバー３内に移載する。乾燥チャンバー３内
の雰囲気は窒素ガスまたはアルゴンガス等の不活性ガス
に置換されており、この不活性ガス雰囲気下で赤外線ラ
ンプ５によりウエハ１に赤外線を照射する。ウエハ１の
表面上の水分が加熱されて蒸発する。水洗浄後のウエハ
２は、有機物雰囲気に晒されることなく、また機械的運
動が不要のために静電気の発生も起こらない。
気に晒すことなく、また静電気の発生を起こすことな
く、効果的に乾燥することができるようにする。 【構成】 キャリア２に搭載された水洗浄後のウエハ１
を乾燥チャンバー３内に移載する。乾燥チャンバー３内
の雰囲気は窒素ガスまたはアルゴンガス等の不活性ガス
に置換されており、この不活性ガス雰囲気下で赤外線ラ
ンプ５によりウエハ１に赤外線を照射する。ウエハ１の
表面上の水分が加熱されて蒸発する。水洗浄後のウエハ
２は、有機物雰囲気に晒されることなく、また機械的運
動が不要のために静電気の発生も起こらない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の製造工程においてウエハ等の基板を洗浄後に乾燥する
方法及び装置に関する。
の製造工程においてウエハ等の基板を洗浄後に乾燥する
方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体集積回路の製造に
おいては、各工程の前処理及び後処理として、ウエハ等
の基板を各種の薬液により洗浄し、さらに基板を純水ま
たは水溶液により洗浄して基板表面から有機物を完全に
除去した後、その基板を完全に乾燥するようにしてい
る。このような水洗浄後の基板の乾燥には、従来から、
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気雰囲気中で水分
を蒸発させるＩＰＡ蒸気乾燥法、または、基板を搭載し
たキャリアを高速回転させて遠心力により水分を除去す
るスピンドライ法を用いていた。
おいては、各工程の前処理及び後処理として、ウエハ等
の基板を各種の薬液により洗浄し、さらに基板を純水ま
たは水溶液により洗浄して基板表面から有機物を完全に
除去した後、その基板を完全に乾燥するようにしてい
る。このような水洗浄後の基板の乾燥には、従来から、
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気雰囲気中で水分
を蒸発させるＩＰＡ蒸気乾燥法、または、基板を搭載し
たキャリアを高速回転させて遠心力により水分を除去す
るスピンドライ法を用いていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＩＰＡ蒸気乾燥法には、洗浄により有機物を完全に除去
した高清浄な基板表面を再び有機物雰囲気に晒すため、
原子レベルでの清浄度が損なわれ易いという問題があっ
た。また、従来のスピンドライ法には、機械的な回転に
よって静電気が発生し易く、基板上に形成した素子の破
壊や清浄化した基板への異物の吸着が起こるという問題
があった。
ＩＰＡ蒸気乾燥法には、洗浄により有機物を完全に除去
した高清浄な基板表面を再び有機物雰囲気に晒すため、
原子レベルでの清浄度が損なわれ易いという問題があっ
た。また、従来のスピンドライ法には、機械的な回転に
よって静電気が発生し易く、基板上に形成した素子の破
壊や清浄化した基板への異物の吸着が起こるという問題
があった。
【０００４】そこで本発明は、洗浄により高清浄化した
基板を、有機物雰囲気に晒すことなく、また静電気の発
生を起こすことなく、効果的に乾燥することができる基
板の乾燥方法及び装置を提供することを目的とする。
基板を、有機物雰囲気に晒すことなく、また静電気の発
生を起こすことなく、効果的に乾燥することができる基
板の乾燥方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、水または水溶液にて洗浄した後の基板を
乾燥する方法において、不活性ガス雰囲気下で基板に赤
外線を照射するものである。なお、前記不活性ガスとし
て窒素ガスまたはアルゴンガスを用いるとよい。さら
に、前記不活性ガス雰囲気を減圧状態にするとよい。
に、本発明は、水または水溶液にて洗浄した後の基板を
乾燥する方法において、不活性ガス雰囲気下で基板に赤
外線を照射するものである。なお、前記不活性ガスとし
て窒素ガスまたはアルゴンガスを用いるとよい。さら
に、前記不活性ガス雰囲気を減圧状態にするとよい。
【０００６】また、本発明による基板の乾燥装置は、水
または水溶液にて洗浄した後の基板を収容する乾燥チャ
ンバーと、この乾燥チャンバー内の雰囲気を不活性ガス
に置換する吸排気手段と、前記乾燥チャンバー内の基板
に赤外線を照射する赤外線放射手段とを備えたものであ
る。なお、前記不活性ガスとして窒素ガスまたはアルゴ
ンガスを用いるとよい。さらに、前記不活性ガス雰囲気
を減圧状態にするための減圧調整部を前記吸排気手段の
排気側に設けるとよい。
または水溶液にて洗浄した後の基板を収容する乾燥チャ
ンバーと、この乾燥チャンバー内の雰囲気を不活性ガス
に置換する吸排気手段と、前記乾燥チャンバー内の基板
に赤外線を照射する赤外線放射手段とを備えたものであ
る。なお、前記不活性ガスとして窒素ガスまたはアルゴ
ンガスを用いるとよい。さらに、前記不活性ガス雰囲気
を減圧状態にするための減圧調整部を前記吸排気手段の
排気側に設けるとよい。
【０００７】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、水分
除去エネルギーを、ＩＰＡ蒸気または機械的手段によら
ず、不活性ガス雰囲気下で基板に非接触である赤外線の
放射により与える。この赤外線によって、基板表面上の
水分が加熱されて蒸発する。従って、洗浄により高清浄
化した基板は、有機物雰囲気に晒されることなく、また
機械的運動が不要のために静電気の発生も起こらない。
さらに、不活性ガス雰囲気を減圧状態にすると、水蒸気
分圧が減少し、水分蒸発の推進力が増加するため、乾燥
速度を増加させることが可能となる。
除去エネルギーを、ＩＰＡ蒸気または機械的手段によら
ず、不活性ガス雰囲気下で基板に非接触である赤外線の
放射により与える。この赤外線によって、基板表面上の
水分が加熱されて蒸発する。従って、洗浄により高清浄
化した基板は、有機物雰囲気に晒されることなく、また
機械的運動が不要のために静電気の発生も起こらない。
さらに、不活性ガス雰囲気を減圧状態にすると、水蒸気
分圧が減少し、水分蒸発の推進力が増加するため、乾燥
速度を増加させることが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図３を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】まず、図１に示すように、基板であるシリ
コンウエハ１はウエハキャリア２に搭載され、前処理と
して水洗槽（図示せず）にて洗浄されている。この水洗
浄後のウエハ１が乾燥チャンバー３内に収容される。乾
燥チャンバー３内の雰囲気は、吸気ノズル４ａ及び排気
ノズル４ｂを介して窒素ガスまたはアルゴンガス等の不
活性ガスに置換されている。さらに、乾燥チャンバー３
内には、ウエハ１に赤外線を照射する赤外線ランプ５が
設置されている。なお、６は作動スイッチである。
コンウエハ１はウエハキャリア２に搭載され、前処理と
して水洗槽（図示せず）にて洗浄されている。この水洗
浄後のウエハ１が乾燥チャンバー３内に収容される。乾
燥チャンバー３内の雰囲気は、吸気ノズル４ａ及び排気
ノズル４ｂを介して窒素ガスまたはアルゴンガス等の不
活性ガスに置換されている。さらに、乾燥チャンバー３
内には、ウエハ１に赤外線を照射する赤外線ランプ５が
設置されている。なお、６は作動スイッチである。
【００１０】上記の構成において、キャリア２に搭載さ
れた水洗浄後のウエハ１を乾燥チャンバー３内に移載す
る。そして、作動スイッチ６を押すと、赤外線ランプ５
により赤外線が発生し、ウエハ１に照射される。これに
よって、ウエハ１の表面上の水分が加熱されて蒸発す
る。
れた水洗浄後のウエハ１を乾燥チャンバー３内に移載す
る。そして、作動スイッチ６を押すと、赤外線ランプ５
により赤外線が発生し、ウエハ１に照射される。これに
よって、ウエハ１の表面上の水分が加熱されて蒸発す
る。
【００１１】このように本実施例においては、窒素ガス
またはアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で赤外線を
用いることによって、水洗浄後のウエハ１は、有機物雰
囲気に晒されることなく、また静電気の発生を起こすこ
となく、効果的に乾燥される。従って、ウエハ１の表面
は洗浄直後の高清浄状態が維持されており、乾燥後のウ
エハ１の表面に素子破壊や異物吸着等は全く認められな
い。
またはアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で赤外線を
用いることによって、水洗浄後のウエハ１は、有機物雰
囲気に晒されることなく、また静電気の発生を起こすこ
となく、効果的に乾燥される。従って、ウエハ１の表面
は洗浄直後の高清浄状態が維持されており、乾燥後のウ
エハ１の表面に素子破壊や異物吸着等は全く認められな
い。
【００１２】次に、図２は別の実施例を示すものであ
り、図１の構成に付加して、排気ノズル４ｂからの排気
側にバルブ７が設けられ、その一方が真空ポンプ８に接
続されている。本実施例においては、赤外線ランプ５に
より赤外線が発生すると同時に、バルブ７によって排気
側が、真空ポンプ８の吸引による減圧側に切換えられ
る。これによって、乾燥チャンバー３内の不活性ガス雰
囲気が減圧状態になるので、水蒸気分圧が減少し、水分
蒸発の推進力が増加するため、図１の場合に比べて乾燥
速度の増加よって乾燥時間を短縮することができる。
り、図１の構成に付加して、排気ノズル４ｂからの排気
側にバルブ７が設けられ、その一方が真空ポンプ８に接
続されている。本実施例においては、赤外線ランプ５に
より赤外線が発生すると同時に、バルブ７によって排気
側が、真空ポンプ８の吸引による減圧側に切換えられ
る。これによって、乾燥チャンバー３内の不活性ガス雰
囲気が減圧状態になるので、水蒸気分圧が減少し、水分
蒸発の推進力が増加するため、図１の場合に比べて乾燥
速度の増加よって乾燥時間を短縮することができる。
【００１３】次に、図３はさらに別の実施例を示すもの
であり、図１の構成に付加して、排気ノズル４ｂからの
排気側にバルブ７が設けられ、その一方がオリフィス９
に接続されている。このオリフィス９内には高速窒素気
流が供給される。本実施例においては、赤外線ランプ５
により赤外線が発生すると同時に、バルブ７によって排
気側が、オリフィス９内の高速窒素気流により生成され
る減圧側に切換えられる。これによって、乾燥チャンバ
ー３内の不活性ガス雰囲気が減圧状態になるので、図１
の場合に比べて乾燥時間を短縮することができる上に、
オリフィス９内の高速窒素気流により減圧状態を得てい
るので、図２の場合に比べて排気系からの汚染物質の混
入を減少させることができる。
であり、図１の構成に付加して、排気ノズル４ｂからの
排気側にバルブ７が設けられ、その一方がオリフィス９
に接続されている。このオリフィス９内には高速窒素気
流が供給される。本実施例においては、赤外線ランプ５
により赤外線が発生すると同時に、バルブ７によって排
気側が、オリフィス９内の高速窒素気流により生成され
る減圧側に切換えられる。これによって、乾燥チャンバ
ー３内の不活性ガス雰囲気が減圧状態になるので、図１
の場合に比べて乾燥時間を短縮することができる上に、
オリフィス９内の高速窒素気流により減圧状態を得てい
るので、図２の場合に比べて排気系からの汚染物質の混
入を減少させることができる。
【００１４】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
不活性ガス雰囲気下で赤外線を用いることによって、洗
浄により高清浄化した基板は、有機物雰囲気に晒される
ことなく、また静電気の発生も起こすことなく、乾燥さ
れる。従って、有機物雰囲気により原子レベルでの清浄
度が損なわれたり、また静電気により基板上の素子の破
壊や基板への異物の吸着等が起こることもなく、洗浄直
後の表面清浄度を維持して基板を効果的に乾燥すること
ができる。さらに、装置を極めて安価に作製することが
可能である。
不活性ガス雰囲気下で赤外線を用いることによって、洗
浄により高清浄化した基板は、有機物雰囲気に晒される
ことなく、また静電気の発生も起こすことなく、乾燥さ
れる。従って、有機物雰囲気により原子レベルでの清浄
度が損なわれたり、また静電気により基板上の素子の破
壊や基板への異物の吸着等が起こることもなく、洗浄直
後の表面清浄度を維持して基板を効果的に乾燥すること
ができる。さらに、装置を極めて安価に作製することが
可能である。
【図１】本発明の実施例における装置の概略構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の別の実施例における装置の概略構成図
である。
である。
【図３】本発明のさらに別の実施例における装置の概略
構成図である。
構成図である。
１ シリコンウエハ ２ ウエハキャリア ３ 乾燥チャンバー ４ａ 吸気ノズル ４ｂ 排気ノズル ５ 赤外線ランプ ６ 作動スイッチ ７ バルブ ８ 真空ポンプ ９ オリフィス
Claims (6)
- 【請求項１】 水または水溶液にて洗浄した後の基板を
乾燥する方法において、不活性ガス雰囲気下で基板に赤
外線を照射することを特徴とする基板の乾燥方法。 - 【請求項２】 前記不活性ガスとして窒素ガスまたはア
ルゴンガスを用いることを特徴とする請求項１記載の基
板の乾燥方法。 - 【請求項３】 前記不活性ガス雰囲気を減圧状態にする
ことを特徴とする請求項１または２記載の基板の乾燥方
法。 - 【請求項４】 水または水溶液にて洗浄した後の基板を
収容する乾燥チャンバーと、この乾燥チャンバー内の雰
囲気を不活性ガスに置換する吸排気手段と、前記乾燥チ
ャンバー内の基板に赤外線を照射する赤外線放射手段と
を備えたことを特徴とする基板の乾燥装置。 - 【請求項５】 前記不活性ガスとして窒素ガスまたはア
ルゴンガスを用いることを特徴とする請求項４記載の基
板の乾燥装置。 - 【請求項６】 前記不活性ガス雰囲気を減圧状態にする
ための減圧調整部を前記吸排気手段の排気側に設けたこ
とを特徴とする請求項４または５記載の基板の乾燥装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27551292A JPH06104239A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 基板の乾燥方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27551292A JPH06104239A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 基板の乾燥方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104239A true JPH06104239A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17556513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27551292A Withdrawn JPH06104239A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 基板の乾燥方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463186B1 (ko) * | 2002-01-24 | 2004-12-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치용 셀세정장치 |
| JP2005277146A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP27551292A patent/JPH06104239A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463186B1 (ko) * | 2002-01-24 | 2004-12-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치용 셀세정장치 |
| JP2005277146A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |