JPH0610930B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0610930B2 JPH0610930B2 JP60093425A JP9342585A JPH0610930B2 JP H0610930 B2 JPH0610930 B2 JP H0610930B2 JP 60093425 A JP60093425 A JP 60093425A JP 9342585 A JP9342585 A JP 9342585A JP H0610930 B2 JPH0610930 B2 JP H0610930B2
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- dielectric
- dielectric ceramic
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 4
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は，共振周波数が10数ＧHzの誘電体共振器用の
誘電体磁器組成物に関する。
誘電体磁器組成物に関する。
共振周波数が10数ＧHzの誘電体共振器用の無負荷のＱの
優れたものは，約10000である。この従来の誘電体共振
器の誘電体には，Ｂａ・〔Ｚｎ1/3Ｔａ2/3〕2/3・〔Ｚ
ｎ1/3Ｎｂ2/3〕1/3・Ｏ３の組成式で表される誘電体磁
器組成物が使用されていた。
優れたものは，約10000である。この従来の誘電体共振
器の誘電体には，Ｂａ・〔Ｚｎ1/3Ｔａ2/3〕2/3・〔Ｚ
ｎ1/3Ｎｂ2/3〕1/3・Ｏ３の組成式で表される誘電体磁
器組成物が使用されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 前述した従来の誘電体磁器組成物は，高価であった。こ
の理由は製造過程における焼成温度が約1600℃と高いた
め，焼成炉の設備コストやその補修コスト及び熱エネル
ギーのコスト等がかさみ，これらによって製造原価が高
くなるからである。従って，より低い温度で焼成するこ
とができる誘電体磁器組成物が要望されている。
の理由は製造過程における焼成温度が約1600℃と高いた
め，焼成炉の設備コストやその補修コスト及び熱エネル
ギーのコスト等がかさみ，これらによって製造原価が高
くなるからである。従って，より低い温度で焼成するこ
とができる誘電体磁器組成物が要望されている。
この発明は，上記要望に基づいて創案されたもので，従
来のものに比べてより低い温度で焼成可能であり、なお
且つ１００００以上の無負荷のＱが得られる誘電体磁器
組成物を提供するものである。
来のものに比べてより低い温度で焼成可能であり、なお
且つ１００００以上の無負荷のＱが得られる誘電体磁器
組成物を提供するものである。
上記目的を達成するこの発明の誘電体磁器組成物は，Ｂ
ａ・〔Ｍｇ（ｘ）ＣＯ（1-x）〕1/3・Ｎｂ2/3・Ｏ３で
表わされる組成式のｘが0.25〜0.95までの範囲である複
合ペロブスカイトからなるものである。
ａ・〔Ｍｇ（ｘ）ＣＯ（1-x）〕1/3・Ｎｂ2/3・Ｏ３で
表わされる組成式のｘが0.25〜0.95までの範囲である複
合ペロブスカイトからなるものである。
次ぎに，組成式のｘが0.6であるＢａ・（Ｍｇ
0.6Ｃ0.4）1/3Ｎｂ2/3・Ｏ３なる磁器組成物の製造方法
を説明する。
0.6Ｃ0.4）1/3Ｎｂ2/3・Ｏ３なる磁器組成物の製造方法
を説明する。
まず，ＢａＣＯ３の粉末98.67ｇ，ＭｇＯの粉末4.03
ｇ，ＣｏＯの粉末の5.00ｇ，Ｎｂ２Ｏ３の粉末44.26ｇ
をそれぞれ秤量した。この秤量粉末を純水と共にボール
ミルに入れ，24時間湿式混合した。
ｇ，ＣｏＯの粉末の5.00ｇ，Ｎｂ２Ｏ３の粉末44.26ｇ
をそれぞれ秤量した。この秤量粉末を純水と共にボール
ミルに入れ，24時間湿式混合した。
こうして得られた混合物を脱水して，150℃の温度で５
時間乾燥した後，1100℃の温度にて２時間の仮焼を行っ
た。次ぎに仮焼物をボールミルで粉砕した。この粉砕物
にポリビニルアルコールを3.0ｇ加えて擂潰器で混合
し，60メッシュのふるいにかけて造粒した。これらの造
粒物のうち0.66ｇを金型に入れ，３ton／cm2の圧力をか
けた。この加圧成型を繰り返すことによって，直径7.0m
mφ，厚さ3.5mmの円板を20個製作した。続いてこれらの
円板を1400℃の温度で４時間焼成し，直径約0.6mm，厚
さ約3.1mmの誘電体磁器円板を得た。
時間乾燥した後，1100℃の温度にて２時間の仮焼を行っ
た。次ぎに仮焼物をボールミルで粉砕した。この粉砕物
にポリビニルアルコールを3.0ｇ加えて擂潰器で混合
し，60メッシュのふるいにかけて造粒した。これらの造
粒物のうち0.66ｇを金型に入れ，３ton／cm2の圧力をか
けた。この加圧成型を繰り返すことによって，直径7.0m
mφ，厚さ3.5mmの円板を20個製作した。続いてこれらの
円板を1400℃の温度で４時間焼成し，直径約0.6mm，厚
さ約3.1mmの誘電体磁器円板を得た。
これら誘電体磁器円板の両面をラップ研磨し，厚さｔを
3.00mmにして試料３とした。
3.00mmにして試料３とした。
次に，上記試料３を誘電体とした誘電体共振器の25℃の
温度における比誘電率εと無負荷のＱを測定した試験方
法とその結果について説明する。
温度における比誘電率εと無負荷のＱを測定した試験方
法とその結果について説明する。
まず，予め前述の試料３の直径Ｄをマイクロメータで測
定した後，横河ヒューレットパッカード社製の8620Ａス
イープオシレータ，8410Ａネットワークアナライザ，87
43Ａテストユニット及びコンピュータからなる測定シス
テムを用い，比誘電率εと無負荷のＱを測定した。
定した後，横河ヒューレットパッカード社製の8620Ａス
イープオシレータ，8410Ａネットワークアナライザ，87
43Ａテストユニット及びコンピュータからなる測定シス
テムを用い，比誘電率εと無負荷のＱを測定した。
上記テストユニットには，誘電体共振器の電極用金属端
板（直径24mm，厚さ３mm）２枚が含まれており，まずこ
れら金属端板で上記試料３が挟まれ，誘電体共振器が構
成とされる。次にこの共振器の共振周波数ｆ０と共振時
の挿入損dBが測定される。そしてこの共振時の挿入損dB
の測定値と，予め実測された試料３の上記直径Ｄ，厚さ
ｔがコンピュータに入力されることによって，供試用誘
電体共振器の比誘電率εと無負荷のＱがそれぞれ演算さ
れ，その結果が打ち出される。
板（直径24mm，厚さ３mm）２枚が含まれており，まずこ
れら金属端板で上記試料３が挟まれ，誘電体共振器が構
成とされる。次にこの共振器の共振周波数ｆ０と共振時
の挿入損dBが測定される。そしてこの共振時の挿入損dB
の測定値と，予め実測された試料３の上記直径Ｄ，厚さ
ｔがコンピュータに入力されることによって，供試用誘
電体共振器の比誘電率εと無負荷のＱがそれぞれ演算さ
れ，その結果が打ち出される。
上記測定システムにおいて求められる比誘電率εは，コ
ンピュータのプログラムに従って，πＤ，共振波長λ０
＝Ｃ／ｆ０，伝搬波長λｇ＝２ｔ，第２種ベッセル関数
Ｖ２＝（πＤ／λ０）〔（λ０／λｇ）２−１〕，第１
種ベッセル関数ｕ２が測定または計算され、これらの値
からε＝（λ０／πＤ）２（ｕ２＋ｖ２）＋１なる演算
式で求められる。また，無負荷のＱは，やはりコンピュ
ータプログラムに従い，負荷ＱＬ＝ｆ０／ｆ２−ｆ
１（電力半値幅），ａｔ＝10-ILo/20が求められ，これ
らの値からＱ＝ＱＬ／１−ａｔなる演算式で求められ
る。
ンピュータのプログラムに従って，πＤ，共振波長λ０
＝Ｃ／ｆ０，伝搬波長λｇ＝２ｔ，第２種ベッセル関数
Ｖ２＝（πＤ／λ０）〔（λ０／λｇ）２−１〕，第１
種ベッセル関数ｕ２が測定または計算され、これらの値
からε＝（λ０／πＤ）２（ｕ２＋ｖ２）＋１なる演算
式で求められる。また，無負荷のＱは，やはりコンピュ
ータプログラムに従い，負荷ＱＬ＝ｆ０／ｆ２−ｆ
１（電力半値幅），ａｔ＝10-ILo/20が求められ，これ
らの値からＱ＝ＱＬ／１−ａｔなる演算式で求められ
る。
前述のようにして求められた20個の試料の比誘電率εの
平均値は32.7，最大値は33.0，最小値は32.3であった。
また，試料20個の無負荷のＱの平均値は11000，最大値
は12500，最小値は10800であった。これら平均値を，上
記組成式のｘの値，焼成温度FTと共に下表の試料番号３
の欄に示した。
平均値は32.7，最大値は33.0，最小値は32.3であった。
また，試料20個の無負荷のＱの平均値は11000，最大値
は12500，最小値は10800であった。これら平均値を，上
記組成式のｘの値，焼成温度FTと共に下表の試料番号３
の欄に示した。
さらに，Ｂａ・〔Ｍｇ（ｘ）Ｃｏ(1-x)〕1/3・Ｎｂ2/3
・Ｏ３で表わされる組成式のｘの値が0.25（試料１），
0.40（試料２），0.80（試料４），0.95（試料５）の誘
電体磁器組成物についても，それぞれの組成に応じて焼
成温度FT（1370〜1450℃）が多少異なった他は，前述し
た試料３と同様の方法で供試用誘電体共振器を作り，上
記と同様の方法でこれら共振器の各特性を求めた。それ
ぞれの特性の平均値及び上記焼成温度FTを下表の該当欄
に示した。
・Ｏ３で表わされる組成式のｘの値が0.25（試料１），
0.40（試料２），0.80（試料４），0.95（試料５）の誘
電体磁器組成物についても，それぞれの組成に応じて焼
成温度FT（1370〜1450℃）が多少異なった他は，前述し
た試料３と同様の方法で供試用誘電体共振器を作り，上
記と同様の方法でこれら共振器の各特性を求めた。それ
ぞれの特性の平均値及び上記焼成温度FTを下表の該当欄
に示した。
上記の結果から明らかなように，Ｂａ・〔Ｍｇ（ｘ）Ｃ
Ｏ（1-x）〕1/3・Ｎｂ2/3・Ｏ３で表わされる組成式に
おいて，ｘが0.25〜0.95の範囲にある誘電体磁器組成物
は，焼成温度FTが1370〜1450℃であった。さらに，これ
らの誘電体磁器組成物を使用した誘電体共振器の比誘電
率εは，31.8〜34.1であり，無負荷のＱは，10300〜115
00であった。
Ｏ（1-x）〕1/3・Ｎｂ2/3・Ｏ３で表わされる組成式に
おいて，ｘが0.25〜0.95の範囲にある誘電体磁器組成物
は，焼成温度FTが1370〜1450℃であった。さらに，これ
らの誘電体磁器組成物を使用した誘電体共振器の比誘電
率εは，31.8〜34.1であり，無負荷のＱは，10300〜115
00であった。
なお，前掲の測定システムで，上記誘電体共振器の−25
〜100℃の温度範囲における共振周波数の温度係数を求
めたところ，すべての試料が０±６ppm／℃の範囲にあ
った。
〜100℃の温度範囲における共振周波数の温度係数を求
めたところ，すべての試料が０±６ppm／℃の範囲にあ
った。
ＭｇＯとＣｏＯの成分は、これらが共に添加されている
ときに、高い無負荷のＱを得た上で、焼成温度を下げる
ことが可能であり、その含有比率は、モル比においてＭ
ｇＯ：ＣｏＯ＝ｘ：（１−ｘ）とした場合に、ｘ＝０．
２５〜０．９５とすることが必要である。すなわち、上
記の組成式においてｘが0.25未満の誘電体磁器組成物
は，誘電体共振器における無負荷のＱが10000未満とな
り，この発明の前提を満足し得ないため，この発明の範
囲外とした。また，ｘが0.95を越える誘電体磁器組成物
では，焼成温度FTが1450℃以下では、無負荷のＱが１０
０００以上のものが得られないことから，従来の誘電体
磁器組成物に対比し得る原価低減の効果が得られないた
め，この発明の範囲外とした。
ときに、高い無負荷のＱを得た上で、焼成温度を下げる
ことが可能であり、その含有比率は、モル比においてＭ
ｇＯ：ＣｏＯ＝ｘ：（１−ｘ）とした場合に、ｘ＝０．
２５〜０．９５とすることが必要である。すなわち、上
記の組成式においてｘが0.25未満の誘電体磁器組成物
は，誘電体共振器における無負荷のＱが10000未満とな
り，この発明の前提を満足し得ないため，この発明の範
囲外とした。また，ｘが0.95を越える誘電体磁器組成物
では，焼成温度FTが1450℃以下では、無負荷のＱが１０
０００以上のものが得られないことから，従来の誘電体
磁器組成物に対比し得る原価低減の効果が得られないた
め，この発明の範囲外とした。
以上説明した通り，この発明の誘電体磁器組成物は，従
来のものとほヾ同等の特性が得られた上で，製造過程の
焼成温度FTを1370〜1450℃と低くすることができるた
め，焼成炉等の設備面や，焼成のための熱エネルギ等の
点から，従来の誘電体磁器組成物に比較して安価な誘電
体磁器組成物が得られる。具体的には，焼結のため1600
℃以上の焼成温度FTを必要とする従来の誘電体磁器組成
物に比べて，約10％の原価低減が見込まれる。
来のものとほヾ同等の特性が得られた上で，製造過程の
焼成温度FTを1370〜1450℃と低くすることができるた
め，焼成炉等の設備面や，焼成のための熱エネルギ等の
点から，従来の誘電体磁器組成物に比較して安価な誘電
体磁器組成物が得られる。具体的には，焼結のため1600
℃以上の焼成温度FTを必要とする従来の誘電体磁器組成
物に比べて，約10％の原価低減が見込まれる。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｂａ・〔Ｍｇ（ｘ）ＣＯ（1-x）〕1/3・Ｎ
ｂ2/3・Ｏ３で表わされる組成式のｘが0.25から0.95ま
での範囲である誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60093425A JPH0610930B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60093425A JPH0610930B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253709A JPS61253709A (ja) | 1986-11-11 |
| JPH0610930B2 true JPH0610930B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=14081945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60093425A Expired - Lifetime JPH0610930B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610930B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948482A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ナフチリジン化合物 |
| JPS59228308A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-21 | 富士電気化学株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60093425A patent/JPH0610930B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61253709A (ja) | 1986-11-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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