JPH06112509A - Manufacture of micromachine - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロマシーニン
グ技術と多結晶シリコン薄膜とを利用したマイクロセン
サを製造する方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a microsensor using a micromachining technique and a polycrystalline silicon thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、微細加工技術を駆使して微細な機
能装置例えば圧力センサ、歯車などを作製する試みがな
されている。この種の装置はマイクロマシンと称され、
そして、これを作製する技術はマイクロマシーニング技
術と称されている。2. Description of the Related Art In recent years, attempts have been made to manufacture fine functional devices such as pressure sensors and gears by making full use of fine processing technology. This kind of device is called a micromachine,
The technique for producing this is called a micromachining technique.
【０００３】シリコンを用いたマイクロマシーニング技
術は、大別すると、二つの方法がある。その一方は、シ
リコンバルクを加工しマイクロマシンを得る方法、他方
は下地上にシリコン薄膜例えば多結晶シリコン薄膜を形
成しこれを加工してマイクロマシンを得る方法である。
これらの方法により、マイクロマシンとしての例えばマ
イクロ圧力センサを作製する例が、例えば文献（月刊Se
micnductor world（セミコンダクタワールド），１９９
０，１２，ｐ２０１ー２０５）に開示されている。Micromachining technology using silicon can be roughly classified into two methods. One of them is a method of processing a silicon bulk to obtain a micromachine, and the other is a method of forming a silicon thin film, for example, a polycrystalline silicon thin film on a base and processing the silicon thin film to obtain a micromachine.
An example of manufacturing a micro pressure sensor as a micro machine by these methods is described in, for example, a document (Monthly Se
micnductor world, 199
0, 12, p201-205).
【０００４】この文献によれば、シリコンのバルクを用
いる場合は、単結晶シリコン基板の裏面側から異方性エ
ッチングによってこの基板を所定量エッチングすること
により、基板表面側にシリコン残存部より成る薄肉の受
圧ダイヤフラムが形成される。その後、歪み応力を検出
するためのピエゾ抵抗がこのダイヤフラム上に形成さ
れ、また、このピエゾ抵抗と共にホイートストンブリッ
ジを構成する補償用抵抗がダイヤフラム周囲のシリコン
基板部分上に形成される。一方、シリコン多結晶を用い
るマイクロマシーニング技術の場合は、マイクロ圧力セ
ンサは、以下に図２（Ａ）〜（Ｃ）、図３（Ａ）及び
（Ｂ）、図４（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明するよう
な方法によって作製されていた。According to this document, when a bulk silicon is used, a predetermined amount of this substrate is anisotropically etched from the back surface side of the single crystal silicon substrate to form a thin wall made of silicon remaining on the front surface side of the substrate. A pressure receiving diaphragm is formed. Thereafter, a piezoresistor for detecting the strain stress is formed on this diaphragm, and a compensating resistor that forms a Wheatstone bridge together with this piezoresistor is formed on the silicon substrate portion around the diaphragm. On the other hand, in the case of the micromachining technique using silicon polycrystal, the micro pressure sensor is described below with reference to FIGS. 2 (A) to 2 (C), 3 (A) and (B), 4 (A) and (B). ).
【０００５】先ず、基板１１としてこの場合シリコン基
板１１上にＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により厚さ５０
ｎｍのシリコン窒化膜１３が形成される。このシリコン
窒化膜１３は後に行なわれるアルカリ液によるエッチン
グ工程（詳細は後述する。）で基板１１をそのエッチャ
ントから保護するためである。次に、このシリコン窒化
膜１３上にＬＰＣＶＤ法により犠牲層となる厚さ２００
ｎｍの多結晶シリコン膜が形成され（図示せず。）、そ
して、この多結晶シリコン膜がフォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術によってパターニングされて、直径
が１００μｍの多結晶シリコン領域１５とされる。次
に、この多結晶シリコン領域１５を覆うためのシリコン
窒化膜１７がＬＰＣＶＤ法により形成される（図２
（Ａ））。First, as the substrate 11, in this case, a silicon substrate 11 having a thickness of 50 is formed by LPCVD (Low Pressure CVD).
nm silicon nitride film 13 is formed. This silicon nitride film 13 is for protecting the substrate 11 from its etchant in an etching process using an alkaline solution (details will be described later) performed later. Next, a thickness of 200 to be a sacrificial layer is formed on the silicon nitride film 13 by the LPCVD method.
A polycrystalline silicon film of nm (not shown) is formed, and this polycrystalline silicon film is patterned by the photolithography technique and the etching technique to form a polycrystalline silicon region 15 having a diameter of 100 μm. Next, a silicon nitride film 17 for covering the polycrystalline silicon region 15 is formed by the LPCVD method (FIG. 2).
(A)).
【０００６】次に、このシリコン窒化膜１７上にＬＰＣ
ＶＤ法により多結晶シリコン膜１９が形成される（図２
（Ｂ）。その後、この多結晶シリコン膜１９にボロンが
イオン注入法により導入される。次に、この多結晶シリ
コン膜１９がフォトリソグラフィ技術及びリアクティブ
イオンエッチング技術によりパターニングされて、歪み
ゲージ１９ａが形成される（図２（Ｃ））。Next, LPC is formed on the silicon nitride film 17.
The polycrystalline silicon film 19 is formed by the VD method (FIG. 2).
(B). After that, boron is introduced into the polycrystalline silicon film 19 by the ion implantation method. Next, the polycrystalline silicon film 19 is patterned by a photolithography technique and a reactive ion etching technique to form a strain gauge 19a (FIG. 2C).
【０００７】次に、この歪みゲージ１９ａを保護するた
めに、これを覆うように、ＬＰＣＶＤ法によりシリコン
窒化膜２１が形成される（図３（Ａ））。次に、このシ
リコン窒化膜２１の一部表面から多結晶シリコン領域１
５に至るような開口部２３が、フォトリソグラフィ技術
及びリアクティブイオンエッチング技術によって形成さ
れる。次に、この開口部２３を介して多結晶シリコン領
域１５にＫＯＨ水溶液を接触させる。これにより、この
多結晶シリコン領域１５がエッチングされるので、シリ
コン窒化膜１７から成るダイヤフラム１７ａとエッチン
グ跡に空洞２５がそれぞれ形成される（図３（Ｂ））。Next, in order to protect the strain gauge 19a, a silicon nitride film 21 is formed by LPCVD so as to cover it (FIG. 3A). Next, from the partial surface of the silicon nitride film 21, the polycrystalline silicon region 1
The opening 23 reaching 5 is formed by the photolithography technique and the reactive ion etching technique. Then, a KOH aqueous solution is brought into contact with the polycrystalline silicon region 15 through the opening 23. As a result, the polycrystalline silicon region 15 is etched, so that the diaphragm 17a made of the silicon nitride film 17 and the cavity 25 are formed in the etching trace (FIG. 3B).
【０００８】次に、歪みゲージ１９ａを保護するために
形成されたシリコン窒化膜２１の所定部分に、歪みゲー
ジに配線を接続するためのコンタクトホール２７が、フ
ォトリソグラフィ技術及びリアクティブイオンエッチン
グ技術により形成される。そして、公知の方法により配
線２９が形成される（図４（Ａ））。その後、この試料
表面上にプラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜３１が
形成される。このシリコン窒化膜３１により、上述の開
口部２３は塞がれるので、上述の空洞２５は真空室とな
る。Next, a contact hole 27 for connecting a wiring to the strain gauge is formed in a predetermined portion of the silicon nitride film 21 formed to protect the strain gauge 19a by the photolithography technique and the reactive ion etching technique. It is formed. Then, the wiring 29 is formed by a known method (FIG. 4A). After that, the silicon nitride film 31 is formed on the surface of the sample by the plasma CVD method. The silicon nitride film 31 closes the opening 23, and thus the cavity 25 serves as a vacuum chamber.
【０００９】この多結晶シリコン薄膜を利用した上述の
製造方法は、バルクのシリコンを加工する方法に比べ、
標準的な半導体製造プロセスが使用でき、然も、微細か
つ高精度にマイクロマシンを形成できるという利点を有
していた。The above-described manufacturing method using this polycrystalline silicon thin film is more difficult than the method of processing bulk silicon.
It has an advantage that a standard semiconductor manufacturing process can be used and a micromachine can be formed finely and with high precision.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多結晶
シリコン薄膜を利用した上述の従来の製造方法では、犠
牲層用、歪みゲージ形成用などの多結晶シリコンをＬＰ
ＣＶＤ法により形成していたため、成膜温度は低くても
６００℃は必要であった。また、結晶性を高めるにはさ
らに高い温度が必要であった。このため、マイクロマシ
ンを形成する基板として例えばガラス基板を用いた場合
は多結晶シリコンの成膜温度によって基板の変形や変質
が生じるので、基板は耐熱性を有するもの例えばシリコ
ン基板等に限られてしまうという問題点があった。However, in the above-described conventional manufacturing method using the polycrystalline silicon thin film, the polycrystalline silicon for sacrificial layer, strain gauge formation, etc. is used as LP.
Since the film was formed by the CVD method, the film forming temperature needed to be 600 ° C. even if it was low. Further, higher temperature was required to enhance crystallinity. Therefore, when a glass substrate, for example, is used as a substrate for forming a micromachine, the substrate may be deformed or deteriorated depending on the film forming temperature of polycrystalline silicon. Therefore, the substrate is limited to one having heat resistance, such as a silicon substrate. There was a problem.
【００１１】マイクロマシンを安価に製造すること、ま
た、大型のセンサアレイを製造することを考えると、シ
リコン基板に比べ安価でありまた大型なもののの供給が
可能な例えばガラス基板が使用できる技術が望まれる。Considering the manufacturing of micromachines at low cost and the manufacturing of large sensor arrays, a technology is desired that is cheaper than silicon substrates and that can supply large ones, such as glass substrates. Be done.
【００１２】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり従ってこの発明の目的は、多結晶シリコンを利
用してマイクロマシンを製造する際により低温な製造プ
ロセスを提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and therefore an object of the present invention is to provide a manufacturing process at a lower temperature when manufacturing a micromachine using polycrystalline silicon.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、マイクロマーシニング技術によ
り製造されその製造において多結晶シリコン薄膜が使用
されるマイクロマシンを製造するに当たり、多結晶シリ
コン薄膜を、該薄膜が形成される下地の温度を最高でも
３５０℃としたプラズマＣＶＤ法により、形成すること
を特徴とする。In order to achieve this object, according to the present invention, in manufacturing a micromachine in which a polycrystalline silicon thin film is used by the micromerging technique and in which the polycrystalline silicon thin film is used, polycrystalline silicon is used. The thin film is formed by a plasma CVD method in which the temperature of the base on which the thin film is formed is 350 ° C. at the maximum.
【００１４】この発明の実施に当たり、前述のプラズマ
ＣＶＤ法での原料ガスを、四フッ化シラン（Ｓｉ
Ｆ4 ）、シラン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の混合ガ
スとしたことを特徴とする。In carrying out the present invention, the source gas used in the plasma CVD method is tetrafluorosilane (Si).
F 4 ), silane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) are mixed gas.
【００１５】ここで、プラズマＣＶＤ法の実施条件であ
るが、例えば、この出願の出願人に係る特開平３−２５
０６２４号公報に開示の下記の（ａ）〜（ｄ）を満たす
条件が好適であると思われる。The conditions under which the plasma CVD method is carried out are as follows. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-25 filed by the applicant of this application.
The conditions satisfying the following (a) to (d) disclosed in Japanese Patent No. 0624 are considered to be suitable.
【００１６】（ａ）四フッ化シラン（ＳｉＦ4 ）、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の混合ガスの流量比
を、ＳｉＦ4 ／ＳｉＨ4 ＞５及び２０＞Ｈ2 ／ＳｉＦ4
＞１の範囲内の値とする。(A) The flow rate ratio of the mixed gas of tetrafluorosilane (SiF 4 ), silane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) is set to SiF 4 / SiH 4 > 5 and 20> H 2 / SiF 4
It shall be a value within the range of> 1.
【００１７】（ｂ）薄膜形成時におけるパワー密度を
０．５Ｗ／ｃｍ2 より小さく０．０５Ｗ／ｃｍ2 より大
きな値とする。(B) The power density during thin film formation is set to a value smaller than 0.5 W / cm 2 and larger than 0.05 W / cm 2 .
【００１８】（ｃ）薄膜形成時における成膜室での前記
混合ガスの全圧を０．５〜３．０Ｔｏｒｒの範囲内の値
とする。(C) The total pressure of the mixed gas in the film forming chamber during thin film formation is set to a value within the range of 0.5 to 3.0 Torr.
【００１９】（ｄ）薄膜形成時における下地の温度を２
５０〜３５０℃の範囲内の値とする。(D) The temperature of the base during film formation is set to 2
The value is within the range of 50 to 350 ° C.
【００２０】このような条件であれば、低温であって
も、ガラス基板や絶縁膜等の下地上に結晶性に優れる多
結晶シリコン薄膜を密着性良く形成できると考えられる
ので、マイクロマシンで利用するに支障のない多結晶シ
リコン薄膜が得られると考えられるからである。Under such conditions, it is considered that a polycrystalline silicon thin film having excellent crystallinity can be formed on the lower surface of a glass substrate, an insulating film or the like with good adhesiveness even at low temperature, and therefore it is used in a micromachine. This is because it is considered that a polycrystalline silicon thin film that does not interfere with the above can be obtained.
【００２１】なお、この発明において、マイクロマシン
とは、マイクロ圧力センサや歪みゲージ、歯車やアクチ
ュエータなど種々のものをいうものとする。In the present invention, the micromachine means various things such as a micro pressure sensor, a strain gauge, a gear and an actuator.
【００２２】[0022]
【作用】この発明の構成によれば、耐熱性がシリコン基
板に比べ劣る例えばガラス基板などにマイクロマシンを
作製することができる。また、低温化により試料の昇温
時間や温度降下時間の短縮が図れるから、製造プロセス
の短縮が可能になる。According to the structure of the present invention, it is possible to fabricate a micromachine on, for example, a glass substrate or the like which has a lower heat resistance than a silicon substrate. Further, since the temperature rise time and the temperature decrease time of the sample can be shortened by lowering the temperature, the manufacturing process can be shortened.
【００２３】[0023]
【実施例】以下、この発明のマイクロマシンの製造方法
の実施例について、図４（Ｂ）に示したマイクロ圧力セ
ンサを製造する例によって説明する。なお、この実施例
では、基板としてガラス基板を用いる点、基板上にはこ
れを保護するためのシリコン窒化膜（図２（Ａ）のシリ
コン窒化膜１３に相当するもの）は設けない点、多結晶
シリコン薄膜の成膜温度を約３００℃とした点（詳細は
後述する。）、歪みゲージ形成用多結晶シリコン薄膜へ
の不純物導入をこの膜の原料ガスにドーピングガスを添
加して行なう点、保護膜などの成膜を低温成膜が可能な
方法（この場合スパッタ法）とした点以外は、図２〜図
４を用いて説明した方法及び工程順序と同様な方法及び
工程順序をとる。また、図１（Ａ）〜（Ｄ）はこの実施
例の要部の説明に供する工程図である。いずれも試料の
断面図によって示してある。EXAMPLE An example of a method for manufacturing a micromachine according to the present invention will be described below with reference to an example of manufacturing the micro pressure sensor shown in FIG. In this embodiment, a glass substrate is used as a substrate, and a silicon nitride film (corresponding to the silicon nitride film 13 in FIG. 2A) for protecting it is not provided on the substrate. The film forming temperature of the crystalline silicon thin film is set to about 300 ° C. (details will be described later), and the impurity gas is introduced into the strain gauge forming polycrystalline silicon thin film by adding a doping gas to the raw material gas of the film. A method and a step sequence similar to the method and step sequence described with reference to FIGS. 2 to 4 are adopted except that the method of forming a protective film or the like can be performed at a low temperature (sputtering method in this case). Further, FIGS. 1A to 1D are process drawings used to explain the main part of this embodiment. All are shown by the cross-sectional view of the sample.
【００２４】先ず、基板４１としてこの実施例の場合ガ
ラス基板を用いる。この実施例では、コーニング社製の
商品番号コーニング７０５９を用いる。このガラス基板
４１をフッ酸水溶液（１％）に１〜２秒浸漬し、その
後、充分に水洗する。First, a glass substrate is used as the substrate 41 in this embodiment. In this example, the product number Corning 7059 manufactured by Corning is used. This glass substrate 41 is immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution (1%) for 1 to 2 seconds, and then sufficiently washed with water.
【００２５】次に、この基板４１をプラズマＣＶＤ装置
の反応室（図示せず）に入れ、この基板４１を３００℃
の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流量を４００ＳＣ
ＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、Ｈ2 の流量を５
００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１Ｗ／ｃｍ2 、成
膜時での反応室の上記原料ガスによる全圧を３００Ｐａ
（約２．２５Ｔｏｒｒ）とした条件で、この基板４１上
に犠牲層としての多結晶シリコン薄膜４３を２００ｎｍ
の膜厚で形成する（図１（Ａ））。なお、この多結晶シ
リコン薄膜４３は犠牲層であり後に除去されるので結晶
性はさほど重要でないから、基板温度はさらに低くても
良い。Next, the substrate 41 is put into a reaction chamber (not shown) of a plasma CVD apparatus, and the substrate 41 is heated to 300 ° C.
Flow rate of SiF 4 is 400SC
Flow rate of CM and SiH 4 is 10 SCCM, flow rate of H 2 is 5
00SCCM, RF power density of 0.1 W / cm 2 , total pressure of the source gas in the reaction chamber during film formation of 300 Pa
Under the condition of (about 2.25 Torr), a polycrystalline silicon thin film 43 as a sacrificial layer having a thickness of 200 nm is formed on the substrate 41.
To have a film thickness of (FIG. 1A). Since the polycrystalline silicon thin film 43 is a sacrificial layer and is removed later, the crystallinity is not so important, and the substrate temperature may be lower.
【００２６】次に、この多結晶シリコン薄膜４３をフォ
トリソグラフィ技術及びエッチング技術によってパター
ニングして、直径が１００μｍの多結晶シリコン領域４
３とする。次に、この多結晶領域シリコン領域４３を覆
うためのシリコン窒化膜４５をスパッタ法により形成す
る（図１（Ｂ））。Next, the polycrystalline silicon thin film 43 is patterned by the photolithography technique and the etching technique, and the polycrystalline silicon region 4 having a diameter of 100 μm is formed.
Set to 3. Next, a silicon nitride film 45 for covering the polycrystalline silicon region 43 is formed by the sputtering method (FIG. 1 (B)).
【００２７】次に、このシリコン窒化膜４５上に、今度
は歪みゲージ形成用としてのこの場合ｐ型の多結晶シリ
コン薄膜４７を例えば２００ｎｍの膜厚に形成する（図
１（Ｃ））。このｐ型多結晶シリコン薄膜４７は、基板
４１を３００℃の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流
量を４００ＳＣＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、
Ｈ2 の流量を５００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１
Ｗ／ｃｍ2 、成膜時での反応室の上記原料ガスによる全
圧を３００Ｐａ（約２．２５Ｔｏｒｒ）とし、かつ、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）などのドーピングガスを添加した条
件で、形成する。この場合の多結晶シリコン４７はある
程度結晶性が良いことが要求されるので成膜温度は基板
の変質、変形を招かない限り高温（３５０℃程度まで）
が良いが、３００℃でも目的の結晶性は確保される。Next, on this silicon nitride film 45, a p-type polycrystalline silicon thin film 47 for forming a strain gauge is formed to a film thickness of 200 nm in this case (FIG. 1C). The p-type polycrystalline silicon thin film 47 has a flow rate of SiF 4 of 400 SCCM and a flow rate of SiH 4 of 10 SCCM while the substrate 41 is heated to a temperature of 300 ° C.
H 2 flow rate is 500 SCCM, RF power density is 0.1
W / cm 2 , the total pressure of the source gas in the reaction chamber during film formation is set to 300 Pa (about 2.25 Torr), and a doping gas such as diborane (B 2 H 6 ) is added to form the film. . In this case, the polycrystalline silicon 47 is required to have good crystallinity to some extent, so the film forming temperature is high (up to about 350 ° C.) unless the substrate is altered or deformed.
However, the desired crystallinity is secured even at 300 ° C.
【００２８】次に、このｐ型多結晶シリコン膜４７をフ
ォトリソグラフィ技術及びリアクティブイオンエッチン
グ技術によりパターニングして、歪みゲージ４７ａを得
る（図１（Ｄ））。Next, the p-type polycrystalline silicon film 47 is patterned by a photolithography technique and a reactive ion etching technique to obtain a strain gauge 47a (FIG. 1 (D)).
【００２９】その後は、図３（Ａ）〜図４（Ｂ）を用い
て説明した従来方法に準じた方法により成膜やエッチン
グなどを行ないダイヤフラムや真空室を形成して、目的
のマイクロ圧力センサを得る。ただし、保護膜として使
用される各シリコン窒化膜（図３中のシリコン窒化膜２
１や図４中のシリコン窒化膜３１に相当するもの。）の
形成は低温成膜が可能な方法例えばスパッタ法やプラズ
マＣＶＤ法により行なう。After that, film formation and etching are performed by a method according to the conventional method described with reference to FIGS. 3A to 4B to form a diaphragm and a vacuum chamber, and a target micro pressure sensor. To get However, each silicon nitride film used as a protective film (the silicon nitride film 2 in FIG.
1 or one corresponding to the silicon nitride film 31 in FIG. Is formed by a method capable of low-temperature film formation, for example, a sputtering method or a plasma CVD method.
【００３０】なお、歪みゲージ４７ａ形成用の多結晶シ
リコン薄膜４７をガラス基板４１の他の部分に残存させ
ておき、この部分に周辺回路を形成しても良い。The polycrystalline silicon thin film 47 for forming the strain gauge 47a may be left in another portion of the glass substrate 41 and the peripheral circuit may be formed in this portion.
【００３１】上述においては、この発明のマイクロマシ
ンの製造方法の実施例について説明したが、この発明は
この実施例に限られない。Although the embodiment of the method for manufacturing a micromachine of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment.
【００３２】例えば、多結晶シリコン薄膜の上述の形成
条件はこの発明の範囲内の一例にすぎず他の条件でも良
い。また、多結晶シリコンの形成工程以外の工程は他の
好適な方法に変更できることは明らかである。また、こ
の発明の方法はマイクロ圧力センサ以外のマイクロマシ
ンで多結晶シリコンを利用するものに広く適用できるこ
とは明らかである。For example, the above-mentioned formation conditions for the polycrystalline silicon thin film are merely examples within the scope of the present invention, and other conditions may be used. Further, it is obvious that steps other than the step of forming polycrystalline silicon can be changed to other suitable methods. Further, it is apparent that the method of the present invention can be widely applied to micromachines other than the micro pressure sensor that utilize polycrystalline silicon.
【００３３】[0033]
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のマイクロマシンの製造方法によれば、マイクロ
マシン製造に用いられる多結晶シリコン薄膜を３５０℃
より低い成膜温度で形成できるので、耐熱性があまり高
くない基板も使用することができる。したがって、ガラ
ス基板も基板として使用可能になるため、マイクロマシ
ンの低価格化が期待できる。また、低温化プロセスの実
現により工程の簡略化も期待できる。As is apparent from the above description, according to the method for manufacturing a micromachine of the present invention, the polycrystalline silicon thin film used for manufacturing the micromachine is 350 ° C.
Since the film can be formed at a lower film forming temperature, a substrate having not so high heat resistance can be used. Therefore, the glass substrate can also be used as a substrate, and the price reduction of the micromachine can be expected. In addition, simplification of the process can be expected by realizing the low temperature process.
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例の説明に供する要部
工程図である。FIG. 1A to FIG. 1D are process diagrams of main parts provided for explaining an example.
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の方法の説明に供する
工程図である。FIG. 2A to FIG. 2C are process diagrams for explaining a conventional method.
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来及びこの発明の説明
に供する図２に続く工程図である。3 (A) and 3 (B) are process drawings following FIG. 2 for explaining the related art and the present invention.
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来及びこの発明の説明
に供する図３に続く工程図である。FIGS. 4A and 4B are process diagrams subsequent to FIG. 3 for explaining the related art and the present invention.
４１：ガラス基板 ４３：低温成長による多結晶シリコン薄膜 ４３ａ：円形の多結晶シリコン領域 ４５：シリコン窒化膜 ４７：低温成長によるｐ型多結晶シリコン薄膜 ４７ａ：歪みゲージ 41: glass substrate 43: polycrystalline silicon thin film by low temperature growth 43a: circular polycrystalline silicon region 45: silicon nitride film 47: p-type polycrystalline silicon thin film by low temperature growth 47a: strain gauge
Claims (2)
れその製造において多結晶シリコン薄膜が使用されるマ
イクロマシンを製造するに当たり、 多結晶シリコン薄膜を、該薄膜が形成される下地の温度
を最高でも３５０℃としたプラズマＣＶＤ法により、形
成することを特徴とするマイクロマシンの製造方法。1. When manufacturing a micromachine manufactured by a micromerging technique and using a polycrystalline silicon thin film in the manufacturing, the temperature of the polycrystalline silicon thin film is set to 350 ° C. at the maximum. Formed by the plasma CVD method described above.
方法において、 前記プラズマＣＶＤ法での原料ガスを、四フッ化シラン
（ＳｉＦ4 ）、シラン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の
混合ガスとしたことを特徴とするマイクロマシンの製造
方法。2. The method for manufacturing a micromachine according to claim 1, wherein the raw material gas in the plasma CVD method is a mixed gas of tetrafluorosilane (SiF 4 ), silane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ). And a method for manufacturing a micromachine.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25829192A JPH06112509A (en) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | Manufacture of micromachine |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP25829192A JPH06112509A (en) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | Manufacture of micromachine |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112509A true JPH06112509A (en) | 1994-04-22 |
Family
ID=17318218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25829192A Withdrawn JPH06112509A (en) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | Manufacture of micromachine |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112509A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10300610A (en) * | 1997-04-17 | 1998-11-13 | Commiss Energ Atom | Microsystem having flexible film for pressure sensor and fabrication thereof |
| US5930595A (en) * | 1996-10-18 | 1999-07-27 | Institute Of Microelectronics National University Of Singapore | Isolation process for surface micromachined sensors and actuators |
| JP2004223708A (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Akustica Inc | Multi-metal layer mems structure and process to manufacture it |
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| CN109081302A (en) * | 2018-07-13 | 2018-12-25 | 歌尔股份有限公司 | A kind of microchannel processing method, microchannel |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25829192A patent/JPH06112509A/en not_active Withdrawn
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