JPH06112104A - 縮小投影式露光装置 - Google Patents
縮小投影式露光装置Info
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- JPH06112104A JPH06112104A JP4257775A JP25777592A JPH06112104A JP H06112104 A JPH06112104 A JP H06112104A JP 4257775 A JP4257775 A JP 4257775A JP 25777592 A JP25777592 A JP 25777592A JP H06112104 A JPH06112104 A JP H06112104A
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェハなどの基板上に設けられたアライメント
パターンに塗布されたフォトレジスト膜厚が不均一かつ
非対称である場合にも、干渉による非対称の検出を防止
でき、解像度及び対称性を向上させて、高精度のアライ
メントを実現する投影式露光装置を提供することを目的
とする。 【構成】縮小投影式露光装置のＴＴＬ方式のアライメン
ト検出光学系において、色収差補正レンズ４１によりア
ライメントマークの照明光として波長帯域の広い光を用
いることを可能とし、波長選択フィルタ１３と波長制限
フィルタ１４により特定の波長の照明を制限した光でア
ライメントマーク３１に照明する。アライメントマーク
からの反射光は、撮像素子５上に結像される。
パターンに塗布されたフォトレジスト膜厚が不均一かつ
非対称である場合にも、干渉による非対称の検出を防止
でき、解像度及び対称性を向上させて、高精度のアライ
メントを実現する投影式露光装置を提供することを目的
とする。 【構成】縮小投影式露光装置のＴＴＬ方式のアライメン
ト検出光学系において、色収差補正レンズ４１によりア
ライメントマークの照明光として波長帯域の広い光を用
いることを可能とし、波長選択フィルタ１３と波長制限
フィルタ１４により特定の波長の照明を制限した光でア
ライメントマーク３１に照明する。アライメントマーク
からの反射光は、撮像素子５上に結像される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アライメント検出光学
系に関し、特に、波長帯域の広い光を用いて、投影光学
系を介してウエハ上のマークを検出するＴＴＬ（Throug
h The Lens）方式のアライメント検出光学系を備えた縮
小投影露光装置に関する。
系に関し、特に、波長帯域の広い光を用いて、投影光学
系を介してウエハ上のマークを検出するＴＴＬ（Throug
h The Lens）方式のアライメント検出光学系を備えた縮
小投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の製造には、ウエハを順次
ステップ移動させながらマスク上の回路パターンの投影
露光を行うステッパが用いられている。半導体素子は、
感光材であるレジストの塗られたウエハ上の回路パター
ンとマスク上の回路パターンを、順次アライメントを行
って重ね合わせ露光をする事により製造される。このア
ライメントは、ウエハ上のアライメントマークを検出す
る事により行われる。高精度なアライメントを行うため
には、露光用の投影光学系を介してマークを検出するＴ
ＴＬ方式が有効である。レジストは、ウエハを回転させ
ながら塗布されるため、図３に示すように、段差のある
下地マーク３１１の近傍では、レジストの流れによっ
て、検出方向に非対称なレジスト膜厚分布３１２が生じ
る。一方、波長幅の狭い光をレジストに照射すると、検
出される光強度は、図４（ａ）に示すように、周期的に
変化する。このため、波長幅の狭い光で、非対称なレジ
スト分布を持つアライメントマークの像検出を行うと、
図４（ｂ）に示すように検出波形も非対称になり、検出
誤差が生じる。一方、波長帯域の広い光で照明すれば、
図５（ａ）に示すように検出波形が対称となり、高精度
なアライメントが可能となる。しかし、上記ＴＴＬ方式
と波長幅の広い光による検出の両立には、次の課題を有
する。投影光学系は、微細なパターンを転写するため
に、一般に、露光光に対してのみ収差補正されている。
従って、波長帯域の広い光を用いて、ＴＴＬ方式で行う
と、各波長の像点がずれる。すなわち、色収差が発生す
るため、検出波形はぼけてしまい、高精度なアライメン
トができない。この課題を解決するため、特開平１ー２
２７４３１号公報に開示されているように、波長帯域の
広い光で生じる色収差を補正する光学系を使用し、上記
の問題を解決して、波長帯域の広い光を照明光として用
いているため、レジスト膜厚変化に対して検出波形を対
称に検出できる方式が提案されている。
ステップ移動させながらマスク上の回路パターンの投影
露光を行うステッパが用いられている。半導体素子は、
感光材であるレジストの塗られたウエハ上の回路パター
ンとマスク上の回路パターンを、順次アライメントを行
って重ね合わせ露光をする事により製造される。このア
ライメントは、ウエハ上のアライメントマークを検出す
る事により行われる。高精度なアライメントを行うため
には、露光用の投影光学系を介してマークを検出するＴ
ＴＬ方式が有効である。レジストは、ウエハを回転させ
ながら塗布されるため、図３に示すように、段差のある
下地マーク３１１の近傍では、レジストの流れによっ
て、検出方向に非対称なレジスト膜厚分布３１２が生じ
る。一方、波長幅の狭い光をレジストに照射すると、検
出される光強度は、図４（ａ）に示すように、周期的に
変化する。このため、波長幅の狭い光で、非対称なレジ
スト分布を持つアライメントマークの像検出を行うと、
図４（ｂ）に示すように検出波形も非対称になり、検出
誤差が生じる。一方、波長帯域の広い光で照明すれば、
図５（ａ）に示すように検出波形が対称となり、高精度
なアライメントが可能となる。しかし、上記ＴＴＬ方式
と波長幅の広い光による検出の両立には、次の課題を有
する。投影光学系は、微細なパターンを転写するため
に、一般に、露光光に対してのみ収差補正されている。
従って、波長帯域の広い光を用いて、ＴＴＬ方式で行う
と、各波長の像点がずれる。すなわち、色収差が発生す
るため、検出波形はぼけてしまい、高精度なアライメン
トができない。この課題を解決するため、特開平１ー２
２７４３１号公報に開示されているように、波長帯域の
広い光で生じる色収差を補正する光学系を使用し、上記
の問題を解決して、波長帯域の広い光を照明光として用
いているため、レジスト膜厚変化に対して検出波形を対
称に検出できる方式が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来技
術においては、波長帯域の広い光を照明光として用いて
いるため、塗布されたレジストの厚さ、アライメントマ
ークの段差により、検出する光強度が異なるため、波形
が非対称になる波長域も含まれる。広い波長域を照明す
ることでレジスト膜厚の変化に対して検出光強度の変化
を小さく抑える効果があるが、波形が非対称になる波長
域部分の検出光強度の占める割合が大きい場合、この波
形によって広い波長帯域で検出した波形に影響を及ぼす
ため非対称の波形を検出する事になる。
術においては、波長帯域の広い光を照明光として用いて
いるため、塗布されたレジストの厚さ、アライメントマ
ークの段差により、検出する光強度が異なるため、波形
が非対称になる波長域も含まれる。広い波長域を照明す
ることでレジスト膜厚の変化に対して検出光強度の変化
を小さく抑える効果があるが、波形が非対称になる波長
域部分の検出光強度の占める割合が大きい場合、この波
形によって広い波長帯域で検出した波形に影響を及ぼす
ため非対称の波形を検出する事になる。
【０００４】例えば、図６（ａ）に示すように、段差の
ある下地マーク３１１の近傍で、レジストの流れによっ
て、検出方向に非対称なレジスト膜厚分布３１２が生じ
たアライメントマークを検出する。照明光を、図７
（ａ）に示すようなバンド幅ΔλＳの狭い（数ｎｍ）の
単一波長（単色光）λ１、λ２、λ３とすると、各々図
６（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す波形が得られる。このよう
に、単波長で検出した波形は、図４で述べたように波長
が異なると、レジスト膜厚の変化により、検出光強度が
異なるため、それぞれ波形の形状が異なる。しかも、あ
る波長では図６(ｄ)に示すように、レジストの膜厚変化
に対して光強度の変化が大きいと非対称の大きい波形が
検出されることになる。そこで、図７（ｂ）に示すよう
に、この非対称の大きく検出される波長帯域を含んだバ
ンド幅Δλの広い（数十ｎｍ）λａからλｂの範囲を照
明光とすると、図６（ｅ）に示すように、図６（ｄ）の
波形が影響するため、非対称の波形となってしまう。
ある下地マーク３１１の近傍で、レジストの流れによっ
て、検出方向に非対称なレジスト膜厚分布３１２が生じ
たアライメントマークを検出する。照明光を、図７
（ａ）に示すようなバンド幅ΔλＳの狭い（数ｎｍ）の
単一波長（単色光）λ１、λ２、λ３とすると、各々図
６（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す波形が得られる。このよう
に、単波長で検出した波形は、図４で述べたように波長
が異なると、レジスト膜厚の変化により、検出光強度が
異なるため、それぞれ波形の形状が異なる。しかも、あ
る波長では図６(ｄ)に示すように、レジストの膜厚変化
に対して光強度の変化が大きいと非対称の大きい波形が
検出されることになる。そこで、図７（ｂ）に示すよう
に、この非対称の大きく検出される波長帯域を含んだバ
ンド幅Δλの広い（数十ｎｍ）λａからλｂの範囲を照
明光とすると、図６（ｅ）に示すように、図６（ｄ）の
波形が影響するため、非対称の波形となってしまう。
【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決すべく、波長帯域の広い光を用いて検出するアライ
メント検出光学系において、レジストの膜厚の変化に対
して光強度の変化が大きい波長帯域を制限することによ
り、ウェハなどの基板上に設けられたアライメントパタ
ーンの解像度及び対称性を向上させて、高精度のアライ
メントを実現する縮小投影露光装置を提供することにあ
る。
解決すべく、波長帯域の広い光を用いて検出するアライ
メント検出光学系において、レジストの膜厚の変化に対
して光強度の変化が大きい波長帯域を制限することによ
り、ウェハなどの基板上に設けられたアライメントパタ
ーンの解像度及び対称性を向上させて、高精度のアライ
メントを実現する縮小投影露光装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、単一波長のみに対して最適化された投影
レンズを備えた投影式露光装置において、該投影レンズ
を介し投影基板上のアライメントマークを波長帯域の広
い光で照明する照明光学系と、前記アライメントマーク
検出時に前記投影レンズで生じる色収差を補正する色収
差補正検出光学系とを具備したアライメント光学系を設
けたことを特徴とする投影式露光装置である。即ち、色
収差補正検出光学系は、照明光の光路に、例えば特開平
１ー２２７４３１号公報に開示されたような方法により
作成可能な、色収差補正レンズ機構により各波長に対応
して焦点距離を調整できる。また、前記照明光学系は波
長帯域の広い範囲の光で照明可能なフィルタと、この波
長帯域内で、ある波長幅の範囲の光を照明しないフィル
タを組み合わせることによって、照明波長の帯域の範囲
を制限することができ、レジストの膜厚の変化に対して
光強度の変化が大きい波長帯域を除くことができるよう
にする。
成するために、単一波長のみに対して最適化された投影
レンズを備えた投影式露光装置において、該投影レンズ
を介し投影基板上のアライメントマークを波長帯域の広
い光で照明する照明光学系と、前記アライメントマーク
検出時に前記投影レンズで生じる色収差を補正する色収
差補正検出光学系とを具備したアライメント光学系を設
けたことを特徴とする投影式露光装置である。即ち、色
収差補正検出光学系は、照明光の光路に、例えば特開平
１ー２２７４３１号公報に開示されたような方法により
作成可能な、色収差補正レンズ機構により各波長に対応
して焦点距離を調整できる。また、前記照明光学系は波
長帯域の広い範囲の光で照明可能なフィルタと、この波
長帯域内で、ある波長幅の範囲の光を照明しないフィル
タを組み合わせることによって、照明波長の帯域の範囲
を制限することができ、レジストの膜厚の変化に対して
光強度の変化が大きい波長帯域を除くことができるよう
にする。
【０００７】
【作用】上述した手段によれば、照明光路中に、色収差
補正レンズ機構を設けたことにより、アライメントマー
クの照明光として波長帯域の広いものを用いることが可
能である。さらに、この照明光の波長帯域の範囲は、あ
る波長帯域の範囲の光を照明しないことにより、照明波
長の範囲を制限して照明することが可能である。
補正レンズ機構を設けたことにより、アライメントマー
クの照明光として波長帯域の広いものを用いることが可
能である。さらに、この照明光の波長帯域の範囲は、あ
る波長帯域の範囲の光を照明しないことにより、照明波
長の範囲を制限して照明することが可能である。
【０００８】以上のような構成とすることにより、レジ
ストの膜厚の変化に対して光強度の変化が大きい波長帯
域での照明光を制限することにより、ウェハなどの基板
上に設けられたアライメントパターンの解像度及び対称
性を向上させて、高精度のアライメントを実現すること
ができる。
ストの膜厚の変化に対して光強度の変化が大きい波長帯
域での照明光を制限することにより、ウェハなどの基板
上に設けられたアライメントパターンの解像度及び対称
性を向上させて、高精度のアライメントを実現すること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて具体的に
説明する。図１は、本発明の一実施例である縮小投影式
露光装置を示す要部の斜視図である。マスク１上の回路
パターン１００は、縮小投影レンズ２を介してウェハ３
上に転写される。縮小投影レンズ２は、露光光６を用い
た時に回路パターン１００がもっとも良好に解像できる
ように設計されている。波長帯域の広い光を照明できる
照明光源１１を出射した光は、光ファイバ１２により導
光され、波長選択フィルタ１３と波長制限フィルタ１４
を透過し、照明用レンズ１５、ビームスプリッタ１６、
一対の色収差補正レンズ４１、折り曲げミラー１７によ
り、照明光の中心が縮小投影レンズ２の入射瞳２１の中
心と一致するように照明光を入射し、縮小投影レンズ２
を介してウェハ３上のアライメントマーク３１を照明す
る。アライメントマーク３１で反射した光は、縮小投影
レンズ２、折り曲げミラー１７、色収差補正レンズ４
１、ビームスプリッタ１６、結像レンズ４２、を介して
撮像素子５に入射する。アライメントマーク３１の像
は、縮小投影レンズ２、色収差補正レンズ４１、結像レ
ンズ４２によって撮像素子５上に結ばれる。
説明する。図１は、本発明の一実施例である縮小投影式
露光装置を示す要部の斜視図である。マスク１上の回路
パターン１００は、縮小投影レンズ２を介してウェハ３
上に転写される。縮小投影レンズ２は、露光光６を用い
た時に回路パターン１００がもっとも良好に解像できる
ように設計されている。波長帯域の広い光を照明できる
照明光源１１を出射した光は、光ファイバ１２により導
光され、波長選択フィルタ１３と波長制限フィルタ１４
を透過し、照明用レンズ１５、ビームスプリッタ１６、
一対の色収差補正レンズ４１、折り曲げミラー１７によ
り、照明光の中心が縮小投影レンズ２の入射瞳２１の中
心と一致するように照明光を入射し、縮小投影レンズ２
を介してウェハ３上のアライメントマーク３１を照明す
る。アライメントマーク３１で反射した光は、縮小投影
レンズ２、折り曲げミラー１７、色収差補正レンズ４
１、ビームスプリッタ１６、結像レンズ４２、を介して
撮像素子５に入射する。アライメントマーク３１の像
は、縮小投影レンズ２、色収差補正レンズ４１、結像レ
ンズ４２によって撮像素子５上に結ばれる。
【００１０】次に図２により、波長選択フィルタ１３と
波長制限フィルタ１４の透過特性を説明する。（ａ）
は、波長選択フィルタ１３の透過特性を示し、波長λａ
からλｂの範囲の光を透過可能である。（ｂ）は、波長
制限フィルタ１４の透過特性を示し、波長λｃからλｄ
の範囲の光を遮光可能である。すなわち、波長選択フィ
ルタ１３と波長制限フィルタ１４の２枚のフィルタを透
過する光は、（ｃ）に示すようになり、ある波長域だけ
の光の透過を制限することが可能である。この波長制限
フィルタ１４の透過特性を変化させたフィルタを数種作
成して、波長選択フィルタ１３と組み合わせれば、透過
を制限する範囲や、中心波長の変更が可能であり、各種
の透過特性を持たせた波長で照明可能である。
波長制限フィルタ１４の透過特性を説明する。（ａ）
は、波長選択フィルタ１３の透過特性を示し、波長λａ
からλｂの範囲の光を透過可能である。（ｂ）は、波長
制限フィルタ１４の透過特性を示し、波長λｃからλｄ
の範囲の光を遮光可能である。すなわち、波長選択フィ
ルタ１３と波長制限フィルタ１４の２枚のフィルタを透
過する光は、（ｃ）に示すようになり、ある波長域だけ
の光の透過を制限することが可能である。この波長制限
フィルタ１４の透過特性を変化させたフィルタを数種作
成して、波長選択フィルタ１３と組み合わせれば、透過
を制限する範囲や、中心波長の変更が可能であり、各種
の透過特性を持たせた波長で照明可能である。
【００１１】以上の構成において、動作を説明する。ウ
ェハ３は、検出方向のアライメントを行うために、縮小
レンズ２の所定位置に設置される。照明光源１１からの
光は、波長選択フィルタ１３と波長制限フィルタ１４に
より特定の波長の照明を制限した光でアライメントマー
ク３１に照明される。アライメントマークからの反射光
は、縮小レンズ２及び色収差補正レンズ４１、結像レン
ズ４２により撮像素子５上にアライメントマーク３１の
像が結像され、アライメントマークの位置が検出され
る。図８にアライメントマーク３１の一例を示す。
（ａ）は、アライメントマーク３１の断面形状を示す。
段差のある下地マーク３１１の近傍で、レジストの流れ
によって、検出方向に非対称なレジスト膜厚分布３１２
が生じている。このアライメントマーク３１を上記構成
の検出装置によって得られた検出波形を同図（ｂ）に示
す。波長選択フィルタ１３と波長制限フィルタ１４によ
りレジスト３１２の膜厚の変化に対して光強度の変化が
大きい波長域を制限することにより、（ｂ）に示すよう
に解像度及び対称性の高い検出が出来る。レジスト膜厚
の変化や、アライメントマーク３１の段差によって検出
波形が非対称となる場合は、波長制限フィルタ１４の透
過特性を変化させたフィルタを変更して、波長選択フィ
ルタ１３と組み合わせ、対称となる波形を求める。この
検出波形を図示しない方法で中心位置を求め、ウェハ３
の位置を検出してアライメントを行う。
ェハ３は、検出方向のアライメントを行うために、縮小
レンズ２の所定位置に設置される。照明光源１１からの
光は、波長選択フィルタ１３と波長制限フィルタ１４に
より特定の波長の照明を制限した光でアライメントマー
ク３１に照明される。アライメントマークからの反射光
は、縮小レンズ２及び色収差補正レンズ４１、結像レン
ズ４２により撮像素子５上にアライメントマーク３１の
像が結像され、アライメントマークの位置が検出され
る。図８にアライメントマーク３１の一例を示す。
（ａ）は、アライメントマーク３１の断面形状を示す。
段差のある下地マーク３１１の近傍で、レジストの流れ
によって、検出方向に非対称なレジスト膜厚分布３１２
が生じている。このアライメントマーク３１を上記構成
の検出装置によって得られた検出波形を同図（ｂ）に示
す。波長選択フィルタ１３と波長制限フィルタ１４によ
りレジスト３１２の膜厚の変化に対して光強度の変化が
大きい波長域を制限することにより、（ｂ）に示すよう
に解像度及び対称性の高い検出が出来る。レジスト膜厚
の変化や、アライメントマーク３１の段差によって検出
波形が非対称となる場合は、波長制限フィルタ１４の透
過特性を変化させたフィルタを変更して、波長選択フィ
ルタ１３と組み合わせ、対称となる波形を求める。この
検出波形を図示しない方法で中心位置を求め、ウェハ３
の位置を検出してアライメントを行う。
【００１２】なお、本実施例では、波長選択フィルタ１
３と波長制限フィルタ１４は、２枚で波長の制限を行っ
たが、一枚のフィルタで透過率を変化させても同様の効
果が得られる。また、図９に示すように、波長選択フィ
ルタ１３と波長制限フィルタ１４は、照明側に設置しな
くとも、撮像素子５の前に配置しても同様の効果が得ら
れる。さらに、図１０に示すように、照明光源１1内
に、波長選択フィルタ1３と波長制限フィルタ１４を配
置して、波長を制限した光を照明しても同様の効果が得
られる。
３と波長制限フィルタ１４は、２枚で波長の制限を行っ
たが、一枚のフィルタで透過率を変化させても同様の効
果が得られる。また、図９に示すように、波長選択フィ
ルタ１３と波長制限フィルタ１４は、照明側に設置しな
くとも、撮像素子５の前に配置しても同様の効果が得ら
れる。さらに、図１０に示すように、照明光源１1内
に、波長選択フィルタ1３と波長制限フィルタ１４を配
置して、波長を制限した光を照明しても同様の効果が得
られる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、照明光路中に、色収差
補正レンズ機構を設け、アライメントマークの照明光と
して波長帯域の広い光を用い、さらに、この照明光の波
長範囲は、ある波長幅の範囲の光を照明しないように、
波長範囲を組み合わせて照明することによって、レジス
トの膜厚の変化に対して光強度の変化が大きい波長帯域
を制限することが可能である。このため、ウェハなどの
基板上に設けられたアライメントパターンに塗布された
フォトレジスト膜厚が不均一かつ非対称である場合に
も、干渉による非対称の検出を防止でき、解像度及び対
称性を向上させて、高精度のアライメントを実現するこ
とができる。
補正レンズ機構を設け、アライメントマークの照明光と
して波長帯域の広い光を用い、さらに、この照明光の波
長範囲は、ある波長幅の範囲の光を照明しないように、
波長範囲を組み合わせて照明することによって、レジス
トの膜厚の変化に対して光強度の変化が大きい波長帯域
を制限することが可能である。このため、ウェハなどの
基板上に設けられたアライメントパターンに塗布された
フォトレジスト膜厚が不均一かつ非対称である場合に
も、干渉による非対称の検出を防止でき、解像度及び対
称性を向上させて、高精度のアライメントを実現するこ
とができる。
【図１】投影露光装置用アライメント検出系の一実施例
の要部斜視図である。
の要部斜視図である。
【図２】波長選択フィルタと波長制限フィルタの透過率
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図３】下地マークの断面図と非対称なレジスト膜厚分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図４】狭い波長幅の光を照射した場合のレジスト膜厚
と検出強度の関係および検出波形図である。
と検出強度の関係および検出波形図である。
【図５】広い波長幅の光を照射した場合のレジスト膜厚
と検出強度の関係および検出波形図である。
と検出強度の関係および検出波形図である。
【図６】非対称なレジスト膜厚分布を有したアライメン
トマークの断面図と単波長で検出したときの検出波形図
である。
トマークの断面図と単波長で検出したときの検出波形図
である。
【図７】図６検出時の照明波長の関係図である。
【図８】非対称なレジスト膜厚分布を有したアライメン
トマークの断面図と本実施例で検出したときの検出波形
図である。
トマークの断面図と本実施例で検出したときの検出波形
図である。
【図９】投影露光装置用アライメント検出系の別の実施
例の要部斜視図である。
例の要部斜視図である。
【図１０】投影露光装置用アライメント検出系の別の実
施例の要部斜視図である。
施例の要部斜視図である。
１…マスク、２…縮小投影レンズ、３…ウェハ、５…撮
像素子、１１…照明光源、１２…光ファイバ、１３…波
長選択フィルタ、１４…波長制限フィルタ、１６…ビー
ムスプリッタ、１７…折り曲げミラー、３１…アライメ
ントマーク、４１…色収差補正レンズ、４２…結像レン
ズ、３１１…下地マーク、３１２…非対称なレジスト膜
厚分布。
像素子、１１…照明光源、１２…光ファイバ、１３…波
長選択フィルタ、１４…波長制限フィルタ、１６…ビー
ムスプリッタ、１７…折り曲げミラー、３１…アライメ
ントマーク、４１…色収差補正レンズ、４２…結像レン
ズ、３１１…下地マーク、３１２…非対称なレジスト膜
厚分布。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉武 康裕 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】単一波長のみに対して最適化された投影レ
ンズと該投影レンズを介し投影基板上のアライメントマ
ークを波長帯域の広い光で照明する照明光学系と前記ア
ライメントマーク検出時に前記投影レンズで生じる色収
差を補正する色収差補正検出光学系を具備したアライメ
ントマーク検出光学系を設けたことを特徴とする縮小投
影式露光装置。 - 【請求項２】前記の照明光学系は、照明しない特定の波
長帯域を設け、その帯域幅を任意に設定可能としたこと
を特徴とする請求項１記載の縮小投影式露光装置。 - 【請求項３】前記の照明光学系は、照明しない特定の波
長帯域の中心波長を任意に設定可能にしたことを特徴と
する請求項１記載の縮小投影式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257775A JPH06112104A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 縮小投影式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257775A JPH06112104A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 縮小投影式露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112104A true JPH06112104A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17310933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4257775A Pending JPH06112104A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 縮小投影式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112104A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783342A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and system for measurement of resist pattern |
| JP2003149827A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Ushio Inc | パターンを検出するための顕微鏡 |
| JP2005167139A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Canon Inc | 波長選択方法、位置検出方法及び装置、並びに、露光装置 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP4257775A patent/JPH06112104A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783342A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and system for measurement of resist pattern |
| JP2003149827A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Ushio Inc | パターンを検出するための顕微鏡 |
| JP2005167139A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Canon Inc | 波長選択方法、位置検出方法及び装置、並びに、露光装置 |
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