JPH06122086A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

Info

Publication number
JPH06122086A
JPH06122086A JP5183940A JP18394093A JPH06122086A JP H06122086 A JPH06122086 A JP H06122086A JP 5183940 A JP5183940 A JP 5183940A JP 18394093 A JP18394093 A JP 18394093A JP H06122086 A JPH06122086 A JP H06122086A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
laser beam
processing apparatus
laser processing
oscillator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5183940A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2658809B2 (ja
Inventor
Eikichi Hayashi
栄吉 林
Ryuichi Fujimoto
隆一 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5183940A priority Critical patent/JP2658809B2/ja
Priority to US08/110,969 priority patent/US5498851A/en
Priority to DE4328894A priority patent/DE4328894C2/de
Publication of JPH06122086A publication Critical patent/JPH06122086A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2658809B2 publication Critical patent/JP2658809B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067Dividing the beam into multiple beams, e.g. multi-focusing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067Dividing the beam into multiple beams, e.g. multi-focusing
    • B23K26/0676Dividing the beam into multiple beams, e.g. multi-focusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0972Prisms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30Organic materials
    • B23K2103/38Fabrics; Fibrous materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic materials other than metals or composite materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザビームを用いて被加工物の加工を行う
レーザ加工装置の生産能力(生産性)の向上、安定加
工。 【構成】 レーザビームのエネルギー分布モードがピー
クを複数個有するレーザビーム2を用いて、集光素子1
9と複数光分配素子20を組合せた光学系に、上記複数
のピークが複数光分配素子のカット面のそれぞれに対応
するよう入射させ、複数の集光スポットを発生させ、レ
ーザ加工を行うよう構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は被加工物に集光レーザ
ビームを用いて加工を行う装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の装置としては特開昭55−42
200号、特開昭58−9784号、特開平03−18
0290号等々に見られるように帯状の材料に通気性を
もたせるための装置がある。また、衣服材あるいは食
品、調味料等の梱包材に通気性をもたせたり、梱包の解
梱を容易にするため微細な穴を集光パルスレーザビーム
を用いて明ける装置等もよく知られている。このような
従来装置では帯状の材料にレーザビームを集光照射しレ
ーザビームをパルス化し帯状の材料を高速に移動させる
ことにより開孔列を付ける装置が一般的である。
【0003】図12は従来のレーザ加工装置を示す構成
図を、図13はパルス化されたレーザビーム出力の時間
に対する変化を示した図を、図14はレーザビームの集
光状態図を示す。これらの図を用いて従来技術を説明す
ると、図において1はレーザ発振器、2はパルスレーザ
ビーム、3はビームスプリッター、4はベンドミラー、
5はレンズ、6は帯材、7はローラ、8は集光スポッ
ト、9は開孔である。10はパルス化されたパルスレー
ザビーム2の空間的なエネルギー分布を示す。図14の
場合はピークが1つでガウス分布をしているシングルモ
ードのエネルギー分布を示す。
【0004】次に動作について説明する。レーザ発振器
1より出力されるパルスレーザビーム2はその出力が図
13に示す如く時間的に断続的な近似矩形波でパルス化
されている。パルス化の方法にはレーザ発振の励起動作
そのものをパルス化する方法や、連続発振を機械的にチ
ョッピングしてパルス化する方法等があるが、周知のこ
とでありここでは詳述しない。パルスレーザビーム2は
開孔の多列化のためビームスプリッタ3により分割さ
れ、図12に示す場合では4つの1/4出力がそれぞれ
ベンドミラー4により偏向されてレンズ5に入射する。
レンズ5に入射したパルスレーザビームは帯材6の集光
スポット8に集光される。一方、被加工物である帯材6
はローラ7により矢印の方向に搬送されて、パルス周波
数と帯材6の移動速度によって決まるピッチの開孔列が
帯材6に付けられる。図15はシングルモードのエネル
ギー分布を持ったパルスレーザビームを図12のレーザ
加工装置において光分配プリズム(図示せず)を図中の
レンズ5の下側に用いて分配した場合の出力等高線を示
したものである。図にしめすようにシングルモードのレ
ーザビームをプリズムで分配した場合には、図中に示す
ように8a、8bで示す2つの集光スポットの他に開孔
に寄与しない回析光による縞13a、13bが被加工物
上に生じるため出力のロスとなり開孔スピードが大幅に
低下するため実用上問題点あった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ加工装置
は以上のように構成されていたので、生産能力を向上さ
せるためには帯材の搬送速度を上げる必要があった。さ
らに、同時にパルスレーザビームの出力を上げ、出力の
立上り及び立下り時間を短くする必要があった。しか
し、レーザ出力を上げるには大きなレーザ発振器が必要
で高価となり、また、出力の立上り立下り時間を短くし
パルス周波数を上げるにはレーザ発振の原理上の限界や
前述のメカチョッパーの機械構造上の技術的限界があ
り、生産性向上の実現上問題点があった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、帯材の搬送速度を上げるこ
となく生産能力(生産性)を大幅に改善できるレーザ加
工装置を得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係わるレー
ザ加工装置は、エネルギー分布のピークを複数個有する
レーザビームを出力するレーザ発振器から被加工物上の
加工点までのレーザビーム進路上に集光素子と複数のカ
ット面を持つ光分配素子を配置したものである。第2の
発明に係わるレーザ加工装置は、第1の発明において被
加工物とレーザビームの集光スポットが相対移動できる
移動手段を備えたものである。第3の発明に係わるレー
ザ加工装置は、第1の発明または第2の発明において集
光素子および光分配素子のうち少なくとも何れか一方に
反射形の素子を用いたものである。第4の発明に係わる
レーザ加工装置は、第1、第2および第3の何れかの発
明において、光分配素子にプリズムカット面側の周縁部
を光軸に関して軸対称な面形状に加工したプリズムを用
いたものである。第5の発明に係わるレーザ加工装置は
第1、第2、第3および第4の何れかの発明において、
放電励起方向、レーザ媒質の流れ方向、発振方向の3つ
の方向が各々互いに直交する3軸直交形であるととも
に、そのエネルギー分布のピークを複数個有するレーザ
ビームを出力するレーザ発振器を用いたものである。第
6の発明に係わるレーザ加工装置は、第1、第2、第3
および第4の何れかの発明において、レーザビームのエ
ネルギー分布モードが複数個のピークを持つ高速軸流型
のレーザ発振器を用いたものである。
【0008】
【作用】第1の発明における課題達成の手段は、レーザ
ビームの集光スポットを被加工物上に複数個発生させる
ように作用する。第2の発明における課題達成の手段
は、レーザビームの集光スポットを移動する被加工物上
に複数個発生させるように作用する。第3の発明におけ
る課題達成の手段は、レーザビームの進路方向を変更す
るとともにレーザビームの集光スポットを被加工物上に
複数個発生させるように作用する。第4の発明における
課題達成の手段は、光分配素子を安定して保持すること
が出来るようにする。第5の発明における課題達成の手
段は、集光密度の高いレーザビームの集光スポットを被
加工物上に複数個発生させるように作用する。第6の発
明における課題達成の手段は、レーザビームのエネルギ
ー分布モードが複数個のピークを発生させるように作用
する。
【0009】
【実施例】
実施例1.以下この発明の実施例を図を用いて説明す
る。図1はこの発明の実施例によるレーザ加工装置構成
図で、図2はレーザビーム、3はビームスプリッター、
4はベンドミラー、5はレンズでこの場合一般的な平凸
レンズを用いている。11はレンズ5の下に近接して設
けられた2光分配プリズムで円盤形状の下面が互いに交
差する2面にカットされたプリズム形状となっている。
12はパルス化されたレーザビーム2の空間的なエネル
ギー分布がピークが2個のTEM01モードの場合を示
したものである。6は帯材、7はローラ、8a、8bは
集光スポット、9a、9bは開孔である。
【0010】次に動作について説明する。レーザ発振器
より出力されるパルスレーザビーム2は開孔の多列化の
ためビームスプリッター3により分割される。図1に示
す場合では4個の1/4出力に分割され、それぞれベン
ドミラー4により偏向されてレンズ5に入射する。(図
では1/4出力×2は未使用の状態で示してあるが本装
置では同時に最大8列の開孔が可能である。)パルスレ
ーザビーム2はTEM01モードのエネルギー分布12
をもっており図2に示すごとくレンズ5の下に設けられ
た2光分配プリズム11の下面の2つのカット面のそれ
ぞれに上記エネルギー分布のピークが相応して入射する
ようになっている。また、レーザビームの分配方向は帯
材6の矢印の移動方向と直角方向に2分配されるよう構
成されている。レンズ5は集光光学素子であり2光分配
プリズムは分配光学素子である。集光、分配された集光
スポット8a、8b及び開孔9a、9bの列幅dは、レ
ーザビームの波長と上記素子の材料で決まる屈折率nと
レンズ5の焦点距離f、光分配プリズム11のカット面
角度αによりd≒2(n−1)αfの式で決定される。
このパルスレーザビームの集光スポット8a、8b等に
対し、帯材6はローラ7により矢印の方向に搬送される
ためパルス周波数と帯材6の搬送速度によって決まる間
隔で開孔9a、9b等の列が帯材6に付けられる。
【0011】表1に従来装置と本発明の装置との開孔性
能、諸元比較表を示す。表から開孔速度は20%低下し
たが、開孔の多列化により生産帯数が倍増し総合的生産
能力は従来比で1.6倍向上した。
【0012】
【表1】
【0013】実施例2.次に図4について説明する。1
4はレーザビームモードでエネルギー分布のピークが放
射状に4個存在する高次モードを示す。15は4光分配
プリズム16と平凸レンズ5を組合せた分配、集光光学
系で、図では1体型で示してあるが分離型でもよく、分
配、集光の順序、形は前述の図2で示すような集光、分
配光学系でも良い。4つのピークを有する高次モードの
パルスレーザ光14を4光分配プリズム16の4つのカ
ット面にピークが夫々相応するよう図示の如く入射さ
せ、4つのパルスレーザビームの集光スポット8a、8
b、8c、8dを発生させる。この開孔装置においては
図2、図3で示したレーザビームモードの場合よりさら
に多列化が可能なため開孔能力より一層の向上が実現出
来る。
【0014】実施例3.図5は図2と同様な構成である
が、集光光学素子にフレネルレンズ17を用いている。
フレネルレンズ17はレーザビームの波長によりその集
光時の収差を軽減するように加工されたレンズであり、
これを用いることにより集光特性が改善され集光スポッ
ト8a、8bのエネルギー密度が向上する。したがって
被加工物のより早い搬送スピードに対応可能なレーザ開
孔装置が実現できる。なお、説明はビームモードがTE
M01モード12で2光分配プリズム11を用いた場合
について行っているが、エネルギー分布のピークを複数
有するレーザビームモードと、複数光分配プリズムを用
いても上記と同様の効果を奏する。
【0015】実施例4.図6は図5と同様な構成である
が、集光光学素子にメニスカスレンズ18を用いてい
る。メニスカスレンズ18はレンズ集光時の球面収差を
軽減するよう加工されたレンズであり、これを用いるこ
とにより図5の場合と同様の効果を奏する。なお、図5
と図6の組合せ、すなわちフレネルメニスカスレンズを
用いればより一層の効果があることは言うまでもない。
【0016】実施例5.図7、図8はそれぞれこの発明
のレーザ開孔装置の以上述べた例と異なる実施例を示す
もので、以下図について夫々説明する。図において、1
9は透過形集光光学素子、20は透過形分光プリズム素
子、21は反射形分光プリズム素子、22は反射集光光
学素子でTEM01モードのエネルギー分布12のレー
ザパルスを複数光分配プリズム素子のカット面のそれぞ
れにエネルギーのピークが相応するよう入射させ集光光
学素子の集光により集光スポット8a、8bを発生させ
ている。上記説明ではレーザビームモードにTEM01
モードを用いた説明を行っているが、複数のエネルギー
分布のピークをもつモードに対し、相応する複数の光分
配プリズム素子を対応させれば同様の効果を奏する。
又、図7、図8の実施例のように集光、分配の順序はい
ずれでも良く、各素子は透過形でも、反射形でも良く、
さらに分割形、一体形のいずれでも同様の効果を奏す
る。
【0017】実施例6.図9はこの発明に使用の光分配
プリズムの一実施例を示す図であり、図について説明す
る。23は複数光分配プリズムで円盤形状をしていて下
面のプリズムカット面側の外周縁部を光軸に直交する平
面形状に加工されている。24はレンズマウント、25
は複数光分配プリズム23の上下に装着されるリング状
の放熱シート、26は押えネジである。円盤形状のプリ
ズムレンズはカット面側の外周縁部がフラットでないと
レンズの保持が正確にできず又レンズとレンズマウント
24の接触部が少ないため、レンズの冷却効果が劣ると
いう欠点があった。この発明はこの問題を解消するため
になされたもので光分配プリズムの保持を確実、かつ正
確なものとするとともにレンズの冷却効率の高い装置を
提供することを可能とする。
【0018】実施例7.図10は本発明の一実施例であ
るパルスレーザ発振器の構成図、図11は図10の光軸
に直角な方向の断面図を示す。図において27a、27
bは上下方向に一対に設けられた放電電極、28は一対
の放電電極27a、27b管に流されるCO2ガスを含
むレーザガスの流れる方向を示す矢印である。29は部
分反射鏡30は全反射鏡でこの間でレーザ光が励起増幅
されて部分反射鏡よりパルスレーザビーム2が出力され
る。上記の説明より明らかなようにパルス発振の放電励
起方向(上下)とレーザガス流方向とレーザ発振方向は
3軸が互いに直交する形成となっている。この方式が発
振器の大出力化に有利であることは周知のことである。
特にこの形式の有利な点は放電励起する放電電極27
a、27bの近傍に発振密度の高いレーザ光子が存在し
やすく図11に示す如く光軸よりも電極寄りに2つエネ
ルギー分布のピークが存在しやすく、TEM01モード
のエネルギー分布12を生ぜしめるためパルスレーザビ
ームの発振動作の効率向上に効果がある。特に上記モー
ドを発生させるため、共振器内に楕円もしくは矩形の開
口32を有するアパーチャ31を設けることも有利であ
る。また、開口32をガス流方向に長径を持つ長円とす
ることにより3次以上の高次モードを出力させることも
可能である。又、図示されてないが、レーザガス流方向
とレーザ発振方向が同一な高速軸流型のレーザ発振器で
は、軸対称(放射状)のレーザモードを発生させやすく
図4に示すような分配方式の場合は特に有利である。以
上の実施例においては、パルスレーザビームを用いて移
動する帯材に開孔を行うレーザ加工装置について示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、連続する
レーザビームを用いて溶接、マーキング等を行う場合に
も利用できる。また被加工物は移動する帯材に限定され
るものでなく、静止している被加工ものを集光スポット
が移動しながらあるいは静止した状態で加工してもよい
ことは明らかである。さらに上記実施例においては、光
分配素子に光学式のプリズムを用いた場合を示したが、
これはプリズムに限定されるものではなく、他の方法、
例えば光ファイバ等によって分配することも可能であ
る。
【0019】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば移動する
帯材に穴を明ける装置において、レーザビームモードが
ピークを複数有するエネルギー分布のパルスレーザビー
ムを用い、集光光学素子と複数光分配プリズム素子を組
合せた光学系に上記パルスレーザビームを該レーザビー
ムモードのエネルギー分布のピークが該複数光分配プリ
ズム素子のそれぞれのカット面に相応するよう入射させ
ることにより、複数のパルスレーザビームの集光スポッ
トを発生させるよう構成したので、帯材の搬送スピード
を上げることなく開孔の多列化、多孔化が可能となり生
産能力(生産性)を大幅に向上させる効果がある。又、
上記装置において、集光光学素子にフレネルレンズ又は
メニスカスレンズを用いるように構成したので、レーザ
開孔装置の集光スポットのエネルギー密度を向上させる
効果がある。又、上記装置において、複数光分配プリズ
ムのプリズムカット側の外周縁部を光軸に直交した平面
形状としたので、上記光学素子を安定かつ確実に保持
し、さらに冷却効果を向上させるという効果がある。
又、上記装置において、放電励起方式による炭酸ガスパ
ルスレーザ発振器は放電方向とレーザガス流方向、レー
ザ発振方向が互いに直交する形式のものとし、パルスレ
ーザビームを発振させる構成としたり、レーザガス流方
向とレーザ発振方向が同一な高速軸流型のレーザ発振器
としてパルスレーザビームを発振させる構成としたの
で、帯材の搬送スピードを上げることなく開孔の多列化
が可能となり、生産能力(生産性)を大幅に向上させる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1、第2の発明の一実施例によるレーザ加工
装置の構成図である。
【図2】同上装置における2つのピークを有するレーザ
ビームの集光状態図である。
【図3】図2の上面図である。
【図4】第1、第2の発明の他の実施例の4光分配集光
光学素子を示す図(分配、集光光学系と、レーザビーム
モードの関係を示す)である。
【図5】第1、第2の発明の他の実施例におけるレーザ
ビームの集光状態図である。
【図6】第1、第2の発明の他の実施例におけるレーザ
ビームの集光状態図である。
【図7】第3の発明のレーザ加工装置の一実施例を示す
レーザビームの集光状態図である。
【図8】第3の発明のレーザ加工装置の一実施例を示す
レーザビームの集光状態図である。
【図9】第4の発明の一実施例を示す光分配プリズムの
構成図である。
【図10】第5の発明の一実施例を示す炭酸ガスパルス
レーザ発振器の構成図である。
【図11】図10の断面図である。
【図12】従来のレーザ開孔装置を示す構成図である。
【図13】パルス化されたレーザビームの時間とレーザ
出力の関係図である。
【図14】従来装置におけるシングルモードのレーザビ
ームの集光状態図である。
【図15】シングルモードのレーザビームを2光分配プ
リズムで分配した図である。
【符号の説明】
1 レーザ発振器 2 パルスレーザビーム 3 ビームスプリッタ 4 ベンドミラー 5 レンズ 6 帯材 7 ローラ 8、8a〜8d 集光スポット 9、9a〜9d 開孔 10 シングルモードのエネルギー分布 11 2光分配プリズム 12 TEM01モードのエネルギー分布 13a、13b 回折光による縞 14 高次モード(4次モード)のエネルギー分布 15 分配、集光光学系 16 4光分配プリズム 17 フレネルレンズ 18 メニスカスレンズ 19 透過形集光光学素子 20 透過形光分配プリズム素子 21 反射形光分配プリズム素子 22 反射形集光光学素子 23 複数光分配プリズム 24 レンズマウント 25 放熱シート 26 押えネジ 27a、27b 放電電極 28 レーザガス流 29 部分反射鏡 30 全反射鏡

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザビームを用いて被加工物の加工を
    行う装置において、複数個のピークを有するエネルギー
    分布モードのレーザビームを出力するレーザ発振器と、
    上記発振器からのレーザビームを集光する集光素子と、
    複数個のカット面を有し上記レーザビームが上記被加工
    物上に複数の集光スポットを発生するよう上記レーザビ
    ームの複数個のピークが上記複数個のカット面のそれぞ
    れに対応して入射するよう配置された光分配素子とを備
    えたことを特徴とするレーザ加工装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のレーザ加工装置におい
    て、被加工物とレーザビームの集光スポットの発生位置
    を相対移動させる移動手段を備えたことを特徴とするレ
    ーザ加工装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載のレーザ加
    工装置において、集光素子および光分配素子のうち少な
    くとも何れか一方はレーザビームの進路方向を変更する
    反射形の集光素子あるいは光分配素子であることを特徴
    とするレーザ加工装置。
  4. 【請求項4】 請求項1、請求項2または請求項3記載
    のいずれかのレーザ加工装置において、光分配素子はプ
    リズムでかつそのプリズムカット面側の外周縁部を光軸
    に関して軸対称な面形状に加工したことを特徴とするレ
    ーザ加工装置。
  5. 【請求項5】 請求項1、請求項2、請求項3および請
    求項4記載のいずれかのレーザ加工装置において、レー
    ザ発振器は放電の励起方向、レーザ媒質の流れ方向、お
    よびレーザ発振方向の3つの方向が各々互いに直交する
    3軸直交形のものであるとともにレーザビームのエネル
    ギー分布モードが複数個のピークを持つものであること
    を特徴とするレーザ加工装置。
  6. 【請求項6】 請求項1、請求項2、請求項3または請
    求項4記載のいずれかのレーザ加工装置において、レー
    ザ発振器は高速軸流型発振器であり、レーザビームのエ
    ネルギー分布モードが複数個のピークを持つものである
    ことを特徴とするレーザ加工装置。
JP5183940A 1992-08-27 1993-07-26 レーザ加工装置 Expired - Fee Related JP2658809B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5183940A JP2658809B2 (ja) 1992-08-27 1993-07-26 レーザ加工装置
US08/110,969 US5498851A (en) 1992-08-27 1993-08-24 Laser machining apparatus and method
DE4328894A DE4328894C2 (de) 1992-08-27 1993-08-27 Laserbearbeitungsvorrichtung und zugehöriges Verfahren

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-228550 1992-08-27
JP22855092 1992-08-27
JP5183940A JP2658809B2 (ja) 1992-08-27 1993-07-26 レーザ加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06122086A true JPH06122086A (ja) 1994-05-06
JP2658809B2 JP2658809B2 (ja) 1997-09-30

Family

ID=26502189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5183940A Expired - Fee Related JP2658809B2 (ja) 1992-08-27 1993-07-26 レーザ加工装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5498851A (ja)
JP (1) JP2658809B2 (ja)
DE (1) DE4328894C2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008100285A (ja) * 2006-09-21 2008-05-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及びレーザ加工装置
JP2009274081A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工方法
JP2010039064A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ端面処理装置及び方法
US8372762B2 (en) 2006-09-21 2013-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and laser processing apparatus
CN109570782A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 三星钻石工业股份有限公司 刻划加工方法及刻划加工装置

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19513354A1 (de) * 1994-04-14 1995-12-14 Zeiss Carl Materialbearbeitungseinrichtung
US5674414A (en) * 1994-11-11 1997-10-07 Carl-Zeiss Stiftung Method and apparatus of irradiating a surface of a workpiece with a plurality of beams
DE19511393B4 (de) * 1995-03-28 2005-08-25 Carl Baasel Lasertechnik Gmbh Gerät zur Substratbehandlung, insbesondere zum Perforieren von Papier
IT1279607B1 (it) * 1995-08-24 1997-12-16 Gd Spa Unita' di perforazione per la realizzazione di sigarette ventilate
GB9601049D0 (en) * 1996-01-18 1996-03-20 Xaar Ltd Methods of and apparatus for forming nozzles
US5937270A (en) * 1996-01-24 1999-08-10 Micron Electronics, Inc. Method of efficiently laser marking singulated semiconductor devices
US5783797A (en) * 1996-05-09 1998-07-21 Seagate Technology, Inc. Laser texturing of magnetic recording medium using a crystal material
US5834094A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Surface Technologies Ltd. Bearing having micropores and design method thereof
JP3213882B2 (ja) * 1997-03-21 2001-10-02 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及び加工方法
US6070813A (en) * 1998-08-11 2000-06-06 Caterpillar Inc. Laser drilled nozzle in a tip of a fuel injector
US6259058B1 (en) 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6211488B1 (en) 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6252197B1 (en) 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6417484B1 (en) 1998-12-21 2002-07-09 Micron Electronics, Inc. Laser marking system for dice carried in trays and method of operation
US6262388B1 (en) 1998-12-21 2001-07-17 Micron Electronics, Inc. Laser marking station with enclosure and method of operation
US8217304B2 (en) * 2001-03-29 2012-07-10 Gsi Group Corporation Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
DE10032387B4 (de) * 2000-07-06 2006-08-31 Continental Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung eines Profils einer Oberfläche
US6528760B1 (en) 2000-07-14 2003-03-04 Micron Technology, Inc. Apparatus and method using rotational indexing for laser marking IC packages carried in trays
US6524881B1 (en) * 2000-08-25 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for marking a bare semiconductor die
US8497450B2 (en) * 2001-02-16 2013-07-30 Electro Scientific Industries, Inc. On-the fly laser beam path dithering for enhancing throughput
JP2003200279A (ja) * 2001-10-24 2003-07-15 Seiko Epson Corp 基板の電気配線切断方法及びその装置、並びに電子デバイスの製造方法及びその装置
US7169685B2 (en) * 2002-02-25 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive
US6951995B2 (en) 2002-03-27 2005-10-04 Gsi Lumonics Corp. Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US7820941B2 (en) * 2004-07-30 2010-10-26 Corning Incorporated Process and apparatus for scoring a brittle material
US20060021977A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Menegus Harry E Process and apparatus for scoring a brittle material incorporating moving optical assembly
JP2006150433A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Fanuc Ltd レーザ加工装置
JP4822737B2 (ja) * 2005-04-22 2011-11-24 ミヤチテクノス株式会社 レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置
GB2437496A (en) * 2006-04-28 2007-10-31 Rolls Royce Plc A laser shaping arrangement
US20100288738A1 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 General Electric Company Welding apparatus and method
US20110210105A1 (en) * 2009-12-30 2011-09-01 Gsi Group Corporation Link processing with high speed beam deflection
US8378248B2 (en) 2010-05-21 2013-02-19 General Electric Company System and method for heat treating a weld joint
DE102010027438B4 (de) 2010-07-14 2023-08-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsstelle und/oder eines Verbindungsbereiches bei einem Substrat, insbesondere zur Verbesserung der Benetzungs- und/oder Haftungseigenschaften des Substrates
US8461480B2 (en) * 2010-11-30 2013-06-11 Electro Scientific Industries, Inc. Orthogonal integrated cleaving device
JP6022223B2 (ja) * 2012-06-14 2016-11-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5940906B2 (ja) * 2012-06-19 2016-06-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN104842066B (zh) * 2015-03-27 2016-08-24 龙游特美纸制品有限公司 一种激光打孔机的光束控制装置
JP6025917B1 (ja) 2015-06-10 2016-11-16 株式会社アマダホールディングス レーザ切断方法
CN105665944A (zh) * 2016-04-13 2016-06-15 河南金阳铝业有限公司 一种高密铝箔打孔机
DE102021124893A1 (de) 2021-09-27 2023-03-30 André LeGuin Vorrichtung zum Beaufschlagen eines Werkstücks mit einem Laserstrahl
CN117123917A (zh) * 2023-10-20 2023-11-28 深圳智机视觉科技有限公司 激光加工系统、激光加工系统的控制方法及存储介质

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3586816A (en) * 1968-07-25 1971-06-22 American Optical Corp Spot welding system and method
US3720213A (en) * 1971-02-05 1973-03-13 Coherent Radiation Laser photocoagulator
JPS51128794A (en) * 1975-05-01 1976-11-09 Toshiba Corp Laser processing apparatus
JPS583478B2 (ja) * 1978-03-03 1983-01-21 株式会社日立製作所 レ−ザ加熱方法および装置
DE2821883C2 (de) * 1978-05-19 1980-07-17 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Vorrichtung zur Materialbearbeitung
FR2437008B1 (fr) * 1978-09-20 1985-06-28 Philip Morris Inc Appareil de production de faisceaux lumineux pulses
JPS5650795A (en) * 1979-09-29 1981-05-08 Toshiba Corp Device and method for laser work
DE3127213A1 (de) * 1981-07-10 1983-01-27 Hauni-Werke Körber & Co KG, 2050 Hamburg Vorrichtung zum perforieren eines huellmaterialstreifens fuer artikel der tabakverarbeitenden industrie
JPS5768288A (en) * 1980-10-15 1982-04-26 Toyota Motor Corp Heating method by laser beam
US4467168A (en) * 1981-04-01 1984-08-21 Creative Glassworks International Method of cutting glass with a laser and an article made therewith
JPS59115032A (ja) * 1982-12-23 1984-07-03 東北リコ−株式会社 血管吻合装置
GB8306951D0 (en) * 1983-03-14 1983-04-20 Ici Plc Energy beam focusing apparatus
US4691093A (en) * 1986-04-22 1987-09-01 United Technologies Corporation Twin spot laser welding
EP0329787A4 (en) * 1987-08-28 1990-09-05 Tsentralnoe Konstruktorskoe Bjuro Unikalnogo Priborostroenia Akademii Nauk Ssr Method and device for laser processing of an object
US5352495A (en) * 1989-02-16 1994-10-04 The Wiggins Teape Group Limited Treatment of a surface by laser energy
JPH082511B2 (ja) * 1989-05-08 1996-01-17 松下電器産業株式会社 レーザ加工装置
JP2505293B2 (ja) * 1989-12-08 1996-06-05 日本たばこ産業株式会社 穿孔装置
JPH03216287A (ja) * 1990-01-19 1991-09-24 Fanuc Ltd レーザ切断加工方法
JPH04356392A (ja) * 1991-01-21 1992-12-10 Mitsubishi Electric Corp 光処理装置
DE4024299A1 (de) * 1990-07-31 1992-02-06 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum fokussieren eines lichtstrahles in wenigstens zwei fokuspunkten
US5362940A (en) * 1990-11-09 1994-11-08 Litel Instruments Use of Fresnel zone plates for material processing
JPH04182088A (ja) * 1990-11-17 1992-06-29 Kobe Steel Ltd レーザ加工用集光装置
JP3071227B2 (ja) * 1991-03-06 2000-07-31 日本たばこ産業株式会社 帯状シートの穿孔装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008100285A (ja) * 2006-09-21 2008-05-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及びレーザ加工装置
US8372762B2 (en) 2006-09-21 2013-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and laser processing apparatus
JP2009274081A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工方法
JP2010039064A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ端面処理装置及び方法
CN109570782A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 三星钻石工业股份有限公司 刻划加工方法及刻划加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE4328894A1 (de) 1994-03-10
JP2658809B2 (ja) 1997-09-30
DE4328894C2 (de) 1995-08-17
US5498851A (en) 1996-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2658809B2 (ja) レーザ加工装置
KR100234491B1 (ko) 레이저 가공용 광학장치
US4275288A (en) Apparatus for machining material
JP4344224B2 (ja) 光学マスクおよびmopaレーザ装置
US5055653A (en) Laser beam machining device
US5683600A (en) Gas turbine engine component with compound cooling holes and method for making the same
EP0929376B2 (en) A method of processing a material by means of a laser beam
JP4505190B2 (ja) レーザ切断装置
CN112496529A (zh) 激光切割系统
JPH11138896A (ja) レーザを用いたマーキング方法、マーキング装置、及びマークの観察方法、観察装置
US20060186098A1 (en) Method and apparatus for laser processing
JPS6293095A (ja) レ−ザ加工装置
GB1405487A (en) Apparatus for treating workpieces with laser radiation
US4685780A (en) Reflection type optical device
GB2313079A (en) Two stage drilling by laser irradiation
JPH0563273B2 (ja)
JPH0347685A (ja) レーザマーキング方法及び装置
JPS605394B2 (ja) レ−ザ照射装置
EP0236521A1 (en) Reflection type optical device
JPH04322892A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JPS5819395B2 (ja) レ−ザ加工方法およびその装置
CN212682809U (zh) 一种用于晶片标记的激光设备
Hachfeld Laser-beam quality and brightness in industrial applications
JPS63299881A (ja) レ−ザ光集光装置
JP2000271773A (ja) レーザ出射光学系

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees