JPH06112264A - ワイヤクランプ板 - Google Patents
ワイヤクランプ板Info
- Publication number
- JPH06112264A JPH06112264A JP3149657A JP14965791A JPH06112264A JP H06112264 A JPH06112264 A JP H06112264A JP 3149657 A JP3149657 A JP 3149657A JP 14965791 A JP14965791 A JP 14965791A JP H06112264 A JPH06112264 A JP H06112264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clamp plate
- wire clamp
- wire
- present
- titanium boride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07168—Means for storing or moving the material for the connector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07502—Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ワイヤの接触に伴なう摩耗を抑制する。
【構成】ホウ化チタンの焼結体によって形成する。
【効果】ビッカース硬度を改善でき、ひいてはワイヤの
接触に伴なう摩耗を十分に抑制でき、結果的に長寿命化
を達成できる。
接触に伴なう摩耗を十分に抑制でき、結果的に長寿命化
を達成できる。
Description
【０００１】
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを結線す
るに際しワイヤを保持するワイヤクランプ板に関し、特
に、ホウ化チタンの焼結体によって形成されてなるワイ
ヤクランプ板に関するものである。
るに際しワイヤを保持するワイヤクランプ板に関し、特
に、ホウ化チタンの焼結体によって形成されてなるワイ
ヤクランプ板に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種のワイヤクランプ板として
は、超硬金属，炭化珪素焼結体あるいはサーメットで全
体を形成してなるものが提案され、更には炭化珪素焼結
体の表面に対し窒化チタンTiN および炭化チタンTiC の
うちの少なくとも一方でコーティング層を形成してなる
ものが提案されていた (特開平2-16745 参照) 。
は、超硬金属，炭化珪素焼結体あるいはサーメットで全
体を形成してなるものが提案され、更には炭化珪素焼結
体の表面に対し窒化チタンTiN および炭化チタンTiC の
うちの少なくとも一方でコーティング層を形成してなる
ものが提案されていた (特開平2-16745 参照) 。
【０００４】
【解決すべき問題点】しかしながら、従来のワイヤクラ
ンプ板では、超硬金属，炭化珪素焼結体あるいはサーメ
ットで全体が形成される場合、(i) ビッカース硬度が比
較的に小さく、ワイヤの接触に伴なう摩耗を抑制できな
い欠点があり、ひいては(ii)長寿命とできない欠点があ
った。
ンプ板では、超硬金属，炭化珪素焼結体あるいはサーメ
ットで全体が形成される場合、(i) ビッカース硬度が比
較的に小さく、ワイヤの接触に伴なう摩耗を抑制できな
い欠点があり、ひいては(ii)長寿命とできない欠点があ
った。
【０００５】また、従来のワイヤクランプ板では、炭化
珪素焼結体の表面に対し窒化チタンTiN および炭化チタ
ンTiC のうちの少なくとも一方でコーティング層が形成
される場合にあっても、(iii) ビッカース硬度を然程改
善できず、ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分に抑制でき
ない欠点があり、ひいては(iv)十分には長寿命とできな
い欠点があった。
珪素焼結体の表面に対し窒化チタンTiN および炭化チタ
ンTiC のうちの少なくとも一方でコーティング層が形成
される場合にあっても、(iii) ビッカース硬度を然程改
善できず、ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分に抑制でき
ない欠点があり、ひいては(iv)十分には長寿命とできな
い欠点があった。
【０００６】そこで、本発明は、これらの欠点を除去す
べく、ホウ化チタンの焼結体によって形成することによ
りワイヤの接触に伴なう摩耗を抑制してなるワイヤクラ
ンプ板を提供せんとするものである。
べく、ホウ化チタンの焼結体によって形成することによ
りワイヤの接触に伴なう摩耗を抑制してなるワイヤクラ
ンプ板を提供せんとするものである。
【０００７】
【０００８】
【問題点の解決手段】本発明により提供される問題点の
解決手段は、「半導体チップを結線するに際しワイヤを
保持するワイヤクランプ板において、ホウ化チタンの焼
結体によって形成されてなることを特徴とするワイヤク
ランプ板」である。
解決手段は、「半導体チップを結線するに際しワイヤを
保持するワイヤクランプ板において、ホウ化チタンの焼
結体によって形成されてなることを特徴とするワイヤク
ランプ板」である。
【０００９】
【作用】本発明にかかるワイヤクランプ板は、上述の
［問題点の解決手段］の欄に明示したごとく、半導体チ
ップを結線するに際しワイヤを保持するワイヤクランプ
板であって、特に、ホウ化チタンの焼結体によって形成
されているので、 (i) ビッカース硬度を改善する作用 をなし、ひいては (ii) ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分に抑制する作用 をなし、結果的に (iii) 長寿命化を達成する作用 をなす。
［問題点の解決手段］の欄に明示したごとく、半導体チ
ップを結線するに際しワイヤを保持するワイヤクランプ
板であって、特に、ホウ化チタンの焼結体によって形成
されているので、 (i) ビッカース硬度を改善する作用 をなし、ひいては (ii) ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分に抑制する作用 をなし、結果的に (iii) 長寿命化を達成する作用 をなす。
【００１０】
【実施例】次に、本発明にかかるワイヤクランプ板につ
いて、その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつ
つ、具体的に説明する。
いて、その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつ
つ、具体的に説明する。
【００１１】しなしながら、以下に説明する実施例は、
本発明の理解を容易化ないし促進化するために記載され
るものであって、本発明を限定するために記載されるも
のではない。
本発明の理解を容易化ないし促進化するために記載され
るものであって、本発明を限定するために記載されるも
のではない。
【００１２】換言すれば、以下に説明される実施例にお
いて開示される各要素は、本発明の精神ならびに技術的
範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置換を含む
ものである。
いて開示される各要素は、本発明の精神ならびに技術的
範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置換を含む
ものである。
【００１３】（添付図面の説明）
【００１４】図１は、本発明にかかるワイヤクランプ板
の一実施例を示すための部分断面斜視図であって、全体
としてホウ化チタンの焼結体で形成されている。
の一実施例を示すための部分断面斜視図であって、全体
としてホウ化チタンの焼結体で形成されている。
【００１５】（実施例の構成・作用）
【００１６】まず、本発明にかかるワイヤクランプ板の
一実施例について、その構成および作用を詳細に説明す
る。
一実施例について、その構成および作用を詳細に説明す
る。
【００１７】10は、本発明にかかる円板状のワイヤクラ
ンプ板であって、全体がホウ化チタンの焼結体によって
形成されている。本発明にかかるワイヤクランプ板10に
は、適宜の保持体（図示せず）に保持された固定板11
と、固定板11に対向するよう適宜の保持体（図示せず）
に保持されており金製などのワイヤＷを固定板11と協同
して保持するための可動板12とが、備えられている。
ンプ板であって、全体がホウ化チタンの焼結体によって
形成されている。本発明にかかるワイヤクランプ板10に
は、適宜の保持体（図示せず）に保持された固定板11
と、固定板11に対向するよう適宜の保持体（図示せず）
に保持されており金製などのワイヤＷを固定板11と協同
して保持するための可動板12とが、備えられている。
【００１８】このとき、本発明にかかるワイヤクランプ
板10は、ホウ化チタンの焼結体によって、その全体を形
成されているので、ワイヤＷの接触に伴なう摩耗を十分
に抑制できる。ホウ化チタンの焼結体の気孔率は、５％
以下とされていることが、好ましい。
板10は、ホウ化チタンの焼結体によって、その全体を形
成されているので、ワイヤＷの接触に伴なう摩耗を十分
に抑制できる。ホウ化チタンの焼結体の気孔率は、５％
以下とされていることが、好ましい。
【００１９】本発明にかかるワイヤクランプ板10は、そ
の組織内に、ホウ化チタンTiB2粒子を包有している。
の組織内に、ホウ化チタンTiB2粒子を包有している。
【００２０】ホウ化チタンTiB2粒子は、平均粒径が 0.5
〜10μｍでかつ最大粒径が12μｍであり、特に平均粒径
が 0.5〜３μｍでかつ最大粒径が６μｍであれば好まし
い。
〜10μｍでかつ最大粒径が12μｍであり、特に平均粒径
が 0.5〜３μｍでかつ最大粒径が６μｍであれば好まし
い。
【００２１】ここで、ホウ化チタンTiB2粒子の平均粒径
を 0.5〜10μｍとする根拠は、(i)平均粒径が 0.5μｍ
未満となれば、ホウ化チタンTiB2粒子の表面酸化が顕著
化し、かつホウ化チタンTiB2粒子間の凝集が顕著となっ
て、本発明にかかるワイヤクランプ板10を作製する際の
焼結を著しく阻害することとなり、また (ii) 平均粒径
が10μｍを超えれば、焼結の駆動力が小さくなって、本
発明にかかるワイヤクランプ板10を緻密化せしめること
が困難化し、ホウ化チタンTiB2粒子に既存の亀裂が拡大
され、本発明にかかるワイヤクランプ板10の強度などを
低下せしめることにある。加えて、ホウ化チタンTiB2粒
子の最大粒径が12μｍとされている根拠は、最大粒径が
12μｍを超えれば、本発明にかかるワイヤクランプ板10
中に粗大粒子として存在することとなり、本発明にかか
るワイヤクランプ板10の高密度化ないし高強度化などを
阻害することにある。
を 0.5〜10μｍとする根拠は、(i)平均粒径が 0.5μｍ
未満となれば、ホウ化チタンTiB2粒子の表面酸化が顕著
化し、かつホウ化チタンTiB2粒子間の凝集が顕著となっ
て、本発明にかかるワイヤクランプ板10を作製する際の
焼結を著しく阻害することとなり、また (ii) 平均粒径
が10μｍを超えれば、焼結の駆動力が小さくなって、本
発明にかかるワイヤクランプ板10を緻密化せしめること
が困難化し、ホウ化チタンTiB2粒子に既存の亀裂が拡大
され、本発明にかかるワイヤクランプ板10の強度などを
低下せしめることにある。加えて、ホウ化チタンTiB2粒
子の最大粒径が12μｍとされている根拠は、最大粒径が
12μｍを超えれば、本発明にかかるワイヤクランプ板10
中に粗大粒子として存在することとなり、本発明にかか
るワイヤクランプ板10の高密度化ないし高強度化などを
阻害することにある。
【００２２】（実施例の製造要領）
【００２３】更に、本発明にかかるワイヤクランプ板の
一実施例について、その製造要領を説明する。
一実施例について、その製造要領を説明する。
【００２４】第１工程において、平均粒径が 0.5〜10μ
ｍ (好ましくは 0.5〜３μｍ) で最大粒径が12μｍ (好
ましくは６μｍ) であり純度が99重量％以上のホウ化チ
タンTiB2粉末を、適宜の混合機によって均質に混合す
る。ここで、ホウ化チタンTiB2の純度が99重量％以上と
されている根拠は、焼結時に不純物が悪影響を及ぼすこ
とを回避することにある。
ｍ (好ましくは 0.5〜３μｍ) で最大粒径が12μｍ (好
ましくは６μｍ) であり純度が99重量％以上のホウ化チ
タンTiB2粉末を、適宜の混合機によって均質に混合す
る。ここで、ホウ化チタンTiB2の純度が99重量％以上と
されている根拠は、焼結時に不純物が悪影響を及ぼすこ
とを回避することにある。
【００２５】第２工程において、均質に混合されたホウ
化チタンTiB2粉末を、バインダ（たとえばポリビニルア
ルコール）とともに適宜の金型に収容したのち、適宜の
圧力（たとえば 100〜800kg/cm2 の圧力）を印加して一
軸加圧し、圧粉体を作製する。
化チタンTiB2粉末を、バインダ（たとえばポリビニルア
ルコール）とともに適宜の金型に収容したのち、適宜の
圧力（たとえば 100〜800kg/cm2 の圧力）を印加して一
軸加圧し、圧粉体を作製する。
【００２６】第３工程において、圧粉体を、適宜の圧力
（たとえば 800〜3500kg/cm2の圧力）を印加して CIP処
理すなわち常温静水圧圧縮成形処理を施し、成形体とす
る。
（たとえば 800〜3500kg/cm2の圧力）を印加して CIP処
理すなわち常温静水圧圧縮成形処理を施し、成形体とす
る。
【００２７】第４工程において、成形体を、焼結装置を
用い、真空雰囲気（10-3Torr以下の気圧であることが好
ましい），アルゴンガス雰囲気あるいは水素ガス雰囲気
などの非酸化性雰囲気 (すなわち中性ないし還元性の雰
囲気) 中において無加圧状態で1500〜2000℃（好ましく
は1700〜1900℃）の温度により適宜の時間をかけて焼結
し、焼結体とする。ちなみに、第２ないし第４工程は、
均質に混合されたホウ化チタンTiB2粉末をカーボン製ダ
イの中に収容したのち、ホットプレス燒結装置を用い、
真空雰囲気（10-3Torr以下の気圧であることが好まし
い），アルゴンガス雰囲気あるいは水素ガス雰囲気など
の非酸化性雰囲気 (すなわち中性ないし還元性の雰囲
気) 中において加圧状態 (100 〜500kg/cm2 の圧力を印
加) で1500〜2000℃（好ましくは1700〜1900℃）の温度
により適宜の時間をかけて焼結し、焼結体とすることに
より、実行してもよい。ここで、非酸化性雰囲気とされ
る根拠は、チタンTiもしくはホウ素Ｂが酸化されないよ
うにすることにある。
用い、真空雰囲気（10-3Torr以下の気圧であることが好
ましい），アルゴンガス雰囲気あるいは水素ガス雰囲気
などの非酸化性雰囲気 (すなわち中性ないし還元性の雰
囲気) 中において無加圧状態で1500〜2000℃（好ましく
は1700〜1900℃）の温度により適宜の時間をかけて焼結
し、焼結体とする。ちなみに、第２ないし第４工程は、
均質に混合されたホウ化チタンTiB2粉末をカーボン製ダ
イの中に収容したのち、ホットプレス燒結装置を用い、
真空雰囲気（10-3Torr以下の気圧であることが好まし
い），アルゴンガス雰囲気あるいは水素ガス雰囲気など
の非酸化性雰囲気 (すなわち中性ないし還元性の雰囲
気) 中において加圧状態 (100 〜500kg/cm2 の圧力を印
加) で1500〜2000℃（好ましくは1700〜1900℃）の温度
により適宜の時間をかけて焼結し、焼結体とすることに
より、実行してもよい。ここで、非酸化性雰囲気とされ
る根拠は、チタンTiもしくはホウ素Ｂが酸化されないよ
うにすることにある。
【００２８】第５工程において、焼結体を仕上加工する
（すなわち固定板11の表面のうちワイヤＷに接触する表
面および可動板12の表面のうちワイヤＷに接触する表面
を所望の精度で研摩処理する）。
（すなわち固定板11の表面のうちワイヤＷに接触する表
面および可動板12の表面のうちワイヤＷに接触する表面
を所望の精度で研摩処理する）。
【００２９】以上により、本発明にかかるワイヤクラン
プ板10が製造される。
プ板10が製造される。
【００３０】（具体例）
【００３１】加えて、本発明にかかるワイヤクランプ板
の一実施例について、一層の理解を図るために、具体的
な数値などを挙げて説明する。
の一実施例について、一層の理解を図るために、具体的
な数値などを挙げて説明する。
【００３２】（実施例１）
【００３３】平均粒径が３μｍでかつ最大粒径が６μｍ
であり純度が99重量％であるホウ化チタンTiB2 100部
を、 プラスチック容器中にウレタンボールおよび 300部
のエチルアルコールとともに収容せしめ、24時間かけて
湿式混合した (表１の“材質”参照) 。
であり純度が99重量％であるホウ化チタンTiB2 100部
を、 プラスチック容器中にウレタンボールおよび 300部
のエチルアルコールとともに収容せしめ、24時間かけて
湿式混合した (表１の“材質”参照) 。
【００３４】湿式混合されたホウ化チタンTiB2は、60℃
の温度に10時間保持して十分に乾燥した。そののち、乾
燥されたホウ化チタンTiB2 100部は、適宜のカーボン製
金型に収容し、300kg/cm2 の圧力を印加して一軸加圧す
ることにより、一軸加圧状態のアルゴンガス雰囲気中に
おいて15℃／分の昇温速度で1900℃の温度まで加熱し、
かつ1900℃の温度に１時間にわたり維持することによ
り、焼結体とされた (表１の“焼結条件”参照) 。
の温度に10時間保持して十分に乾燥した。そののち、乾
燥されたホウ化チタンTiB2 100部は、適宜のカーボン製
金型に収容し、300kg/cm2 の圧力を印加して一軸加圧す
ることにより、一軸加圧状態のアルゴンガス雰囲気中に
おいて15℃／分の昇温速度で1900℃の温度まで加熱し、
かつ1900℃の温度に１時間にわたり維持することによ
り、焼結体とされた (表１の“焼結条件”参照) 。
【００３５】焼結体は、仕上加工（すなわち固定板11お
よび可動板12の表面のうちワイヤＷに接触する表面が所
望の精度まで研摩処理）され、本発明にかかるワイヤク
ランプ板10とされた。
よび可動板12の表面のうちワイヤＷに接触する表面が所
望の精度まで研摩処理）され、本発明にかかるワイヤク
ランプ板10とされた。
【００３６】
【表１】
【００３７】本発明にかかるワイヤクランプ板10の固定
板11および可動板12は、直径が４mmとされ、かつ肉厚が
１mmとされていた。
板11および可動板12は、直径が４mmとされ、かつ肉厚が
１mmとされていた。
【００３８】本発明にかかるワイヤクランプ板10につい
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を測定したところ、
それぞれ、表２に示すとおりであった。ここで、耐摩耗
性は、投射粒として使用された平均粒径が20μｍである
アルミナ粉末の重量ｎと、そのアルミナ粉末を 100ｍ／
秒の速度で投射したときの摩耗重量ｍとを用いて示され
ている（以下同様）。
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を測定したところ、
それぞれ、表２に示すとおりであった。ここで、耐摩耗
性は、投射粒として使用された平均粒径が20μｍである
アルミナ粉末の重量ｎと、そのアルミナ粉末を 100ｍ／
秒の速度で投射したときの摩耗重量ｍとを用いて示され
ている（以下同様）。
【００３９】本発明にかかるワイヤクランプ板10は、適
宜の保持体に固定板11および可動板12を周知の要領で保
持し、この状態で金製のワイヤＷのボンディングに供し
たところ、80万回以上連続して使用できた（表２の“寿
命”参照）。
宜の保持体に固定板11および可動板12を周知の要領で保
持し、この状態で金製のワイヤＷのボンディングに供し
たところ、80万回以上連続して使用できた（表２の“寿
命”参照）。
【００４０】
【表２】
【００４１】（実施例２）
【００４２】焼結温度を1800℃としたことを除き、実施
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
【００４３】本発明にかかるワイヤクランプ板10につい
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
【００４４】また、本発明にかかるワイヤクランプ板10
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
【００４５】（実施例３）
【００４６】焼結温度を1700℃としたことを除き、実施
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
【００４７】本発明にかかるワイヤクランプ板10につい
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
【００４８】また、本発明にかかるワイヤクランプ板10
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
【００４９】（実施例４）
【００５０】焼結温度を1600℃としたことを除き、実施
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
【００５１】本発明にかかるワイヤクランプ板10につい
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
【００５２】また、本発明にかかるワイヤクランプ板10
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
【００５３】（実施例５）
【００５４】焼結温度を1500℃としたことを除き、実施
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
例１を反復して、本発明にかかるワイヤクランプ板10を
作製した (表１参照) 。
【００５５】本発明にかかるワイヤクランプ板10につい
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
て、耐摩耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様に
して測定したところ、それぞれ、表２に示すとおりであ
った。
【００５６】また、本発明にかかるワイヤクランプ板10
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
の寿命は、実施例１と同様にして測定したところ、表２
に示すとおりであった。
【００５７】（比較例１）
【００５８】ホウ化チタンTiB2を炭化珪素SiC としたこ
とを除き、実施例１を反復して、ワイヤクランプ板を作
製した。
とを除き、実施例１を反復して、ワイヤクランプ板を作
製した。
【００５９】すなわち、平均粒径が３μｍで最大粒径が
６μｍであり純度が99重量％の炭化珪素SiC 100 部を、
バインダとしてのポリビニルアルコール２部とともに適
宜の金型に収容し、300kg/cm2 の圧力を印加して一軸加
圧することにより、圧粉体が作製された (表３の“材
質”参照) 。
６μｍであり純度が99重量％の炭化珪素SiC 100 部を、
バインダとしてのポリビニルアルコール２部とともに適
宜の金型に収容し、300kg/cm2 の圧力を印加して一軸加
圧することにより、圧粉体が作製された (表３の“材
質”参照) 。
【００６０】圧粉体は、300kg/cm2 の圧力を印加して C
IP処理すなわち常温静水圧圧縮成形処理を施すことによ
り、成形体とされた。
IP処理すなわち常温静水圧圧縮成形処理を施すことによ
り、成形体とされた。
【００６１】成形体は、無加圧状態のアルゴンガス雰囲
気中において15℃／分の昇温速度で1900℃の温度まで加
熱し、かつ1900℃の温度に１時間にわたり維持すること
により、焼結体とされた。
気中において15℃／分の昇温速度で1900℃の温度まで加
熱し、かつ1900℃の温度に１時間にわたり維持すること
により、焼結体とされた。
【００６２】焼結体は、仕上加工 (すなわち主として固
定板および可動板の表面のうちワイヤＷに接触する表面
が所望の精度まで研摩処理) され、ワイヤクランプ板と
された。
定板および可動板の表面のうちワイヤＷに接触する表面
が所望の精度まで研摩処理) され、ワイヤクランプ板と
された。
【００６３】ワイヤクランプ板は、適度の力によって破
断し、その破断面を走査型電子顕微鏡で写真観察したと
ころ、炭化珪素SiC 粒子の粒界破壊が支配的に生じてお
り、炭化珪素SiC 粒子間の結合があまり強固でないこと
が判明した。
断し、その破断面を走査型電子顕微鏡で写真観察したと
ころ、炭化珪素SiC 粒子の粒界破壊が支配的に生じてお
り、炭化珪素SiC 粒子間の結合があまり強固でないこと
が判明した。
【００６４】加えて、ワイヤクランプ板について、耐摩
耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様にして測定
したところ、それぞれ、表３に示すとおりであった。
耗性およびビッカース硬度を実施例１と同様にして測定
したところ、それぞれ、表３に示すとおりであった。
【００６５】また、ワイヤクランプ板の寿命は、実施例
１と同様にして測定したところ、表３に示すとおりであ
った。
１と同様にして測定したところ、表３に示すとおりであ
った。
【００６６】
【表３】
【００６７】（比較例２）
【００６８】実施例１と同様の形状のワイヤクランプ板
が、サーメットで作製された。
が、サーメットで作製された。
【００６９】ワイヤクランプ板について、耐摩耗性およ
びビッカース硬度を実施例１と同様にして測定したとこ
ろ、それぞれ、表３に示すとおりであった。
びビッカース硬度を実施例１と同様にして測定したとこ
ろ、それぞれ、表３に示すとおりであった。
【００７０】また、ワイヤクランプ板の寿命は、実施例
１と同様にして測定したところ、表３に示すとおりであ
った。
１と同様にして測定したところ、表３に示すとおりであ
った。
【００７１】（比較例３）
【００７２】実施例１と同様の形状のワイヤクランプ板
が、超硬金属で作製された。
が、超硬金属で作製された。
【００７３】ワイヤクランプ板について、耐摩耗性およ
びビッカース硬度を実施例１と同様にして測定したとこ
ろ、それぞれ、表３に示すとおりであった。
びビッカース硬度を実施例１と同様にして測定したとこ
ろ、それぞれ、表３に示すとおりであった。
【００７４】また、ワイヤクランプ板の寿命は、実施例
１と同様にして測定したところ、表３に示すとおりであ
った。
１と同様にして測定したところ、表３に示すとおりであ
った。
【００７５】実施例１〜５と比較例１〜３との比較
【００７６】上述した実施例１〜５および比較例１〜３
を比較すれば明らかなように、本発明によれば、ホウ化
チタンの焼結体によってワイヤクランプ板を全体として
形成しているので、ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分に
抑制でき、ひいてはその寿命を大幅に拡張できる。
を比較すれば明らかなように、本発明によれば、ホウ化
チタンの焼結体によってワイヤクランプ板を全体として
形成しているので、ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分に
抑制でき、ひいてはその寿命を大幅に拡張できる。
【００７７】
【発明の効果】上述より明らかなように、本発明にかか
るワイヤクランプ板は、半導体チップを結線するに際し
ワイヤを保持するワイヤクランプ板であって、特に、ホ
ウ化チタンの焼結体によって形成されているので、 (i) ビッカース硬度を改善できる効果 を有し、ひいては (ii) ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分抑制できる効果 を有し、結果的に (iii) 長寿命化できる効果 を有する。
るワイヤクランプ板は、半導体チップを結線するに際し
ワイヤを保持するワイヤクランプ板であって、特に、ホ
ウ化チタンの焼結体によって形成されているので、 (i) ビッカース硬度を改善できる効果 を有し、ひいては (ii) ワイヤの接触に伴なう摩耗を十分抑制できる効果 を有し、結果的に (iii) 長寿命化できる効果 を有する。
【図１】本発明にかかるワイヤクランプ板の一実施例を
示すための部分断面斜視図である。
示すための部分断面斜視図である。
【符号の説明】10 ‥‥‥‥‥‥‥ワイヤクランプ板 11‥‥‥‥‥‥‥固定板 12‥‥‥‥‥‥‥可動板
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップを結線するに際しワイヤを保
持するワイヤクランプ板において、ホウ化チタンの焼結
体によって形成されてなることを特徴とするワイヤクラ
ンプ板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149657A JPH06112264A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | ワイヤクランプ板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149657A JPH06112264A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | ワイヤクランプ板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112264A true JPH06112264A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=15480007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149657A Pending JPH06112264A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | ワイヤクランプ板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112264A (ja) |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3149657A patent/JPH06112264A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1561737B1 (en) | Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material | |
| US6706428B2 (en) | Ceramic sintered bodies and a method of producing the same | |
| EP0659708B1 (en) | Alumina based ceramic material and method of manufacturing the same | |
| KR102541331B1 (ko) | 미립자를 첨가한 플라즈마 저항성 소재 및 그의 제조방법 | |
| JPH06112264A (ja) | ワイヤクランプ板 | |
| JPH08169755A (ja) | 多結晶セラミックス製品及びその製造方法 | |
| JP4913468B2 (ja) | 炭化珪素系研磨プレートおよび半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JP5150020B2 (ja) | ＡｌＮ−Ａｌ２Ｏ３複合材料の製造法 | |
| JPS63236757A (ja) | 多結晶セラミツクス製品及びその製造方法 | |
| JP4352761B2 (ja) | プレス成形型及びそれを用いた成形方法 | |
| JPH07115927B2 (ja) | ＳｉＣ基セラミツクスとその製造方法 | |
| JP3144178B2 (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JP3283238B2 (ja) | 窒化ケイ素系セラミックス部品およびその製造方法 | |
| JPH09260416A (ja) | ボンディングツール | |
| JP3114302B2 (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JP3062767B2 (ja) | セラミック接合体およびその製造方法 | |
| JP2890849B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JP2003081682A (ja) | シリコン含浸炭化ケイ素セラミックスの製造方法 | |
| JPS5891080A (ja) | ホツトプレス方法 | |
| JPH07112623B2 (ja) | 低融点溶融金属処理具 | |
| JPH05183005A (ja) | ワイヤクランプ板 | |
| JP4500515B2 (ja) | 半導体製造装置用部品および測長用ミラー | |
| JPH06116072A (ja) | 窒化ケイ素−炭化ケイ素複合焼結体の熱処理方法 | |
| JPH0568428B2 (ja) | ||
| JP2000034174A (ja) | セラミックス複合材料の製造方法 |