JPH061228B2 - 静電容量式圧力検出器 - Google Patents
静電容量式圧力検出器Info
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- JPH061228B2 JPH061228B2 JP62202221A JP20222187A JPH061228B2 JP H061228 B2 JPH061228 B2 JP H061228B2 JP 62202221 A JP62202221 A JP 62202221A JP 20222187 A JP20222187 A JP 20222187A JP H061228 B2 JPH061228 B2 JP H061228B2
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
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- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
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Description
本発明は、圧旅に応じて変形するダイヤフラムを備え、
このダイヤフラムの両側に一対の固定電極がダイヤフラ
ムと所定の間隔を隔てて配設されて、ダイヤフラムとの
間に一対の静電容量が形成された静電容量式圧力検出器
に関する。
このダイヤフラムの両側に一対の固定電極がダイヤフラ
ムと所定の間隔を隔てて配設されて、ダイヤフラムとの
間に一対の静電容量が形成された静電容量式圧力検出器
に関する。
第６図は従来の静電容量式圧力検出器の要部の構成を示
す断面図である。この第６図において、１はシリコンか
ら成るダイヤフラムであり、２，３は所定の厚さを有す
るガラス接合部４，５を介してダイヤフラム１を接合さ
れた固定電極である。８はダイヤフラム１と固定電極と
の間に形成された空隙、９はダイヤフラム１と固定電極
３との間に形成された空隙である。６は固定電極２に明
けられて空隙８に圧力Ｐ1を導く圧力導入孔、７は固定
電極３に明けられて空隙９に圧力Ｐ2を導く圧力導入孔
である。 ダイヤフラム１と固定電極２とによって第１コンデンサ
が形成され、このコンデンサの静電容量Ｃaがリードピ
ンａ，ｃを介して取出される。また、ダイヤフラム１と
固定電極３とによって第２コンデンサが形成され、この
コンデンサの静電容量Ｃbがリードピンｂ，ｃを介して
取出される。 しかして、今、圧力Ｐ1，Ｐ2がダイヤフラムに作用する
と、その差圧（Ｐ1〜Ｐ2）に応じてダイヤフラム１が変
位し、この変位に応じて静電容量Ｃa，Ｃbが変化し、こ
の変化に基づいて差圧を測定することができる。 なお、第６図に示した圧力検出器は、後述するように、
通常は圧力Ｐ1，Ｐ2を受圧する２つのシールダイヤフラ
ムによって密閉されたハウジング内に収納され、かつ、
このハウジング内に圧力伝達用の非圧縮性流体たとえば
シリコンオイルが封入される。それゆえ、空隙８，９な
らびに導圧孔６，７にはシリコンオイルが充填されるこ
とになる。
す断面図である。この第６図において、１はシリコンか
ら成るダイヤフラムであり、２，３は所定の厚さを有す
るガラス接合部４，５を介してダイヤフラム１を接合さ
れた固定電極である。８はダイヤフラム１と固定電極と
の間に形成された空隙、９はダイヤフラム１と固定電極
３との間に形成された空隙である。６は固定電極２に明
けられて空隙８に圧力Ｐ1を導く圧力導入孔、７は固定
電極３に明けられて空隙９に圧力Ｐ2を導く圧力導入孔
である。 ダイヤフラム１と固定電極２とによって第１コンデンサ
が形成され、このコンデンサの静電容量Ｃaがリードピ
ンａ，ｃを介して取出される。また、ダイヤフラム１と
固定電極３とによって第２コンデンサが形成され、この
コンデンサの静電容量Ｃbがリードピンｂ，ｃを介して
取出される。 しかして、今、圧力Ｐ1，Ｐ2がダイヤフラムに作用する
と、その差圧（Ｐ1〜Ｐ2）に応じてダイヤフラム１が変
位し、この変位に応じて静電容量Ｃa，Ｃbが変化し、こ
の変化に基づいて差圧を測定することができる。 なお、第６図に示した圧力検出器は、後述するように、
通常は圧力Ｐ1，Ｐ2を受圧する２つのシールダイヤフラ
ムによって密閉されたハウジング内に収納され、かつ、
このハウジング内に圧力伝達用の非圧縮性流体たとえば
シリコンオイルが封入される。それゆえ、空隙８，９な
らびに導圧孔６，７にはシリコンオイルが充填されるこ
とになる。
ところで、たとえば、ダイヤフラム１と固定電極２との
間には実際には２つのコンデンサが形成されている。１
つのコンデンサはダイヤフラム１−空隙８−固定電極２
によって形成されており、その静電容量Ｃaは次式で表
わされる。 Ｃa＝εa・Ｓa／ｄa (1) 但し、εa： 空隙８の誘電率 Ｓa： 空隙８における電極面積 ｄa： 空隙８の厚さ この静電容量Ｃaはダイヤフラム１の変位によって変化
する容量である。 他の１つのコンデンサはダイヤフラム１−ガラス接合部
４−固定電極２によって形成されており、その静電容量
Ｃｓaは次式で表わされる。 Ｃｓａ＝εｓa・Ｓｓa／ｄｓa (2) 但し、εｓa： ガラス接合部４の誘電率 Ｓｓa： ガラス接合部４の面積 ｄｓa： ガラス接合部４の厚さ この静電容量Ｃｓaはダイアフラム１の変位とは無関係
に定まる容量で、測定上有害なものである。 一方、ダイヤフラム１と固定電極３との間にも２つのコ
ンデンサが形成されており、ダイヤフラム１−空隙９−
固定電極３によって形成されたコンデンサの静電容量を
Ｃb、ダイヤフラム１−ガラス接合部５−固定電極３に
よって形成されたコンデンサの静電容量をＣｓbとする
と、Ｃb，Ｃｓbは第(1)式および第(2)式と同様に表わす
ことができる。 そして、静電容量Ｃa，Ｃb，Ｃｓa，Ｃｓbは電気的には
第７図の如く接続されているとみなせる。この第７図に
おいて、リードピンａ−ｃ間から見た静電容量をＣ10、
リードピンｂ−ｃ間から見た静電容量をＣ20とすると、
Ｃ10，Ｃ20は次式で表わされる。 Ｃ10＝Ｃa＋Ｃｓa (3) Ｃ20＝Ｃb＋Ｃｓb (4) 次に、静電容量Ｃｓa，Ｃｓbが静電容量Ｃa，Ｃbに対し
て測定上有害であることについて具体的に説明する。 すなわち、一例として、ダイヤフラム１および固定電極
２，３が一辺の長さ９mmの正方形体から成り、かつ、空
隙８，９が直径７mmの円形体から成り、かつ、空隙８，
９にシリコンオイルが封入され、ガラス接続部４，５が
日本電気ガラス（株）の商品名ＳＭ−３６Ａから成ると
すると、静電容量Ｃa，Ｃｓaは次のような値となる。な
お、空隙８，９の厚さおよびガラス接合部４，５の厚さ
はそれぞれ１２μｍとする。 但し、第(5)式および第(6)式において、2.65および4.8
はシリコンオイルの比誘電率および上記ＳＭ−３６Ａの
比誘電率、8.85×10-14は真空誘電率である。 第(5)式および第(6)式から明らかなように、測定に関係
する静電容量Ｃaに対して、測定に関与しない静電容量
Ｃｓaは約２倍の大きさで静電容量Ｃ10に影響し、好ま
しくない。 このことをさらに数学的に詳細に説明する。 ここで、圧力Ｐ1，Ｐ2による差圧によって、ダイヤフラ
ム１が左方向に変位Δだけ変位したとすると、第(1)式
は次のように表わされる。 Ｃa＝εa・Ｓa／（ｄa−Δ） (7) 同様に、空隙９における誘電率をεb（＝εa）、空隙９
における電極面積をＳb（＝Ｓa）、空隙９の厚さをｄb
とすると、静電容量Ｃbは次式で表わされる。 Ｃb＝εb・Ｓb／（ｄb／Δ） (8) また、ガラス接合部５の誘導率をεｓb（＝εｓa）、ガ
ラス接合部５の面積をＳｓb（＝Ｓｓa）、ガラス接合部
５の厚さをｄｓb（＝ｄｓa）とすると、静電容量Ｃｓb
は次式で表わされる。 Ｃb＝εｓb・Ｓｓb／ｄｓb (9) ここで、固定電極２，３はダイヤフラム１に対して対象
的に配置されているので、次式が成立する。 従って、第(3)式および第(4)式は次のように表わされ
る。 ところで、よく知られているように、一対の静電容量Ｃ
10，Ｃ20が差動的に変化する場合、次の演算式によって
ダイヤフラム変位に比例する信号を得るようにしてい
る。 第(4)式において、Ｃｓ／Ｃ0≪１とすれば、 ｆ≡Δ／ｄ ∝（Ｐ2−Ｐ1） (15) となり、変位Δすなわち差圧（Ｐ2−Ｐ1）に比例した信
号ｆが得られる。 しかしながら、第６図の例の場合 従って、Ｃｓ／Ｃ0はＣｓ／Ｃ0≪１なる条件が成立せ
ず、そのために第(14)式において分母に（Δ/d)2の項が
入り、信号ｆの差圧ΔＰ（＝Ｐ2−Ｐ1）に対する比例関
係がＣｓの存在により著しく阻害される。つまり、差圧
ΔＰに対する信号ｆの直線性が著しく悪化させられる。 なお、Ｃｓ／Ｃ0≪１なる条件を得るために、空隙８，
９における電極面積Ｓを極めて大きくすればよいが、こ
のようにした場合には圧力検出器全体の構成が極めて大
きくなり、好ましくない。 そこで、本発明は、このような点に鑑みてなされ、圧力
検出器全体の構成を大きくすることなく、差圧演算信号
に良好な直線性が得られる静電容量式圧力検出器を提供
することを目的とする。
間には実際には２つのコンデンサが形成されている。１
つのコンデンサはダイヤフラム１−空隙８−固定電極２
によって形成されており、その静電容量Ｃaは次式で表
わされる。 Ｃa＝εa・Ｓa／ｄa (1) 但し、εa： 空隙８の誘電率 Ｓa： 空隙８における電極面積 ｄa： 空隙８の厚さ この静電容量Ｃaはダイヤフラム１の変位によって変化
する容量である。 他の１つのコンデンサはダイヤフラム１−ガラス接合部
４−固定電極２によって形成されており、その静電容量
Ｃｓaは次式で表わされる。 Ｃｓａ＝εｓa・Ｓｓa／ｄｓa (2) 但し、εｓa： ガラス接合部４の誘電率 Ｓｓa： ガラス接合部４の面積 ｄｓa： ガラス接合部４の厚さ この静電容量Ｃｓaはダイアフラム１の変位とは無関係
に定まる容量で、測定上有害なものである。 一方、ダイヤフラム１と固定電極３との間にも２つのコ
ンデンサが形成されており、ダイヤフラム１−空隙９−
固定電極３によって形成されたコンデンサの静電容量を
Ｃb、ダイヤフラム１−ガラス接合部５−固定電極３に
よって形成されたコンデンサの静電容量をＣｓbとする
と、Ｃb，Ｃｓbは第(1)式および第(2)式と同様に表わす
ことができる。 そして、静電容量Ｃa，Ｃb，Ｃｓa，Ｃｓbは電気的には
第７図の如く接続されているとみなせる。この第７図に
おいて、リードピンａ−ｃ間から見た静電容量をＣ10、
リードピンｂ−ｃ間から見た静電容量をＣ20とすると、
Ｃ10，Ｃ20は次式で表わされる。 Ｃ10＝Ｃa＋Ｃｓa (3) Ｃ20＝Ｃb＋Ｃｓb (4) 次に、静電容量Ｃｓa，Ｃｓbが静電容量Ｃa，Ｃbに対し
て測定上有害であることについて具体的に説明する。 すなわち、一例として、ダイヤフラム１および固定電極
２，３が一辺の長さ９mmの正方形体から成り、かつ、空
隙８，９が直径７mmの円形体から成り、かつ、空隙８，
９にシリコンオイルが封入され、ガラス接続部４，５が
日本電気ガラス（株）の商品名ＳＭ−３６Ａから成ると
すると、静電容量Ｃa，Ｃｓaは次のような値となる。な
お、空隙８，９の厚さおよびガラス接合部４，５の厚さ
はそれぞれ１２μｍとする。 但し、第(5)式および第(6)式において、2.65および4.8
はシリコンオイルの比誘電率および上記ＳＭ−３６Ａの
比誘電率、8.85×10-14は真空誘電率である。 第(5)式および第(6)式から明らかなように、測定に関係
する静電容量Ｃaに対して、測定に関与しない静電容量
Ｃｓaは約２倍の大きさで静電容量Ｃ10に影響し、好ま
しくない。 このことをさらに数学的に詳細に説明する。 ここで、圧力Ｐ1，Ｐ2による差圧によって、ダイヤフラ
ム１が左方向に変位Δだけ変位したとすると、第(1)式
は次のように表わされる。 Ｃa＝εa・Ｓa／（ｄa−Δ） (7) 同様に、空隙９における誘電率をεb（＝εa）、空隙９
における電極面積をＳb（＝Ｓa）、空隙９の厚さをｄb
とすると、静電容量Ｃbは次式で表わされる。 Ｃb＝εb・Ｓb／（ｄb／Δ） (8) また、ガラス接合部５の誘導率をεｓb（＝εｓa）、ガ
ラス接合部５の面積をＳｓb（＝Ｓｓa）、ガラス接合部
５の厚さをｄｓb（＝ｄｓa）とすると、静電容量Ｃｓb
は次式で表わされる。 Ｃb＝εｓb・Ｓｓb／ｄｓb (9) ここで、固定電極２，３はダイヤフラム１に対して対象
的に配置されているので、次式が成立する。 従って、第(3)式および第(4)式は次のように表わされ
る。 ところで、よく知られているように、一対の静電容量Ｃ
10，Ｃ20が差動的に変化する場合、次の演算式によって
ダイヤフラム変位に比例する信号を得るようにしてい
る。 第(4)式において、Ｃｓ／Ｃ0≪１とすれば、 ｆ≡Δ／ｄ ∝（Ｐ2−Ｐ1） (15) となり、変位Δすなわち差圧（Ｐ2−Ｐ1）に比例した信
号ｆが得られる。 しかしながら、第６図の例の場合 従って、Ｃｓ／Ｃ0はＣｓ／Ｃ0≪１なる条件が成立せ
ず、そのために第(14)式において分母に（Δ/d)2の項が
入り、信号ｆの差圧ΔＰ（＝Ｐ2−Ｐ1）に対する比例関
係がＣｓの存在により著しく阻害される。つまり、差圧
ΔＰに対する信号ｆの直線性が著しく悪化させられる。 なお、Ｃｓ／Ｃ0≪１なる条件を得るために、空隙８，
９における電極面積Ｓを極めて大きくすればよいが、こ
のようにした場合には圧力検出器全体の構成が極めて大
きくなり、好ましくない。 そこで、本発明は、このような点に鑑みてなされ、圧力
検出器全体の構成を大きくすることなく、差圧演算信号
に良好な直線性が得られる静電容量式圧力検出器を提供
することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明は、冒頭で述
べた静電容量式圧力検出器において、各固定電極が、ダ
イヤフラムに対向する側に配置された第１の導電性板
と、この第１の導電性板に接合された絶縁板と、この絶
縁板に接合された第２の導電性板とから成り、前記第１
の導電性板と前記第２の導電性板とが電気的に接続され
た電極ユニットによって構成され、そして、各電極ユニ
ットには、前記絶縁板に接合されて前記第１の導電性板
を取囲む環状の支持体が設けられて、この支持体が前記
ダイヤフラムに接合され、しかも、前記第１の導電性板
と環状の支持体とは電気的に絶縁されており、そして、
前記各電極ユニットには、この各電極ユニットと前記ダ
イヤフラムとの間に圧力を導く導圧孔が設けられている
ことを特徴とする。
べた静電容量式圧力検出器において、各固定電極が、ダ
イヤフラムに対向する側に配置された第１の導電性板
と、この第１の導電性板に接合された絶縁板と、この絶
縁板に接合された第２の導電性板とから成り、前記第１
の導電性板と前記第２の導電性板とが電気的に接続され
た電極ユニットによって構成され、そして、各電極ユニ
ットには、前記絶縁板に接合されて前記第１の導電性板
を取囲む環状の支持体が設けられて、この支持体が前記
ダイヤフラムに接合され、しかも、前記第１の導電性板
と環状の支持体とは電気的に絶縁されており、そして、
前記各電極ユニットには、この各電極ユニットと前記ダ
イヤフラムとの間に圧力を導く導圧孔が設けられている
ことを特徴とする。
本発明の構成によれば、差圧演算信号に影響する有害な
静電容量は、実質的に、絶縁板のところに存在する容量
に抑えることができるようになる。そして、この容量は
絶縁板の厚さを適宜な値に設定することにより、測定に
関与する静電容量に比較して極めて小さくすることがで
きる。
静電容量は、実質的に、絶縁板のところに存在する容量
に抑えることができるようになる。そして、この容量は
絶縁板の厚さを適宜な値に設定することにより、測定に
関与する静電容量に比較して極めて小さくすることがで
きる。
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。この第
１図において、10はシリコンより成るダイヤフラムであ
り、このダイヤフラム10の両側には固定電極を形成する
一対の電極ユニット15,20が取付けられている。電極ユ
ニット15はダイヤフラム１に対向配置された第１の導電
性板12と、この第１の導電性板１２にガラス粉末焼付に
よって接合された絶縁板13と、この絶縁板13に同様にガ
ラス粉末焼付によって接合された第２の導電性板14とか
ら成る。第１の導電性板12と第２の導電性板14とはそれ
ぞれシリコンから成り、絶縁板13はコージライトから成
る。電極ユニット15には、さらに、圧力Ｐ1が導入され
る導圧孔25が形成されており、この導圧孔25の内壁面に
は導体膜27が設けられている。それゆえ、この導体膜27
を介して、第１の導電性板12と第２の導電性板14とは電
気的に接続されている。このように構成された電極ユニ
ット15には支持体21がガラス粉末焼付によって絶縁板13
に接合されている。この支持体21は、第１の導電性板12
を取囲んでいるが、円環状溝23を介してこの第１の導電
性板12とは電気的に絶縁されている。そして、支持体21
はこの実施例では第１の導電性板12と同じ材料のシリコ
ンから成り、所定の厚さを有するガラス接合部11を介し
てダイヤフラム10に気密に接合されている。29はダイヤ
フラム10と電極ユニット15の第１の導電性板12との間に
形成された空隙である。一方、電極ユニット20はダイヤ
フラム10に対向配置された第１の導電性板17と、この第
１の導電性板17にガラス粉末焼付によって接合された絶
縁板18と、この絶縁板18に同様にガラス粉末焼付によっ
て接合された第２の導電性板19とから成る。第１の導電
性板17と第２の導電性板19とはそれぞれシリコンから成
り、絶縁板18はコージライトから成る。電極ユニット20
には、さらに、圧力Ｐ2が導入される導圧孔26が形成さ
れており、この導圧孔26の内壁面には導体膜28が設けら
れている。それゆえ、この導体膜28を介して、第１の導
電性板17と第２の導電性板19とは電気的に接続されてい
る。このように構成された電極ユニット20には支持体22
がガラス粉末焼付によって絶縁板18に接合されている。
この支持体22は、第１の導電性板17を取囲んでいるが、
円環状溝24を介してこの第１の導電性板17とは電気的に
絶縁されている。そして、支持体22はこの実施例では第
１の導電性板17と同じ材料のシリコンから成り、所定の
厚さを有するガラス接合部16を介してダイヤフラム10に
気密に接合されている。30はダイヤフラム10と電極ユニ
ット20の第１の導電性板17との間に形成された空隙であ
る。 電極ユニット15と電極ユニット20とは同一に構成され
て、ダイヤフラム10に対して鏡像的に配置されいる。 しかして、電極ユニット15の第２の導電性板14には静電
容量取出導体31が設けられ、電極ユニット20の第２の導
電性板19には静電容量取出導体32が設けられ、そして、
支持体21，ダイヤフラム10，支持体22に跨がって静電容
量取出導体33が設けられている。さらに、静電容量取出
導体31にはリードピＡが電気的に接続され、静電容量取
出導体32にはリードピＢが電気的に接続され、静電容量
取出導体33にはリードピンＣが電気的に接続されてい
る。 ダイヤフラム10と電極ユニット15の第１の導電性板12と
によって第１のコンデンサが形成され、このコデンサの
静電容量ＣAがリードピンＡ，Ｃを介して取出される。
また、ダイヤフラム10と電極ユニット20の第１の導電性
板17とによって第２のコンデンサが形成され、このコン
デンサの静電容量ＣBがリードピンＢ，Ｃを介して取出
される。今、圧力Ｐ1，Ｐ2がダイヤフラム10に作用する
と、その差圧に応じてダイヤフラム10が変化し、その変
化に基づいて差圧を測定することができる。 次に、電極ユニット15,20の製作方法の一例を第２図を
参照して説明する。電極ユニット15,20は同一構成に製
作されるので、ここでは電極ユニット15の製作方法の一
例を紹介する。第２図において、先ず、(a)に示すよう
に、正方形に成形されたシリコン製導電性板35を用意す
る。次に、(b)に示すように、この導電性板35にガラス
粉末焼付によって正方形状絶縁板13が接合される。その
後、(c)に示すように、この絶縁板13に、同様に正方形
に成形されたシリコン製の第２の導電性板14がガラス粉
末焼付によって接合される。次に、導電性板35に対し
て、超音波加工が施されて、円環状溝23が形成される。
この円環状溝23は絶縁板13にまで達している。このよう
にして、導電性板35から、円形状に成形された第１の導
電性板12と、支持体21とが形成される。その後、(e)に
示すように、同様に、超音波加工によって導圧孔25が明
けられ、(f)に示すように、この導圧孔25の内壁面に導
体膜27が設けられる。第１の導電性板12と支持体21とを
同一の導電性板35から形成することによって、両者の面
を合わせることができ、支持体21をガラス接合部11を介
してダイヤフラム10に接合する際に、第１の導電性板12
とダイヤフラム10との間隔を確実に規定することができ
る。すなわち、支持体21と第１の導電性板12とを別々の
材料にて形成した場合、当然のことながら、支持体21と
第１の導電性板12とは別々の工程を経て絶縁板13に接合
されることになり、それゆえ支持体21の面と第１の導電
性板12の面とが同一平面に位置しているのか否か、面間
にどの程度の高低差があるのかを検知しなければならな
い。さもなければ、面間に高低差がある場合には、ダイ
ヤフラム10と第１の導電性板12との間隔を正確に知るこ
とができない。一方、第１導電性板12と支持体21とを同
じ導電板から作り出した場合、両者の面は同一平面に位
置するので、第１導電性板12とダイヤフラム10との間隔
は支持体21とダイヤフラム10との間のガラス接合部11の
厚さによって正確に知ることができる。 次に、このように構成された本発明による静電容量式圧
力検出器における静電容量について説明する。 第３図は第１図に示した本発明における静電容量式圧力
検出器の構成の一部を示す摸写図である。この第３図に
示すように、ダイヤフラム10−空隙30−電極ユニット20
の第１の導電性板17とによって１つのコンデンサが形成
される。このコンデンサの静電容量をＣBとする。さら
に、支持体22−絶縁体18−第２の導電性板19とによって
１つのコンデンサが形成される。このコンデンサの静電
容量をＣSBとする。また、ダイヤフラム10−空隙30−絶
縁体18−第２の導電性板19とによって２つのコンデンサ
が形成される。両コンデンサの静電容量をＣSB1，ＣSB2
とする。なお、ＣSB1は空隙24における誘電率に関係す
る容量で、ＣSB2は絶縁体18の誘電率に関係する容量で
ある。なおまた、ダイヤフラム10と支持体22とは静電容
量取出導体33によって電気的に接続されているので、ダ
イヤフラム10−ガラス接合部16−支持体22によってはコ
ンデンサは形成されない。 上述したように、電極ユニット15と電極ユニット20とは
同一構成に構成されて、鏡像的に配置されている。従っ
て、電極ユニット15に関しても上記と同じ静電容量が形
成されている。上述した静電容量に対応する電極ユニッ
ト15側の静電容量は、静電容量ＣB，ＣSB，ＣSB1，Ｃ
SB2の添字ＢをＡに変えて、ＣA，ＣSA，ＣSA1，ＣSA2に
て表すとする。その結果、第１図に示した圧力検出器に
おける静電容量は電気回路的には第４図(a)の如く接続
されていると見做すことができる。なお、Ａ，Ｂ，Ｃは
リードピンである。しかして、リードピンＡ，Ｃ間の総
合静電容量をＣ1、リードピンＢ，Ｃ間の総合静電容量
をＣ2とすると、Ｃ1，Ｃ2は次式にて表される。 ここで、たとえば第(18)式について考察するに、第３図
において第１の導電性板17の面積をＳB、空隙30におけ
る誘電率をεB、空隙30の厚さをｄBとすると、静電容量
ＣBは次式により表される。 ＣB＝εB・ＳB／ｄB (19) また、支持体22の面積をＳSB、絶縁体18の誘電率を
εSB、絶縁体18の厚さをｄSBとすると、静電容量ＣSBは
次式により表される。 ＣSB＝εSB・ＳSB／ｄSB (20) また、円環状溝24の面積をＳSB1、円環状溝24の厚さを
ｄSB1とすると、静電容量ＣSB1，ＣSB2は次式により表
される ＣSB1＝εB・ＳSB1／（ｄSB1＋ｄB）(21) ＣSB2＝εSB・ＳSB1／ＤSB (22) 次に本発明の第１図に示した実施例を第６図に示した従
来例とほぼ同じ大きさに構成した際の具体的数値を例示
する。第３図において、正方形状の第２の導電性板19の
一辺の長さをＬ0、円形状の第１の導電性板17の直径を
Ｄ1、円環状溝24の外周直径をＤ2とすると、それらの数
値は次のとおりである。 Ｌ0＝９mm、Ｄ1＝5.8mm、Ｄ2＝6.7mm また、第(19)式〜第(21)式における厚さは次のとおりで
ある。 ｄB＝12μｍ、ｄSB＝0.5mm、ｄSB1＝1.5mm そして、第６図の場合と同様に、第１図における空隙3
0、円環状溝24には具体的には非圧縮性流体たとえばシ
リコンオイルが充填されるすると、その誘電率εBおよ
び絶縁体18を構成するコージライトの誘電率εSBは次の
値となる。 εB ＝2.65×8.85×10-14 εSB ＝5.8×8.85×10-14 但し、5.8はコージライトの比誘導率である。しかし
て、これらの数値に基づいて、上記静電容量ＣB，
ＣSB，ＣSB1，ＣSB2を算出すると、次のとおりになる。 ＣB ＝ 51.64pF，ＣSB ＝0.137pF ＣSB1＝ 0.91pF，ＣSB2＝4.70 pF ＣSB1とＣSB2との直列容量は次のとおりである。 ＣSB1・ＣSB2／（ＣSB1＋ＣSB2）＝0.119 pF 従って、第(18)式は次のような値となる。 しかして、第(23)式から、理解できるように、測定に関
与する静電容量ＣBに比較して、測定に関与しない有害
な静電容量ＣSB、および、 ＣSB1・ＣSB2／（ＣSB1＋ＣSB2）は極めて小さく、それ
ゆえこれらの影響は可成り低減されている。このことは
電極ユニット15に対しても当てはまることである。 次に、本発明の構成によれば、測定に関与する静電容量
ＣA，ＣBに対して、測定に関与しない有害な静電容量Ｃ
SA，ＣSA1・ＣSA2／（ＣSA1＋ＣSA2）；ＣSB，ＣSB1・
ＣSB2／（ＣSB1＋ＣSB2）の影響が低減されることを、
第６図に関して設明したのと同様に、数学的に説明す
る。 なお、第(23)式にて明らかな如く、ＣSB1とＣSB2との直
列容量は静電容量ＣB、ＣSBに比較して僅少であるの
で、この直列容量は無視するものとする。その結果、第
４図(a)の回路は等価的に同図(b)のように表すことがで
き、かつ、第(17)式および第(18)式は次のように書直せ
る。 Ｃ1＝ＣA＋ＣSA (24) Ｃ2＝ＣB＋ＣSB (25) しかして、今、圧力Ｐ1，Ｐ2の差圧によって、ダイヤフ
ラム10が左方向に変位Δだけ変位したとすると、静電容
量ＣA，ＣBは第(7)式および第(8)式と同様にして次のよ
うに表される。 ＣA＝εA・ＳA／（ｄA−Δ） (26) ＣB＝εB・ＳB／（ｄB＋Δ） (27) ここで、εA，εBは空隙29,30における誘電率であるか
らεA＝εB＝εとし、またｄA，ｄBは空隙29,30の非変
位状態の厚さであるからｄA＝ｄB＝ｄとして、さらにＳ
A，ＳBは第１の導電性板12,17の面積であるからＳA＝Ｓ
B＝Ｓとして、第(26)式および第(27)式を書直す。 ＣA＝ε・Ｓ／（ｄ0−Δ） (28) ＣB＝ε・Ｓ／（ｄ0＋Δ） (29) 同様にして、静電容量ＣSA，ＣSBについても同じ取扱を
する。すなわち、ｄSA＝ｄSB＝ｄS0，εSA＝εSB＝
εS0，ＳSA＝ＳSB＝ＳS0として、ＣSA＝ＣSB＝ＣS0とす
る。 それゆえ、第(24)式および第(25)式は次のように書直せ
る。 Ｃ1＝ＣA＋ＣS0 ＝ε・Ｓ／（ｄ−Δ）＋ＣS0 (30) Ｃ2＝ＣB＋ＣS0 ＝ε・Ｓ／（ｄ＋Δ）＋ＣS0 (31) しかして、このような第(30)式および第(31)式に基づい
て、第(14)式と同様に次の演算を行なう。 ただし、Ｃ0＝ε・Ｓ／ｄ (33) ここで、第(32)式において、ＣS0／Ｃ0について検討す
るに、これは次のように表される。 この第(34)式に上述した具体的数値を代入する。 ε ＝ 2.65×8.85×10-14 εS0 ＝ 5.8×8.85×10-14 Ｓ ＝ π×（Ｄ1／２）2 ＝ 3.14159×0.292＝0.264208cm2 ＳS0 ＝ Ｌ0 2−π×（Ｄ2／２）2 ＝ 0.81-3.14159×0.3352 ＝ 0.45744 cm2 ｄ ＝ 12μｍ ｄS0 ＝ 0.5 mm ＣS0／Ｃ0≒ 0.091 (35) 従って、本発明による静電容量式圧力検出器において
は、第(35)式から明らかな如く、ＣS0／Ｃ0はＣS0／Ｃ0
≪１なる条件が満たされるので、第(32)式の分母におけ
るΔ／ｄの影響が殆ど無くなり、それゆえ演算出力信号
Ｆの直線性が著しく改善される。 このことは、本発明において、圧力検出器の全体の大き
さを従来例と同じにしても、第１の導電性板と第２の導
電性板との間に絶縁板を設け、この絶縁板の厚さｄS0を
ダイヤフラムと第１の導電性板との間の空隙の厚さｄに
比較して、大きく設定できるようにしたことに起因して
いる。 なお、以上の説明では、支持体を第１の導電性板と同じ
材料にて製作した場合には有利であることを述べたが、
本発明はこのようなことに限定されず、支持体を第１の
導電性板とは異なる材料にて製作しても良い。また、支
持体をたとえば絶縁板と同じ絶縁材料により製作しても
良く、この場合には、上記ｄS0の大きさがその支持体の
分だけ余計に大きくなるので、ｄS0をｄに比較してさら
に大きくできるという利点がある。 第５図は本発明の他の実施例を示す断面図である。この
第５図において、40は第１図に示した圧力検出器と同一
構成に構成された静電容量式検出器である。この検出器
40は有底円筒体41の内室42に収納されており、絶縁体43
を介して金属パイプ44に結合されている。そして、この
金属パイプ44は取付板45に溶接結合されており、この取
付板45がさらに有底円筒体41の開口部に溶接結合されて
いる。さらに、有底円筒体41の開口部にはキャップ46が
溶接結合されている。このキャップ46は貫通孔47を有
し、シールダイヤフラム48が取付けられて、その間に受
圧室51を形成している。一方、有底円筒体41の底部も貫
通孔50を有し、シールダイヤフラム49が取付けられて、
その間に受圧室52を形成している。そして、有底円筒体
41の側壁には、リードピンＡ，Ｂ，Ｃを有するハーメチ
ックシール端子53が設けられている。シールダイヤフラ
ム48,49の間に形成されている空間、つまり、内室42、
貫通孔47,50、受圧室51,52内には、非圧縮性流体たとえ
ばシリコンオイルが充填されている。このシリコンオイ
ルに介して、シールダイヤフラム48,49に作用する圧力
が検出器40のダイヤフラムに伝達される。
１図において、10はシリコンより成るダイヤフラムであ
り、このダイヤフラム10の両側には固定電極を形成する
一対の電極ユニット15,20が取付けられている。電極ユ
ニット15はダイヤフラム１に対向配置された第１の導電
性板12と、この第１の導電性板１２にガラス粉末焼付に
よって接合された絶縁板13と、この絶縁板13に同様にガ
ラス粉末焼付によって接合された第２の導電性板14とか
ら成る。第１の導電性板12と第２の導電性板14とはそれ
ぞれシリコンから成り、絶縁板13はコージライトから成
る。電極ユニット15には、さらに、圧力Ｐ1が導入され
る導圧孔25が形成されており、この導圧孔25の内壁面に
は導体膜27が設けられている。それゆえ、この導体膜27
を介して、第１の導電性板12と第２の導電性板14とは電
気的に接続されている。このように構成された電極ユニ
ット15には支持体21がガラス粉末焼付によって絶縁板13
に接合されている。この支持体21は、第１の導電性板12
を取囲んでいるが、円環状溝23を介してこの第１の導電
性板12とは電気的に絶縁されている。そして、支持体21
はこの実施例では第１の導電性板12と同じ材料のシリコ
ンから成り、所定の厚さを有するガラス接合部11を介し
てダイヤフラム10に気密に接合されている。29はダイヤ
フラム10と電極ユニット15の第１の導電性板12との間に
形成された空隙である。一方、電極ユニット20はダイヤ
フラム10に対向配置された第１の導電性板17と、この第
１の導電性板17にガラス粉末焼付によって接合された絶
縁板18と、この絶縁板18に同様にガラス粉末焼付によっ
て接合された第２の導電性板19とから成る。第１の導電
性板17と第２の導電性板19とはそれぞれシリコンから成
り、絶縁板18はコージライトから成る。電極ユニット20
には、さらに、圧力Ｐ2が導入される導圧孔26が形成さ
れており、この導圧孔26の内壁面には導体膜28が設けら
れている。それゆえ、この導体膜28を介して、第１の導
電性板17と第２の導電性板19とは電気的に接続されてい
る。このように構成された電極ユニット20には支持体22
がガラス粉末焼付によって絶縁板18に接合されている。
この支持体22は、第１の導電性板17を取囲んでいるが、
円環状溝24を介してこの第１の導電性板17とは電気的に
絶縁されている。そして、支持体22はこの実施例では第
１の導電性板17と同じ材料のシリコンから成り、所定の
厚さを有するガラス接合部16を介してダイヤフラム10に
気密に接合されている。30はダイヤフラム10と電極ユニ
ット20の第１の導電性板17との間に形成された空隙であ
る。 電極ユニット15と電極ユニット20とは同一に構成され
て、ダイヤフラム10に対して鏡像的に配置されいる。 しかして、電極ユニット15の第２の導電性板14には静電
容量取出導体31が設けられ、電極ユニット20の第２の導
電性板19には静電容量取出導体32が設けられ、そして、
支持体21，ダイヤフラム10，支持体22に跨がって静電容
量取出導体33が設けられている。さらに、静電容量取出
導体31にはリードピＡが電気的に接続され、静電容量取
出導体32にはリードピＢが電気的に接続され、静電容量
取出導体33にはリードピンＣが電気的に接続されてい
る。 ダイヤフラム10と電極ユニット15の第１の導電性板12と
によって第１のコンデンサが形成され、このコデンサの
静電容量ＣAがリードピンＡ，Ｃを介して取出される。
また、ダイヤフラム10と電極ユニット20の第１の導電性
板17とによって第２のコンデンサが形成され、このコン
デンサの静電容量ＣBがリードピンＢ，Ｃを介して取出
される。今、圧力Ｐ1，Ｐ2がダイヤフラム10に作用する
と、その差圧に応じてダイヤフラム10が変化し、その変
化に基づいて差圧を測定することができる。 次に、電極ユニット15,20の製作方法の一例を第２図を
参照して説明する。電極ユニット15,20は同一構成に製
作されるので、ここでは電極ユニット15の製作方法の一
例を紹介する。第２図において、先ず、(a)に示すよう
に、正方形に成形されたシリコン製導電性板35を用意す
る。次に、(b)に示すように、この導電性板35にガラス
粉末焼付によって正方形状絶縁板13が接合される。その
後、(c)に示すように、この絶縁板13に、同様に正方形
に成形されたシリコン製の第２の導電性板14がガラス粉
末焼付によって接合される。次に、導電性板35に対し
て、超音波加工が施されて、円環状溝23が形成される。
この円環状溝23は絶縁板13にまで達している。このよう
にして、導電性板35から、円形状に成形された第１の導
電性板12と、支持体21とが形成される。その後、(e)に
示すように、同様に、超音波加工によって導圧孔25が明
けられ、(f)に示すように、この導圧孔25の内壁面に導
体膜27が設けられる。第１の導電性板12と支持体21とを
同一の導電性板35から形成することによって、両者の面
を合わせることができ、支持体21をガラス接合部11を介
してダイヤフラム10に接合する際に、第１の導電性板12
とダイヤフラム10との間隔を確実に規定することができ
る。すなわち、支持体21と第１の導電性板12とを別々の
材料にて形成した場合、当然のことながら、支持体21と
第１の導電性板12とは別々の工程を経て絶縁板13に接合
されることになり、それゆえ支持体21の面と第１の導電
性板12の面とが同一平面に位置しているのか否か、面間
にどの程度の高低差があるのかを検知しなければならな
い。さもなければ、面間に高低差がある場合には、ダイ
ヤフラム10と第１の導電性板12との間隔を正確に知るこ
とができない。一方、第１導電性板12と支持体21とを同
じ導電板から作り出した場合、両者の面は同一平面に位
置するので、第１導電性板12とダイヤフラム10との間隔
は支持体21とダイヤフラム10との間のガラス接合部11の
厚さによって正確に知ることができる。 次に、このように構成された本発明による静電容量式圧
力検出器における静電容量について説明する。 第３図は第１図に示した本発明における静電容量式圧力
検出器の構成の一部を示す摸写図である。この第３図に
示すように、ダイヤフラム10−空隙30−電極ユニット20
の第１の導電性板17とによって１つのコンデンサが形成
される。このコンデンサの静電容量をＣBとする。さら
に、支持体22−絶縁体18−第２の導電性板19とによって
１つのコンデンサが形成される。このコンデンサの静電
容量をＣSBとする。また、ダイヤフラム10−空隙30−絶
縁体18−第２の導電性板19とによって２つのコンデンサ
が形成される。両コンデンサの静電容量をＣSB1，ＣSB2
とする。なお、ＣSB1は空隙24における誘電率に関係す
る容量で、ＣSB2は絶縁体18の誘電率に関係する容量で
ある。なおまた、ダイヤフラム10と支持体22とは静電容
量取出導体33によって電気的に接続されているので、ダ
イヤフラム10−ガラス接合部16−支持体22によってはコ
ンデンサは形成されない。 上述したように、電極ユニット15と電極ユニット20とは
同一構成に構成されて、鏡像的に配置されている。従っ
て、電極ユニット15に関しても上記と同じ静電容量が形
成されている。上述した静電容量に対応する電極ユニッ
ト15側の静電容量は、静電容量ＣB，ＣSB，ＣSB1，Ｃ
SB2の添字ＢをＡに変えて、ＣA，ＣSA，ＣSA1，ＣSA2に
て表すとする。その結果、第１図に示した圧力検出器に
おける静電容量は電気回路的には第４図(a)の如く接続
されていると見做すことができる。なお、Ａ，Ｂ，Ｃは
リードピンである。しかして、リードピンＡ，Ｃ間の総
合静電容量をＣ1、リードピンＢ，Ｃ間の総合静電容量
をＣ2とすると、Ｃ1，Ｃ2は次式にて表される。 ここで、たとえば第(18)式について考察するに、第３図
において第１の導電性板17の面積をＳB、空隙30におけ
る誘電率をεB、空隙30の厚さをｄBとすると、静電容量
ＣBは次式により表される。 ＣB＝εB・ＳB／ｄB (19) また、支持体22の面積をＳSB、絶縁体18の誘電率を
εSB、絶縁体18の厚さをｄSBとすると、静電容量ＣSBは
次式により表される。 ＣSB＝εSB・ＳSB／ｄSB (20) また、円環状溝24の面積をＳSB1、円環状溝24の厚さを
ｄSB1とすると、静電容量ＣSB1，ＣSB2は次式により表
される ＣSB1＝εB・ＳSB1／（ｄSB1＋ｄB）(21) ＣSB2＝εSB・ＳSB1／ＤSB (22) 次に本発明の第１図に示した実施例を第６図に示した従
来例とほぼ同じ大きさに構成した際の具体的数値を例示
する。第３図において、正方形状の第２の導電性板19の
一辺の長さをＬ0、円形状の第１の導電性板17の直径を
Ｄ1、円環状溝24の外周直径をＤ2とすると、それらの数
値は次のとおりである。 Ｌ0＝９mm、Ｄ1＝5.8mm、Ｄ2＝6.7mm また、第(19)式〜第(21)式における厚さは次のとおりで
ある。 ｄB＝12μｍ、ｄSB＝0.5mm、ｄSB1＝1.5mm そして、第６図の場合と同様に、第１図における空隙3
0、円環状溝24には具体的には非圧縮性流体たとえばシ
リコンオイルが充填されるすると、その誘電率εBおよ
び絶縁体18を構成するコージライトの誘電率εSBは次の
値となる。 εB ＝2.65×8.85×10-14 εSB ＝5.8×8.85×10-14 但し、5.8はコージライトの比誘導率である。しかし
て、これらの数値に基づいて、上記静電容量ＣB，
ＣSB，ＣSB1，ＣSB2を算出すると、次のとおりになる。 ＣB ＝ 51.64pF，ＣSB ＝0.137pF ＣSB1＝ 0.91pF，ＣSB2＝4.70 pF ＣSB1とＣSB2との直列容量は次のとおりである。 ＣSB1・ＣSB2／（ＣSB1＋ＣSB2）＝0.119 pF 従って、第(18)式は次のような値となる。 しかして、第(23)式から、理解できるように、測定に関
与する静電容量ＣBに比較して、測定に関与しない有害
な静電容量ＣSB、および、 ＣSB1・ＣSB2／（ＣSB1＋ＣSB2）は極めて小さく、それ
ゆえこれらの影響は可成り低減されている。このことは
電極ユニット15に対しても当てはまることである。 次に、本発明の構成によれば、測定に関与する静電容量
ＣA，ＣBに対して、測定に関与しない有害な静電容量Ｃ
SA，ＣSA1・ＣSA2／（ＣSA1＋ＣSA2）；ＣSB，ＣSB1・
ＣSB2／（ＣSB1＋ＣSB2）の影響が低減されることを、
第６図に関して設明したのと同様に、数学的に説明す
る。 なお、第(23)式にて明らかな如く、ＣSB1とＣSB2との直
列容量は静電容量ＣB、ＣSBに比較して僅少であるの
で、この直列容量は無視するものとする。その結果、第
４図(a)の回路は等価的に同図(b)のように表すことがで
き、かつ、第(17)式および第(18)式は次のように書直せ
る。 Ｃ1＝ＣA＋ＣSA (24) Ｃ2＝ＣB＋ＣSB (25) しかして、今、圧力Ｐ1，Ｐ2の差圧によって、ダイヤフ
ラム10が左方向に変位Δだけ変位したとすると、静電容
量ＣA，ＣBは第(7)式および第(8)式と同様にして次のよ
うに表される。 ＣA＝εA・ＳA／（ｄA−Δ） (26) ＣB＝εB・ＳB／（ｄB＋Δ） (27) ここで、εA，εBは空隙29,30における誘電率であるか
らεA＝εB＝εとし、またｄA，ｄBは空隙29,30の非変
位状態の厚さであるからｄA＝ｄB＝ｄとして、さらにＳ
A，ＳBは第１の導電性板12,17の面積であるからＳA＝Ｓ
B＝Ｓとして、第(26)式および第(27)式を書直す。 ＣA＝ε・Ｓ／（ｄ0−Δ） (28) ＣB＝ε・Ｓ／（ｄ0＋Δ） (29) 同様にして、静電容量ＣSA，ＣSBについても同じ取扱を
する。すなわち、ｄSA＝ｄSB＝ｄS0，εSA＝εSB＝
εS0，ＳSA＝ＳSB＝ＳS0として、ＣSA＝ＣSB＝ＣS0とす
る。 それゆえ、第(24)式および第(25)式は次のように書直せ
る。 Ｃ1＝ＣA＋ＣS0 ＝ε・Ｓ／（ｄ−Δ）＋ＣS0 (30) Ｃ2＝ＣB＋ＣS0 ＝ε・Ｓ／（ｄ＋Δ）＋ＣS0 (31) しかして、このような第(30)式および第(31)式に基づい
て、第(14)式と同様に次の演算を行なう。 ただし、Ｃ0＝ε・Ｓ／ｄ (33) ここで、第(32)式において、ＣS0／Ｃ0について検討す
るに、これは次のように表される。 この第(34)式に上述した具体的数値を代入する。 ε ＝ 2.65×8.85×10-14 εS0 ＝ 5.8×8.85×10-14 Ｓ ＝ π×（Ｄ1／２）2 ＝ 3.14159×0.292＝0.264208cm2 ＳS0 ＝ Ｌ0 2−π×（Ｄ2／２）2 ＝ 0.81-3.14159×0.3352 ＝ 0.45744 cm2 ｄ ＝ 12μｍ ｄS0 ＝ 0.5 mm ＣS0／Ｃ0≒ 0.091 (35) 従って、本発明による静電容量式圧力検出器において
は、第(35)式から明らかな如く、ＣS0／Ｃ0はＣS0／Ｃ0
≪１なる条件が満たされるので、第(32)式の分母におけ
るΔ／ｄの影響が殆ど無くなり、それゆえ演算出力信号
Ｆの直線性が著しく改善される。 このことは、本発明において、圧力検出器の全体の大き
さを従来例と同じにしても、第１の導電性板と第２の導
電性板との間に絶縁板を設け、この絶縁板の厚さｄS0を
ダイヤフラムと第１の導電性板との間の空隙の厚さｄに
比較して、大きく設定できるようにしたことに起因して
いる。 なお、以上の説明では、支持体を第１の導電性板と同じ
材料にて製作した場合には有利であることを述べたが、
本発明はこのようなことに限定されず、支持体を第１の
導電性板とは異なる材料にて製作しても良い。また、支
持体をたとえば絶縁板と同じ絶縁材料により製作しても
良く、この場合には、上記ｄS0の大きさがその支持体の
分だけ余計に大きくなるので、ｄS0をｄに比較してさら
に大きくできるという利点がある。 第５図は本発明の他の実施例を示す断面図である。この
第５図において、40は第１図に示した圧力検出器と同一
構成に構成された静電容量式検出器である。この検出器
40は有底円筒体41の内室42に収納されており、絶縁体43
を介して金属パイプ44に結合されている。そして、この
金属パイプ44は取付板45に溶接結合されており、この取
付板45がさらに有底円筒体41の開口部に溶接結合されて
いる。さらに、有底円筒体41の開口部にはキャップ46が
溶接結合されている。このキャップ46は貫通孔47を有
し、シールダイヤフラム48が取付けられて、その間に受
圧室51を形成している。一方、有底円筒体41の底部も貫
通孔50を有し、シールダイヤフラム49が取付けられて、
その間に受圧室52を形成している。そして、有底円筒体
41の側壁には、リードピンＡ，Ｂ，Ｃを有するハーメチ
ックシール端子53が設けられている。シールダイヤフラ
ム48,49の間に形成されている空間、つまり、内室42、
貫通孔47,50、受圧室51,52内には、非圧縮性流体たとえ
ばシリコンオイルが充填されている。このシリコンオイ
ルに介して、シールダイヤフラム48,49に作用する圧力
が検出器40のダイヤフラムに伝達される。
以上に説明したように、本発明によれば、静電容量式検
出器の全体構成を大きくすることなく、静電容量の差圧
演算信号の直線性を向上させることができる。
出器の全体構成を大きくすることなく、静電容量の差圧
演算信号の直線性を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、 第２図は第１図に示した実施例における電極ユニットの
製作工程の一例を示した工程図、 第３図は第１図に示した実施例の構成の一部を示す摸写
図、 第４図は第１図に示した実施例における静電容量の接続
関係を示す回路図、 第５図は本発明の他の実施例を示す断面図、 第６図は従来の静電容量式圧力検出器を示す断面図、 第７図は第６図に示した検出器における静電容量の接続
関係を示す回路図、である。 10……ダイヤフラム、 11,16……ガラス接合部、 12,14,17,19……導電性板、 13,18……絶縁板、 21,22……支持体、 25,26……導圧孔、 27,28……導体膜。
製作工程の一例を示した工程図、 第３図は第１図に示した実施例の構成の一部を示す摸写
図、 第４図は第１図に示した実施例における静電容量の接続
関係を示す回路図、 第５図は本発明の他の実施例を示す断面図、 第６図は従来の静電容量式圧力検出器を示す断面図、 第７図は第６図に示した検出器における静電容量の接続
関係を示す回路図、である。 10……ダイヤフラム、 11,16……ガラス接合部、 12,14,17,19……導電性板、 13,18……絶縁板、 21,22……支持体、 25,26……導圧孔、 27,28……導体膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 幹彦 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−222737（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−98630（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】圧力に応じて変形するダイヤフラムを備
え、このダイヤフラムの両側に一対の固定電極が前記ダ
イヤフラムと所定の間隔を隔てて配設されて、前記ダイ
ヤフラムとの間に一対の静電容量が形成された静電容量
式圧力検出器において、 前記各固定電極は、 前記ダイヤフラムに対向する側に配置された第１の導電
性板と、この第１の導電性板に接合された絶縁板と、こ
の絶縁板に接合された第２の導電性板とから成り、前記
第１の導電性板と前記第２の導電性板とが電気的に接続
された電極ユニットによって構成され、 前記各電極ユニットには、前記絶縁板に接合されて前記
第１の導電性板を取囲む環状の支持体が設けられて、こ
の支持体が前記ダイヤフラムに接合され、そして、前記
第１の導電性板と環状の支持体とは電気的に絶縁されて
おり、 かつ前記各電極ユニットには、この各電極ユニットと前
記ダイヤフラムとの間に圧力を導く導圧孔が設けられて
いる、 ことを特徴とする静電容量式圧力検出器。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の圧力検出器
において、前記各電極ユニットの支持体は前記ダイヤフ
ラムにガラス粉末焼付またはＡｌ−Ｓｉ共晶を用いて接
合されることを特徴とする静電容量式圧力検出器。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項に記載の圧力検出器
において、前記支持体は前記第１の導電性板と同じ導電
性材料から成り、前記ダイヤフラムに電気的に接続され
ることを特徴とする静電容量式圧力検出器。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
れかの項に記載の圧力検出器において、前記第１の導電
性板と前記第２の導電性板とはそれぞれシリコンから成
り、前記絶縁板はコージライトから成ることを特徴とす
る静電容量式圧力検出器。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項に記載の圧力検出器
において、前記第１の導電性板，第２の導電性板および
支持体はそれぞれ前記絶縁板にガラス粉末焼付によって
接合されることを特徴とする静電容量式圧力検出器。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項ないし第５項のいず
れかの項に記載の圧力検出器において、前記各電極ユニ
ットにおける第１の導電性板と第２の導電性板とは、前
記導圧孔の内壁に設けられた導体膜によって電気的に接
続されることを特徴とする静電容量式圧力検出器。
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