JPH06116023A - 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い比誘電率、大きな無負荷Ｑで、共振周波
数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える低温焼成用誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒ
Ｏ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ₂ ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ₂ Ｏ
₃ ・ｃＢｉ₂ Ｏ₃ 〕（ＲＥ：希土類金属）で表わされ、
且つ０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ
≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，０≦ｃ≦０．３０を満
足するように構成された組成物を主成分とし、該主成分
組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ₂ Ｏ
₃ 粉末を０．１〜７．５重量部、またはこれに、更に、
ＺｎＯ粉末を０〜８．０重量部、ＳｉＯ₂ 粉末を０〜
３．０重量部の割合で含有せしめた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、低温焼成用誘電体磁器組成物に
係り、特にトリプレート構造のストリップライン型フィ
ルタ−等の、内層導体を有する誘電体共振器の製造に好
適に用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器
組成物に関するものである。また、本発明は、そのよう
な誘電体磁器組成物を用いて得られた誘電体共振器若し
くは該共振器の複数から構成される誘電体フィルター、
更にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フィルターの
有利な製造手法に関するものである。

【０００２】

【背景技術】今日、携帯電話や自動車用電話等では、高
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内層してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。

【０００３】而して、かかるストリップライン型フィル
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。

【０００４】一方、従来から、誘電体磁器組成物に関し
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でも、
Ｂａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥ：希土類金属）
にて構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、
且つ無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小
さい材料として知られており、また特開昭６２−２１６
１０７号公報や特開平１−２７５４６６号公報等におい
ては、そのような組成系に、更にＳｒＯを導入すること
により、比誘電率の向上、共振周波数の温度係数の増大
を図っているが、それら誘電体磁器組成物においては、
何れも、その焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高い
ところに問題があり、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加
することにより、その焼成温度の低下を図る試みが為さ
れてきている。

【０００５】例えば、米国特許第３８１１９３７号明細
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼混合物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ₂ Ｏ₃
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４１０５号公報においては、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂ Ｏ₃ 系組成物に対して、ＰｂＯ，
Ｂｉ₂ Ｏ₃ ，ＳｉＯ₂ 及びＺｎＯの各粉末を混合して、
１０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らか
にされている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報
には、ＢａＴｉＯ₃ −Ｎｄ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂ −Ｂｉ₂ Ｏ
₃ 系組成物に対して、Ｐｂ₃ Ｏ₄ ，Ｂ₂ Ｏ₃ ，ＳｉＯ
₂ ，ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器
組成物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃
の焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更
にまた、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ
₃ ，Ｎｄ₂ Ｏ₃ ，ＴｉＯ₂ ，Ｂｉ₂ Ｏ₃ ，及びＰｂ₃ Ｏ
₄ からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ₂ Ｏ₃ ，Ｓ
ｉＯ₂ ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示さ
れ、それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結す
ることが明らかにされている。

【０００６】しかしながら、これら低温焼成が可能とさ
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃前後或いはそれ以上と高く、導通
抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主体とする合金材料を内部
導体として用いることが出来ないのである。そのため
に、導通抵抗の大きなＰｄの含有量を高めた、Ａｇ−Ｐ
ｄ系合金しか用いられ得ないのが、実情である。しか
も、それら従来の低温焼成用誘電体磁器組成物において
は、Ｐｂ酸化物を多量に添加せしめたものであるところ
から、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑み、その取り扱い上におい
ても、問題のあるものであった。

【０００７】このように誘電体磁器組成物の焼成温度を
１０００℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知られ
ているが、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９５
０℃以下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能とす
る技術については、未だ、知られていない。

【０００８】

【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振
周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２
℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００
℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、また多量のＰｂ
酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成用誘電体磁器
組成物を提供することにある。また、本発明の他の課題
とするところは、そのような誘電体磁器組成物を用いて
得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数から構成
される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若
しくは誘電体フィルターの有利な製造手法を提供するこ
とにある。

【０００９】そして、かかる課題を解決するために、本
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｃ
ａＯ−ＴｉＯ₂ −ＲＥ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ 系の誘電体磁
器組成物に対して、Ｂ₂ Ｏ₃ 粉末の所定量、またはＢ₂
Ｏ₃ 粉末と共に、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂ の各粉末の所定量を
含有せしめることにより、その優れた特性を確保しつ
つ、その焼成温度を有利に低下せしめ得る事実を見い出
したのである。

【００１０】

【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づい
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕・ｙＴｉＯ₂ ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ₂ Ｏ₃ ・ｃＢｉ
₂ Ｏ₃ 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、
それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦
ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ
≦０．３０を満足するように構成された、酸化バリウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタ
ン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスからなる組成物
を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対
して、副成分として、Ｂ₂ Ｏ₃ 粉末を０．１〜７．５重
量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体
磁器組成物にある。

【００１１】また、本発明は、一般式：ｘ〔（１−ａ−
ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ₂ ・ｚ
〔（１−ｃ）ＲＥ₂ Ｏ₃ ・ｃＢｉ₂ Ｏ₃ 〕（但し、ＲＥ
は希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中の
ｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．
１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１
０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４
０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足す
るように構成された、酸化バリウム、酸化ストロンチウ
ム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化レアアース、及
び酸化ビスマスからなる組成物を主成分とし、かかる主
成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ
₂ Ｏ₃ 粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加
え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重
量部までのＳｉＯ₂ 粉末のうちの少なくとも一方を、配
合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物をも、その
特徴とするものである。

【００１２】なお、本発明にあっては、かくの如き低温
焼成用誘電体磁器組成物を製造するに際して、前記主成
分組成物を与える原料組成物を１０５０℃以上の温度で
仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が
０．８μｍ以下となるように微粉砕した後、前記副成分
たるＢ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂ の各粉末を配合するこ
とにより、かかる低温焼成用誘電体磁器組成物を製造す
る手法が、有利に採用されるものであり、このような製
造工程を採用することによって、かかる誘電体磁器組成
物の焼成温度の低下が著しく促進され、しかも比誘電率
の向上や無負荷Ｑの増大も有利に達成され得ることとな
る。

【００１３】また、本発明は、誘電体磁器と、該誘電体
磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成さ
れた導体パタ−ンを有する誘電体共振器若しくは該共振
器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器
を、上述の如き誘電体磁器組成物、即ち前記請求項１ま
たは前記請求項２に記載の誘電体磁器組成物を焼成して
得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パタ−
ンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料に
て形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨とするも
のである。

【００１４】さらに、本発明は、誘電体磁器と、該誘電
体磁器内に設けられた導体パタ−ンとを有する誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造
するに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１
または前記請求項２に記載の誘電体磁器組成物よりなる
成形体若しくはその仮焼物に、前記導体パタ−ンを与え
る、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて
形成される導体層を設け、それを同時焼成せしめること
を特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘
電体フィルターの製造方法をも、その要旨とするもので
ある。

【００１５】

【具体的構成】ところで、かかる誘電体磁器組成物にお
いて、ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕は、主成分の一つたるＢａＯの一部がＳｒＯ及び／
又はＣａＯにて置換されることを示しており、それらＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの合計の含有量が１０モル％より
も少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器
の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２０
モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振周
波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題を
惹起する。

【００１６】なお、このＢａＯの一部置換は、ＳｒＯ及
びＣａＯの少なくとも一方にて実施され、例えばＢａＯ
の一部をＳｒＯにて置換すると、その置換に伴い、高い
誘電率を維持したまま、無負荷Ｑを向上し、共振周波数
の温度係数を小さくすることが出来る。しかし、その置
換割合が０．４０より多くなると（ａ＞０．４０）、誘
電率や無負荷Ｑが共に劣化してしまう問題を生じる。ま
た、ＢａＯの一部をＣａＯにて置換した場合には、高い
誘電率及び無負荷Ｑを維持したまま、共振周波数の温度
係数を大きくすることが出来るが、その置換割合が０．
２０より多くなると（ｂ＞０．２０）、無負荷Ｑが急速
に劣化してしまう問題を惹起する。従って、これらＳｒ
Ｏ，ＣａＯの添加により、共振周波数の温度係数の制御
が有利に実現されるのである。

【００１７】また、ＴｉＯ₂ については、その含有量が
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。

【００１８】さらに、ＲＥ₂ Ｏ₃ とＢｉ₂ Ｏ₃ の合計量
に関して、換言すれば〔（１−ｃ）ＲＥ₂ Ｏ₃ ・ｃＢｉ
₂ Ｏ₃ 〕の値については、その合計の含有量が１０モル
％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数の
温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一方、２５モ
ル％を越えるようになると（ｚ＞０．２５）、焼結性が
悪く、比誘電率が小さくなってしまう問題を惹起する。

【００１９】なお、本発明において、ＲＥ₂ Ｏ₃ におけ
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、温度
係数を制御することが出来る。しかしながら、そのよう
なＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる場合にあって
は、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合を２０モル％
以下にすることが望ましく、それを越えると、共振周波
数の温度係数が負または正に大きく変化する問題を生じ
る。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっ
ては、三価の原子に換算して、導入されることとなる。

【００２０】また、Ｂｉ₂ Ｏ₃ にてＲＥ₂ Ｏ₃ を置換す
ると、比誘電率が増加せしめられ、共振周波数の温度係
数を小さくすることが出来る。特に、このＢｉ₂ Ｏ₃ に
よる充分な置換効果を得るには、５モル％以上（ｃ≧
０．０５）の置換が望ましい。しかしながら、ＢｉＯ₂
の置換量が１５〜２０モル％以上に至ると、温度係数が
増加し始めるのであり、またＢｉ₂ Ｏ₃ の置換量が増え
るにつれ、無負荷Ｑが減少していくことから、Ｂｉ₂ Ｏ
₃ の置換量は、実用的には３０モル％以下（ｃ≦０．３
０）が適切である。

【００２１】本発明は、上記の如き割合において、酸化
バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、また、そのよ
うな主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振
周波数の温度係数を補正する等の目的で、酸化アルミニ
ウム、酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、
酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加したり
することも、何等差支えない。

【００２２】また、かくの如き本発明に従う主成分磁器
組成物に対して、副成分として添加せしめられるＢ₂ Ｏ
₃ 粉末、またはＢ₂ Ｏ₃ 粉末並びにＺｎＯ及び／又はＳ
ｉＯ₂ の各粉末は、かかる主成分磁器組成物の１００重
量部当り、酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃ ）が０．１〜７．５重
量部、更にはかかる酸化ホウ素と共に、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）が０〜８．０重量部及び／又は酸化ケイ素（ＳｉＯ
₂ ）が０〜３．０重量部となる割合において、用いられ
る必要がある。

【００２３】けだし、Ｂ₂ Ｏ₃ の添加量が０．１重量部
未満の場合には、誘電体磁器組成物の焼成温度が高くな
る問題があり、一方７．５重量部を越えるようになる
と、無負荷Ｑが小さくなる問題を惹起するからである。
また、ＺｎＯは、その添加により、比誘電率を向上させ
ることが出来るが、その添加量が８．０重量部を越える
ようになると、目的とする誘電体磁器組成物の無負荷Ｑ
が小さくなってしまう問題を惹起するからである。更
に、ＳｉＯ₂ は、その添加により、無負荷Ｑを向上させ
ることが出来るが、その添加量が３．０重量部を越える
ようになると、ガラス化が困難となることに加えて、目
的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる問題を
惹起するからである。なお、かかるＢ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、
ＳｉＯ₂ の各粉末の好ましい配合範囲としては、Ｂ₂ Ｏ
₃ 粉末が０．５〜３．０重量部、ＺｎＯ粉末が０．５〜
５．０重量部、ＳｉＯ₂ が０．５〜１．０重量部であ
る。

【００２４】特に、本発明において、Ｂ₂ Ｏ₃ 成分を、
他の添加成分と合成して化合物とせずに、単独成分（粉
末）として添加するのは、Ｂ₂ Ｏ₃ 単独では、その融点
が４５０℃前後と低く、焼成温度を低下させる効果が大
きいからである。なお、このＢ₂ Ｏ₃ 粉末としては、Ｂ
₂ Ｏ₃ そのものの粉末の他に、Ｂ₂ Ｏ₃ を与えるＨ₃Ｂ
Ｏ₃ （ほう酸）粉末を使用することも可能である。何故
なら、Ｈ₃ ＢＯ₃ は、３００℃前後でＢ₂ Ｏ₃ 粉末に変
化するからである。これに対し、例えばＺｎＯとＢ₂ Ｏ
₃ の化合物を用いた場合、その融点は９６１℃（ＺｎＯ
・Ｂ₂ Ｏ₃ ）以上と高く、そのため焼成温度を充分に低
下せしめることが困難となるのである。

【００２５】また、かかるＢ₂ Ｏ₃ 粉末に対して、更
に、ＺｎＯ成分やＳｉＯ₂ 成分も各々単独粉末として添
加されるが、特にＺｎＯ−Ｂ₂ Ｏ₃ 系等の酸化ホウ素を
含む化合物、例えばＺｎＯ・Ｂ₂ Ｏ₃ 、５ＺｎＯ・２Ｂ
₂ Ｏ₃ 等の形態での添加は避けなければならない。けだ
し、化合物の形態で添加した場合には、前述のＢ₂ Ｏ₃
粉末の単独添加の効果が得られないばかりでなく、前述
のＺｎＯ、ＳｉＯ₂ 成分の添加効果も、小さなものにな
ってしまうからである。また、ＺｎＯ成分は、焼成後、
Ｂ₂ Ｏ₃ 成分やＳｉＯ₂ 成分と化合物を成すわけではな
く、ＴｉＯ₂ と共存していることから解るように、単独
成分としての働きが重要と考えられるからである。

【００２６】ところで、本発明に従う誘電体磁器組成物
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＢ
₂ Ｏ₃ 粉末、またはＢ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂ の各粉
末を副成分として配合せしめて製造されるものである
が、かかる副成分たるＢ₂ Ｏ₃、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂ 粉末
の配合に先立って、前記した主成分磁器組成物は、その
組成を与える原料組成物を仮焼せしめ、そして粉砕する
ことによって準備されることとなる。そして、その仮焼
に際して、９００℃以上の仮焼温度を採用すると、仮焼
温度の高温化に伴なう誘電体磁器組成物の焼成温度の低
下、比誘電率及び無負荷Ｑの増加が認められるのであ
る。特に、１０５０℃以上の仮焼温度で、その効果が顕
著であるところから、本発明にあっては、好適には、１
０５０℃以上の温度で仮焼が行なわれる。しかしなが
ら、仮焼温度が１３５０℃を越えるようになると、仮焼
後に仮焼物の硬化が著しく、取り扱い上において問題を
生じるので、好ましくは１１００℃〜１３００℃の仮焼
温度が有利に採用されることとなる。

【００２７】また、このようにして仮焼して得られた仮
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば、通常のドクターブレー
ド法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼
粉砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御す
ることが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒
子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定され
ることとなる。

【００２８】

【実施例】以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。

【００２９】実施例 １ 高純度の炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、炭酸カル
シウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、
酸化ランタン及び酸化ビスマスを用い、それら成分を、
下記表１において示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，
ａ，ｂ，ｃ値を与えるようにそれぞれ秤量して、ポリエ
チレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物を、ポットから取り出して乾燥した後、アル
ミナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で、４時間、空気
雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕
し、再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石
と共に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定さ
れる平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行
ない、各種の仮焼粉砕物を得た。

【００３０】次いで、かくして得られた各種の仮焼粉砕
物１００重量部と、副成分としてのＢ₂ Ｏ₃ 粉末、Ｚｎ
Ｏ粉末及びＳｉＯ₂ 粉末の所定量（表１に示される量）
とを、ジルコニア玉石と共に、ポリエチレン製ポットの
中に投入し、純水を加えて、湿式混合せしめた。その
際、バインダーとして、ＰＶＡを１重量％加えた。得ら
れた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩を通
して、造粒した。

【００３１】かくして得られた各種の造粒粉体を、プレ
ス成形機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ² にて成形し
て、それぞれ２０ｍｍφ×１５ｍｍ^t の大きさの円板状
の試験片を得た。そして、この得られた試験片を、空気
中において、９００℃の温度で２時間、焼成することに
より、各種の誘電体磁器サンプルを作製した。更に、こ
の焼成して得られたサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍ^t の
大きさの円板状に研磨し、それぞれ、その誘電体特性を
測定した。なお、比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行
導体板型誘電体共振器法によって測定し、また共振周波
数の温度係数（τｆ）は、−２５℃〜＋７５℃の範囲で
測定した。測定周波数は、２〜４ＧＨｚであった。得ら
れた結果を、表２に示した。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【表２】

【００３４】実施例 ２ 実施例１においてＮｏ１４として得られた仮焼粉砕物を
用い、それの１００重量部と、Ｂ₂ Ｏ₃ 粉末（外配１．
０重量部）、ポリビニルブチラ−ル（外配８重量部）、
可塑剤及び解膠剤を、ジルコニア玉石と共に、アルミナ
製ポットの中に投入し、更にトルエンとイソプロピルア
ルコ−ルの混合溶液を加えて、湿式混合せしめた。

【００３５】次いで、かかる混合物を、脱泡した後、ド
クタ−ブレ−ド法により厚さ：２５０μｍのグリ−ンテ
−プに形成した。そして、この得られたグリ−ンテ−プ
に、印刷用Ａｇペ−ストを用いて、９００ＭＨ_Z 帯２段
バンドパスフィルタの導体パタ−ンを印刷した。次い
で、この導体パタ−ンを印刷したグリ−ンテ−プを挟み
込むように、２０枚のグリ−ンテ−プを、温度：１００
℃、圧力：１００kgf ／cm² の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、図１に示される如
き構造のストリップライン型フィルタを作製した。な
お、この図１に示されるストリップライン型フィルタに
おいて、誘電体基板１６は３層構造を有し、導体との同
時焼成によって一体化せしめられるものである。そし
て、この誘電体基板１６の一つの層に複数の共振用電極
１２，１２が内蔵され、また、それとは異なる層に一対
の結合用電極２０，２０が内蔵されている。一方、該誘
電体基板１６の外表面には、略全面にア−ス電極１４が
設けられると共に、対向する一対の側面において、該ア
−ス電極１４と非接続な状態で、一対の入出力端子１
８，１８が、設けられている。そして、前記結合用電極
２０，２０が延長されて、その延長部分２０ａの端部
が、誘電体基板１６の外表面にまで引き出されているこ
とにより、外表面の入出力端子１８と内部の結合用電極
２０とが、接続せしめられているのである。

【００３６】かくして得られたストリップライン型フィ
ルタについて、ネットワ−クアナライザ−を用い、その
フィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９００ＭＨ
_Z 、挿入損失：１．５ｄＢであった。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）、酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）、酸化レアアース（ＲＥ
₂ Ｏ₃ ）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ₂ Ｏ₃ ）を主成分と
し、それら各成分が、それぞれ、特定量において含有せ
しめられていると共に、副成分として、Ｂ₂ Ｏ₃ 粉末の
所定量、またはＢ₂ Ｏ₃粉末と共に、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂
の各粉末の所定量が含有せしめられていることにより、
９６２℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは
９００℃前後の焼成温度で焼結することが可能であり、
これによって、導通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主成分
とする合金材料を、内層導体として有するストリップラ
イン型フィルタ等の誘電体フィルタを有利に製造し得る
こととなったのであり、しかも得られる誘電体磁器は、
高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、更に共振
周波数の温度係数が小さい特徴を備えているのである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例２にて製造される誘電体フィルタ−の積
層構造の形態を示す説明図である。

【符号の説明】

１２ 共振用電極 １４ ア−ス電極 １６ 誘電体基板 １８ 入出力端子 ２０ 結合用電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａ
   ＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ₂ ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ
   ₂ Ｏ₃ ・ｃＢｉ₂ Ｏ₃ 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示
   す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びに
   ａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２
   ０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２
   ５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．
   ２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成され
   た、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウ
   ム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスか
   らなる組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１０
   ０重量部に対して、副成分として、Ｂ₂ Ｏ₃ 粉末を０．
   １〜７．５重量部の割合において配合せしめてなること
   を特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。
2. 【請求項２】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａ
   ＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ₂ ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ
   ₂ Ｏ₃ ・ｃＢｉ₂ Ｏ₃ 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示
   す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びに
   ａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２
   ０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２
   ５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．
   ２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成され
   た、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウ
   ム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスか
   らなる組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１０
   ０重量部に対して、副成分として、Ｂ₂ Ｏ₃ 粉末を０．
   １〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重
   量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ₂
   粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなること
   を特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。
3. 【請求項３】 誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成
   することにより該誘電体磁器内に形成された導体パタ−
   ンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電
   体フィルターにおいて、該誘電体磁器を、前記請求項１
   または前記請求項２に記載の誘電体磁器組成物を焼成し
   て得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パタ
   −ンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料
   にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該
   共振器よりなる誘電体フィルター。
4. 【請求項４】 誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けら
   れた導体パタ−ンとを有する誘電体共振器若しくは該共
   振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前
   記誘電体磁器を与える、前記請求項１または前記請求項
   ２に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはそ
   の仮焼物に、前記導体パタ−ンを与える、Ａｇ単体若し
   くはＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層
   を設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電
   体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの
   製造方法。