JPH06112161A - プラズマプロセス装置 - Google Patents
プラズマプロセス装置Info
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- JPH06112161A JPH06112161A JP4254939A JP25493992A JPH06112161A JP H06112161 A JPH06112161 A JP H06112161A JP 4254939 A JP4254939 A JP 4254939A JP 25493992 A JP25493992 A JP 25493992A JP H06112161 A JPH06112161 A JP H06112161A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波の分布を周辺部局在となるように
して、プラズマ分布を平坦にし成膜の均一化を図る 【構成】 矩形導波管１０とテーパ導波管１３とは同軸
導波管変換器１２によって接続され、またテーパ導波管
３の外側には磁場コイル１４が、内側にはテーパ状をし
た同軸ホーンアンテナ１５が配設されている。同軸ホー
ンアンテナ１５はテーパ導波管１３と同軸状に配設さ
れ、その同軸ホーンアンテナ１５の一端は同軸導波管変
換器１２の内導体とつながっている。このような構成に
おいて、マイクロ波は矩形導波管１０内をＴＥ11モード
で伝わり、同軸導波管変換器１２で同軸ＴＥＭモードに
変換されて、そのままプラズマ生成室まで伝わるため、
プラズマ１７はドーナツ状となり、基板１８上に均一の
成膜を形成することができる。
して、プラズマ分布を平坦にし成膜の均一化を図る 【構成】 矩形導波管１０とテーパ導波管１３とは同軸
導波管変換器１２によって接続され、またテーパ導波管
３の外側には磁場コイル１４が、内側にはテーパ状をし
た同軸ホーンアンテナ１５が配設されている。同軸ホー
ンアンテナ１５はテーパ導波管１３と同軸状に配設さ
れ、その同軸ホーンアンテナ１５の一端は同軸導波管変
換器１２の内導体とつながっている。このような構成に
おいて、マイクロ波は矩形導波管１０内をＴＥ11モード
で伝わり、同軸導波管変換器１２で同軸ＴＥＭモードに
変換されて、そのままプラズマ生成室まで伝わるため、
プラズマ１７はドーナツ状となり、基板１８上に均一の
成膜を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波放電により
生成したプラズマを利用して大面積の試料に薄膜形成若
しくはエッチング加工を均一に行うプラズマプロセス装
置に係り、特に、外部磁場コイルが設けられ、マイクロ
波の周波数とプラズマ中の電子サイクロトロン周波数が
一致するようにして、プラズマ生成効率を高めたＥＣＲ
(Elec-tron Cyclotron Resorance）装置に関するもので
ある。
生成したプラズマを利用して大面積の試料に薄膜形成若
しくはエッチング加工を均一に行うプラズマプロセス装
置に係り、特に、外部磁場コイルが設けられ、マイクロ
波の周波数とプラズマ中の電子サイクロトロン周波数が
一致するようにして、プラズマ生成効率を高めたＥＣＲ
(Elec-tron Cyclotron Resorance）装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のＥＣＲ装置の典型的な構成とし
て、J. Asmussen, Electron Cyclotronresonance micro
wave discharges for etching and thin film depositi
am, J.Vac. Sci. Technol 883, A7, 1989 に示されたも
のが知られている。これは、図４に示すように、上部よ
り導波管１にてマイクロ波２（通常２.４５ＧHz）をプ
ラズマ室３内に導き、外部に設置した磁場コイル４によ
り、プラズマ室３中に所要の磁場(通常８７５guass）を
生成し、ＥＣＲ層（ＥＣＲを起こすような等磁場面）を
作ってプラズマを形成するようになっている。そして、
プラズマ中で生成された気相反応物が下方の基板５上に
到達し、該基板５に対して薄膜成長やエッチングを行
う。
て、J. Asmussen, Electron Cyclotronresonance micro
wave discharges for etching and thin film depositi
am, J.Vac. Sci. Technol 883, A7, 1989 に示されたも
のが知られている。これは、図４に示すように、上部よ
り導波管１にてマイクロ波２（通常２.４５ＧHz）をプ
ラズマ室３内に導き、外部に設置した磁場コイル４によ
り、プラズマ室３中に所要の磁場(通常８７５guass）を
生成し、ＥＣＲ層（ＥＣＲを起こすような等磁場面）を
作ってプラズマを形成するようになっている。そして、
プラズマ中で生成された気相反応物が下方の基板５上に
到達し、該基板５に対して薄膜成長やエッチングを行
う。
【０００３】上記構成のＥＣＲ装置は、プラズマを効率
良く形成できるために急速に実用範囲を広げているが、
薄膜トランジスタ(ＴＦＴ thin film transister）の作
成工程のうち、ａ−Ｓi膜（amolphaus silicon膜）を大
面積ガラス基板に生成するときなどに問題が生じる。す
なわち、キャリア移動度の大きい良質のａ−Ｓi膜を生
成するには、マイクロ波の入力パワーを下げてラジカル
含有量に比してイオン含有量の少ないプラズマを形成し
て、微結晶度の少ない薄膜を形成する必要があるが、そ
の場合、上記ＥＣＲ装置ではプラズマは容器中央部分に
集中・局在化し、その結果、薄膜分布が基板中央で厚
く、周辺部で薄くなってしまう欠点がある。
良く形成できるために急速に実用範囲を広げているが、
薄膜トランジスタ(ＴＦＴ thin film transister）の作
成工程のうち、ａ−Ｓi膜（amolphaus silicon膜）を大
面積ガラス基板に生成するときなどに問題が生じる。す
なわち、キャリア移動度の大きい良質のａ−Ｓi膜を生
成するには、マイクロ波の入力パワーを下げてラジカル
含有量に比してイオン含有量の少ないプラズマを形成し
て、微結晶度の少ない薄膜を形成する必要があるが、そ
の場合、上記ＥＣＲ装置ではプラズマは容器中央部分に
集中・局在化し、その結果、薄膜分布が基板中央で厚
く、周辺部で薄くなってしまう欠点がある。
【０００４】このようにプラズマ不均一性の問題を解決
するために多くの出願がなされている。それらは二つの
グループに分けることができ、その第１のグループに属
するものは、特開昭６３−２１９１２８号公報，特開昭
６３−４３３２４号公報，特開平１−１００２６３号公
報，特開平２−５０４２９号公報などであって、プラズ
マ領域から基板に至るまでの磁力線を発散型にすること
によって、仮に生成プラズマが局所集中していても基板
に入射するときには充分に拡大させ、不均一性を緩和し
ようというものである。
するために多くの出願がなされている。それらは二つの
グループに分けることができ、その第１のグループに属
するものは、特開昭６３−２１９１２８号公報，特開昭
６３−４３３２４号公報，特開平１−１００２６３号公
報，特開平２−５０４２９号公報などであって、プラズ
マ領域から基板に至るまでの磁力線を発散型にすること
によって、仮に生成プラズマが局所集中していても基板
に入射するときには充分に拡大させ、不均一性を緩和し
ようというものである。
【０００５】また、第２のグループに属するものは、特
開昭６２−２４８２２６号公報，特開昭６３−１３１５
００号公報，特開昭６３−３１６４２７号公報，特開平
２−１７０９７８号公報などであって、プラズマ室内で
プラズマ集中の原因となるマイクロ波の分布を導波管や
アンテナ形状の工夫によって拡げ、プラズマを均一化し
ようというものである。具体的には、上記各公報では、
スリット付き板状アンテナをプラズマ室の壁際に配し、
そこでのマイクロ波を強くしてプラズマ分布を周辺部に
集めるようにしている。
開昭６２−２４８２２６号公報，特開昭６３−１３１５
００号公報，特開昭６３−３１６４２７号公報，特開平
２−１７０９７８号公報などであって、プラズマ室内で
プラズマ集中の原因となるマイクロ波の分布を導波管や
アンテナ形状の工夫によって拡げ、プラズマを均一化し
ようというものである。具体的には、上記各公報では、
スリット付き板状アンテナをプラズマ室の壁際に配し、
そこでのマイクロ波を強くしてプラズマ分布を周辺部に
集めるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術のうち、第１のグループに属するものでは、小さ
なプラズマを拡大・希釈するものであるから、薄膜速度
が拡大率に反比例して低下し、また極端な拡大はできな
いところから、Ａ４サイズ以上の液晶パネルの作成には
向かないという問題がある。
来技術のうち、第１のグループに属するものでは、小さ
なプラズマを拡大・希釈するものであるから、薄膜速度
が拡大率に反比例して低下し、また極端な拡大はできな
いところから、Ａ４サイズ以上の液晶パネルの作成には
向かないという問題がある。
【０００７】また、第２のグループに属するものでは、
プラズマが直接金属物に接触するため、成膜時に金属汚
染を引き起こすという問題がある。この金属汚染に対し
ては、図５に示すように、金属三角錐６をテーパ導波管
７内に配し、マイクロ波を周辺部に局在させるようにし
たものが同一出願人により出願されている。これは、石
英仕切板８でプラズマが分離されるので、金属汚染の心
配はないが、テーパ導波管７内に入ってくるマイクロ波
モードがＴＥ１１の直線偏波モードであるために、金属
三角錐６の底部に相当量の高周波電流が流れ、それが二
次放射アンテナとなってプラズマ室９中心部にも再び強
いマイクロ波強度分布を作ってしまうため、プラズマの
均一化が期待したほど達成できない。
プラズマが直接金属物に接触するため、成膜時に金属汚
染を引き起こすという問題がある。この金属汚染に対し
ては、図５に示すように、金属三角錐６をテーパ導波管
７内に配し、マイクロ波を周辺部に局在させるようにし
たものが同一出願人により出願されている。これは、石
英仕切板８でプラズマが分離されるので、金属汚染の心
配はないが、テーパ導波管７内に入ってくるマイクロ波
モードがＴＥ１１の直線偏波モードであるために、金属
三角錐６の底部に相当量の高周波電流が流れ、それが二
次放射アンテナとなってプラズマ室９中心部にも再び強
いマイクロ波強度分布を作ってしまうため、プラズマの
均一化が期待したほど達成できない。
【０００８】本発明の目的は、マイクロ波の分布を周辺
部局在となるようにして、プラズマ分布を平坦にし成膜
の均一化を図ることができるプロセスプラズマ装置を提
案することである。
部局在となるようにして、プラズマ分布を平坦にし成膜
の均一化を図ることができるプロセスプラズマ装置を提
案することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、放電ガスが導入されプラズマが生成され
るプラズマ生成室と、該プラズマ生成室に磁場を発生す
る磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を
導入する導波管とを備え、前記マイクロ波と磁場との共
鳴作用により前記プラズマ生成室内に生成するプラズマ
を用いて、該プラズマ生成室内に設置された試料の表面
処理を行うプラズマプロセス装置において、前記導波管
内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸状に設置すると
ともに、前記マイクロ波のモードを直線偏波モードから
同軸ＴＥＭモードに変換する同軸導波管変換器を前記金
属製導体の入口側端部に設けたものである。
め、本発明は、放電ガスが導入されプラズマが生成され
るプラズマ生成室と、該プラズマ生成室に磁場を発生す
る磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を
導入する導波管とを備え、前記マイクロ波と磁場との共
鳴作用により前記プラズマ生成室内に生成するプラズマ
を用いて、該プラズマ生成室内に設置された試料の表面
処理を行うプラズマプロセス装置において、前記導波管
内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸状に設置すると
ともに、前記マイクロ波のモードを直線偏波モードから
同軸ＴＥＭモードに変換する同軸導波管変換器を前記金
属製導体の入口側端部に設けたものである。
【００１０】また、本発明は、放電ガスが導入されプラ
ズマが生成されるプラズマ生成室と、該プラズマ生成室
に磁場を発生する磁場発生手段と、前記プラズマ生成室
にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記マイクロ
波と磁場との共鳴作用により前記プラズマ生成室内に生
成するプラズマを用いて、該プラズマ生成室内に設置さ
れた試料の表面処理を行うプラズマプロセス装置におい
て、前記導波管内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸
状に設置するとともに、前記マイクロ波のモードを直線
偏波モードから同軸ＴＥＭモードに変換する同軸導波管
変換器を前記金属製導体の入口側端部に設け、さらに前
記金属製導体の内側に磁場コイルを設置し、該磁場コイ
ルの電流を前記磁場発生手段の電流に対して逆向きとし
たものである。
ズマが生成されるプラズマ生成室と、該プラズマ生成室
に磁場を発生する磁場発生手段と、前記プラズマ生成室
にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記マイクロ
波と磁場との共鳴作用により前記プラズマ生成室内に生
成するプラズマを用いて、該プラズマ生成室内に設置さ
れた試料の表面処理を行うプラズマプロセス装置におい
て、前記導波管内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸
状に設置するとともに、前記マイクロ波のモードを直線
偏波モードから同軸ＴＥＭモードに変換する同軸導波管
変換器を前記金属製導体の入口側端部に設け、さらに前
記金属製導体の内側に磁場コイルを設置し、該磁場コイ
ルの電流を前記磁場発生手段の電流に対して逆向きとし
たものである。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、同軸導波管変換器を設けた
ことにより、マイクロ波モードを導波管の直前でＴＥ１
１直線偏波モードからＴＥＭ同軸モードに変換すること
ができ、さらに、導波管内に金属製導体を同軸状に設置
したので、変換したＴＥＭ同軸モードのマイクロ波をそ
のままプラズマ生成室まで導くことができ、周辺部に強
いマイクロ波分布を形成することができる。その結果、
試料に形成される成膜を均一にすることが可能となる。
ことにより、マイクロ波モードを導波管の直前でＴＥ１
１直線偏波モードからＴＥＭ同軸モードに変換すること
ができ、さらに、導波管内に金属製導体を同軸状に設置
したので、変換したＴＥＭ同軸モードのマイクロ波をそ
のままプラズマ生成室まで導くことができ、周辺部に強
いマイクロ波分布を形成することができる。その結果、
試料に形成される成膜を均一にすることが可能となる。
【００１２】また、金属製導体をテーパ状に形成する
と、マイクロ波の進行性、すなわちホーン（出口周りの
境界条件によって反射波が誘起され、それが全体のマイ
クロ波分布を乱してしまうが、その反射波誘起が少ない
こと）がよくなって、より確実にプラズマ均一化を図る
ことができる。
と、マイクロ波の進行性、すなわちホーン（出口周りの
境界条件によって反射波が誘起され、それが全体のマイ
クロ波分布を乱してしまうが、その反射波誘起が少ない
こと）がよくなって、より確実にプラズマ均一化を図る
ことができる。
【００１３】さらに、金属製導体の内側に磁場コイルを
設置し、該磁場コイルの電流を磁場発生手段の電流に対
して逆向きにすると、プラズマ生成部で磁場が強め合
い、試料に向かうに従って開いた磁力線パターンとな
る。これにより、試料上にはドーナツ状のプラズマが降
り注ぐことになり、試料に形成される成膜をより一層均
一にすることが可能となる。
設置し、該磁場コイルの電流を磁場発生手段の電流に対
して逆向きにすると、プラズマ生成部で磁場が強め合
い、試料に向かうに従って開いた磁力線パターンとな
る。これにより、試料上にはドーナツ状のプラズマが降
り注ぐことになり、試料に形成される成膜をより一層均
一にすることが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を一実施例を図面に従って説明
する。図１は本発明のプロセスプラズマ装置の概略構成
を示している。図において、矩形導波管１０の一端側に
はマグネトロン１１が、他端側には同軸導波管変換器１
２がそれぞれ接続されている。また同軸導波管変換器１
２にはテーパ導波管１３が接続され、そのテーパ導波管
３の外側に磁場コイル１４が配設されている。テーパ導
波管１３の内部にはテーパ状をした同軸ホーンアンテナ
１５がテーパ導波管１３と同軸状に設けられ、その同軸
ホーンアンテナ１５の一端は同軸導波管変換器１２の同
軸出力の内導体とつながっている。なお、図中の符号１
６は石英仕切板を、１７はプラズマを、１８は基板をそ
れぞれ示している。
する。図１は本発明のプロセスプラズマ装置の概略構成
を示している。図において、矩形導波管１０の一端側に
はマグネトロン１１が、他端側には同軸導波管変換器１
２がそれぞれ接続されている。また同軸導波管変換器１
２にはテーパ導波管１３が接続され、そのテーパ導波管
３の外側に磁場コイル１４が配設されている。テーパ導
波管１３の内部にはテーパ状をした同軸ホーンアンテナ
１５がテーパ導波管１３と同軸状に設けられ、その同軸
ホーンアンテナ１５の一端は同軸導波管変換器１２の同
軸出力の内導体とつながっている。なお、図中の符号１
６は石英仕切板を、１７はプラズマを、１８は基板をそ
れぞれ示している。
【００１５】次に本実施例の作用について説明する。マ
グネトロン１１より発生したマイクロ波（通常２．５４
ＧＨｚ）はＴＥ11モードで矩形導波管１０を伝わり、同
軸導波管変換器１２に至り同軸ＴＥＭモードに変わる。
同軸ＴＥＭモードのマイクロ波は同軸ホーンアンテナ１
５伝わり、石英仕切板１６の外で共鳴層にぶつかりプラ
ズマ１７を電離する。そして、磁場コイル１４は共鳴層
で電子サイクロトロン周波数となるような磁場（通常８
７５gauss）を発生する。プラズマ１７は概念的にドー
ナツ状のものとなり、そこで生成された中性ラジカル種
が基板１８上に拡散・堆積することにより、結果として
平坦な成膜が行われる。
グネトロン１１より発生したマイクロ波（通常２．５４
ＧＨｚ）はＴＥ11モードで矩形導波管１０を伝わり、同
軸導波管変換器１２に至り同軸ＴＥＭモードに変わる。
同軸ＴＥＭモードのマイクロ波は同軸ホーンアンテナ１
５伝わり、石英仕切板１６の外で共鳴層にぶつかりプラ
ズマ１７を電離する。そして、磁場コイル１４は共鳴層
で電子サイクロトロン周波数となるような磁場（通常８
７５gauss）を発生する。プラズマ１７は概念的にドー
ナツ状のものとなり、そこで生成された中性ラジカル種
が基板１８上に拡散・堆積することにより、結果として
平坦な成膜が行われる。
【００１６】同軸導波管変換器１２は一般によく用いら
れるもので、通常の設計法に従って製作すればよく、特
に目新しいものではない。同軸ホーンアンテナ１５は、
材質は例えばアルミニウムなどの良導体を用いて製作す
る。同軸ホーンアンテナ１５はマイクロ波の進行に従っ
てその開口面積が大きくなるものであるから、反射波の
発生が抑えられる傾向を有しており、反射波によってマ
イクロ波分布を乱してしまうことが少ないという利点を
有している。
れるもので、通常の設計法に従って製作すればよく、特
に目新しいものではない。同軸ホーンアンテナ１５は、
材質は例えばアルミニウムなどの良導体を用いて製作す
る。同軸ホーンアンテナ１５はマイクロ波の進行に従っ
てその開口面積が大きくなるものであるから、反射波の
発生が抑えられる傾向を有しており、反射波によってマ
イクロ波分布を乱してしまうことが少ないという利点を
有している。
【００１７】図２は、開口部における、つまりＡ−Ａ線
に沿ったマイクロ波電場Ｅ及び磁場Ｈのパターンを示し
ている。従来技術におけるマイクロ波電場Ｅ及び磁場Ｈ
のパターンは、図６および図７のようになる。図６は図
５のＢ−Ｂ線に沿ったパターン（円形ＴＥ11モード）で
あり、図７は図５のＣ−Ｃ線に沿ったパターン（同軸Ｔ
Ｅ11モード）である。これらのパターンはＴＥ11モード
のものであり、内導体に電流が流れる結果、電波がここ
で放射され、結果としてのマイクロ波が乱れてしまう。
これに対して本発明のマイクロ波パターンでは、図２に
示すように、内導体を横切って電流は流れないため、こ
こでの放射は問題を生じない。
に沿ったマイクロ波電場Ｅ及び磁場Ｈのパターンを示し
ている。従来技術におけるマイクロ波電場Ｅ及び磁場Ｈ
のパターンは、図６および図７のようになる。図６は図
５のＢ−Ｂ線に沿ったパターン（円形ＴＥ11モード）で
あり、図７は図５のＣ−Ｃ線に沿ったパターン（同軸Ｔ
Ｅ11モード）である。これらのパターンはＴＥ11モード
のものであり、内導体に電流が流れる結果、電波がここ
で放射され、結果としてのマイクロ波が乱れてしまう。
これに対して本発明のマイクロ波パターンでは、図２に
示すように、内導体を横切って電流は流れないため、こ
こでの放射は問題を生じない。
【００１８】図３は本発明の他の実施例を示している。
本実施例は同軸ホーンアンテナ１５の中に第２の磁場コ
イル２０が設けられたもので、この磁場コイル２０に
は、テーパ導波管１３の外側に設けられた磁場コイル１
４を流れる電流とは逆向きの電流を流すようになってい
る。これにより、プラズマ生成部のあたりで磁場が強め
合い、基板１８に向かうに従って開いた磁力線パターン
となる。そして、基板１８にはドーナツ状のプラズマが
拡大されて降り注ぐことになり（プラズマは磁力線に沿
って移動するため）、基板１８上での均一性を一層増す
ことになる。また、磁場コイル２０に流す電流を可変と
し調節可能とすれば、基板１８上での成膜の均一性をよ
り一層向上させることができる。なお、図中の符号２１
は磁場コイル２０につながった引出線を、２２は引出線
２２の端部に設けられた端子をそれぞれ示している。
本実施例は同軸ホーンアンテナ１５の中に第２の磁場コ
イル２０が設けられたもので、この磁場コイル２０に
は、テーパ導波管１３の外側に設けられた磁場コイル１
４を流れる電流とは逆向きの電流を流すようになってい
る。これにより、プラズマ生成部のあたりで磁場が強め
合い、基板１８に向かうに従って開いた磁力線パターン
となる。そして、基板１８にはドーナツ状のプラズマが
拡大されて降り注ぐことになり（プラズマは磁力線に沿
って移動するため）、基板１８上での均一性を一層増す
ことになる。また、磁場コイル２０に流す電流を可変と
し調節可能とすれば、基板１８上での成膜の均一性をよ
り一層向上させることができる。なお、図中の符号２１
は磁場コイル２０につながった引出線を、２２は引出線
２２の端部に設けられた端子をそれぞれ示している。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マイクロ波を軸対称性のよい同軸ＴＥＭモードとしてプ
ラズマ生成室まで導くことができるので、非中心集中型
のマイクロ波分布ひいてはプラズマ分布を形成すること
が可能となる。その結果、大面積の基板にても均一性の
高い膜を高いスループットで生成できるようになる。
マイクロ波を軸対称性のよい同軸ＴＥＭモードとしてプ
ラズマ生成室まで導くことができるので、非中心集中型
のマイクロ波分布ひいてはプラズマ分布を形成すること
が可能となる。その結果、大面積の基板にても均一性の
高い膜を高いスループットで生成できるようになる。
【図１】本発明の一実施例によるプラズマプロセス装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】本発明の他の実施例によるプラズマプロセス装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図４】従来のプラズマプロセス装置の一例を示した図
である。
である。
【図５】従来のプラズマプロセス装置の他の例を示した
図である。
図である。
【図６】図６のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
１０ 矩形導波管 １１ マグネトロン １２ 同軸導波管変換器 １３ テーパ導波管 １４，２０ 磁場コイル １５ 同軸ホーンアンテナ １６ 石英仕切板 １７ プラズマ １８ 基板 ２１ 引出線 ２２ 端子
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｒ 33/64 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ (72)発明者 白川 真司 茨城県日立市森山町1168番地 株式会社日 立製作所エネルギー研究所内 (72)発明者 小林 金也 茨城県日立市森山町1168番地 株式会社日 立製作所エネルギー研究所内 (72)発明者 島 健蔵 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 鈴木 和夫 茨城県日立市幸町三丁目２番２号 株式会 社日立エンジニアリングサービス内
Claims (5)
- 【請求項１】 放電ガスが導入されプラズマが生成され
るプラズマ生成室と、該プラズマ生成室に磁場を発生す
る磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を
導入する導波管とを備え、前記マイクロ波と磁場との共
鳴作用により前記プラズマ生成室内に生成するプラズマ
を用いて、該プラズマ生成室内に設置された試料の処理
を行うプラズマプロセス装置において、 前記導波管内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸状に
設置するとともに、前記マイクロ波のモードを直線偏波
モードから同軸ＴＥＭモードに変換する同軸導波管変換
器を前記金属製導体の入口側端部に設けたことを特徴と
するプラズマプロセス装置。 - 【請求項２】 放電ガスが導入されプラズマが生成され
るプラズマ生成室と、該プラズマ生成室に磁場を発生す
る磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を
導入する導波管とを備え、前記マイクロ波と磁場との共
鳴作用により前記プラズマ生成室内に生成するプラズマ
を用いて、該プラズマ生成室内に設置された試料の処理
を行うプラズマプロセス装置において、 前記導波管内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸状に
設置するとともに、前記マイクロ波のモードを直線偏波
モードから同軸ＴＥＭモードに変換する同軸導波管変換
器を前記金属製導体の入口側端部に設け、さらに前記金
属製導体の内側に磁場コイルを設置し、該磁場コイルの
電流を前記磁場発生手段の電流に対して逆向きとしたこ
とを特徴とするプラズマプロセス装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のプラズマプロセス装置に
おいて、 前記磁場コイルの引出線は、前記金属製導体の入口側端
部から外部に引き出されていることを特徴とするプラズ
マプロセス装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載のプラズマプロセス
装置において、 前記導波管の形状がテーパ状である場合は、前記金属製
導体はテーパ状に形成されていることを特徴とするプラ
ズマプロセス装置。 - 【請求項５】 請求項１，２又は４記載のプラズマプロ
セス装置において、 前記導波管はアルミニウム等の良導体で形成されている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25493992A JP3328844B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | プラズマプロセス装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25493992A JP3328844B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | プラズマプロセス装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2001042281A Division JP3546331B2 (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | プラズマプロセス装置 |
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| JP3328844B2 JP3328844B2 (ja) | 2002-09-30 |
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ID=17271959
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743671A3 (en) * | 1995-05-19 | 1997-07-16 | Hitachi Ltd | Method and device for a plasma processing device |
| WO2000019501A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma processing |
| US8776719B2 (en) | 2005-08-15 | 2014-07-15 | Edwards Limited | Microwave plasma reactor |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP25493992A patent/JP3328844B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743671A3 (en) * | 1995-05-19 | 1997-07-16 | Hitachi Ltd | Method and device for a plasma processing device |
| US6034346A (en) * | 1995-05-19 | 2000-03-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for plasma processing apparatus |
| US6172321B1 (en) | 1995-05-19 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for plasma processing apparatus |
| WO2000019501A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma processing |
| US6431114B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma processing |
| US8776719B2 (en) | 2005-08-15 | 2014-07-15 | Edwards Limited | Microwave plasma reactor |
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