JPH06112153A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
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- JPH06112153A JPH06112153A JP27956392A JP27956392A JPH06112153A JP H06112153 A JPH06112153 A JP H06112153A JP 27956392 A JP27956392 A JP 27956392A JP 27956392 A JP27956392 A JP 27956392A JP H06112153 A JPH06112153 A JP H06112153A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｎ型のＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）へのＩ
ｎ電極の形成方法に関し、特に、熱処理過程におけるＩ
ｎの凝集を防止して良好なオーム特性と高い信頼性とを
得る。 【構成】 ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ型
の半導体基板１上にＩｎ層２を形成し、Ｉｎ層２の上に
更にＡｌ層を形成した後熱処理を行う。
ｎ電極の形成方法に関し、特に、熱処理過程におけるＩ
ｎの凝集を防止して良好なオーム特性と高い信頼性とを
得る。 【構成】 ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ型
の半導体基板１上にＩｎ層２を形成し、Ｉｎ層２の上に
更にＡｌ層を形成した後熱処理を行う。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電極形成
方法に関し、特にＮ型導電を示すＺｎＳxＳｅ1-X（０≦
ｘ≦１）へのＩｎ金属を用いたオーム性電極の形成方法
に関する。
方法に関し、特にＮ型導電を示すＺｎＳxＳｅ1-X（０≦
ｘ≦１）へのＩｎ金属を用いたオーム性電極の形成方法
に関する。
【従来の技術】近年、青色発光を実現する材料としてII
−VI系化合物半導体が注目されている。特に直接遷移型
を示すＺｎＳｅ系半導体は高効率な発光が期待され、こ
れらを用いた青色発光ダイオード（ＬＥＤ）あるいは青
色発光レーザーダイオード（ＬＤ）等の開発が進められ
ている。これら素子はいずれもＺｎＳｅ系半導体からな
るＰＮ接合からなっており、電流駆動を行う上でＮ型導
電層への電極形成が必要となる。従来においては、Ｚｎ
Ｓｅ系半導体より形成される各種素子のＮ型導電層の電
極に用いる材料としてＩｎがよく用いられてきた。例え
ば、（Ｈ.Ｊｅｏｎ 他；Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ．Ｖｏｌ．６０、Ｎｏ．７、ｐ．８
９２〜８９４（１９９２））がある。ここで、Ｉｎ電極
は通常Ｉｎ半田を半導体基板上に載置して、あるいは真
空蒸着法によって半導体基板上にＩｎを蒸着した後、３
００℃程度の温度で熱処理して形成される。図５は、こ
の電極形成プロセスを示す図であり、同図（Ａ）は熱処
理前の平面図及び断面図であり、同図（Ｂ）は熱処理後
の平面図及び断面図をそれぞれ示す。これらの図におい
て、符号１はＺｎＳｅ系のＮ型半導体からなる基板、符
号２は基板１上に載置又は蒸着されたＩｎ電極である。
−VI系化合物半導体が注目されている。特に直接遷移型
を示すＺｎＳｅ系半導体は高効率な発光が期待され、こ
れらを用いた青色発光ダイオード（ＬＥＤ）あるいは青
色発光レーザーダイオード（ＬＤ）等の開発が進められ
ている。これら素子はいずれもＺｎＳｅ系半導体からな
るＰＮ接合からなっており、電流駆動を行う上でＮ型導
電層への電極形成が必要となる。従来においては、Ｚｎ
Ｓｅ系半導体より形成される各種素子のＮ型導電層の電
極に用いる材料としてＩｎがよく用いられてきた。例え
ば、（Ｈ.Ｊｅｏｎ 他；Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ．Ｖｏｌ．６０、Ｎｏ．７、ｐ．８
９２〜８９４（１９９２））がある。ここで、Ｉｎ電極
は通常Ｉｎ半田を半導体基板上に載置して、あるいは真
空蒸着法によって半導体基板上にＩｎを蒸着した後、３
００℃程度の温度で熱処理して形成される。図５は、こ
の電極形成プロセスを示す図であり、同図（Ａ）は熱処
理前の平面図及び断面図であり、同図（Ｂ）は熱処理後
の平面図及び断面図をそれぞれ示す。これらの図におい
て、符号１はＺｎＳｅ系のＮ型半導体からなる基板、符
号２は基板１上に載置又は蒸着されたＩｎ電極である。
【発明が解決しようとする課題】Ｉｎ電極の導通特性
は、蒸着直後はショットキー性を示すが上記熱処理を施
すことによりオ−ム性を示すようになる。しかしながら
熱処理の際にＩｎが凝集する現象がみられる（図５
（Ｂ）参照）。これにより電極形状が変形し発光パタ−
ン形状が乱れたり、電極面積が減少し抵抗が増えるため
発熱量が増大する等の特性上の問題や、電極表面が凹凸
になりワイヤボンディングに支障をきたす等の後工程に
おける問題がしばしば発生する。従って、量産性を考慮
した場合、Ｉｎを電極材料として使用することは実用的
な素子を得る上で適当でなかった。
は、蒸着直後はショットキー性を示すが上記熱処理を施
すことによりオ−ム性を示すようになる。しかしながら
熱処理の際にＩｎが凝集する現象がみられる（図５
（Ｂ）参照）。これにより電極形状が変形し発光パタ−
ン形状が乱れたり、電極面積が減少し抵抗が増えるため
発熱量が増大する等の特性上の問題や、電極表面が凹凸
になりワイヤボンディングに支障をきたす等の後工程に
おける問題がしばしば発生する。従って、量産性を考慮
した場合、Ｉｎを電極材料として使用することは実用的
な素子を得る上で適当でなかった。
【課題を解決するための手段】本願発明は、上記問題点
に鑑みなされたものであり、請求項１に係る発明は、
「ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ型の半導体
において、該半導体基板上にＩｎ層を形成し、該Ｉｎ層
の上に後になされるべき熱処理の熱処理温度よりも高い
融点を有する導電性材料からなる層を形成した後、熱処
理を行うことを特徴とする半導体装置の電極形成方
法。」を提供するものであり、請求項２に係る発明は、
「ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ型の半導体
において、該半導体基板上にＡｕ層を ０.０２μｍ以上
１μｍ以下の厚みに形成し、該Ａｕ層上にＩｎ層を形成
した後、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の電
極形成方法。」を提供するものであり、請求項３に係る
発明は、「請求項２記載の半導体装置の電極形成方法に
おいて、該Ｉｎ層の上に導電性材料からなる層を形成す
ることを特徴とする半導体装置の電極形成方法。」を提
供するものであり、請求項４に係る発明は、「請求項１
〜請求項３の何れかの半導体装置の電極形成方法におい
て、その熱処理温度を４００℃より低くすることを特徴
とする半導体装置の電極形成方法。」を提供するもので
ある。
に鑑みなされたものであり、請求項１に係る発明は、
「ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ型の半導体
において、該半導体基板上にＩｎ層を形成し、該Ｉｎ層
の上に後になされるべき熱処理の熱処理温度よりも高い
融点を有する導電性材料からなる層を形成した後、熱処
理を行うことを特徴とする半導体装置の電極形成方
法。」を提供するものであり、請求項２に係る発明は、
「ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ型の半導体
において、該半導体基板上にＡｕ層を ０.０２μｍ以上
１μｍ以下の厚みに形成し、該Ａｕ層上にＩｎ層を形成
した後、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の電
極形成方法。」を提供するものであり、請求項３に係る
発明は、「請求項２記載の半導体装置の電極形成方法に
おいて、該Ｉｎ層の上に導電性材料からなる層を形成す
ることを特徴とする半導体装置の電極形成方法。」を提
供するものであり、請求項４に係る発明は、「請求項１
〜請求項３の何れかの半導体装置の電極形成方法におい
て、その熱処理温度を４００℃より低くすることを特徴
とする半導体装置の電極形成方法。」を提供するもので
ある。
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の第１の実施例である半導体
装置の電極形成方法を説明するための半導体装置の断面
図である。ここで、ＺｎＳｅよりなる半導体基板１には
Ｎ型の不純物、例えばＧａ、Ｃｌがドープされている。
先ず、この半導体基板１をアセトン、アルコール等の有
機溶剤で洗浄し、表面の付着物を取り除くと共に脱脂す
る。この時、塩酸／硝酸混合液、ブロム／メタノ−ル混
合液等のＺｎＳｅをエッチングする液で基板１の表面を
エッチング処理しても構わない。次に、十分な排気を行
った真空装置内で抵抗加熱法により、Ｉｎ金属を半導体
基板１上に０.３ μｍの厚さまで蒸着してＩｎ層２を形
成する。次に、同様に十分な排気を行った真空装置内で
電子ビ−ム法により、Ａｌ金属をＩｎ層２の上に０.８
μｍの厚さまで蒸着しＡｌ層３を形成する。このＡｌ層
３は後述する熱処理の際の熱処理温度では溶融せず固相
状態を維持するため溶融したＩｎ層２を抑え込むように
作用してＩｎの凝集を抑制することができる。なお、Ａ
ｌ層３はタングステンボ−ト等を使った抵抗加熱法によ
る蒸着、あるいは、直流または高周波によるスパッタ法
のいずれで形成しても構わない。また、後工程で行うワ
イヤボンディングを行い易いようにＡｌの代わりにＡｕ
等の金属あるいは他の合金等であって熱処理温度よりも
高い融点を有する材料からなる層を形成しても同様の効
果が得られる。次に、窒素雰囲気で３００℃に保たれた
電気炉内で数分間以上の熱処理を行う。ここで、熱処理
時の雰囲気はＩｎ等電極材の酸化を防止するものであ
り、窒素以外の不活性ガスあるいは水素等の還元ガスの
いずれの雰囲気でもよい。但し、４００℃以上の熱処理
を行った場合、Ｉｎが凝集するようになるため熱処理温
度は４００℃より低い温度で行う必要がある。以上のよ
うにして、Ｎ型のＺｎＳｅに対して熱処理による凝集が
なく良好なオ−ム特性を有するＩｎ電極を形成すること
ができる。図２は本発明の第２の実施例である半導体装
置の電極形成方法を説明するための半導体装置の断面図
である。本実施例の電極は、ＺｎＳｅよりなるＮ型の半
導体基板１上にＩｎ層２を上記第１の実施例と同様の方
法により形成した後、このＩｎ層２の上にＴｉＮ層４、
Ｔｉ層５、Ａｕ層６を真空装置内で電子ビーム法により
順次蒸着した後、熱処理することによって形成される。
一般に、Ｉｎは種々の金属と合金化しやすく、その際に
硬化して半導体表面に残留応力が生じる等の問題が生じ
る場合があるが、本実施例の方法によれば、Ｉｎ層２と
Ａｕ層６との間にＴｉＮ層４及びＴｉ層５とが形成され
た状態で熱処理が行われるため、Ｉｎ層２とＡｕ層６と
の間での合金化が阻止されて残留応力の発生が防止され
る。即ち、本実施例におけるＴｉＮ層４はＩｎ層２とＡ
ｕ層６とが拡散により合金化するのを防止するバリアと
しての作用をなすものであり、Ｔｉ層５はＴｉＮ層４と
Ａｕ層６との付着強度を高める作用をなすものである。
従って、このＴｉＮ層４とＴｉ層５とを積層する代わり
にＭｏ層とＮｉ層とを積層するか又はＷ層とＡｌ層とを
積層しても同様の効果が得られる。また、これらのＴｉ
Ｎ層４、Ｔｉ層５、Ａｕ層６の作用により、上記第１の
実施例の場合と同様Ｉｎの凝集も抑制されて良好なオー
ム特性を有するＩｎ電極を形成することができる。図３
は本発明の第３の実施例である半導体装置の電極形成方
法を説明するための半導体装置の断面図である。先ず、
第１又は第２の実施例の場合と同様、ＺｎＳｅよりなる
Ｎ型の半導体基板１をアセトン、アルコール等の有機溶
剤で洗浄し、表面の付着物を取り除くと共に脱脂する。
次にＡｕを十分な排気を行った真空装置内で抵抗加熱法
により半導体表面に０.０３μｍの厚さまで蒸着してＡ
ｕ層７を形成する。このＡｕ層７は後述する熱処理の際
に液化するＩｎに対する半導体面の濡れ性を改善し、Ｉ
ｎの凝集を抑制する働きをする。なお、このＡｕ層７は
電子ビームによる蒸着、又は直流あるいは高周波による
スパッタ法で形成しても構わない。ここで、Ａｕ層７の
厚みが０.０２μｍ未満の場合、後述する熱処理でＩｎ
の凝集を抑えることができないことから、０.０２μｍ
以上の厚みが必要である。しかしながら、Ａｕ層７の厚
みが大きくなると熱処理時にＩｎとＡｕの合金化反応が
進んで電極硬化が起こり半導体面に残留応力が生じた
り、ＩｎがＺｎＳｅ層中へ拡散せずオーム性が得にくく
なる等の問題が発生するため、Ａｕ層７の厚みは上記範
囲内でできるだけ薄いことが望ましい。次に、このＡｕ
層７上にＩｎ金属を十分に排気した真空装置内で抵抗加
熱法により０.８μｍの厚さまで蒸着してＩｎ層８を形
成する。次に窒素雰囲気で３００℃に保たれた電気炉内
で数分間以上の熱処理を行う。この際、Ａｕ層７により
濡れ性が改善されているため、従来のＩｎ電極でみられ
たようなＩｎの凝集は発生しない。ここで、熱処理の雰
囲気はＩｎの酸化を抑制するものであり窒素以外の不活
性ガスあるいは水素等の還元ガスのいずれの雰囲気でも
構わない。以上のようにして、Ｎ型のＺｎＳｅに対して
熱処理による凝集がなく良好なオ−ム特性を有するＩｎ
電極を形成することができる。図４は本発明の第４の実
施例である半導体装置の電極形成方法を説明するための
半導体装置の断面図である。本実施例では、後工程で行
うワイヤボンディングの作業性をさらによくするため
に、上記した第３の実施例において形成されたＩｎ層８
の上に更にＴｉ層９、Ｐｔ層１０、Ａｕ層１１を順次真
空装置内で電子ビーム法により蒸着して形成する。上述
した３００℃程度の熱処理はＴｉ層９、Ｐｔ層１０、Ａ
ｕ層１１の形成前あるいは形成後の何れでも構わない。
但し、４００℃以上の温度で熱処理を行った場合、Ｉｎ
の凝集が起こるため、熱処理は４００℃より低い温度で
行う必要がある。ここで、Ｉｎ層８の上に形成する各層
は、Ｔｉ層９、Ｐｔ層１０、Ａｕ層１１の代わりにＴｉ
Ｎ層、Ｔｉ層、Ａｕ層又は、Ｍｏ層、Ｎｉ層、Ａｕ層等
のオーム性に影響を及ぼさないものであれば何でも構わ
ない。以上のようにして、Ｎ型のＺｎＳｅに対して熱処
理による凝集がなく良好なオ−ム特性を有するＩｎ電極
を形成することができる。また、以上述べた第１乃至第
４の実施例においては、Ｎ型のＺｎＳｅを用いたがＮ型
のＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）に適用しても同様の効
果が得られるものである。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例である半導体
装置の電極形成方法を説明するための半導体装置の断面
図である。ここで、ＺｎＳｅよりなる半導体基板１には
Ｎ型の不純物、例えばＧａ、Ｃｌがドープされている。
先ず、この半導体基板１をアセトン、アルコール等の有
機溶剤で洗浄し、表面の付着物を取り除くと共に脱脂す
る。この時、塩酸／硝酸混合液、ブロム／メタノ−ル混
合液等のＺｎＳｅをエッチングする液で基板１の表面を
エッチング処理しても構わない。次に、十分な排気を行
った真空装置内で抵抗加熱法により、Ｉｎ金属を半導体
基板１上に０.３ μｍの厚さまで蒸着してＩｎ層２を形
成する。次に、同様に十分な排気を行った真空装置内で
電子ビ−ム法により、Ａｌ金属をＩｎ層２の上に０.８
μｍの厚さまで蒸着しＡｌ層３を形成する。このＡｌ層
３は後述する熱処理の際の熱処理温度では溶融せず固相
状態を維持するため溶融したＩｎ層２を抑え込むように
作用してＩｎの凝集を抑制することができる。なお、Ａ
ｌ層３はタングステンボ−ト等を使った抵抗加熱法によ
る蒸着、あるいは、直流または高周波によるスパッタ法
のいずれで形成しても構わない。また、後工程で行うワ
イヤボンディングを行い易いようにＡｌの代わりにＡｕ
等の金属あるいは他の合金等であって熱処理温度よりも
高い融点を有する材料からなる層を形成しても同様の効
果が得られる。次に、窒素雰囲気で３００℃に保たれた
電気炉内で数分間以上の熱処理を行う。ここで、熱処理
時の雰囲気はＩｎ等電極材の酸化を防止するものであ
り、窒素以外の不活性ガスあるいは水素等の還元ガスの
いずれの雰囲気でもよい。但し、４００℃以上の熱処理
を行った場合、Ｉｎが凝集するようになるため熱処理温
度は４００℃より低い温度で行う必要がある。以上のよ
うにして、Ｎ型のＺｎＳｅに対して熱処理による凝集が
なく良好なオ−ム特性を有するＩｎ電極を形成すること
ができる。図２は本発明の第２の実施例である半導体装
置の電極形成方法を説明するための半導体装置の断面図
である。本実施例の電極は、ＺｎＳｅよりなるＮ型の半
導体基板１上にＩｎ層２を上記第１の実施例と同様の方
法により形成した後、このＩｎ層２の上にＴｉＮ層４、
Ｔｉ層５、Ａｕ層６を真空装置内で電子ビーム法により
順次蒸着した後、熱処理することによって形成される。
一般に、Ｉｎは種々の金属と合金化しやすく、その際に
硬化して半導体表面に残留応力が生じる等の問題が生じ
る場合があるが、本実施例の方法によれば、Ｉｎ層２と
Ａｕ層６との間にＴｉＮ層４及びＴｉ層５とが形成され
た状態で熱処理が行われるため、Ｉｎ層２とＡｕ層６と
の間での合金化が阻止されて残留応力の発生が防止され
る。即ち、本実施例におけるＴｉＮ層４はＩｎ層２とＡ
ｕ層６とが拡散により合金化するのを防止するバリアと
しての作用をなすものであり、Ｔｉ層５はＴｉＮ層４と
Ａｕ層６との付着強度を高める作用をなすものである。
従って、このＴｉＮ層４とＴｉ層５とを積層する代わり
にＭｏ層とＮｉ層とを積層するか又はＷ層とＡｌ層とを
積層しても同様の効果が得られる。また、これらのＴｉ
Ｎ層４、Ｔｉ層５、Ａｕ層６の作用により、上記第１の
実施例の場合と同様Ｉｎの凝集も抑制されて良好なオー
ム特性を有するＩｎ電極を形成することができる。図３
は本発明の第３の実施例である半導体装置の電極形成方
法を説明するための半導体装置の断面図である。先ず、
第１又は第２の実施例の場合と同様、ＺｎＳｅよりなる
Ｎ型の半導体基板１をアセトン、アルコール等の有機溶
剤で洗浄し、表面の付着物を取り除くと共に脱脂する。
次にＡｕを十分な排気を行った真空装置内で抵抗加熱法
により半導体表面に０.０３μｍの厚さまで蒸着してＡ
ｕ層７を形成する。このＡｕ層７は後述する熱処理の際
に液化するＩｎに対する半導体面の濡れ性を改善し、Ｉ
ｎの凝集を抑制する働きをする。なお、このＡｕ層７は
電子ビームによる蒸着、又は直流あるいは高周波による
スパッタ法で形成しても構わない。ここで、Ａｕ層７の
厚みが０.０２μｍ未満の場合、後述する熱処理でＩｎ
の凝集を抑えることができないことから、０.０２μｍ
以上の厚みが必要である。しかしながら、Ａｕ層７の厚
みが大きくなると熱処理時にＩｎとＡｕの合金化反応が
進んで電極硬化が起こり半導体面に残留応力が生じた
り、ＩｎがＺｎＳｅ層中へ拡散せずオーム性が得にくく
なる等の問題が発生するため、Ａｕ層７の厚みは上記範
囲内でできるだけ薄いことが望ましい。次に、このＡｕ
層７上にＩｎ金属を十分に排気した真空装置内で抵抗加
熱法により０.８μｍの厚さまで蒸着してＩｎ層８を形
成する。次に窒素雰囲気で３００℃に保たれた電気炉内
で数分間以上の熱処理を行う。この際、Ａｕ層７により
濡れ性が改善されているため、従来のＩｎ電極でみられ
たようなＩｎの凝集は発生しない。ここで、熱処理の雰
囲気はＩｎの酸化を抑制するものであり窒素以外の不活
性ガスあるいは水素等の還元ガスのいずれの雰囲気でも
構わない。以上のようにして、Ｎ型のＺｎＳｅに対して
熱処理による凝集がなく良好なオ−ム特性を有するＩｎ
電極を形成することができる。図４は本発明の第４の実
施例である半導体装置の電極形成方法を説明するための
半導体装置の断面図である。本実施例では、後工程で行
うワイヤボンディングの作業性をさらによくするため
に、上記した第３の実施例において形成されたＩｎ層８
の上に更にＴｉ層９、Ｐｔ層１０、Ａｕ層１１を順次真
空装置内で電子ビーム法により蒸着して形成する。上述
した３００℃程度の熱処理はＴｉ層９、Ｐｔ層１０、Ａ
ｕ層１１の形成前あるいは形成後の何れでも構わない。
但し、４００℃以上の温度で熱処理を行った場合、Ｉｎ
の凝集が起こるため、熱処理は４００℃より低い温度で
行う必要がある。ここで、Ｉｎ層８の上に形成する各層
は、Ｔｉ層９、Ｐｔ層１０、Ａｕ層１１の代わりにＴｉ
Ｎ層、Ｔｉ層、Ａｕ層又は、Ｍｏ層、Ｎｉ層、Ａｕ層等
のオーム性に影響を及ぼさないものであれば何でも構わ
ない。以上のようにして、Ｎ型のＺｎＳｅに対して熱処
理による凝集がなく良好なオ−ム特性を有するＩｎ電極
を形成することができる。また、以上述べた第１乃至第
４の実施例においては、Ｎ型のＺｎＳｅを用いたがＮ型
のＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）に適用しても同様の効
果が得られるものである。
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の電極形成方法によれば、Ｎ型のＺｎＳxＳｅ1-x（０
≦ｘ≦１）へのオ−ム性電極となるＩｎ電極を凝集なく
形成でき、良好なオ−ム特性が得られる。これにより熱
処理過程のＩｎの凝集に伴う特性劣化を抑制でき信頼性
を向上させるとともに、後工程例えばワイヤボンディン
グ等の作業性がよくなり製造歩留りを向上させる効果が
ある。
置の電極形成方法によれば、Ｎ型のＺｎＳxＳｅ1-x（０
≦ｘ≦１）へのオ−ム性電極となるＩｎ電極を凝集なく
形成でき、良好なオ−ム特性が得られる。これにより熱
処理過程のＩｎの凝集に伴う特性劣化を抑制でき信頼性
を向上させるとともに、後工程例えばワイヤボンディン
グ等の作業性がよくなり製造歩留りを向上させる効果が
ある。
【図１】本発明の第１の実施例である半導体装置の電極
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例である半導体装置の電極
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例である半導体装置の電極
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例である半導体装置の電極
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
【図５】従来のＩｎを用いた電極形成方法を説明するた
めの半導体装置の断面図である。
めの半導体装置の断面図である。
１ 基板 ２ Ｉｎ層 ３ Ａｌ層 ４ ＴｉＮ層 ５ Ｔｉ層 ６ Ａｕ層 ７ Ａｕ層 ８ Ｉｎ層 ９ Ｔｉ層 １０ Ｐｔ層 １１ Ａｕ層
Claims (4)
- 【請求項１】ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ
型の半導体において、該半導体基板上にＩｎ層を形成
し、該Ｉｎ層の上に後になされるべき熱処理の熱処理温
度よりも高い融点を有する導電性材料からなる層を形成
した後、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の電
極形成方法。 - 【請求項２】ＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）よりなるＮ
型の半導体において、該半導体基板上にＡｕ層を ０.０
２μｍ以上１μｍ以下の厚みに形成し、該Ａｕ層上にＩ
ｎ層を形成した後、熱処理を行うことを特徴とする半導
体装置の電極形成方法。 - 【請求項３】請求項２記載の半導体装置の電極形成方法
において、該Ｉｎ層の上に導電性材料からなる層を形成
することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項４】請求項１〜請求項３の何れかの半導体装置
の電極形成方法において、その熱処理温度を４００℃よ
り低くすることを特徴とする半導体装置の電極形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27956392A JPH06112153A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27956392A JPH06112153A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112153A true JPH06112153A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17612722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27956392A Pending JPH06112153A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112153A (ja) |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP27956392A patent/JPH06112153A/ja active Pending
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