JPH06116719A - 高周波イオンプレーティング装置 - Google Patents
高周波イオンプレーティング装置Info
- Publication number
- JPH06116719A JPH06116719A JP26768592A JP26768592A JPH06116719A JP H06116719 A JPH06116719 A JP H06116719A JP 26768592 A JP26768592 A JP 26768592A JP 26768592 A JP26768592 A JP 26768592A JP H06116719 A JPH06116719 A JP H06116719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- evaporation
- ion plating
- vacuum chamber
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 真空槽１内の底部に複数の蒸発源４を設ける
とともに、それら蒸発源と真空槽内の上部に設けられた
基板７との間にそれぞれコイル状の複数の高周波アンテ
ナ９を配置し、かつ、各高周波アンテナのそれぞれに対
して別個の高周波電源１０から高周波電力を供給する。 【効果】 各蒸発源からの蒸発材料が各高周波アンテナ
により広範囲にわたってイオン化されるので十分な出
力、イオン化効率を確保でき、したがって大型の基板に
対してもその全面に均質かつ良質な膜を形成できる。
とともに、それら蒸発源と真空槽内の上部に設けられた
基板７との間にそれぞれコイル状の複数の高周波アンテ
ナ９を配置し、かつ、各高周波アンテナのそれぞれに対
して別個の高周波電源１０から高周波電力を供給する。 【効果】 各蒸発源からの蒸発材料が各高周波アンテナ
により広範囲にわたってイオン化されるので十分な出
力、イオン化効率を確保でき、したがって大型の基板に
対してもその全面に均質かつ良質な膜を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸発源から蒸発させた
蒸発材料を高周波を用いてイオン化することによって成
膜を行なう高周波イオンプレーティング装置に関する。
蒸発材料を高周波を用いてイオン化することによって成
膜を行なう高周波イオンプレーティング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来一般の高周波イオンプレーテ
ィング装置の概略構成を示す。図３において符号１は真
空槽であり、その内部は、排気管２を通して真空排気さ
れることにより真空状態に保持され、また、ノズル３か
らたとえば酸素、窒素、炭素等の反応ガスが供給される
ようになっている。
ィング装置の概略構成を示す。図３において符号１は真
空槽であり、その内部は、排気管２を通して真空排気さ
れることにより真空状態に保持され、また、ノズル３か
らたとえば酸素、窒素、炭素等の反応ガスが供給される
ようになっている。
【０００３】真空槽１内の底部にはルツボ４（蒸発源）
が備えられ、そのルツボ４内の蒸発材料５に対して電子
銃６から電子ビームを照射することにより蒸発材料５を
加熱蒸発させるようになっている。
が備えられ、そのルツボ４内の蒸発材料５に対して電子
銃６から電子ビームを照射することにより蒸発材料５を
加熱蒸発させるようになっている。
【０００４】また、真空槽１内の上部には、ルツボ４の
直上に位置して被処理物である基板７が配置されてい
る。この基板７には、基板電源８によってルツボ４に対
して負の電位が印加されている。
直上に位置して被処理物である基板７が配置されてい
る。この基板７には、基板電源８によってルツボ４に対
して負の電位が印加されている。
【０００５】そして、ルツボ４の上方位置、つまり、ル
ツボ４と基板７との間には、コイル状に巻かれた高周波
アンテナ９が備えられ、この高周波アンテナ９には図示
せぬマッチングボックス（整合回路）を介して高周波電
源１０が接続されていて、ルツボ４から蒸発した蒸発材
料や反応ガスがこの高周波アンテナ９によりイオン化さ
れ、それが蒸発物質流となって基板７に激しく衝突し、
これによって基板７表面に蒸着膜が形成されるようにな
っている。
ツボ４と基板７との間には、コイル状に巻かれた高周波
アンテナ９が備えられ、この高周波アンテナ９には図示
せぬマッチングボックス（整合回路）を介して高周波電
源１０が接続されていて、ルツボ４から蒸発した蒸発材
料や反応ガスがこの高周波アンテナ９によりイオン化さ
れ、それが蒸発物質流となって基板７に激しく衝突し、
これによって基板７表面に蒸着膜が形成されるようにな
っている。
【０００６】また、大型の基板を処理するような場合に
適用して好適なものとして、図４に示すように、複数の
ルツボ４を設けて、それぞれのルツボ４から広範囲にわ
たって蒸発材料５を蒸発させるようにした高周波イオン
プレーティング装置も実用化されている。
適用して好適なものとして、図４に示すように、複数の
ルツボ４を設けて、それぞれのルツボ４から広範囲にわ
たって蒸発材料５を蒸発させるようにした高周波イオン
プレーティング装置も実用化されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図３や図４
に示した従来の高周波イオンプレーティング装置におい
ては、高周波電源１０の周波数は通常１３.５６ＭＨｚ
とされ、高周波アンテナ９の全長は約２ｍ程度のものが
使用されている。そして、そのアンテナ９は、図示して
いるように２重巻きのコイル状とされてその直径が約
０.３ｍ程度とされて用いられるものである。したがっ
て、そのようなアンテナ９を用いる限りにおいては、蒸
発材料５をアンテナ９の直径の範囲内でしか有効にイオ
ン化できず、このため、特に図４に示した従来のもので
は、複数のルツボ４から広範囲にわたって蒸発材料５を
蒸発させたもののその全てを有効にイオン化できるもの
ではなく、大型の基板７全体に均質な成膜を行なうこと
ができるものではなかった。
に示した従来の高周波イオンプレーティング装置におい
ては、高周波電源１０の周波数は通常１３.５６ＭＨｚ
とされ、高周波アンテナ９の全長は約２ｍ程度のものが
使用されている。そして、そのアンテナ９は、図示して
いるように２重巻きのコイル状とされてその直径が約
０.３ｍ程度とされて用いられるものである。したがっ
て、そのようなアンテナ９を用いる限りにおいては、蒸
発材料５をアンテナ９の直径の範囲内でしか有効にイオ
ン化できず、このため、特に図４に示した従来のもので
は、複数のルツボ４から広範囲にわたって蒸発材料５を
蒸発させたもののその全てを有効にイオン化できるもの
ではなく、大型の基板７全体に均質な成膜を行なうこと
ができるものではなかった。
【０００８】なお、アンテナ９を二重巻きとせずに単巻
とすればその直径は０.６ｍ程度に大きくできることに
なるが、その場合はイオン化効率が低下してしまって好
ましくない。また、複数のルツボ４の上方にそれぞれ別
のアンテナ９を設けて共通の電源１０から同一周波数の
高周波を出力させたり、あるいは、図５に示すように、
１本のアンテナ９を２連のコイル状として用いることも
考えられているが、これらの場合には回路の整合が難し
く安定した操業ができないという問題があった。
とすればその直径は０.６ｍ程度に大きくできることに
なるが、その場合はイオン化効率が低下してしまって好
ましくない。また、複数のルツボ４の上方にそれぞれ別
のアンテナ９を設けて共通の電源１０から同一周波数の
高周波を出力させたり、あるいは、図５に示すように、
１本のアンテナ９を２連のコイル状として用いることも
考えられているが、これらの場合には回路の整合が難し
く安定した操業ができないという問題があった。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、蒸発材料を広範囲にわた
って効率的にイオン化し得て、大型の基板に対しても均
質な成膜を行ない得る有効なイオンプレーティング装置
を提供することにある。
で、その目的とするところは、蒸発材料を広範囲にわた
って効率的にイオン化し得て、大型の基板に対しても均
質な成膜を行ない得る有効なイオンプレーティング装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のイオンプレーティング装置は、真空槽と、
真空槽内の底部に設けられた複数の蒸発源と、真空槽内
の上部に設けられた基板と、各蒸発源と基板との間にそ
れぞれ配置されたコイル状の複数の高周波アンテナと、
各高周波アンテナのそれぞれに対して高周波電力を供給
する複数の高周波電源とを具備したことを特徴としてい
る。この場合、前記各高周波電源の出力をそれぞれ独立
に制御するための複数の制御装置を具備することが好ま
しい。
め、本発明のイオンプレーティング装置は、真空槽と、
真空槽内の底部に設けられた複数の蒸発源と、真空槽内
の上部に設けられた基板と、各蒸発源と基板との間にそ
れぞれ配置されたコイル状の複数の高周波アンテナと、
各高周波アンテナのそれぞれに対して高周波電力を供給
する複数の高周波電源とを具備したことを特徴としてい
る。この場合、前記各高周波電源の出力をそれぞれ独立
に制御するための複数の制御装置を具備することが好ま
しい。
【００１１】
【作用】各蒸発源の上方にそれぞれ設けられた複数の高
周波アンテナにより各蒸発源から蒸発した蒸発材料がイ
オン化される。各高周波アンテナに対してはそれぞれ別
の電源が設けられているため、安定した操業を行うこと
ができるとともに、広範囲にわたって十分なイオン化効
率が得られる。
周波アンテナにより各蒸発源から蒸発した蒸発材料がイ
オン化される。各高周波アンテナに対してはそれぞれ別
の電源が設けられているため、安定した操業を行うこと
ができるとともに、広範囲にわたって十分なイオン化効
率が得られる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を参照して説
明するが、上述した従来のものと同一構成要素には同一
符号を付している。本実施例のイオンプレーティング装
置は、真空槽１内の底部に２つのルツボ（蒸発源）４が
設けられているとともに、それら各ルツボ４と真空槽１
内の上部に設けられた基板７との間にそれぞれ２重巻コ
イル状とされた高周波アンテナ９が配されたものとなっ
ている。そして、各高周波アンテナ９には、それぞれ別
の高周波電源１０から高周波電力が供給されるようにな
っている。
明するが、上述した従来のものと同一構成要素には同一
符号を付している。本実施例のイオンプレーティング装
置は、真空槽１内の底部に２つのルツボ（蒸発源）４が
設けられているとともに、それら各ルツボ４と真空槽１
内の上部に設けられた基板７との間にそれぞれ２重巻コ
イル状とされた高周波アンテナ９が配されたものとなっ
ている。そして、各高周波アンテナ９には、それぞれ別
の高周波電源１０から高周波電力が供給されるようにな
っている。
【００１３】上記構成のイオンプレーティング装置にお
いては、各ルツボ４の上方にそれぞれ設けられた２つの
アンテナ９により各ルツボ４から蒸発した蒸発材料がそ
れぞれイオン化されることになる。そして、各アンテナ
９に対してはそれぞれ別の電源１０により高周波電力が
供給されるので十分な出力が確保されて広範囲にわたっ
て十分なイオン化効率が得られる。以上のことから、本
実施例のイオンプレーティング装置では、基板７が大き
なものであってもその全面に均質な、かつ、密着性に優
れた良質の膜を形成することができる。
いては、各ルツボ４の上方にそれぞれ設けられた２つの
アンテナ９により各ルツボ４から蒸発した蒸発材料がそ
れぞれイオン化されることになる。そして、各アンテナ
９に対してはそれぞれ別の電源１０により高周波電力が
供給されるので十分な出力が確保されて広範囲にわたっ
て十分なイオン化効率が得られる。以上のことから、本
実施例のイオンプレーティング装置では、基板７が大き
なものであってもその全面に均質な、かつ、密着性に優
れた良質の膜を形成することができる。
【００１４】図２は本発明の他の実施例を示すものであ
る。本実施例の装置は、上記実施例の装置に対し、真空
槽１内にプラズマモニタ１２を設け、その検出値に基づ
き、各高周波電源１０をそれぞれ独立に制御するコント
ローラ（制御装置）１３を付加した構成のものである。
る。本実施例の装置は、上記実施例の装置に対し、真空
槽１内にプラズマモニタ１２を設け、その検出値に基づ
き、各高周波電源１０をそれぞれ独立に制御するコント
ローラ（制御装置）１３を付加した構成のものである。
【００１５】本実施例の装置では各ルツボ４内にそれぞ
れ異種の金属（たとえばＡｌとＣｒ）や異種のセラミッ
クスを蒸発材料５として充填し、それら蒸発材料５を電
子銃６により蒸発させて直上に位置している各アンテナ
９により個別にイオン化することにより、多元系合金
（たとえばＡｌ−Ｃｒ合金）や多元系セラミックス（た
とえばＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）のような、より機能的な膜を
形成することができるものである。この場合、異種の蒸
発材料５を電離するに必要なエネルギや所要蒸気圧は各
々異なるから、それら蒸発材料５のイオン化を個々に制
御する必要が生じる。そこで、本実施例の装置において
は、真空槽１内にプラズマモニタ１２を設け、その検出
値に基づき、各蒸発材料５をイオン化するに最適なプラ
ズマが発生するように各高周波電源１０の出力をコント
ローラ１３により個別に制御することによって、各蒸発
材料５のイオン化を個々に制御するように構成したので
ある。
れ異種の金属（たとえばＡｌとＣｒ）や異種のセラミッ
クスを蒸発材料５として充填し、それら蒸発材料５を電
子銃６により蒸発させて直上に位置している各アンテナ
９により個別にイオン化することにより、多元系合金
（たとえばＡｌ−Ｃｒ合金）や多元系セラミックス（た
とえばＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）のような、より機能的な膜を
形成することができるものである。この場合、異種の蒸
発材料５を電離するに必要なエネルギや所要蒸気圧は各
々異なるから、それら蒸発材料５のイオン化を個々に制
御する必要が生じる。そこで、本実施例の装置において
は、真空槽１内にプラズマモニタ１２を設け、その検出
値に基づき、各蒸発材料５をイオン化するに最適なプラ
ズマが発生するように各高周波電源１０の出力をコント
ローラ１３により個別に制御することによって、各蒸発
材料５のイオン化を個々に制御するように構成したので
ある。
【００１６】なお、上記実施例では、２つのルツボ４を
有するものであるので、アンテナ９および電源１０を２
組備えるようにしたが、さらに多数のルツボとアンテ
ナ、それらの電源を備えるようにしても勿論良い。
有するものであるので、アンテナ９および電源１０を２
組備えるようにしたが、さらに多数のルツボとアンテ
ナ、それらの電源を備えるようにしても勿論良い。
【００１７】
【発明の効果】以上で詳細に説明したように、本発明に
よれば、各蒸発源と基板との間にそれぞれ配した高周波
アンテナのそれぞれに対して別の電源から高周波電力を
供給するように構成したので、各蒸発源からの蒸発材料
が各アンテナによりそれぞれイオン化されるので十分な
高周波出力とイオン化効率を確保でき、その結果、大型
の基板に対してもその全面に均質、かつ良質な膜を形成
することができるという効果を奏する。また、各高周波
電源をそれぞれ独立に制御する制御装置を付加すれば、
異種の蒸発材料のイオン化を個々に制御することが可能
となり、その結果、異種の材料からなる多元系の膜を形
成することが可能となる。
よれば、各蒸発源と基板との間にそれぞれ配した高周波
アンテナのそれぞれに対して別の電源から高周波電力を
供給するように構成したので、各蒸発源からの蒸発材料
が各アンテナによりそれぞれイオン化されるので十分な
高周波出力とイオン化効率を確保でき、その結果、大型
の基板に対してもその全面に均質、かつ良質な膜を形成
することができるという効果を奏する。また、各高周波
電源をそれぞれ独立に制御する制御装置を付加すれば、
異種の蒸発材料のイオン化を個々に制御することが可能
となり、その結果、異種の材料からなる多元系の膜を形
成することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例である高周波イオンプレーテ
ィング装置の概略構成図である。
ィング装置の概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施例である高周波イオンプレー
ティング装置の概略構成図である。
ティング装置の概略構成図である。
【図３】従来の高周波イオンプレーティング装置の一例
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図４】従来の高周波イオンプレーティング装置の他の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図５】従来の高周波イオンプレーティング装置のさら
に他の例を示す概略構成図である。
に他の例を示す概略構成図である。
１ 真空槽 ４ ルツボ（蒸発源） ５ 蒸発材料 ７ 基板 ９ 高周波アンテナ １０ 高周波電源 １３ コントローラ（制御装置）。
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽と、真空槽内の底部に設けられた
複数の蒸発源と、真空槽内の上部に設けられた基板と、
各蒸発源と基板との間にそれぞれ配置されたコイル状の
複数の高周波アンテナと、各高周波アンテナのそれぞれ
に対して高周波電力を供給する複数の高周波電源とを具
備してなることを特徴とする高周波イオンプレーティン
グ装置。 - 【請求項２】 前記各高周波電源の出力をそれぞれ独立
に制御するための複数の制御装置を具備してなることを
特徴とする請求項１に記載の高周波イオンプレーティン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26768592A JPH06116719A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 高周波イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26768592A JPH06116719A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 高周波イオンプレーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116719A true JPH06116719A (ja) | 1994-04-26 |
Family
ID=17448113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26768592A Pending JPH06116719A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 高周波イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06116719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005344170A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP26768592A patent/JPH06116719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005344170A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4941430A (en) | Apparatus for forming reactive deposition film | |
| US20070224364A1 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, plasma film deposition apparatus, and plasma film deposition method | |
| US20070262059A1 (en) | Electrode systems and methods of using electrodes | |
| JP3836184B2 (ja) | 酸化マグネシウム膜の製造方法 | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| JP2003073814A (ja) | 製膜装置 | |
| US20030010453A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| KR100321676B1 (ko) | 기질을코팅하는방법및장치 | |
| JP2002069664A (ja) | プラズマ加工方法及びプラズマ加工装置 | |
| JP2001526325A (ja) | 表面を改質するための方法及び装置 | |
| JP2000008159A (ja) | 同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置 | |
| JPS60251269A (ja) | イオンプレ−テイング方法および装置 | |
| JPS6247472A (ja) | 立方晶チツ化ホウ素膜の形成方法 | |
| JP3152548B2 (ja) | 高周波誘導プラズマ成膜装置 | |
| JP4871442B2 (ja) | 緻密な硬質薄膜の形成装置及び硬質薄膜の形成方法 | |
| JPS62116775A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62120473A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPH0747819B2 (ja) | プラズマフラッシュ蒸着方法および装置 | |
| JPH0672300B2 (ja) | ハイブリツドイオンプレ−テイング装置 | |
| JP3452458B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0633955U (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP2579540Y2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP2006045632A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH089771B2 (ja) | 分子流発生装置 | |
| JPH06243993A (ja) | プラズマ絞り装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040127 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |