JPH06106722A - 液体レベル制御構造及びその製造方法並びに液滴イジェクタ - Google Patents
液体レベル制御構造及びその製造方法並びに液滴イジェクタInfo
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- JPH06106722A JPH06106722A JP5140349A JP14034993A JPH06106722A JP H06106722 A JPH06106722 A JP H06106722A JP 5140349 A JP5140349 A JP 5140349A JP 14034993 A JP14034993 A JP 14034993A JP H06106722 A JPH06106722 A JP H06106722A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液体レベル制御構造およびその製造方法を
提供する。 【構成】 この液体レベル制御構造は、実質的な平坦
な頂面２４と底面１８を有するウェハと、マーキング流
体３０を含むためのチャネル２０とから成る。チャネル
２０は、ウェハ内に伸長する内向きに傾斜しかつウェハ
の頂面２４と結合して突起２８を形成する壁によって構
成される。突起２８はマーキング流体３０の表面張力と
相互作用して、チャネル２０内の流体の無境界表面の位
置を制御する。液体レベル制御構造を製造する方法は、
ホトリソグラフィーや異方性エッチングなどの半導体製
造技術を利用する。
提供する。 【構成】 この液体レベル制御構造は、実質的な平坦
な頂面２４と底面１８を有するウェハと、マーキング流
体３０を含むためのチャネル２０とから成る。チャネル
２０は、ウェハ内に伸長する内向きに傾斜しかつウェハ
の頂面２４と結合して突起２８を形成する壁によって構
成される。突起２８はマーキング流体３０の表面張力と
相互作用して、チャネル２０内の流体の無境界表面の位
置を制御する。液体レベル制御構造を製造する方法は、
ホトリソグラフィーや異方性エッチングなどの半導体製
造技術を利用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体レベル制御装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】音響インクプリンタ（ＡＩＰ）は、従来
のドロップオンデマンド形ノズル式インクジェットプリ
ンタの目詰まりおよび製造上の問題が回避されるので、
有望な直接マーキング技法である。音響インク印刷にか
なりの努力が払われてきたが、ＡＩＰが発展性のあるマ
ーキング技法となるために解決しなければならない様々
な問題がまだ残っている。
のドロップオンデマンド形ノズル式インクジェットプリ
ンタの目詰まりおよび製造上の問題が回避されるので、
有望な直接マーキング技法である。音響インク印刷にか
なりの努力が払われてきたが、ＡＩＰが発展性のあるマ
ーキング技法となるために解決しなければならない様々
な問題がまだ残っている。
【０００３】音響インクプリンタは、音響エネルギーを
利用して、マーキング流体の無境界表面から小滴を記録
面に噴射する。一般に、これは、球面音響レンズまたは
フレネル音響レンズのどちらかを使用して、超音波変換
器からの音響エネルギーを無境界表面付近の焦点領域に
集束することに関係がある。音響エネルギーが充分であ
れば、音響波長とほぼ同じ直径のインク小滴が噴射され
る。
利用して、マーキング流体の無境界表面から小滴を記録
面に噴射する。一般に、これは、球面音響レンズまたは
フレネル音響レンズのどちらかを使用して、超音波変換
器からの音響エネルギーを無境界表面付近の焦点領域に
集束することに関係がある。音響エネルギーが充分であ
れば、音響波長とほぼ同じ直径のインク小滴が噴射され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】音響インクプリンタ
は、音響エネルギーの焦点領域と無境界表面の間の間隔
に敏感である。音響焦点面は通常固定しているので、無
境界表面を適切かつ正確に配置することが重要である。
実際、現在の慣例では、音響焦点領域を無境界表面から
約１波長分、一般に約１０マイクロメータの範囲内に置
く必要があるので、この位置を非常に正確に制御しなけ
ればならない。様々な液体レベル制御構造および技法が
試行されてきたが、どれにもそれぞれの問題がある。
は、音響エネルギーの焦点領域と無境界表面の間の間隔
に敏感である。音響焦点面は通常固定しているので、無
境界表面を適切かつ正確に配置することが重要である。
実際、現在の慣例では、音響焦点領域を無境界表面から
約１波長分、一般に約１０マイクロメータの範囲内に置
く必要があるので、この位置を非常に正確に制御しなけ
ればならない。様々な液体レベル制御構造および技法が
試行されてきたが、どれにもそれぞれの問題がある。
【０００５】液体の無境界表面の位置を正確に制御し、
低価格で生産でき、液滴を記録媒体に噴射することがで
き、かつ印字ヘッドの他の部分に容易に取り付けられる
液体レベル制御構造があれば、有益である。
低価格で生産でき、液滴を記録媒体に噴射することがで
き、かつ印字ヘッドの他の部分に容易に取り付けられる
液体レベル制御構造があれば、有益である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、マーキング流
体、望ましくはインクを保持する溝穴（スロット）形チ
ャネルを有する基板から成る液体レベル制御構造を提供
する。このチャネルは、より狭い頂部オリフィスとより
広い底部オリフィスとを形成する、内向きに傾斜した壁
を有する。頂部オリフィスと傾斜壁は、くさび形突起を
構成する。突起は、流体の表面張力によりマーキング流
体の無境界表面の位置を制御するための枠組を提供す
る。
体、望ましくはインクを保持する溝穴（スロット）形チ
ャネルを有する基板から成る液体レベル制御構造を提供
する。このチャネルは、より狭い頂部オリフィスとより
広い底部オリフィスとを形成する、内向きに傾斜した壁
を有する。頂部オリフィスと傾斜壁は、くさび形突起を
構成する。突起は、流体の表面張力によりマーキング流
体の無境界表面の位置を制御するための枠組を提供す
る。
【０００７】この液体レベル制御構造は、半導体製造技
術を利用して、シリコン＜１００＞ウェハから生産する
ことができるので都合がよい。ウェハの頂面および底面
の上に、エッチング停止層、望ましくは窒化シリコンを
蒸着する。次に各エッチング停止層の上にホトレジスト
層を蒸着する。底部オリフィスを配置する位置で、ホト
リソグラフィーによってホトレジスト層に溝穴を形成
し、エッチング停止層の一部分を露出させる。次に、露
出したエッチング停止層を、適切なエッチング液を用い
て除去し、ウェハの一部分を露出させる。次に、残った
ホトレジストを溶解する。次に、露出部でウェハを抜け
て頂面のエッチング停止層に達するまで異方性エッチン
グを行い（ＫＯＨなどのエッチング液を使用）、そうす
ることによって突起を形成する。次に、完成した液体レ
ベル制御構造をホスト基板にボンディングする準備を行
うことができる。ボンディングは、アノードボンディン
グまたは薄エポキシボンディングなど、ボンドの厚さを
制御できるボンディング技術を用いることが望ましい。
本発明の他の側面は、図面に示す実施例に基づく以下の
説明から明らかになるであろう。
術を利用して、シリコン＜１００＞ウェハから生産する
ことができるので都合がよい。ウェハの頂面および底面
の上に、エッチング停止層、望ましくは窒化シリコンを
蒸着する。次に各エッチング停止層の上にホトレジスト
層を蒸着する。底部オリフィスを配置する位置で、ホト
リソグラフィーによってホトレジスト層に溝穴を形成
し、エッチング停止層の一部分を露出させる。次に、露
出したエッチング停止層を、適切なエッチング液を用い
て除去し、ウェハの一部分を露出させる。次に、残った
ホトレジストを溶解する。次に、露出部でウェハを抜け
て頂面のエッチング停止層に達するまで異方性エッチン
グを行い（ＫＯＨなどのエッチング液を使用）、そうす
ることによって突起を形成する。次に、完成した液体レ
ベル制御構造をホスト基板にボンディングする準備を行
うことができる。ボンディングは、アノードボンディン
グまたは薄エポキシボンディングなど、ボンドの厚さを
制御できるボンディング技術を用いることが望ましい。
本発明の他の側面は、図面に示す実施例に基づく以下の
説明から明らかになるであろう。
【０００８】
【実施例】まず、図１について説明する。これは、本発
明の原理による音響液滴イジェクタ２を示す。液滴を噴
射するために、電気エネルギーが電極６を介してトラン
スデューサ４に入力される（後で説明する矩形のチャネ
ルの軸に沿って配置されたトランスデューサの配列の中
の１つだけが図示されている）。それに応答して、トラ
ンスデューサ４は音響エネルギーを生成する。このエネ
ルギーは、対応する音響レンズ１２を照射するまで本体
を通過する（後で説明する矩形のチャネルの軸に沿って
一直線に配置された、実質的に同一の音響レンズの配列
の中の１つだけが図示されている）。レンズは、本体１
０の平坦な頂面１４上に作成され、その配置および寸法
は、１つのトランスデューサだけから顕著に音響エネル
ギーを受け取るように決定されている。各音響レンズ１
２は、それを照射する音響エネルギーを、頂面１４より
上に所定の距離だけ離れた位置にある音響焦点面の小面
積に集束する。
明の原理による音響液滴イジェクタ２を示す。液滴を噴
射するために、電気エネルギーが電極６を介してトラン
スデューサ４に入力される（後で説明する矩形のチャネ
ルの軸に沿って配置されたトランスデューサの配列の中
の１つだけが図示されている）。それに応答して、トラ
ンスデューサ４は音響エネルギーを生成する。このエネ
ルギーは、対応する音響レンズ１２を照射するまで本体
を通過する（後で説明する矩形のチャネルの軸に沿って
一直線に配置された、実質的に同一の音響レンズの配列
の中の１つだけが図示されている）。レンズは、本体１
０の平坦な頂面１４上に作成され、その配置および寸法
は、１つのトランスデューサだけから顕著に音響エネル
ギーを受け取るように決定されている。各音響レンズ１
２は、それを照射する音響エネルギーを、頂面１４より
上に所定の距離だけ離れた位置にある音響焦点面の小面
積に集束する。
【０００９】さらに図１について説明する。音響液滴イ
ジェクタ２はさらに液体レベル制御構造１６を含み、そ
の底面１８は本体１０の頂面１４に接合されている。多
くのボンディング技術を使用することができるが、アノ
ードボンディングや薄エポキシボンディングなどのよう
に、ボンドの厚さを正確に制御できる方法が望ましいこ
とは明白である。液体レベル制御構造は、先に述べた矩
形チャネル２０を含む。これは、音響レンズ配列および
トランスデューサ配列に整合する軸を有する。チャネル
２０は、１）液体レベル制御構造内を底面１８から頂面
２４まで伸長する、内向きに傾斜した壁２２、および
２）前壁と後壁２６（図１の断面図には後壁しか図示さ
れていない）によって構成される。傾斜壁２２と頂面２
４は突起２８を構成し、一方、前壁と後壁２６は、液体
レベル制御構造における突起を一定の空間関係に維持す
る部分によって構成される。
ジェクタ２はさらに液体レベル制御構造１６を含み、そ
の底面１８は本体１０の頂面１４に接合されている。多
くのボンディング技術を使用することができるが、アノ
ードボンディングや薄エポキシボンディングなどのよう
に、ボンドの厚さを正確に制御できる方法が望ましいこ
とは明白である。液体レベル制御構造は、先に述べた矩
形チャネル２０を含む。これは、音響レンズ配列および
トランスデューサ配列に整合する軸を有する。チャネル
２０は、１）液体レベル制御構造内を底面１８から頂面
２４まで伸長する、内向きに傾斜した壁２２、および
２）前壁と後壁２６（図１の断面図には後壁しか図示さ
れていない）によって構成される。傾斜壁２２と頂面２
４は突起２８を構成し、一方、前壁と後壁２６は、液体
レベル制御構造における突起を一定の空間関係に維持す
る部分によって構成される。
【００１０】さらに図１について説明を続ける。チャネ
ル２０は、液滴が噴射されるとマーキング流体が補充さ
れるように圧力手段３２によって加圧されたマーキング
流体を保持する開放流体容器を形成する。マーキング流
体３０は無境界流体表面（外部環境に開かれた自由表
面）を有し、その位置は突起２８によって制御され、ま
た、ある程度圧力手段によって制御される。突起は、無
境界流体表面の位置を固定するように、マーキング流体
３０の表面張力と相互作用する基準枠組を提供する。こ
のように、突起を正確に位置決めすることによって、音
響焦点面に対する無境界流体表面の位置を制御すること
ができる。音響焦点面に対する突起の位置は、液体レベ
ル制御構造の厚さおよびボンディング材の厚さによって
制御される。これらの寸法を制御することによって、無
境界流体表面は音響焦点平面の近くに配置される。無境
界流体表面の位置を制御するのは、マーキング流体の表
面張力と突起の相互作用であるので、突起間の間隔は、
表面張力が効果的に無境界流体表面の位置を制御するの
に充分な程度に小さくなければならないが、あまり小さ
すぎて突起が液滴の噴射を妨害するようではいけない。
直径が１０マイクロメートルの液滴で、約１００マイク
ロメートルの間隔が操作性が良い。他の技術を利用する
こともできると考えられるが、液体レベル制御構造１６
は半導体製造技術を用いて作成すると都合がよい。これ
は、考案のトランスデューサを大量（１個の印字ヘッド
につき約１０，０００個）に使用する場合に重要であ
る。
ル２０は、液滴が噴射されるとマーキング流体が補充さ
れるように圧力手段３２によって加圧されたマーキング
流体を保持する開放流体容器を形成する。マーキング流
体３０は無境界流体表面（外部環境に開かれた自由表
面）を有し、その位置は突起２８によって制御され、ま
た、ある程度圧力手段によって制御される。突起は、無
境界流体表面の位置を固定するように、マーキング流体
３０の表面張力と相互作用する基準枠組を提供する。こ
のように、突起を正確に位置決めすることによって、音
響焦点面に対する無境界流体表面の位置を制御すること
ができる。音響焦点面に対する突起の位置は、液体レベ
ル制御構造の厚さおよびボンディング材の厚さによって
制御される。これらの寸法を制御することによって、無
境界流体表面は音響焦点平面の近くに配置される。無境
界流体表面の位置を制御するのは、マーキング流体の表
面張力と突起の相互作用であるので、突起間の間隔は、
表面張力が効果的に無境界流体表面の位置を制御するの
に充分な程度に小さくなければならないが、あまり小さ
すぎて突起が液滴の噴射を妨害するようではいけない。
直径が１０マイクロメートルの液滴で、約１００マイク
ロメートルの間隔が操作性が良い。他の技術を利用する
こともできると考えられるが、液体レベル制御構造１６
は半導体製造技術を用いて作成すると都合がよい。これ
は、考案のトランスデューサを大量（１個の印字ヘッド
につき約１０，０００個）に使用する場合に重要であ
る。
【００１１】液体レベル制御構造１６を製造するための
適切な方法１００を図２に示し、さらに図３ないし図１
１を補助として示す。この方法は段階１０１から始ま
り、シリコン＜１００＞ウェハ４８の調達に進む（段階
１０２および図３）。次に、エッチング抵抗薄膜層５
０、つまりその後のエッチングを阻止する保護被膜を、
ウェハの頂面および底面の上に形成する（段階１０４お
よび図４）。エッチング抵抗層は窒化シリコンとするこ
とが望ましいが、ホウ素を大量にドーピングしたシリコ
ンなど、他の薄膜層を使用することもできる。
適切な方法１００を図２に示し、さらに図３ないし図１
１を補助として示す。この方法は段階１０１から始ま
り、シリコン＜１００＞ウェハ４８の調達に進む（段階
１０２および図３）。次に、エッチング抵抗薄膜層５
０、つまりその後のエッチングを阻止する保護被膜を、
ウェハの頂面および底面の上に形成する（段階１０４お
よび図４）。エッチング抵抗層は窒化シリコンとするこ
とが望ましいが、ホウ素を大量にドーピングしたシリコ
ンなど、他の薄膜層を使用することもできる。
【００１２】段階１０４の後、薄膜層５０の上にホトレ
ジスト層５２を蒸着する（段階１０６および図５）。次
に、標準的ホトリソグラフィー技術を用いて、底部ホト
レジスト層５２の所望のチャネル位置に、正確に寸法を
決定した矩形の溝穴５４を形成する（段階１０８および
図６）（図６以降では溝穴は断面で示す）。溝穴５４は
下部チャネル開口部を規定し、エッチング抵抗薄膜層５
０の１領域５６を化学作用に暴露させる。暴露した薄膜
層領域を、次に、適切なエッチング液を用いて除去し、
ウェハ４８の一部分５８を露出させる（段階１１０およ
び図７）。次の、その後の加工段階の汚染を防止するた
めに、残りのホトレジストを除去する（段階１１２およ
び図８）。
ジスト層５２を蒸着する（段階１０６および図５）。次
に、標準的ホトリソグラフィー技術を用いて、底部ホト
レジスト層５２の所望のチャネル位置に、正確に寸法を
決定した矩形の溝穴５４を形成する（段階１０８および
図６）（図６以降では溝穴は断面で示す）。溝穴５４は
下部チャネル開口部を規定し、エッチング抵抗薄膜層５
０の１領域５６を化学作用に暴露させる。暴露した薄膜
層領域を、次に、適切なエッチング液を用いて除去し、
ウェハ４８の一部分５８を露出させる（段階１１０およ
び図７）。次の、その後の加工段階の汚染を防止するた
めに、残りのホトレジストを除去する（段階１１２およ
び図８）。
【００１３】一部分５８を露出したウェハ４８を次に、
露出部から異方性エッチング加工する（水酸化カリウム
などの適切なエッチング液を用いる）（段階１１４およ
び図９）。異方性エッチングは、結果的にチャネルの底
部が頂部より広くなるように結晶面に沿って内向きの傾
斜角度で進められ、こうして突起２８（図１０参照）お
よび側壁２２が形成される。次に、エッチング抵抗薄膜
層５０をウェハ４８から除去し（段階１１６および図１
０）、厚さを制御できるアノードボンディングやエポキ
シボンディングなどのボンディング技術を用いて、液体
レベル制御構造を本体１０にボンディングする（段階１
１８）。次に、プロセスは段階１２０で終了し、図１に
示す音響液的イジェクタ２が形成される。
露出部から異方性エッチング加工する（水酸化カリウム
などの適切なエッチング液を用いる）（段階１１４およ
び図９）。異方性エッチングは、結果的にチャネルの底
部が頂部より広くなるように結晶面に沿って内向きの傾
斜角度で進められ、こうして突起２８（図１０参照）お
よび側壁２２が形成される。次に、エッチング抵抗薄膜
層５０をウェハ４８から除去し（段階１１６および図１
０）、厚さを制御できるアノードボンディングやエポキ
シボンディングなどのボンディング技術を用いて、液体
レベル制御構造を本体１０にボンディングする（段階１
１８）。次に、プロセスは段階１２０で終了し、図１に
示す音響液的イジェクタ２が形成される。
【００１４】代替実施例の液体レベル制御機構６０を図
１１に示す。この実施例は、図１に示す液体レベル制御
機構１６と同様に使用される。この実施例を作成するプ
ロセスは、図２の段階１０１から段階１１４までの手順
に従う（図３ないし図９に対応する）。ただし、段階１
１６および図１０でエッチング抵抗薄膜層を除去する代
わりに、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などの適切
な方法により、エッチング抵抗薄膜層の最上部に穴６２
を形成する。結果的に得られるリップ６４は、流体の表
面張力と相互作用するための枠組を形成する。こうし
て、リップ（突起の代わり）間の間隔が液滴の噴射を阻
害することなく、マーキング流体の表面張力と積極的に
相互作用するように、リップ間隔を制御する必要があ
る。エッチング抵抗薄膜層５０が実に薄く、さらに／あ
るいは寸法が安定しているならば、底部のエッチング抵
抗薄膜層はそのまま残すことができる。そうでなけれ
ば、リップ６４が傷付かないように慎重に除去すべきで
ある。
１１に示す。この実施例は、図１に示す液体レベル制御
機構１６と同様に使用される。この実施例を作成するプ
ロセスは、図２の段階１０１から段階１１４までの手順
に従う（図３ないし図９に対応する）。ただし、段階１
１６および図１０でエッチング抵抗薄膜層を除去する代
わりに、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などの適切
な方法により、エッチング抵抗薄膜層の最上部に穴６２
を形成する。結果的に得られるリップ６４は、流体の表
面張力と相互作用するための枠組を形成する。こうし
て、リップ（突起の代わり）間の間隔が液滴の噴射を阻
害することなく、マーキング流体の表面張力と積極的に
相互作用するように、リップ間隔を制御する必要があ
る。エッチング抵抗薄膜層５０が実に薄く、さらに／あ
るいは寸法が安定しているならば、底部のエッチング抵
抗薄膜層はそのまま残すことができる。そうでなけれ
ば、リップ６４が傷付かないように慎重に除去すべきで
ある。
【００１５】以上の説明から、本発明の原則の様々な変
化例や変形例が当業者には明らかであろう。したがっ
て、本発明の範囲は請求項によって定義されるものとす
る。
化例や変形例が当業者には明らかであろう。したがっ
て、本発明の範囲は請求項によって定義されるものとす
る。
【図１】本発明の原理による音響液滴イジェクタの非縮
尺断面図である。
尺断面図である。
【図２】図１の液体レベル制御構造を製造する段階の流
れ図である。
れ図である。
【図３】図２の流れ図に従って加工されるシリコン＜１
００＞ウェハの小部分の立面図である。
００＞ウェハの小部分の立面図である。
【図４】図３のウェハの頂面および底面にエッチング停
止層を蒸着した状態を示す。
止層を蒸着した状態を示す。
【図５】図４のウェハのエッチング停止層の上にホトレ
ジスト層を蒸着した状態を示す。
ジスト層を蒸着した状態を示す。
【図６】図５のウェハの底部ホトレジスト層に溝穴が形
成された状態を示す。
成された状態を示す。
【図７】図６のウェハの露出したエッチング停止層を除
去して、ウェハの一部分を露出させた状態を示す。
去して、ウェハの一部分を露出させた状態を示す。
【図８】図７のウェハのホトレジスト層を除去した後の
状態を示す。
状態を示す。
【図９】図８のウェハに異方性エッチングを行った後の
状態を示す。
状態を示す。
【図１０】図９のウェハにボンディングの準備を行った
後の状態を示す。
後の状態を示す。
【図１１】図９のウェハの代替法によるボンディングの
準備を行った後の状態を示す。
準備を行った後の状態を示す。
２ 音響液滴イジェクタ ４ トランスデューサ ６ 電極 １０ 本体 １２ 音響レンズ １６ 液体レベル制御構造 ２０ チャネル ２２ 内向き傾斜壁 ３０ マーキング流体 ３２ 圧力手段 ４８ ウェハ ５０ エッチング抵抗層 ５２ ホトレジスト層 ５４ 溝穴
Claims (5)
- 【請求項１】 対置する頂面と底面、および異方性エ
ッチングされ内向きに傾斜する側壁であって前記頂面に
突起を形成する側壁によって構成される長形状のチャネ
ルを有するウェハ、から成る液体レベル制御構造。 - 【請求項２】 前記頂面上にさらに薄膜層を有し、前
記薄膜層が前記突起上に伸長してリップを構成するよう
にした、請求項１記載の液体レベル制御構造。 - 【請求項３】結晶面および対置する頂面と底面を有する
半導体ウェハを調達する段階と、 前記半導体ウェハを前記底面から前記頂面まで異方性エ
ッチングして、内向きに傾斜した側壁を有するチャネル
を形成する段階と、から成る、液体レベル制御構造を製
造する方法。 - 【請求項４】 前記異方性エッチング段階が、 前記底面にエッチング抵抗層を蒸着する段階と、 前記底面の一部分を化学作用に暴露させる段階と、 前記底面の前記暴露部を内向きに傾斜した結晶面に沿っ
て異方性エッチングする段階と、から成ることを特徴と
する、請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 マーキング流体の自由表面から液滴を
噴射するために集束した音響エネルギーを使用する液滴
イジェクタであって、 頂面を有する基板および音響エネルギーを本体より上の
音響焦点面に集束させる音響レンズから成る本体と、 前記音響レンズを音響的に照射するトランスデューサ
と、 対置する頂面と底面を有するウェハ、および前記ウェハ
の前記頂面に突起を形成する内向きに傾斜した壁を有す
るチャネルから成る液体レベル制御構造であって、前記
チャネルが前記音響レンズと整列するように、かつ前記
チャネルおよび前記本体の前記頂面がマーキング流体を
該マーキング流体に無境界表面ができるように保持する
容器を構成するように、前記液体制御構造の前記底面を
前記本体の前記頂面にボンディングし、前記突起が前記
マーキング流体の表面張力と相互作用して前記マーキン
グ流体の無境界表面の位置を前記音響焦点面の近くに安
定させるように、前記液体レベル制御構造の大きさを決
定した、液体レベル制御構造と、から成るイジェクタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/927,103 US5354419A (en) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | Anisotropically etched liquid level control structure |
| US927103 | 1992-08-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06106722A true JPH06106722A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=25454181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5140349A Pending JPH06106722A (ja) | 1992-08-07 | 1993-06-11 | 液体レベル制御構造及びその製造方法並びに液滴イジェクタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5354419A (ja) |
| JP (1) | JPH06106722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001179987A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-03 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ノズルプレート及びその製造方法 |
| US6594898B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing an ink jet printer head |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565113A (en) * | 1994-05-18 | 1996-10-15 | Xerox Corporation | Lithographically defined ejection units |
| JP2939504B2 (ja) * | 1995-12-28 | 1999-08-25 | 富士ゼロックス株式会社 | インクジェット記録装置およびインクジェット記録方法 |
| JP3713921B2 (ja) | 1996-10-24 | 2005-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
| US6364454B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-04-02 | Xerox Corporation | Acoustic ink printing method and system for improving uniformity by manipulating nonlinear characteristics in the system |
| US6302524B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-10-16 | Xerox Corporation | Liquid level control in an acoustic droplet emitter |
| US6293143B1 (en) | 2000-03-23 | 2001-09-25 | Lexmark International, Inc. | Ink level sensing device and method therefor |
| US6561479B1 (en) * | 2000-08-23 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Small scale actuators and methods for their formation and use |
| US20090301550A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-12-10 | Sunprint Inc. | Focused acoustic printing of patterned photovoltaic materials |
| US20100184244A1 (en) * | 2009-01-20 | 2010-07-22 | SunPrint, Inc. | Systems and methods for depositing patterned materials for solar panel production |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4106976A (en) * | 1976-03-08 | 1978-08-15 | International Business Machines Corporation | Ink jet nozzle method of manufacture |
| US4308547A (en) * | 1978-04-13 | 1981-12-29 | Recognition Equipment Incorporated | Liquid drop emitter |
| US4751534A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-14 | Xerox Corporation | Planarized printheads for acoustic printing |
| US4751530A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-14 | Xerox Corporation | Acoustic lens arrays for ink printing |
| US5028937A (en) * | 1989-05-30 | 1991-07-02 | Xerox Corporation | Perforated membranes for liquid contronlin acoustic ink printing |
| US5041849A (en) * | 1989-12-26 | 1991-08-20 | Xerox Corporation | Multi-discrete-phase Fresnel acoustic lenses and their application to acoustic ink printing |
| US5392064A (en) * | 1991-12-19 | 1995-02-21 | Xerox Corporation | Liquid level control structure |
-
1992
- 1992-08-07 US US07/927,103 patent/US5354419A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-06-11 JP JP5140349A patent/JPH06106722A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001179987A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-03 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ノズルプレート及びその製造方法 |
| US6594898B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing an ink jet printer head |
| US6874871B2 (en) | 1999-12-22 | 2005-04-05 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Integratedly molded ink jet printer head manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5354419A (en) | 1994-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |