JPH06126485A - リードピン用ろう材 - Google Patents
リードピン用ろう材Info
- Publication number
- JPH06126485A JPH06126485A JP30604692A JP30604692A JPH06126485A JP H06126485 A JPH06126485 A JP H06126485A JP 30604692 A JP30604692 A JP 30604692A JP 30604692 A JP30604692 A JP 30604692A JP H06126485 A JPH06126485 A JP H06126485A
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- JP
- Japan
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- brazing
- lead pins
- lead pin
- brazing material
- filler metal
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ろう付け時Ａｕリッチ晶が殆んど表れず、Ａ
ｕ−Ｓｎ共晶となり、僅かにＳｎリッチ晶が表れても微
細である為、リードピンが不揃いとなることがなく、均
一な高さとなるリードピン用ろう材を提供する。 【構成】 Ａｕ78〜79.5％、残部Ｓｎよりなるリードピ
ン用ろう材。
ｕ−Ｓｎ共晶となり、僅かにＳｎリッチ晶が表れても微
細である為、リードピンが不揃いとなることがなく、均
一な高さとなるリードピン用ろう材を提供する。 【構成】 Ａｕ78〜79.5％、残部Ｓｎよりなるリードピ
ン用ろう材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品組立用、特に
リードピン用のろう材に係る。
リードピン用のろう材に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣチップの担持、リードピンの
接続固定、シーリングの封着等には、Ａｕ79.5〜80％、
残部Ｓｎよりなるろう材（低融点 280℃）が多用されて
いた。
接続固定、シーリングの封着等には、Ａｕ79.5〜80％、
残部Ｓｎよりなるろう材（低融点 280℃）が多用されて
いた。
【０００３】ところで、このろう材は、例えば図５に示
すようにセラミックス基板７の回路端子８へのリードピ
ン１のろう付けに用いた場合、ろう材２中にＡｕリッチ
晶３が表れ、ろう付け後リードピン１の高さに不揃いが
生じた。
すようにセラミックス基板７の回路端子８へのリードピ
ン１のろう付けに用いた場合、ろう材２中にＡｕリッチ
晶３が表れ、ろう付け後リードピン１の高さに不揃いが
生じた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、ろう
付け時Ａｕリッチ晶が表れないようにしたリードピン用
ろう材を提供しようとするものである。
付け時Ａｕリッチ晶が表れないようにしたリードピン用
ろう材を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のリードピン用ろう材は、Ａｕ78〜79.5％、残
部Ｓｎよりなるものである。本発明のリードピン用ろう
材に於いて、Ａｕ78〜79.5％とした理由は、78％未満で
はＳｎリッチ晶の影響が出て好ましくなく、79.5％を超
えるとＡｕリッチ晶が多くなって好ましくないからであ
る。
の本発明のリードピン用ろう材は、Ａｕ78〜79.5％、残
部Ｓｎよりなるものである。本発明のリードピン用ろう
材に於いて、Ａｕ78〜79.5％とした理由は、78％未満で
はＳｎリッチ晶の影響が出て好ましくなく、79.5％を超
えるとＡｕリッチ晶が多くなって好ましくないからであ
る。
【０００６】
【作用】上記成分組成の本発明のリードピン用ろう材
は、殆んどＡｕ、Ｓｎの共晶組織で、僅かにＳｎリッチ
晶が現出するが、このＳｎリッチ晶は微細である為、リ
ードピンのろう付け時高さが不揃いとなることがない。
は、殆んどＡｕ、Ｓｎの共晶組織で、僅かにＳｎリッチ
晶が現出するが、このＳｎリッチ晶は微細である為、リ
ードピンのろう付け時高さが不揃いとなることがない。
【０００７】また、基板又はリードピン等にはろう流れ
を良くしたり、信頼性向上の為、Ａｕメッキ（ 0.1〜３
μｍ）を施す場合が多い。この場合、リードピン用ろう
材にＳｎリッチ晶を有していても、ろう付け時Ａｕメッ
キ分のＡｕが喰われ、ＡｕＳｎ共晶組織となるので、何
ら支障はない。
を良くしたり、信頼性向上の為、Ａｕメッキ（ 0.1〜３
μｍ）を施す場合が多い。この場合、リードピン用ろう
材にＳｎリッチ晶を有していても、ろう付け時Ａｕメッ
キ分のＡｕが喰われ、ＡｕＳｎ共晶組織となるので、何
ら支障はない。
【０００８】尚、電子部品にＡｕメッキが施されていな
い場合は、ろう材中のＡｕは78.5〜79.5％が好ましく、
Ａｕメッキが施されている場合は、ろう材中のＡｕは7
8.0〜79.0％が好ましい。
い場合は、ろう材中のＡｕは78.5〜79.5％が好ましく、
Ａｕメッキが施されている場合は、ろう材中のＡｕは7
8.0〜79.0％が好ましい。
【０００９】
【実施例】本発明のリードピン用ろう材の実施例を図に
よって説明すると、図１に示すように頭部径 0.7mm、頭
部厚0.15mmの長さ 6.0mm、外径0.35mmの銅合金よりなる
リードピン１の頭部４の上面に、Ａｕ79.0％、Ｓｎ21％
よりなるろう材５が高さ0.3mmに円弧上に取付けられて
いる。
よって説明すると、図１に示すように頭部径 0.7mm、頭
部厚0.15mmの長さ 6.0mm、外径0.35mmの銅合金よりなる
リードピン１の頭部４の上面に、Ａｕ79.0％、Ｓｎ21％
よりなるろう材５が高さ0.3mmに円弧上に取付けられて
いる。
【００１０】また、上記実施例と同一寸法、同一材質の
リードピン１の外表面に図２に示すようにＡｕメッキ６
が１μｍ施されたものにあっては、そのリードピン１の
頭部４の上面に、Ａｕ78.5％、Ｓｎ21.5％よりなるろう
材５′が高さ 0.3mmに円弧状に取付けられている。
リードピン１の外表面に図２に示すようにＡｕメッキ６
が１μｍ施されたものにあっては、そのリードピン１の
頭部４の上面に、Ａｕ78.5％、Ｓｎ21.5％よりなるろう
材５′が高さ 0.3mmに円弧状に取付けられている。
【００１１】一方、従来例のリードピン用ろう材は、実
施例と同一寸法、同一材質のリードピン１の頭部４の上
面に、図３に示すようにＡｕ80％、Ｓｎ20％よりなるろ
う材２が高さ0.28mmに円弧状に取付けられている。
施例と同一寸法、同一材質のリードピン１の頭部４の上
面に、図３に示すようにＡｕ80％、Ｓｎ20％よりなるろ
う材２が高さ0.28mmに円弧状に取付けられている。
【００１２】このように実施例１、２及び従来例のろう
材を頭部４の上面に備えたリードピン１を、夫々 100
本、図４に示すようにセラミックス基板７上のＡｕ／Ｎ
ｉ／Ｍｏの回路端子８にろう付けした後、リードピン１
の高さを検査した処、公差リードピン１の高さ± 0.1mm
の範囲内を良品とし、それ以外を不良品として判断した
結果、実施例１、２に於いては全て良品であったが、従
来例に於いては 100本中５本が不良品であった。
材を頭部４の上面に備えたリードピン１を、夫々 100
本、図４に示すようにセラミックス基板７上のＡｕ／Ｎ
ｉ／Ｍｏの回路端子８にろう付けした後、リードピン１
の高さを検査した処、公差リードピン１の高さ± 0.1mm
の範囲内を良品とし、それ以外を不良品として判断した
結果、実施例１、２に於いては全て良品であったが、従
来例に於いては 100本中５本が不良品であった。
【００１３】
【発明の効果】以上の通り本発明のリードピン用ろう材
は、リードピンのろう付け時Ａｕリッチ晶が殆んど表れ
ず、Ａｕ−Ｓｎ共晶となり、僅かにＳｎリッチ晶が表れ
てもこのＳｎリッチ晶は微細である為、リードピンは高
さが不揃いとなることがなく、均一な高さとなる。
は、リードピンのろう付け時Ａｕリッチ晶が殆んど表れ
ず、Ａｕ−Ｓｎ共晶となり、僅かにＳｎリッチ晶が表れ
てもこのＳｎリッチ晶は微細である為、リードピンは高
さが不揃いとなることがなく、均一な高さとなる。
【図１】本発明のろう材の一実施例を備えたリードピン
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明のろう材の他の実施例を備えたリードピ
ンを示す図である。
ンを示す図である。
【図３】従来のろう材を備えたリードピンを示す図であ
る。
る。
【図４】実施例及び従来例のろう材でリードピンをセラ
ミックス基板の回路端子にろう付けした状態を示す図で
ある。
ミックス基板の回路端子にろう付けした状態を示す図で
ある。
【図５】従来のろう材でリードピンをセラミックス基板
の回路端子へろう付けした場合を示す図である。
の回路端子へろう付けした場合を示す図である。
１ リードピン ４ 頭部 ５、５′ ろう材 ６ Ａｕメッキ ７ セラミックス基板 ８ 回路端子
Claims (1)
- 【請求項１】 Ａｕ78〜79.5％、残部Ｓｎよりなるリー
ドピン用ろう材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04306046A JP3086086B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 回路端子へのリードピンの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04306046A JP3086086B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 回路端子へのリードピンの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06126485A true JPH06126485A (ja) | 1994-05-10 |
| JP3086086B2 JP3086086B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=17952409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04306046A Expired - Fee Related JP3086086B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 回路端子へのリードピンの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3086086B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005262317A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Ａｕ−Ｓｎ系ろう材による接合方法 |
| EP1591191A1 (en) * | 2004-02-20 | 2005-11-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Joining method by Au-Sn brazing material, its thickness being i.a. dependent on the Sn-content |
| JP2006007288A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Mitsubishi Materials Corp | はんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 |
| US7442582B2 (en) | 1997-07-14 | 2008-10-28 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a chip-substrate connection |
| JP2013179238A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | パッケージ、及び電力増幅器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176999A (ja) | 2000-11-27 | 2001-06-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 電子部品の気密封止方法 |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP04306046A patent/JP3086086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7442582B2 (en) | 1997-07-14 | 2008-10-28 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a chip-substrate connection |
| JP2005262317A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Ａｕ−Ｓｎ系ろう材による接合方法 |
| EP1591191A1 (en) * | 2004-02-20 | 2005-11-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Joining method by Au-Sn brazing material, its thickness being i.a. dependent on the Sn-content |
| US7114644B2 (en) | 2004-02-20 | 2006-10-03 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Joining method by Au-Sn brazing material |
| JP2006007288A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Mitsubishi Materials Corp | はんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 |
| JP2013179238A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | パッケージ、及び電力増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3086086B2 (ja) | 2000-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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