JPH06112562A - 半導体レーザ劣化検出回路 - Google Patents
半導体レーザ劣化検出回路Info
- Publication number
- JPH06112562A JPH06112562A JP25777892A JP25777892A JPH06112562A JP H06112562 A JPH06112562 A JP H06112562A JP 25777892 A JP25777892 A JP 25777892A JP 25777892 A JP25777892 A JP 25777892A JP H06112562 A JPH06112562 A JP H06112562A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- voltage
- resistor
- transistor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レ−ザバイアスと同等の温度特性を持た
せ、温度による検出回路の安定を図る。 【構成】半導体レ−ザＬＤには、バイアス供給用トラン
ジスタ２とパルス変調用トランジスタ３が接続され、パ
ルス変調が行われる。また受光素子ＰＤは、レ−ザＬＤ
の出力光をモニタする光電変換素子で、抵抗Ｒ４の両端
に光強度に応じた電圧が発生する。そして差動増幅器１
の出力電圧をトランジスタ２のベ−スに加え、光出力が
一定になるように制御する。また、レ−ザＬＤのバイア
ス電流に比例する電圧としてトランジスタ２のエミッタ
回路の抵抗Ｒ５の両端電圧をとり比較器４に加え、比較
器４の参照電圧であるサ−ミスタＲｔｈと抵抗Ｒ６の並
列回路に直列に接続された抵抗Ｒ７の両端電圧と比較
し、半導体レ−ザＬＤの劣化を検出する。
せ、温度による検出回路の安定を図る。 【構成】半導体レ−ザＬＤには、バイアス供給用トラン
ジスタ２とパルス変調用トランジスタ３が接続され、パ
ルス変調が行われる。また受光素子ＰＤは、レ−ザＬＤ
の出力光をモニタする光電変換素子で、抵抗Ｒ４の両端
に光強度に応じた電圧が発生する。そして差動増幅器１
の出力電圧をトランジスタ２のベ−スに加え、光出力が
一定になるように制御する。また、レ−ザＬＤのバイア
ス電流に比例する電圧としてトランジスタ２のエミッタ
回路の抵抗Ｒ５の両端電圧をとり比較器４に加え、比較
器４の参照電圧であるサ−ミスタＲｔｈと抵抗Ｒ６の並
列回路に直列に接続された抵抗Ｒ７の両端電圧と比較
し、半導体レ−ザＬＤの劣化を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信システムに使用す
る光伝送モジュ−ルにおいて、半導体レ−ザ（以下単に
ＬＤという）の劣化を検出する検出回路に関するもので
ある。
る光伝送モジュ−ルにおいて、半導体レ−ザ（以下単に
ＬＤという）の劣化を検出する検出回路に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＤ劣化を検出する検出器の回路
図を図２に示す。
図を図２に示す。
【０００３】図２に示す様に、ＬＤには、バイアス供給
用トランジスタ２とパルス変調用トランジスタ３が接続
され、パルス変調が行われる。ＬＤ劣化を検出するた
め、このバイアス電流を比較器４に入力し、比較器４の
参照電圧Ｖｓと比較してＬＤ劣化を検出している。尚こ
の種の半導体レ−ザ劣化検出回路として関するものに
は、例えば特開昭５９−２１５１３３が挙げられる。
用トランジスタ２とパルス変調用トランジスタ３が接続
され、パルス変調が行われる。ＬＤ劣化を検出するた
め、このバイアス電流を比較器４に入力し、比較器４の
参照電圧Ｖｓと比較してＬＤ劣化を検出している。尚こ
の種の半導体レ−ザ劣化検出回路として関するものに
は、例えば特開昭５９−２１５１３３が挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＬＤのバイアス電流に
よりＬＤ劣化を検出する上記従来技術では、比較器の参
照電圧が固定電圧としているため、温度によりＬＤ駆動
回路では光出力を一定にするためＬＤのバイアス電流が
変動するので、ＬＤ劣化の検出値が変動する問題があっ
た。すなわち、高温時においては、比較器に入力してい
るＬＤのバイアス電流に比例した電圧が参照電圧をこえ
て、ＬＤ劣化を検出する問題があった。
よりＬＤ劣化を検出する上記従来技術では、比較器の参
照電圧が固定電圧としているため、温度によりＬＤ駆動
回路では光出力を一定にするためＬＤのバイアス電流が
変動するので、ＬＤ劣化の検出値が変動する問題があっ
た。すなわち、高温時においては、比較器に入力してい
るＬＤのバイアス電流に比例した電圧が参照電圧をこえ
て、ＬＤ劣化を検出する問題があった。
【０００５】本発明の目的は、温度によりＬＤ劣化の検
出値が変動することなくＬＤ劣化を検出する半導体レ−
ザ劣化検出回路を提供することにある。
出値が変動することなくＬＤ劣化を検出する半導体レ−
ザ劣化検出回路を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、比較器に入
力されるバイアス電流に比例した同等の温度特性をもた
せるように、参照電圧を設定している抵抗分割回路の一
方にサ−ミスタを用いることにより解決される。
力されるバイアス電流に比例した同等の温度特性をもた
せるように、参照電圧を設定している抵抗分割回路の一
方にサ−ミスタを用いることにより解決される。
【０００７】
【作用】サ−ミスタの抵抗値は、温度が高くなるにつれ
小さくなり、また、温度が低くなるにつれ大きくなる。
固定抵抗に並列にサ−ミスタを付けるとその合成抵抗
は、温度が高くなるにつれ小さくなる。よって、温度が
高くなるにつれ参照電圧は上がる。また、温度が低くな
るにつれ合成抵抗は大きくなるので参照電圧は下がる。
よって、固定抵抗の値をＬＤのバイアス電流の温度特性
と同等になるように調整することにより、温度に関係な
くＬＤ劣化の検出値が一定となる。
小さくなり、また、温度が低くなるにつれ大きくなる。
固定抵抗に並列にサ−ミスタを付けるとその合成抵抗
は、温度が高くなるにつれ小さくなる。よって、温度が
高くなるにつれ参照電圧は上がる。また、温度が低くな
るにつれ合成抵抗は大きくなるので参照電圧は下がる。
よって、固定抵抗の値をＬＤのバイアス電流の温度特性
と同等になるように調整することにより、温度に関係な
くＬＤ劣化の検出値が一定となる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例を図１によって説明す
る。
る。
【０００９】図１は実施例の回路図を示す。以下にその
詳細な構成を記述する。
詳細な構成を記述する。
【００１０】ＬＤには、バイアス供給用トランジスタ２
とパルス変調用トランジスタ３が接続され、パルス変調
が行われる。またＰＤは、ＬＤの出力光をモニタする光
電変換素子で、抵抗Ｒ４の両端に光強度に応じた電圧が
発生する。そして差動増幅器１の出力電圧をトランジス
タ２のベ−スに加え、光出力が一定になるようにバイア
ス電流により制御する。また、ＬＤのバイアス電流に比
例する電圧としてトランジスタ２のエミッタ回路の抵抗
Ｒ５の両端電圧をとり比較器４に加える。比較器４の参
照電圧として、サ−ミスタＲｔｈと抵抗Ｒ６の並列回路
に抵抗Ｒ７を直列に接続し、抵抗Ｒ７の両端電圧と比較
し、ＬＤの劣化を検出する。
とパルス変調用トランジスタ３が接続され、パルス変調
が行われる。またＰＤは、ＬＤの出力光をモニタする光
電変換素子で、抵抗Ｒ４の両端に光強度に応じた電圧が
発生する。そして差動増幅器１の出力電圧をトランジス
タ２のベ−スに加え、光出力が一定になるようにバイア
ス電流により制御する。また、ＬＤのバイアス電流に比
例する電圧としてトランジスタ２のエミッタ回路の抵抗
Ｒ５の両端電圧をとり比較器４に加える。比較器４の参
照電圧として、サ−ミスタＲｔｈと抵抗Ｒ６の並列回路
に抵抗Ｒ７を直列に接続し、抵抗Ｒ７の両端電圧と比較
し、ＬＤの劣化を検出する。
【００１１】比較器４に入力するＬＤのバイアス電流に
比例する電圧としてとりだした抵抗Ｒ５の両端電圧は、
ＬＤのしきい値電流及びスロ−プ効率の温度特性により
非線形に温度とともに変化する。よって、比較器４の参
照電圧に、抵抗Ｒ５の両端電圧の温度特性に追従させる
ため、サ−ミスタＲｔｈを使用する。また、比較器４の
参照電圧である抵抗Ｒ７の両端電圧は、抵抗Ｒ５の両端
電圧と同等の温度特性になるように、抵抗Ｒ６及び、Ｒ
７により調整されるので、温度に関係なく安定にＬＤの
劣化をＬＤのバイアス電流により検出される。
比例する電圧としてとりだした抵抗Ｒ５の両端電圧は、
ＬＤのしきい値電流及びスロ−プ効率の温度特性により
非線形に温度とともに変化する。よって、比較器４の参
照電圧に、抵抗Ｒ５の両端電圧の温度特性に追従させる
ため、サ−ミスタＲｔｈを使用する。また、比較器４の
参照電圧である抵抗Ｒ７の両端電圧は、抵抗Ｒ５の両端
電圧と同等の温度特性になるように、抵抗Ｒ６及び、Ｒ
７により調整されるので、温度に関係なく安定にＬＤの
劣化をＬＤのバイアス電流により検出される。
【００１２】抵抗Ｒ６及び、抵抗Ｒ７の抵抗値は、ＬＤ
の光出力を規定するとＬＤの光出力電流特性からＬＤの
ピ−ク電流Ｉｐが決まるので、次式の２５℃以外の低温
時と高温時の連立式により計算される。
の光出力を規定するとＬＤの光出力電流特性からＬＤの
ピ−ク電流Ｉｐが決まるので、次式の２５℃以外の低温
時と高温時の連立式により計算される。
【００１３】但し、Ｘ＝Ｒ６／Ｒｏ、Ｙ＝Ｒ７／Ｒｏ、
Ｔｏ＝２５＋２７３（Ｋ）、Ｔ＝Ｔａ＋２７３（Ｋ）、
ｆ（Ｔａ)＝１／ｅｘｐ（Ｂ(１／Ｔ−１／Ｔｏ))、Ｉｐ
（Ｔａ）＝Ｉｍ（Ｔａ）＋Ｉｂ（Ｔａ）、Ｔａ；周囲温
度、Ｒｏ；Ｔｏでのサ−ミスタ抵抗、Ｂ；サ−ミスタ定
数、Ｖｒｅｆ（Ｔｏ）；周囲温度２５℃における抵抗Ｒ
５の両端電圧、Ｉｍ；ＬＤの変調電流、Ｉｂ；ＬＤのバ
イアス電流、Ｎ；ＬＤ劣化検出定数（ＬＤのＩｐ電流の
Ｎ倍でＬＤ劣化を検出）である。
Ｔｏ＝２５＋２７３（Ｋ）、Ｔ＝Ｔａ＋２７３（Ｋ）、
ｆ（Ｔａ)＝１／ｅｘｐ（Ｂ(１／Ｔ−１／Ｔｏ))、Ｉｐ
（Ｔａ）＝Ｉｍ（Ｔａ）＋Ｉｂ（Ｔａ）、Ｔａ；周囲温
度、Ｒｏ；Ｔｏでのサ−ミスタ抵抗、Ｂ；サ−ミスタ定
数、Ｖｒｅｆ（Ｔｏ）；周囲温度２５℃における抵抗Ｒ
５の両端電圧、Ｉｍ；ＬＤの変調電流、Ｉｂ；ＬＤのバ
イアス電流、Ｎ；ＬＤ劣化検出定数（ＬＤのＩｐ電流の
Ｎ倍でＬＤ劣化を検出）である。
【００１４】
【数１】
【００１５】
【数２】
【００１６】図１のＬＤ駆動回路は、他の駆動回路であ
っても、ＬＤのバイアス電流を検出可能であればＬＤ劣
化を検出できることは明らかである。
っても、ＬＤのバイアス電流を検出可能であればＬＤ劣
化を検出できることは明らかである。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、比較器の参照電圧の温
度特性は、半導体レ−ザのバイアス電流の温度特性と同
じにすることが出来るので、安定に半導体レ−ザの劣化
を半導体レ−ザのバイアス電流により検出することが出
来る。
度特性は、半導体レ−ザのバイアス電流の温度特性と同
じにすることが出来るので、安定に半導体レ−ザの劣化
を半導体レ−ザのバイアス電流により検出することが出
来る。
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】従来例を示す回路図である。
１…差動増幅器、２…トランジスタ、３…トランジス
タ、４…比較器、５…トランジスタ、ＬＤ…半導体レ−
ザ、ＰＤ…受光素子、Ｒｔｈ…サ−ミスタ、Ｒｎ…抵
抗、Ｃ…コンデンサ、Ｌ…コイル、Ｖｓ…比較器４の参
照電圧。
タ、４…比較器、５…トランジスタ、ＬＤ…半導体レ−
ザ、ＰＤ…受光素子、Ｒｔｈ…サ−ミスタ、Ｒｎ…抵
抗、Ｃ…コンデンサ、Ｌ…コイル、Ｖｓ…比較器４の参
照電圧。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レ−ザの劣化を半導体レ−ザのバイ
アス電流で検出する検出回路に、半導体レ−ザのバイア
ス電流と同じ温度特性を、参照電圧側にもたせたことを
特徴とする半導体レ−ザ劣化検出回路。 - 【請求項２】参照電圧側にサ−ミスタを用いたことを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ劣化検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25777892A JPH06112562A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体レーザ劣化検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25777892A JPH06112562A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体レーザ劣化検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112562A true JPH06112562A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17310973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25777892A Pending JPH06112562A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体レーザ劣化検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017090141A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | 多摩川精機株式会社 | 磁気式エンコーダの出力信号波形補正装置及び方法 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25777892A patent/JPH06112562A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017090141A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | 多摩川精機株式会社 | 磁気式エンコーダの出力信号波形補正装置及び方法 |
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