JPH06110402A - 低消費電力のマトリクスディスプレイ駆動回路 - Google Patents
低消費電力のマトリクスディスプレイ駆動回路Info
- Publication number
- JPH06110402A JPH06110402A JP16500493A JP16500493A JPH06110402A JP H06110402 A JPH06110402 A JP H06110402A JP 16500493 A JP16500493 A JP 16500493A JP 16500493 A JP16500493 A JP 16500493A JP H06110402 A JPH06110402 A JP H06110402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixels
- memory
- row
- column
- bits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N monocrotophos Chemical compound CNC(=O)\C=C(/C)OP(=O)(OC)OC KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低消費電力のマトリクスディスプレイ駆動回
路を提供する。 【構成】 マトリックスディスプレイ(25)を駆動す
る駆動回路(10)は、メモリ(12)を含み、各クロ
ックパルスごとに画素情報の完全な1行をメモリからシ
フトさせて取り出す。したがって、クロックパルスおよ
び電力は実質的に低減される。駆動回路(30,32,
34)はさらに電力を削減するためにCMOS回路を用
い、メモリ、駆動回路およびイメージ生成器(25)は
単一の半導体チップ上に集積化される。
路を提供する。 【構成】 マトリックスディスプレイ(25)を駆動す
る駆動回路(10)は、メモリ(12)を含み、各クロ
ックパルスごとに画素情報の完全な1行をメモリからシ
フトさせて取り出す。したがって、クロックパルスおよ
び電力は実質的に低減される。駆動回路(30,32,
34)はさらに電力を削減するためにCMOS回路を用
い、メモリ、駆動回路およびイメージ生成器(25)は
単一の半導体チップ上に集積化される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマトリクスディスプレイ
駆動回路に関し、さらに詳細には要求電力の小さい駆動
回路に関する。
駆動回路に関し、さらに詳細には要求電力の小さい駆動
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】数多くの光放射素子又は画素を持つディ
スプレイを携帯機器の分野に用いるに当たっての主要な
問題は電力消費の問題である。この問題はディスプレイ
内の光放出素子だけではなく、駆動電気回路にかかわる
問題でもある。
スプレイを携帯機器の分野に用いるに当たっての主要な
問題は電力消費の問題である。この問題はディスプレイ
内の光放出素子だけではなく、駆動電気回路にかかわる
問題でもある。
【0003】典型的なマトリックスアドレス指定可能な
ディスプレイでは、データは直列に回路に入力されて、
光放出素子を駆動する回路にラッチされる。一般に行
(又は列)は数分の1の時間だけ発光し、ディスプレイ
は走査(スキャン)される。高い走査率(スキャンレー
ト)と数多くの画素が含まれているので、高いクロック
レートがデータをメモリから出し入れするために用いら
れる。高い走査レートおよび高いクロックレートが要求
されるため過度の能動電力を消費する。
ディスプレイでは、データは直列に回路に入力されて、
光放出素子を駆動する回路にラッチされる。一般に行
(又は列)は数分の1の時間だけ発光し、ディスプレイ
は走査(スキャン)される。高い走査率(スキャンレー
ト)と数多くの画素が含まれているので、高いクロック
レートがデータをメモリから出し入れするために用いら
れる。高い走査レートおよび高いクロックレートが要求
されるため過度の能動電力を消費する。
【0004】
【解決すべき課題】本発明の目的は、従来の同様なディ
スプレイよりも実質的に少ない電力で動作するマトリッ
クスディスプレイおよび駆動回路を提供することにあ
る。
スプレイよりも実質的に少ない電力で動作するマトリッ
クスディスプレイおよび駆動回路を提供することにあ
る。
【0005】さらに本発明の目的は実質的に少ない電力
で動作し、単一の支持基板に形成されるマトリックスデ
ィスプレイおよび駆動回路を提供することにある。
で動作し、単一の支持基板に形成されるマトリックスデ
ィスプレイおよび駆動回路を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】これらのおよびその他の
目的並びに特徴は、第1数の画素を持つ行と第2数の画
素を持つ列とを有するマトリックスディスプレイを駆動
する駆動回路によって実現され、前記駆動回路は第1数
のビット幅のメモリを有し、前記第1数のビットの数は
前記第1数の画素の数に等しく、列出力それ自身に接続
されたマトリックスディスプレイに前記第1数のビット
を並列に供給する列出力、および前記メモリに結合し
て、前記メモリに記憶されたデータのビットの完全な1
行を選択し、前記選択されたビットの完全な1行を前記
列出力回路に供給するためにメモリを動作させる行選択
および駆動回路を含む。
目的並びに特徴は、第1数の画素を持つ行と第2数の画
素を持つ列とを有するマトリックスディスプレイを駆動
する駆動回路によって実現され、前記駆動回路は第1数
のビット幅のメモリを有し、前記第1数のビットの数は
前記第1数の画素の数に等しく、列出力それ自身に接続
されたマトリックスディスプレイに前記第1数のビット
を並列に供給する列出力、および前記メモリに結合し
て、前記メモリに記憶されたデータのビットの完全な1
行を選択し、前記選択されたビットの完全な1行を前記
列出力回路に供給するためにメモリを動作させる行選択
および駆動回路を含む。
【0007】これらのおよびその他の目的および特徴
は、さらにイメージ生成器を含むマトリックスディスプ
レイによって実現され、該イメージ生成器は複数の画素
(29)を含むイメージ生成器であって、各画素は少な
くとも一つの光放出素子を持ち、前記画素は第1数の画
素を持つ行と第2数の画素を持つ列とに形成され、およ
び列入力の第1数は画素の前記第1数に等しく、第1数
のビット幅を持つメモリであって、前記第1数のビット
の数は前記第1数の画素の数に等しいメモリ、前記イメ
ージ生成器の列入力に結合し前記イメージ生成器に対し
て前記第1数のビットを並列に供給する列出力、前記メ
モリおよび列出力に結合して、前記メモリに記憶された
データのビットの完全な1行を選択し、前記選択された
ビットの完全な1行を前記列出力に供給する行選択およ
び駆動回路を含む。
は、さらにイメージ生成器を含むマトリックスディスプ
レイによって実現され、該イメージ生成器は複数の画素
(29)を含むイメージ生成器であって、各画素は少な
くとも一つの光放出素子を持ち、前記画素は第1数の画
素を持つ行と第2数の画素を持つ列とに形成され、およ
び列入力の第1数は画素の前記第1数に等しく、第1数
のビット幅を持つメモリであって、前記第1数のビット
の数は前記第1数の画素の数に等しいメモリ、前記イメ
ージ生成器の列入力に結合し前記イメージ生成器に対し
て前記第1数のビットを並列に供給する列出力、前記メ
モリおよび列出力に結合して、前記メモリに記憶された
データのビットの完全な1行を選択し、前記選択された
ビットの完全な1行を前記列出力に供給する行選択およ
び駆動回路を含む。
【0008】これらのおよびその他の目的および特徴
は、さらにマトリックスディスプレイを操作する方法に
よって実現され、該方法は複数の画素を含むイメージ生
成器であって、それぞれの画素は少なくとも1つの光放
出素子を含み、前記画素は第1数の画素を持つ行と第2
数の画素を持つ列とに形成されるところのイメージ生成
器を提供する段階、および画素の完全な1行を同時に付
勢する段階を含む。
は、さらにマトリックスディスプレイを操作する方法に
よって実現され、該方法は複数の画素を含むイメージ生
成器であって、それぞれの画素は少なくとも1つの光放
出素子を含み、前記画素は第1数の画素を持つ行と第2
数の画素を持つ列とに形成されるところのイメージ生成
器を提供する段階、および画素の完全な1行を同時に付
勢する段階を含む。
【0009】
【実施例】図1を参照すると、駆動回路10が簡略化さ
れたブロック図で示される。回路10はメモリ12、列
出力回路14、行選択回路16、行駆動回路18および
クロック20を含む。本実施例においては、回路10は
単一の半導体チップに形成され、この表面は一般に図2
の表面に対応する。メモリ12は市場に供給されている
すべての電気メモリであって、例えばROM、PRO
M、EPROM、EEPROM、RAM等が含まれる
が、これに限られるものではない。駆動回路10は特定
のイメージ生成器と一緒に動作するように設計されてい
て、非常に要求電力が低いために、このイメージ生成器
は携帯用通信機器等において有用である。
れたブロック図で示される。回路10はメモリ12、列
出力回路14、行選択回路16、行駆動回路18および
クロック20を含む。本実施例においては、回路10は
単一の半導体チップに形成され、この表面は一般に図2
の表面に対応する。メモリ12は市場に供給されている
すべての電気メモリであって、例えばROM、PRO
M、EPROM、EEPROM、RAM等が含まれる
が、これに限られるものではない。駆動回路10は特定
のイメージ生成器と一緒に動作するように設計されてい
て、非常に要求電力が低いために、このイメージ生成器
は携帯用通信機器等において有用である。
【0010】イメージ情報はメモリ12にデータ入力の
方法で供給され、アドレス入力に与えられるアドレスに
よって所定の場所に記憶される。ラッチ/列ドライバ1
4によって1つの完全な行が一度に表示されるように記
憶されたデータが供給される。一行中の各列のためのデ
ータの各ビットはメモリ12においてアクセスされ、ラ
ッチ回路へと転送される。現在のデータがラッチ回路に
ラッチされている間に、データは単純に標本化される。
実際にはメモリから除去されてメモリがリフレッシュさ
れるか、または新しいデータが導入される。次に、現在
のデータは列ドライバに供給されて1つの行中の各ピク
セルを同時に駆動する。同時に、シフトレジスタ16は
パルスがクロック20から受信されるごとに、データの
新しい行を順次選択する。新しく選択された画素の行は
行ドライバ18によって、ラッチ/列ドライバ14によ
って同じ画素に与えられるデータによってその画素が要
求される量の光を放出するように用いられる。
方法で供給され、アドレス入力に与えられるアドレスに
よって所定の場所に記憶される。ラッチ/列ドライバ1
4によって1つの完全な行が一度に表示されるように記
憶されたデータが供給される。一行中の各列のためのデ
ータの各ビットはメモリ12においてアクセスされ、ラ
ッチ回路へと転送される。現在のデータがラッチ回路に
ラッチされている間に、データは単純に標本化される。
実際にはメモリから除去されてメモリがリフレッシュさ
れるか、または新しいデータが導入される。次に、現在
のデータは列ドライバに供給されて1つの行中の各ピク
セルを同時に駆動する。同時に、シフトレジスタ16は
パルスがクロック20から受信されるごとに、データの
新しい行を順次選択する。新しく選択された画素の行は
行ドライバ18によって、ラッチ/列ドライバ14によ
って同じ画素に与えられるデータによってその画素が要
求される量の光を放出するように用いられる。
【0011】図2を参照すると、本発明に従って作られ
たマトリックスディスプレイ25のブロック図であっ
て、その一部分が省略されたものが図示されている。デ
ィスプレイ25はイメージ生成器27と複数の画素29
とを含み、各画素は少なくとも1つの光放出素子を持
ち、行および列のマトリックスに接続されている。本実
施例においては、各行は640画素、各列は480画素
を有し、これは本実施例においては完全な1ページ(イ
メージ)である。光放出素子は電界放出素子、放射性ポ
リマ素子、光放出ダイオード(LED)、又は類似のも
のを含む。イメージ生成器27に利用可能な一般的な電
界放出素子は、本出願と同じ出願人による係属中の出
願、1992年2月24日に出願された出願番号07/
839,717”Flat Panel Displa
y Using Field Emission De
vices”、1991年6月10日に出願された出願
番号07/712,821 ”Display for
Portable Electronic Devi
ces”により完全に開示されており、これらはここに
参照として含まれる。イメージ生成器27に利用可能な
放射性ポリマ素子は、本出願と同じ出願人によって同日
に出願された係属中の出願、”Integrated
Display Source With Emiss
ive Polymers”ににより完全に開示され、
これらはここに参照として含まれる。
たマトリックスディスプレイ25のブロック図であっ
て、その一部分が省略されたものが図示されている。デ
ィスプレイ25はイメージ生成器27と複数の画素29
とを含み、各画素は少なくとも1つの光放出素子を持
ち、行および列のマトリックスに接続されている。本実
施例においては、各行は640画素、各列は480画素
を有し、これは本実施例においては完全な1ページ(イ
メージ)である。光放出素子は電界放出素子、放射性ポ
リマ素子、光放出ダイオード(LED)、又は類似のも
のを含む。イメージ生成器27に利用可能な一般的な電
界放出素子は、本出願と同じ出願人による係属中の出
願、1992年2月24日に出願された出願番号07/
839,717”Flat Panel Displa
y Using Field Emission De
vices”、1991年6月10日に出願された出願
番号07/712,821 ”Display for
Portable Electronic Devi
ces”により完全に開示されており、これらはここに
参照として含まれる。イメージ生成器27に利用可能な
放射性ポリマ素子は、本出願と同じ出願人によって同日
に出願された係属中の出願、”Integrated
Display Source With Emiss
ive Polymers”ににより完全に開示され、
これらはここに参照として含まれる。
【0012】ディスプレイ25はさらに図1の駆動回路
10を含む。図2に示されているように、シフトレジス
タまたはデコーダ30はイメージ生成器27の行入力に
接続され、シフトレジスタまたはデコーダ32は複数の
ラッチおよび駆動回路34を介してイメージ生成器27
の列入力に接続されている。シフトレジスタまたはデコ
ーダ30は、例えば図1のシフトレジスタ16および行
ドライバ18とすることが可能である。シフトレジスタ
またはデコーダ32は、例えば図1のメモリ12とする
ことが可能である。電界放出素子を含む画素29を用い
た本仕様においては各電界放出素子のゲート引き出し電
極は行線に接続され、各電界放出素子のエミッタは列線
に接続されている。さらに、図示される完全な実施形態
においては、480行と640列で完全な1ページまた
はイメージでは合計307,200画素が存在する。本
実施例においては、イメージ生成器27は同じ半導体チ
ップ上に駆動回路10として形成され、これの表面は図
2に示されている。
10を含む。図2に示されているように、シフトレジス
タまたはデコーダ30はイメージ生成器27の行入力に
接続され、シフトレジスタまたはデコーダ32は複数の
ラッチおよび駆動回路34を介してイメージ生成器27
の列入力に接続されている。シフトレジスタまたはデコ
ーダ30は、例えば図1のシフトレジスタ16および行
ドライバ18とすることが可能である。シフトレジスタ
またはデコーダ32は、例えば図1のメモリ12とする
ことが可能である。電界放出素子を含む画素29を用い
た本仕様においては各電界放出素子のゲート引き出し電
極は行線に接続され、各電界放出素子のエミッタは列線
に接続されている。さらに、図示される完全な実施形態
においては、480行と640列で完全な1ページまた
はイメージでは合計307,200画素が存在する。本
実施例においては、イメージ生成器27は同じ半導体チ
ップ上に駆動回路10として形成され、これの表面は図
2に示されている。
【0013】マトリックスディスプレイ25の動作にお
いては、表示データの1行は列線のそれぞれに関連して
ラッチおよび駆動回路34に読み込まれる。ひとたびこ
れが確立されると、1つの行が選択され、シフトレジス
タまたはデコーダ30によって付勢(energiz
e)され、ラッチおよび駆動回路34に蓄積されている
データに従って適当な画素29が発光する。選択された
行が付勢されているあいだ、順番が次の行に対応する表
示データがラッチおよび駆動回路34に読み込まれ、手
順が繰り返される。ここで繰り返しレートが1秒間に6
0フレームの割合であると仮定すると、各行はおおよそ
35マイクロ秒だけ発光している。
いては、表示データの1行は列線のそれぞれに関連して
ラッチおよび駆動回路34に読み込まれる。ひとたびこ
れが確立されると、1つの行が選択され、シフトレジス
タまたはデコーダ30によって付勢(energiz
e)され、ラッチおよび駆動回路34に蓄積されている
データに従って適当な画素29が発光する。選択された
行が付勢されているあいだ、順番が次の行に対応する表
示データがラッチおよび駆動回路34に読み込まれ、手
順が繰り返される。ここで繰り返しレートが1秒間に6
0フレームの割合であると仮定すると、各行はおおよそ
35マイクロ秒だけ発光している。
【0014】適当な行を付勢し、適当な列にデータを転
送するには2つの基本的な手法が存在する。1つの手法
はデコーダを用いる方法で、もう1つはシフトレジスタ
を用いる方法である。ここで図3を参照すると、デコー
ダを用いる手法が簡略化されたブロック図で図示されて
いる。この構造においては、各行または列は別個にアド
レス指定される。マトリックスディスプレイ25の行数
には、例えば9ビットのアドレスを必要とし、一方列数
には10ビットのアドレスが必要となる。アドレスを通
した手続を行うのに必要とされる回路は当業者にはよく
理解されているので、ここには簡略化のために説明しな
い。
送するには2つの基本的な手法が存在する。1つの手法
はデコーダを用いる方法で、もう1つはシフトレジスタ
を用いる方法である。ここで図3を参照すると、デコー
ダを用いる手法が簡略化されたブロック図で図示されて
いる。この構造においては、各行または列は別個にアド
レス指定される。マトリックスディスプレイ25の行数
には、例えば9ビットのアドレスを必要とし、一方列数
には10ビットのアドレスが必要となる。アドレスを通
した手続を行うのに必要とされる回路は当業者にはよく
理解されているので、ここには簡略化のために説明しな
い。
【0015】図4を参照すると、シフトレジスタの手法
の簡略化されたブロック図が図示されている。シフトレ
ジスタの場合には、マトリックスディスプレイでは通常
行および列に対するランダムアクセスの必要性があまり
なく、順次アドレス指定されればよいだけである、とい
う事実による特長を有する。シフトレジスタの手法によ
る特長は、新規の行の手順を実行するのにクロックおよ
びパルスを必要とするだけであるということである。両
方の手法ともマトリックスディスプレイにおける応用を
有すると考えられている。
の簡略化されたブロック図が図示されている。シフトレ
ジスタの場合には、マトリックスディスプレイでは通常
行および列に対するランダムアクセスの必要性があまり
なく、順次アドレス指定されればよいだけである、とい
う事実による特長を有する。シフトレジスタの手法によ
る特長は、新規の行の手順を実行するのにクロックおよ
びパルスを必要とするだけであるということである。両
方の手法ともマトリックスディスプレイにおける応用を
有すると考えられている。
【0016】マトリックスディスプレイは単純な白黒の
仕様、白黒グレースケールのディスプレイ、またはカラ
ーのものとすることができる。単純な白黒のディスプレ
イでは、各画素に対し、そのピクセルがオンであるのか
オフであるのかという、1ビットのデジタル信号が必要
なだけである。白黒グレースケールを用いたディスプレ
イでは、アナログの信号または多ビットのデジタル信号
が必要とされる。例えば、16階調のグレースケールで
は4ビットのデジタル信号が必要である。フルカラーで
は、画素ごとに通常少なくとも3つの光放出素子が必要
とされ、それぞれは原色(赤、緑、青)に用いられ、各
色の適当な量を実現するためにグレースケール信号シス
テムの1種が必要となる。
仕様、白黒グレースケールのディスプレイ、またはカラ
ーのものとすることができる。単純な白黒のディスプレ
イでは、各画素に対し、そのピクセルがオンであるのか
オフであるのかという、1ビットのデジタル信号が必要
なだけである。白黒グレースケールを用いたディスプレ
イでは、アナログの信号または多ビットのデジタル信号
が必要とされる。例えば、16階調のグレースケールで
は4ビットのデジタル信号が必要である。フルカラーで
は、画素ごとに通常少なくとも3つの光放出素子が必要
とされ、それぞれは原色(赤、緑、青)に用いられ、各
色の適当な量を実現するためにグレースケール信号シス
テムの1種が必要となる。
【0017】図5はマスタースレーブ仕様において二相
クロックを用い、4つのANDゲート42−45および
4つのNORゲート46−49を含むD型フリップフロ
ップ40を示したものである。フリップフロップ40の
カスケードがシフトレジスタを実現するのに用いられ
る。本実施例においては、NORゲートはエンハンスメ
ント型のMESFETデバイス(デプレションモードの
MESFETデバイスを負荷として)を用いて実現され
るが、各個別の実施例においては用いられる基板の種
類、例えばSi,GaAs等に依存して変化する。駆動
回路をディスプレイとともに集積化するためのもっとも
率直な手段の一つは、もし例えば光放出素子がLEDで
あるならば、能動デバイスとしてMESFETを使うこ
とである。一般に、MESFETはデプレションおよび
エンハンスメントタイプのデバイスとして製造され、そ
のどちらの特長も当業者には周知のものである。デプレ
ションモードのMESFETに対して、エンハンスメン
トモードのMESFETは、デバイスをオンとオフの間
で切り換えるのに必要な電圧のレベルが在来のデジタル
回路技術と互換性をもつという特長を持つ。
クロックを用い、4つのANDゲート42−45および
4つのNORゲート46−49を含むD型フリップフロ
ップ40を示したものである。フリップフロップ40の
カスケードがシフトレジスタを実現するのに用いられ
る。本実施例においては、NORゲートはエンハンスメ
ント型のMESFETデバイス(デプレションモードの
MESFETデバイスを負荷として)を用いて実現され
るが、各個別の実施例においては用いられる基板の種
類、例えばSi,GaAs等に依存して変化する。駆動
回路をディスプレイとともに集積化するためのもっとも
率直な手段の一つは、もし例えば光放出素子がLEDで
あるならば、能動デバイスとしてMESFETを使うこ
とである。一般に、MESFETはデプレションおよび
エンハンスメントタイプのデバイスとして製造され、そ
のどちらの特長も当業者には周知のものである。デプレ
ションモードのMESFETに対して、エンハンスメン
トモードのMESFETは、デバイスをオンとオフの間
で切り換えるのに必要な電圧のレベルが在来のデジタル
回路技術と互換性をもつという特長を持つ。
【0018】図6に示されるように、デュアルゲートの
FETの使用によってAND回路が構成される。図6の
回路図は6つのエンハンスメントおよびデプレションモ
ードのMESFET51−56を用いたラッチ回路50
であって、図5のフリップフロップ40の半分に対応す
る。完全なフリップフロップ40は、8つのエンハンス
メントモードおよび4つのデプレションモードの12個
のトランジスタから構成される。この4つのデプレショ
ンモードのトランジスタは負荷デバイスであり、そのう
ちの2つは所望の時間に電流を引き込む。図6では、エ
ンハンスメントモードのMESFET51,54がAN
D機能を供給し、エンハンスメント型MESFET5
2,53が相補ペアを形成する。デプレションMESF
ET55および56は負荷デバイスである。
FETの使用によってAND回路が構成される。図6の
回路図は6つのエンハンスメントおよびデプレションモ
ードのMESFET51−56を用いたラッチ回路50
であって、図5のフリップフロップ40の半分に対応す
る。完全なフリップフロップ40は、8つのエンハンス
メントモードおよび4つのデプレションモードの12個
のトランジスタから構成される。この4つのデプレショ
ンモードのトランジスタは負荷デバイスであり、そのう
ちの2つは所望の時間に電流を引き込む。図6では、エ
ンハンスメントモードのMESFET51,54がAN
D機能を供給し、エンハンスメント型MESFET5
2,53が相補ペアを形成する。デプレションMESF
ET55および56は負荷デバイスである。
【0019】シフトレジスタ60は、図7に示されるよ
うに、D型フリップフロップ40をカスケード接続する
ことによって形成される。図7には4つのフリップフロ
ップ61−64が示されているが、当業者であれば要求
される出力を提供する必要に応じて図7の右方向にシフ
トレジスタ60を続けて設けることができるのは理解で
きるだろう。1のフリップフロップからの出力は、次の
段の入力に結合され、すべてのフリップフロップは共通
の2つの位相クロックによって駆動される。シリアルデ
ータがシフトレジスタ60のフリップフロップ61に入
力され、各段の出力からはパラレルのデータが提供され
る。行駆動の回路、図2のシフトレジスタまたはデコー
ダ30の場合には、行はシフトレジスタ60のパラレル
出力に接続されている。単一パルス(1クロックサイク
ル幅)が、所望のフレームレート(例えば1秒間に60
回)に等しい周波数、でシリアル入力に与えられる。ク
ロック周波数は、フレームレートに行の数を掛けたもの
に等しく、この実施例においては28.8KHzであ
る。入力パルスはシフトレジスタ60を移動して、単一
のクロックパルスにおいて一度に1つの行を付勢する。
列駆動回路の場合には、シフトレジスタ32に加えてラ
ッチ回路34も必要となる。図6の回路50はラッチ機
能を提供するのに用いられる。シフトレジスタ32のパ
ラレル出力はラッチおよび駆動回路34の入力に接続さ
れる。ラッチの出力は、列に対する電流吸い込みとして
用いられるトランジスタ(図示せず)のゲートに接続さ
れる。列データは、行クロック周波数に列の数を掛けた
ものに等しいレート(本実施例では18.4MHz)で
クロック駆動されるシフトレジスタ32にシリアルに入
力される。全ての列データが入力されたのち、ラッチお
よび駆動回路34のクロック入力が動作状態にされ、デ
ータは適切な列にラッチされる。次に行は発光し、次の
行のデータがシフトレジスタ32にシフトし始める。
うに、D型フリップフロップ40をカスケード接続する
ことによって形成される。図7には4つのフリップフロ
ップ61−64が示されているが、当業者であれば要求
される出力を提供する必要に応じて図7の右方向にシフ
トレジスタ60を続けて設けることができるのは理解で
きるだろう。1のフリップフロップからの出力は、次の
段の入力に結合され、すべてのフリップフロップは共通
の2つの位相クロックによって駆動される。シリアルデ
ータがシフトレジスタ60のフリップフロップ61に入
力され、各段の出力からはパラレルのデータが提供され
る。行駆動の回路、図2のシフトレジスタまたはデコー
ダ30の場合には、行はシフトレジスタ60のパラレル
出力に接続されている。単一パルス(1クロックサイク
ル幅)が、所望のフレームレート(例えば1秒間に60
回)に等しい周波数、でシリアル入力に与えられる。ク
ロック周波数は、フレームレートに行の数を掛けたもの
に等しく、この実施例においては28.8KHzであ
る。入力パルスはシフトレジスタ60を移動して、単一
のクロックパルスにおいて一度に1つの行を付勢する。
列駆動回路の場合には、シフトレジスタ32に加えてラ
ッチ回路34も必要となる。図6の回路50はラッチ機
能を提供するのに用いられる。シフトレジスタ32のパ
ラレル出力はラッチおよび駆動回路34の入力に接続さ
れる。ラッチの出力は、列に対する電流吸い込みとして
用いられるトランジスタ(図示せず)のゲートに接続さ
れる。列データは、行クロック周波数に列の数を掛けた
ものに等しいレート(本実施例では18.4MHz)で
クロック駆動されるシフトレジスタ32にシリアルに入
力される。全ての列データが入力されたのち、ラッチお
よび駆動回路34のクロック入力が動作状態にされ、デ
ータは適切な列にラッチされる。次に行は発光し、次の
行のデータがシフトレジスタ32にシフトし始める。
【0020】ディスプレイ回路の静的電力消費の主要源
は、単純なインバータ回路においては入力が論理レベル
ハイのときに大きな量の電流が流れるという事実にあ
る。これは、スイッチングトランジスタと負荷デバイス
(抵抗またはトランジスタ)の両方が同時に導通してい
ることによって生ずる。このような事態は図8に示され
ているように、相補型の構成を用いることによって避け
ることができる。これはCMOSで用いられる手法であ
り、Nチャンネルのデバイスに接続されたPチャンネル
のデバイスから構成される。ドレインは互いに接続さ
れ、インバータ出力を提供し、ゲートもともに接続され
てインバータ入力を形成する。この構成では、入力がロ
ーのとき、Nチャンネルデバイスはオフであり、Pチャ
ンネルデバイスはオンである。従って、出力はハイに駆
動され、Vssに到達する。同様に、入力がハイのと
き、Nチャンネルデバイスはオンであり、Pチャンネル
デバイスはオフである。出力はローに駆動され、接地電
位に到達する。したがって、インバータへの入力の両方
の状態に対して、いずれか1つのトランジスタがオフと
なる。よってこれらのいずれの状態においても、わずか
な電流が流れるだけである。ハイからローまたはローか
らハイへの遷移の間だけ大きな電流が流れる。結果とし
て、静的電力消費は従来の設計のものよりもずっと小さ
い。
は、単純なインバータ回路においては入力が論理レベル
ハイのときに大きな量の電流が流れるという事実にあ
る。これは、スイッチングトランジスタと負荷デバイス
(抵抗またはトランジスタ)の両方が同時に導通してい
ることによって生ずる。このような事態は図8に示され
ているように、相補型の構成を用いることによって避け
ることができる。これはCMOSで用いられる手法であ
り、Nチャンネルのデバイスに接続されたPチャンネル
のデバイスから構成される。ドレインは互いに接続さ
れ、インバータ出力を提供し、ゲートもともに接続され
てインバータ入力を形成する。この構成では、入力がロ
ーのとき、Nチャンネルデバイスはオフであり、Pチャ
ンネルデバイスはオンである。従って、出力はハイに駆
動され、Vssに到達する。同様に、入力がハイのと
き、Nチャンネルデバイスはオンであり、Pチャンネル
デバイスはオフである。出力はローに駆動され、接地電
位に到達する。したがって、インバータへの入力の両方
の状態に対して、いずれか1つのトランジスタがオフと
なる。よってこれらのいずれの状態においても、わずか
な電流が流れるだけである。ハイからローまたはローか
らハイへの遷移の間だけ大きな電流が流れる。結果とし
て、静的電力消費は従来の設計のものよりもずっと小さ
い。
【0021】データ列をシフトするのに比較的高い周波
数のクロックが用いられるのに起因して、従来のマトリ
ックスディスプレイの動的電力消費は大きなディスプレ
イでは大きくなる。ビットを並列(パラレル)にシフト
することによって、このクロック周波数が減少させる
と、動的電力消費は実質的に減少する。例えば、マトリ
ックスディスプレイ25では、従来の技術のようにもし
データが最小限のレートで直列に更新されるならば、5
ボルトにおける動的な電力要求はおおまかに見積ってお
およそ180ミリワットである。図1及び図2に図示さ
れている実施例が用いられたならば、つまりすべてのビ
ットが並列にシフトさせるならば、動的電力消費全体は
おおよそ10の因数で減少する。これらの数字はメモリ
内で消費される電力を含んでいないが、これはその電力
はどちらの構造でも同一だからである。さらに、シリコ
ンCMOS技術を用いて、駆動回路をメモリとともに集
積化することによってこれらの消費電力の節減が達成さ
れる。イメージ生成器27も同じチップの中に集積化す
ることによって、より一層の消費電力の節約を達成でき
ることは予想されることである。
数のクロックが用いられるのに起因して、従来のマトリ
ックスディスプレイの動的電力消費は大きなディスプレ
イでは大きくなる。ビットを並列(パラレル)にシフト
することによって、このクロック周波数が減少させる
と、動的電力消費は実質的に減少する。例えば、マトリ
ックスディスプレイ25では、従来の技術のようにもし
データが最小限のレートで直列に更新されるならば、5
ボルトにおける動的な電力要求はおおまかに見積ってお
およそ180ミリワットである。図1及び図2に図示さ
れている実施例が用いられたならば、つまりすべてのビ
ットが並列にシフトさせるならば、動的電力消費全体は
おおよそ10の因数で減少する。これらの数字はメモリ
内で消費される電力を含んでいないが、これはその電力
はどちらの構造でも同一だからである。さらに、シリコ
ンCMOS技術を用いて、駆動回路をメモリとともに集
積化することによってこれらの消費電力の節減が達成さ
れる。イメージ生成器27も同じチップの中に集積化す
ることによって、より一層の消費電力の節約を達成でき
ることは予想されることである。
【0022】したがって、改良された駆動回路およびそ
の駆動回路を用いたマトリックスディスプレイが開示さ
れた。この駆動回路およびディスプレイの電力消費は実
質的に少ないので、携帯機器、例えば携帯通信機器等に
より容易に組み込むことができる。さらに、駆動回路お
よびマトリックスディスプレイを単一のチップ上に集積
化することによってユニットの大きさも実質的に小さく
なる。もちろん、マトリックスディスプレイが単一のチ
ップの中に集積化されないような特殊な例においては、
より容易なパッケージングのために、メモリはいくつか
のチップに分離される。例として、前記いくつかのチッ
プのそれぞれは、列の一部のための駆動回路を含み、さ
らにそれに対応するメモリを含む。
の駆動回路を用いたマトリックスディスプレイが開示さ
れた。この駆動回路およびディスプレイの電力消費は実
質的に少ないので、携帯機器、例えば携帯通信機器等に
より容易に組み込むことができる。さらに、駆動回路お
よびマトリックスディスプレイを単一のチップ上に集積
化することによってユニットの大きさも実質的に小さく
なる。もちろん、マトリックスディスプレイが単一のチ
ップの中に集積化されないような特殊な例においては、
より容易なパッケージングのために、メモリはいくつか
のチップに分離される。例として、前記いくつかのチッ
プのそれぞれは、列の一部のための駆動回路を含み、さ
らにそれに対応するメモリを含む。
【図1】図1は、本発明に従って構成された、マトリッ
クスディスプレイを駆動するための駆動回路を簡略化さ
れたブロック図で示したものである。
クスディスプレイを駆動するための駆動回路を簡略化さ
れたブロック図で示したものである。
【図2】図2は、本発明に従って構成された、マトリッ
クスディスプレイをその一部が省略されたブロック図で
示したものである。
クスディスプレイをその一部が省略されたブロック図で
示したものである。
【図3】図3および図4は、図2のマトリックスディス
プレイに選択的に含まれるデコーダ装置またはシフトレ
ジスタ装置をそれぞれブロック図で示したものである。
プレイに選択的に含まれるデコーダ装置またはシフトレ
ジスタ装置をそれぞれブロック図で示したものである。
【図4】図3および図4は、図2のマトリックスディス
プレイに選択的に含まれるデコーダ装置またはシフトレ
ジスタ装置をそれぞれブロック図で示したものである。
プレイに選択的に含まれるデコーダ装置またはシフトレ
ジスタ装置をそれぞれブロック図で示したものである。
【図5】図5は、図4のシフトレジスタ装置の一部を形
成するD型フリップフロップのブロック図である。
成するD型フリップフロップのブロック図である。
【図6】図6は、図5の装置の一部を回路図で示したも
のである。
のである。
【図7】図7は、図4の装置の一部を形成するシフトレ
ジスタをブロック図で示したものである。
ジスタをブロック図で示したものである。
【図8】図8は、図1の回路に用いられる典型的なCM
OS回路を図示したものである。
OS回路を図示したものである。
10 マトリックスディスプレイ駆動回路 12 メモリ 14 列出力回路 16、18 行選択および駆動回路
Claims (3)
- 【請求項1】 第1数の画素を持つ行と第2数の画素を
持つ列とを有するマトリックスディスプレイを駆動する
駆動回路であって:第1数のビット幅のメモリ(12)
であって、前記第1数のビットは前記第1数の画素に等
しい、ところのメモリ;列出力回路(14)であって、
前記列出力回路に接続されたマトリックスディスプレイ
に前記第1数のビットを並列に供給する列出力回路;お
よび前記メモリに結合して、前記メモリに記憶されたデ
ータのビットの完全な1行を選択し、前記選択されたビ
ットの完全な1行を前記列出力回路に供給するためにメ
モリを動作させる行選択および駆動回路(16,1
8);から構成されることを特徴とする駆動回路。 - 【請求項2】 マトリックスディスプレイであって:複
数の画素(29)を含みイメージ生成器であって、各画
素は少なくとも一つの光放出素子を持ち、前記画素は第
1数の画素を持つ行と第2数の画素を持つ列とに形成さ
れ、列入力(34)の第1数は画素の前記第1数に等し
い、ところのイメージ生成器;第1数のビット幅を持つ
メモリ(12)であって、前記第1数のビットの数は前
記第1数の画素の数に等しい、ところのメモリ;前記イ
メージ生成器の列入力(34)に結合し前記イメージ生
成器に対して前記第1数のビットを並列に供給する列出
力回路(14);および前記メモリに結合して、前記メ
モリに記憶されたデータのビットの完全な1行を選択
し、前記選択されたビットの完全な1行を前記列出力回
路に供給するためにメモリを動作させる行選択および駆
動回路(16,18);から構成されることを特徴とす
るマトリックスディスプレイ。 - 【請求項3】 マトリックスディスプレイを操作する方
法であって:複数の画素を含むイメージ生成器であっ
て、それぞれの画素は少なくとも1つの光放出素子を含
み、前記画素は第1数の画素を持つ行と第2数の画素を
持つ列とに形成される、ところのイメージ生成器(2
5)を準備する段階;少なくとも第1数の画素のための
データを記憶可能なメモリ(12)を提供し、前記メモ
リ内に画素の1行のイメージデータを記憶する段階;前
記メモリ(12)および画素の1行(29)に接続され
た第1数のラッチ(34)を準備する段階;画素の1行
(29)の記憶データをメモリ(12)からラッチ(3
4)に同時にシフトする段階;前記ラッチ内のデータを
利用して画素の完全な1行を同時に付勢する段階;から
構成されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US89951692A | 1992-06-16 | 1992-06-16 | |
| US899516 | 1992-06-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06110402A true JPH06110402A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=25411118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16500493A Pending JPH06110402A (ja) | 1992-06-16 | 1993-06-11 | 低消費電力のマトリクスディスプレイ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06110402A (ja) |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP16500493A patent/JPH06110402A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6867761B2 (en) | Electro-optical device and method of driving the same, organic electroluminescent display device, and electronic apparatus | |
| US6670771B2 (en) | Organic electroluminescence display and driving method and apparatus thereof | |
| US6989810B2 (en) | Liquid crystal display and data latch circuit | |
| JP2020021072A (ja) | ゲート駆動部およびこれを用いた電界発光表示装置 | |
| KR100566814B1 (ko) | 쉬프트 레지스터 | |
| US11145267B2 (en) | Liquid crystal display device and driving method therefor | |
| JP2005338837A (ja) | 表示装置および表示装置の駆動方法 | |
| US8368671B2 (en) | Display device driving circuit with independently adjustable power supply voltage for buffers | |
| US20060109232A1 (en) | Liquid crystal display and driving circuit thereof | |
| US8817055B2 (en) | Data transfer circuit and flat display device | |
| US20060164368A1 (en) | Display apparatus with reduced power consumption in charging/discharging of data line | |
| US11922860B2 (en) | Pixel and display apparatus of which static power consumption is reduced | |
| KR100524122B1 (ko) | 저소비 전력 유기 전계 발광 디바이스 디스플레이 구동 장치 | |
| US6930657B2 (en) | Organic EL element drive circuit and organic EL display device | |
| JPH06110402A (ja) | 低消費電力のマトリクスディスプレイ駆動回路 | |
| US7355579B2 (en) | Display | |
| CN117593992A (zh) | 以数字方式控制像素内置存储器和寄存器的初始化的像素驱动电路和显示装置 | |
| KR100560775B1 (ko) | 유기 이엘 디스플레이 패널의 구동방법 및 회로 | |
| US7542023B2 (en) | Shift register having skip function, and display driver device, display device and electronic instrument using the same | |
| KR100670132B1 (ko) | 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
| EP4202895A1 (en) | Pixel arrangement | |
| KR20240101252A (ko) | 표시 장치의 발광제어 및 스캔 구동 장치 | |
| EP1622123B1 (en) | Display device driving circuit | |
| CN117012138A (zh) | 降低静态功耗的像素和显示装置 | |
| JP2004004631A (ja) | 有機el駆動回路および有機el表示装置 |