JPH06112310A - 裏面チッピングを防止したダイシング方法及びそのブレード - Google Patents
裏面チッピングを防止したダイシング方法及びそのブレードInfo
- Publication number
- JPH06112310A JPH06112310A JP28113092A JP28113092A JPH06112310A JP H06112310 A JPH06112310 A JP H06112310A JP 28113092 A JP28113092 A JP 28113092A JP 28113092 A JP28113092 A JP 28113092A JP H06112310 A JPH06112310 A JP H06112310A
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- Japan
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- dicing
- semiconductor wafer
- rotary blade
- blade
- dicing method
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハを回転ブレードでダイシング
する際に、切り溝の裏面側にクラックやチッピングが生
じないようにする。 【構成】 半導体ウェーハの完全切断又は切り残し量を
僅少にしたダイシング方法において、外周の両側端部が
全周に渡って鈍角を呈する回転ブレードによってダイシ
ングを遂行する。
する際に、切り溝の裏面側にクラックやチッピングが生
じないようにする。 【構成】 半導体ウェーハの完全切断又は切り残し量を
僅少にしたダイシング方法において、外周の両側端部が
全周に渡って鈍角を呈する回転ブレードによってダイシ
ングを遂行する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの裏面
側にクラックやチッピングが生じないようにしたダイシ
ング方法及びその方法に使用する回転ブレードに関する
ものである。
側にクラックやチッピングが生じないようにしたダイシ
ング方法及びその方法に使用する回転ブレードに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図８に示すように半導体ウェーハ
ａはフレームｂの合成樹脂製テープｃの中央部に貼着固
定され、図９(イ) のようにチャックテーブルＴの上にフ
レームｂを載置固定し、アライメント装置Ｕにより位置
決めされた後に、同図(ロ) のようにダイシング装置の回
転ブレードｅにより半導体ウェーハａのストリートｄに
沿ってダイシングされる。
ａはフレームｂの合成樹脂製テープｃの中央部に貼着固
定され、図９(イ) のようにチャックテーブルＴの上にフ
レームｂを載置固定し、アライメント装置Ｕにより位置
決めされた後に、同図(ロ) のようにダイシング装置の回
転ブレードｅにより半導体ウェーハａのストリートｄに
沿ってダイシングされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記半導体ウェーハａ
のダイシングは、図４に示すように先端部が断面矩形の
回転ブレードｅにより図５に示すように完全切断するか
又は切り残し量を僅少にして切断されるが、何れにして
も図６に示すように切り溝ｆのエッジ付近からクラック
ｇが発生し、切断後裏面側に図７に示すようにチッピン
グｈ（欠落）が生じる原因になる。このクラックやチッ
ピングは、ペレットピックアップ時に剥離したものはパ
ーティクルとして汚染の原因となるほか、ペレットに残
存するクラック及びチッピングは製品として完成した後
使用中に発熱により進行し、ペレットそのものの破壊に
つながる場合もある。
のダイシングは、図４に示すように先端部が断面矩形の
回転ブレードｅにより図５に示すように完全切断するか
又は切り残し量を僅少にして切断されるが、何れにして
も図６に示すように切り溝ｆのエッジ付近からクラック
ｇが発生し、切断後裏面側に図７に示すようにチッピン
グｈ（欠落）が生じる原因になる。このクラックやチッ
ピングは、ペレットピックアップ時に剥離したものはパ
ーティクルとして汚染の原因となるほか、ペレットに残
存するクラック及びチッピングは製品として完成した後
使用中に発熱により進行し、ペレットそのものの破壊に
つながる場合もある。
【０００４】本発明は、このような従来の問題を解決す
るためになされ、半導体ウェーハを回転ブレードでダイ
シングする際に切り溝の裏面側にクラックやチッピング
が生じないようにした、ダイシング方法及びその回転ブ
レードを提供することを課題としたものである。
るためになされ、半導体ウェーハを回転ブレードでダイ
シングする際に切り溝の裏面側にクラックやチッピング
が生じないようにした、ダイシング方法及びその回転ブ
レードを提供することを課題としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハの完
全切断又は切り残し量を僅少にしたダイシング方法にお
いて、回転ブレードの外周の両側端部が全周に渡って鈍
角を呈しており、この回転ブレードによってダイシング
を遂行するダイシング方法を要旨とするものである。
又、切り残し量が５０μｍ以下であること、更に外周の
両側端部が全周に渡って鈍角を呈している回転ブレード
を要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハの完
全切断又は切り残し量を僅少にしたダイシング方法にお
いて、回転ブレードの外周の両側端部が全周に渡って鈍
角を呈しており、この回転ブレードによってダイシング
を遂行するダイシング方法を要旨とするものである。
又、切り残し量が５０μｍ以下であること、更に外周の
両側端部が全周に渡って鈍角を呈している回転ブレード
を要旨とするものである。
【０００６】
【作 用】先端部の断面形状が矩形ではなく、外周の両
側端部が全周に渡って鈍角形状の回転ブレードでダイシ
ングする方法であるから、切り溝の底部にクラックが発
生することはなく、裏面側のチッピングを未然に防止す
ることができる。
側端部が全周に渡って鈍角形状の回転ブレードでダイシ
ングする方法であるから、切り溝の底部にクラックが発
生することはなく、裏面側のチッピングを未然に防止す
ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。図１において、１は回転ブレードであ
り、その先端部１ａは断面矩形ではなくほぼＲ形状に形
成されている。
詳細に説明する。図１において、１は回転ブレードであ
り、その先端部１ａは断面矩形ではなくほぼＲ形状に形
成されている。
【０００８】この回転ブレード１で半導体ウェーハをダ
イシングすると、図５に示すＡ−Ａ′部での断面及び図
２に示すように半導体ウェーハ２の切り溝２ａのエッジ
は丸みを帯びるためクラックの発生がなくなる。３は半
導体ウェーハ２を貼着した合成樹脂製テープである。従
って、図３に示すようにダイシング後に半導体ウェーハ
２の裏面側にチッピングが発生することはなく、切り溝
２ａの両端縁は綺麗に仕上がる。
イシングすると、図５に示すＡ−Ａ′部での断面及び図
２に示すように半導体ウェーハ２の切り溝２ａのエッジ
は丸みを帯びるためクラックの発生がなくなる。３は半
導体ウェーハ２を貼着した合成樹脂製テープである。従
って、図３に示すようにダイシング後に半導体ウェーハ
２の裏面側にチッピングが発生することはなく、切り溝
２ａの両端縁は綺麗に仕上がる。
【０００９】半導体ウェーハの切り溝を僅かに切り残し
（１０μｍ〜５０μｍ）てダイシングする場合にも、切
り溝の底部がＲ形状となるためクラックが発生すること
がない。従って、切断後に半導体ウェーハの裏面側にク
ラックが発生するのを未然に防止することができる。
（１０μｍ〜５０μｍ）てダイシングする場合にも、切
り溝の底部がＲ形状となるためクラックが発生すること
がない。従って、切断後に半導体ウェーハの裏面側にク
ラックが発生するのを未然に防止することができる。
【００１０】回転ブレード１の先端部の形状はＲ形状に
限らず、例えば従来の回転ブレードの断面矩形の角部を
隅切りしたような形状、つまり角部が直角ではなく外周
の両側端部が全周に渡って鈍角形状となるように設定し
て実施することも可能である。Ｒ形状の場合も、回転ブ
レード１の両側面に近いところで引いた接線と回転ブレ
ード１の側面とのなす角度が鈍角となることから同一の
範疇に属する技術と見做すことができる。
限らず、例えば従来の回転ブレードの断面矩形の角部を
隅切りしたような形状、つまり角部が直角ではなく外周
の両側端部が全周に渡って鈍角形状となるように設定し
て実施することも可能である。Ｒ形状の場合も、回転ブ
レード１の両側面に近いところで引いた接線と回転ブレ
ード１の側面とのなす角度が鈍角となることから同一の
範疇に属する技術と見做すことができる。
【００１１】この場合も、前記Ｒ形状の実施例と同様の
作用効果が得られ、即ち半導体ウェーハ２の切り溝２ａ
のエッジからクラックが発生することがなく、且つダイ
シング後に半導体ウェーハ２の裏面側にチッピングが発
生することもなくなる。
作用効果が得られ、即ち半導体ウェーハ２の切り溝２ａ
のエッジからクラックが発生することがなく、且つダイ
シング後に半導体ウェーハ２の裏面側にチッピングが発
生することもなくなる。
【００１２】尚、回転ブレードの先端を前記のように所
定の形状に加工するには、例えばドレッシングによる方
法、機械加工による方法等があり、その方法や手段に関
しては限定されるものではない。
定の形状に加工するには、例えばドレッシングによる方
法、機械加工による方法等があり、その方法や手段に関
しては限定されるものではない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェーハを回転ブレードでダイシングする際に、
外周の両側端部が全周に渡って鈍角を呈する回転ブレー
ドによってダイシングを遂行する方法であるから、完全
切断に至る前の切り残しの少ない部分で切り溝のエッジ
からクラックが生じることがなく、完全切断又は僅かに
切り残しするダイシングのいずれであっても、切断後に
半導体ウェーハの裏面側にクラック又はチッピングが発
生せず、ダイシングの精度の向上が図れしかも品質の高
いペレットを提供できる等の優れた効果を奏する。
半導体ウェーハを回転ブレードでダイシングする際に、
外周の両側端部が全周に渡って鈍角を呈する回転ブレー
ドによってダイシングを遂行する方法であるから、完全
切断に至る前の切り残しの少ない部分で切り溝のエッジ
からクラックが生じることがなく、完全切断又は僅かに
切り残しするダイシングのいずれであっても、切断後に
半導体ウェーハの裏面側にクラック又はチッピングが発
生せず、ダイシングの精度の向上が図れしかも品質の高
いペレットを提供できる等の優れた効果を奏する。
【図１】 本発明方法に使用する回転ブレードの一実施
例を示す先端部の断面図である。
例を示す先端部の断面図である。
【図２】 図１の回転ブレードでダイシングした時の図
５におけるＡ−Ａ′線断面図である。
５におけるＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】 ダイシングされた半導体ウェーハの裏面側要
部の拡大図である。
部の拡大図である。
【図４】 従来例の回転ブレード先端部の断面図であ
る。
る。
【図５】 図４の回転ブレードでダイシングした時の状
態図である。
態図である。
【図６】 図５におけるＡ−Ａ′線断面図である。
【図７】 ダイシングされた半導体ウェーハの裏面側要
部の拡大図である。
部の拡大図である。
【図８】 フレームに載置固定された半導体ウェーハの
状態図である。
状態図である。
【図９】 (イ) はアライメント工程、(ロ) はダイシング
工程を示すそれぞれ説明図である。
工程を示すそれぞれ説明図である。
１…回転ブレード １ａ…先端部 ２…半導体ウェ
ーハ ２ａ…切り溝 ３…合成樹脂製テープ
ーハ ２ａ…切り溝 ３…合成樹脂製テープ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの完全切断又は切り残し
量を僅少にしたダイシング方法において、回転ブレード
の外周の両側端部が全周に渡って鈍角を呈しており、こ
の回転ブレードによってダイシングを遂行するダイシン
グ方法。 - 【請求項２】 切り残し量が５０μｍ以下である、請求
項１記載のダイシング方法。 - 【請求項３】 外周の両側端部が、全周に渡って鈍角を
呈している回転ブレード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28113092A JPH06112310A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 裏面チッピングを防止したダイシング方法及びそのブレード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28113092A JPH06112310A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 裏面チッピングを防止したダイシング方法及びそのブレード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112310A true JPH06112310A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17634788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28113092A Pending JPH06112310A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 裏面チッピングを防止したダイシング方法及びそのブレード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026735A3 (en) * | 1999-02-03 | 2004-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP28113092A patent/JPH06112310A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026735A3 (en) * | 1999-02-03 | 2004-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
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