JPH0612836B2 - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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- JPH0612836B2 JPH0612836B2 JP59171438A JP17143884A JPH0612836B2 JP H0612836 B2 JPH0612836 B2 JP H0612836B2 JP 59171438 A JP59171438 A JP 59171438A JP 17143884 A JP17143884 A JP 17143884A JP H0612836 B2 JPH0612836 B2 JP H0612836B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は非晶質シリコン（以下a-Si:Hと略称する）光電
変換素子の製造方法に関し、特にその高効率化および高
速製造に関する。
変換素子の製造方法に関し、特にその高効率化および高
速製造に関する。
光電変換素子とくに非晶質シリコン太陽電池の高効率化
が検討されて成果をあげつつあるが、高速成膜条件にお
いては未だ効率の向上は緒についたばかりである。すな
わち、光活性層の形成速度を20Å／Ｓとするような高速
製造条件においては、高効率は達成されていない。
が検討されて成果をあげつつあるが、高速成膜条件にお
いては未だ効率の向上は緒についたばかりである。すな
わち、光活性層の形成速度を20Å／Ｓとするような高速
製造条件においては、高効率は達成されていない。
本発明者らは先に、高速でかつ高効率を達成するために
ジシラン（Si2H6）を原料とする非晶質シリコン太陽電
池の製造方法を開示した。即ちジシランを原料として場
合、ある閾値を越えるエネルギーが供給される条件下で
ジシランを分解することがこのために不可欠であること
を開示した。
ジシラン（Si2H6）を原料とする非晶質シリコン太陽電
池の製造方法を開示した。即ちジシランを原料として場
合、ある閾値を越えるエネルギーが供給される条件下で
ジシランを分解することがこのために不可欠であること
を開示した。
しかしながらジシランが高速成膜性であるが故に半導体
接合界面の制御が困難であつた。なぜなら、この界面は
高々1000Å以下の厚みであり、20Å／Ｓのような高速で
成膜を行う場合、僅か50秒以下の短い時間で制御せねば
ならぬからである。本発明者らこの界面をモノシランで
形成したり、放電電力を低下させて成膜速度を遅くした
りして形成することを試みたが未だ充分の成果を得てい
ない。
接合界面の制御が困難であつた。なぜなら、この界面は
高々1000Å以下の厚みであり、20Å／Ｓのような高速で
成膜を行う場合、僅か50秒以下の短い時間で制御せねば
ならぬからである。本発明者らこの界面をモノシランで
形成したり、放電電力を低下させて成膜速度を遅くした
りして形成することを試みたが未だ充分の成果を得てい
ない。
本発明者らはこのようにモノシランで界面を作成してジ
シランへ移行することやジシランを用いかつ放電電力を
低下させて成膜速度をおそくすることは、たとえ界面の
数100Åの領域といえども好ましくないことを見出し
た。けだし、これらの場合には、短絡電流の著しい減少
が生じ、曲線因子（F.F.）も低下するからである。
シランへ移行することやジシランを用いかつ放電電力を
低下させて成膜速度をおそくすることは、たとえ界面の
数100Åの領域といえども好ましくないことを見出し
た。けだし、これらの場合には、短絡電流の著しい減少
が生じ、曲線因子（F.F.）も低下するからである。
本発明の目的は高速製膜条件においても短絡電流の低下
や曲線因子の低下をひきおこすことがない高光電変換効
率の光電変換素子を製造する方法を提供することであ
る。
や曲線因子の低下をひきおこすことがない高光電変換効
率の光電変換素子を製造する方法を提供することであ
る。
本発明者らはジシランとモノシランの併用は好ましくな
いのでジシランのみで光活性層の製造を検討し必要エネ
ルギーを与えつつ堆積速度のみを低下させて膜質を劣化
させずに界面を形成しうることに着目し、本発明を完成
した。
いのでジシランのみで光活性層の製造を検討し必要エネ
ルギーを与えつつ堆積速度のみを低下させて膜質を劣化
させずに界面を形成しうることに着目し、本発明を完成
した。
すなわち、本発明に従つて、電極を有する基板上に、シ
リコン水素化物のグロー放電分解により、第１の導電
層、光活性層および第２の導電層を順次形成し、第２の
電極を設ける光電変換素子の製造方法において、少くと
も該光活性層の形成をジシランにより行い、かつ該ジシ
ラン単位質量当り、活性層薄膜の形成速度が主としてジ
シラン流量に依存し印加エネルギー量によつては実質的
に影響されることのない最低のエネルギー量（以下、閾
値という）以上のエネルギーを常に印加すると共に、該
光活性層形成の少くとも初期領域はより低い速度で、残
りをより高速度となるごとく連続的に堆積速度を変化さ
せて行なうことを特徴とする光電変換素子の製造方法が
提供される。
リコン水素化物のグロー放電分解により、第１の導電
層、光活性層および第２の導電層を順次形成し、第２の
電極を設ける光電変換素子の製造方法において、少くと
も該光活性層の形成をジシランにより行い、かつ該ジシ
ラン単位質量当り、活性層薄膜の形成速度が主としてジ
シラン流量に依存し印加エネルギー量によつては実質的
に影響されることのない最低のエネルギー量（以下、閾
値という）以上のエネルギーを常に印加すると共に、該
光活性層形成の少くとも初期領域はより低い速度で、残
りをより高速度となるごとく連続的に堆積速度を変化さ
せて行なうことを特徴とする光電変換素子の製造方法が
提供される。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明の方法において使用するジシランとはモノシラン
含量が１０vol％未満、好ましくは５％未満、より好ま
しくは１％未満、さらに好ましくは０．１％未満、最も
好ましくはほぼ０％のものである。モノシラン含量が大
になると太陽電池の曲線因子（F.F.）が急激に悪くな
る。
含量が１０vol％未満、好ましくは５％未満、より好ま
しくは１％未満、さらに好ましくは０．１％未満、最も
好ましくはほぼ０％のものである。モノシラン含量が大
になると太陽電池の曲線因子（F.F.）が急激に悪くな
る。
本発明の方法において「閾値」とはジシラン単位質量当
りの、活性層薄膜の形成速度が主としてジシラン流量に
依存し印加エネルギー量によつては実質的に影響される
ことのない最低のエネルギー量として定義されるが、よ
り具体的には、本発明者らが特願昭５８−１７２６号に
開示したように、ａ−Si:H膜の形成速度がグロー放電に
用いる高周波電力に依存して変化しないようになるグロ
ー放電電力値である。すなわち、閾値を越えるグロー放
電電力においては、形成速度は原料ガス流量によつて支
配されるので、原料ガス流量を低下させることにより、
堆積速度を低下させうる。この方法を用いればジシラン
を用いてａ−Si：Ｈ膜を形成するにあたつても、その膜
質を低下させることなく、体積速度を低下せしめうるの
で、界面における不純物分布の制御や膜質の異なる界面
の形成を避けることができる。
りの、活性層薄膜の形成速度が主としてジシラン流量に
依存し印加エネルギー量によつては実質的に影響される
ことのない最低のエネルギー量として定義されるが、よ
り具体的には、本発明者らが特願昭５８−１７２６号に
開示したように、ａ−Si:H膜の形成速度がグロー放電に
用いる高周波電力に依存して変化しないようになるグロ
ー放電電力値である。すなわち、閾値を越えるグロー放
電電力においては、形成速度は原料ガス流量によつて支
配されるので、原料ガス流量を低下させることにより、
堆積速度を低下させうる。この方法を用いればジシラン
を用いてａ−Si：Ｈ膜を形成するにあたつても、その膜
質を低下させることなく、体積速度を低下せしめうるの
で、界面における不純物分布の制御や膜質の異なる界面
の形成を避けることができる。
これに対し、ＳｉＨ４を用いる方法や、Ｓｉ２Ｈ６を用
いても電力や流量を低下させる方法においては前記の問
題点を解決できない。
いても電力や流量を低下させる方法においては前記の問
題点を解決できない。
本発明において閾値は供給エネルギー（Ｓupplied ene
rgy）として表わすのが便利である。
rgy）として表わすのが便利である。
供給エネルギーの求め方は次の式による。
〔Ｉ〕式に用いる成膜条件の単位はＲＦ電力(W)、原料
ガス流量（標準状態毎分当りの流量≡SCCM）であり、13
44≡60(分)２２．４（／mol）で表わされる係数であ
る。たとえばジシラン30SCCM、希釈のためのヘリウムガ
ス270SCCMのときは、平均分子量＝（３０×62.2＋270×
４）／300＝9.82、 であり、ＲＦ電力（グロー放電電力）＝100Ｗのときに
は、〔Ｉ〕式に代入して を得る。閾値の値は先に定義した通りであるが、具体的
には例示すれば、ジシランの場合50KJ／ｇ−Ｓｉ
２Ｈ６、ヘリウム希釈10％ジシランの場合10KJ／ｇ−Ｓ
ｉ２Ｈ６、水素希釈10％ジシランの場合30KJ／ｇ−Ｓｉ
２Ｈ６のごとくなる。
ガス流量（標準状態毎分当りの流量≡SCCM）であり、13
44≡60(分)２２．４（／mol）で表わされる係数であ
る。たとえばジシラン30SCCM、希釈のためのヘリウムガ
ス270SCCMのときは、平均分子量＝（３０×62.2＋270×
４）／300＝9.82、 であり、ＲＦ電力（グロー放電電力）＝100Ｗのときに
は、〔Ｉ〕式に代入して を得る。閾値の値は先に定義した通りであるが、具体的
には例示すれば、ジシランの場合50KJ／ｇ−Ｓｉ
２Ｈ６、ヘリウム希釈10％ジシランの場合10KJ／ｇ−Ｓ
ｉ２Ｈ６、水素希釈10％ジシランの場合30KJ／ｇ−Ｓｉ
２Ｈ６のごとくなる。
本発明の方法は光活性層の形成をジシランにより行いか
つジシランにかかる閾値以上の必要エネルギーを常に印
加すると共に、特に光活性層の形成の少くとも初期領域
（界面領域）は上記閾値以上の範囲でより低速度で、残
りの大部分の領域をより高速度となるごとく連続的に堆
積速度を堆積速度を変化させて行うものである。
つジシランにかかる閾値以上の必要エネルギーを常に印
加すると共に、特に光活性層の形成の少くとも初期領域
（界面領域）は上記閾値以上の範囲でより低速度で、残
りの大部分の領域をより高速度となるごとく連続的に堆
積速度を堆積速度を変化させて行うものである。
ここで界面領域とは、光活性層の形成開始初期（たとえ
ばＰ−ｉ接合界面）または形成終了点（たとえばｉ−ｎ
接合界面）から1000Å以内の膜厚部分、より好ましくは
50〜500Åの膜厚部分をいう。本発明の方法においては
光活性層の界面領域は必ず10Å／Ｓ以下の堆積速度で形
成されなければならない。10Å／Ｓを越えると該領域に
おける鵜不純物の深さ方向の濃度分布の制御が困難にな
り太陽電池の性能が低下する。本発明の方法においては
光活性層の界面領域を上記の如く閾値以下のエネルギー
を与えつつ、堆積速度を10Å／Ｓ以下の低速で行ないつ
いで光活性層の大部分にあたる残りの部分を20Å／Ｓを
越える高速で堆積するものである。
ばＰ−ｉ接合界面）または形成終了点（たとえばｉ−ｎ
接合界面）から1000Å以内の膜厚部分、より好ましくは
50〜500Åの膜厚部分をいう。本発明の方法においては
光活性層の界面領域は必ず10Å／Ｓ以下の堆積速度で形
成されなければならない。10Å／Ｓを越えると該領域に
おける鵜不純物の深さ方向の濃度分布の制御が困難にな
り太陽電池の性能が低下する。本発明の方法においては
光活性層の界面領域を上記の如く閾値以下のエネルギー
を与えつつ、堆積速度を10Å／Ｓ以下の低速で行ないつ
いで光活性層の大部分にあたる残りの部分を20Å／Ｓを
越える高速で堆積するものである。
この場合堆積速度は連続的に変化させなければならな
い。堆積速度の変化は閾値以上の供給エネルギーを与え
つつ行なう。ここで連続的な変化とは不連続でない変化
をいい、不連続な変化とは、流量の変化にＲＦ電力の変
化が上記規定の供給エネルギー条件を満足すべく追従で
きないような変化をいう。もし堆積速度を不連続的に急
激に変化させると太陽電池特性の低下が生じる。
い。堆積速度の変化は閾値以上の供給エネルギーを与え
つつ行なう。ここで連続的な変化とは不連続でない変化
をいい、不連続な変化とは、流量の変化にＲＦ電力の変
化が上記規定の供給エネルギー条件を満足すべく追従で
きないような変化をいう。もし堆積速度を不連続的に急
激に変化させると太陽電池特性の低下が生じる。
なお、実際上便利な方法としてＲＦ電力の上昇を流量の
上昇に先行させる方法がある。この方法による限り供給
エネルギーは閾値を下回ることはない。
上昇に先行させる方法がある。この方法による限り供給
エネルギーは閾値を下回ることはない。
界面領域の膜堆積速度は上記したごとく10Å／Ｓ以下で
あるが、この部分の厚みは高々1000Å通常50〜500Åと
薄いので、平均堆積速度から要求される界面領域の堆積
時間の範囲内であれば、膜堆積速度は低い方がより制御
しやすい。
あるが、この部分の厚みは高々1000Å通常50〜500Åと
薄いので、平均堆積速度から要求される界面領域の堆積
時間の範囲内であれば、膜堆積速度は低い方がより制御
しやすい。
なお、本発明の方法を実施するに際し、より好ましく
は、第１の導電層を形成した基板を安定したグロー放電
中に移送することにより、光活性層の形成を開始するこ
とである。
は、第１の導電層を形成した基板を安定したグロー放電
中に移送することにより、光活性層の形成を開始するこ
とである。
グロー放電の立上がり時には必ず放電に乱れが生じるの
で、これを避けるために、安定したグロー放電中に基板
を移送することが行なわれる。光活性層において界面領
域の形成だけを、高速で行なう残りの部分から分離して
おこなうことも本発明の効果を発揮させるに好ましい方
法の一つである。基板の移送時に放電に乱れる生じさせ
ないためには基板および基板ホルダーは電気的に絶縁さ
れているか、基板および基板ホルダー自身が絶縁物であ
ることが好ましい。
で、これを避けるために、安定したグロー放電中に基板
を移送することが行なわれる。光活性層において界面領
域の形成だけを、高速で行なう残りの部分から分離して
おこなうことも本発明の効果を発揮させるに好ましい方
法の一つである。基板の移送時に放電に乱れる生じさせ
ないためには基板および基板ホルダーは電気的に絶縁さ
れているか、基板および基板ホルダー自身が絶縁物であ
ることが好ましい。
本発明の方法を実施するための好ましい形態をガラス基
板を用いる例について示す。グロー放電反応室に透明導
電膜が形成されたガラス基板を挿入する。ついで減圧下
100〜400℃の温度に加熱維持する。ジシランとｐ型ドー
ピングガスとによりｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成する。ｐ
型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜のかわりにグロー放電法や光分解法に
よりジシラン、ｐ型ドーピングガス、炭素含有化合物と
からｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成してもよい。ついでジシ
ランをａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成速度がグロー放電に用いる
高周波電力に依存して変化しない領域、即ち閾値以上の
領域において分解し光活性層を形成する。界面の形成は
ジシランの流量を低くして行ない、ついでＲＦ電力を上
昇させながらジシラン流量を増加させる。また堆積速度
の遅いグロー放電中へ基板を移送して光活性層を形成し
はじめることは特に好ましいことである。
板を用いる例について示す。グロー放電反応室に透明導
電膜が形成されたガラス基板を挿入する。ついで減圧下
100〜400℃の温度に加熱維持する。ジシランとｐ型ドー
ピングガスとによりｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成する。ｐ
型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜のかわりにグロー放電法や光分解法に
よりジシラン、ｐ型ドーピングガス、炭素含有化合物と
からｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成してもよい。ついでジシ
ランをａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成速度がグロー放電に用いる
高周波電力に依存して変化しない領域、即ち閾値以上の
領域において分解し光活性層を形成する。界面の形成は
ジシランの流量を低くして行ない、ついでＲＦ電力を上
昇させながらジシラン流量を増加させる。また堆積速度
の遅いグロー放電中へ基板を移送して光活性層を形成し
はじめることは特に好ましいことである。
光活性層はジシランに対し１Ｖppm以下の微量のジボラ
ンを添加して形成されることもありうる。ついでジシラ
ンとｎ型ドーピングガスによりｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜又は
ｎ型微結晶化水素化シリコン膜を形成する。さらに第２
の電極を形成して本発明を完成する。
ンを添加して形成されることもありうる。ついでジシラ
ンとｎ型ドーピングガスによりｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜又は
ｎ型微結晶化水素化シリコン膜を形成する。さらに第２
の電極を形成して本発明を完成する。
光活性層の形成条件は形成温度100〜400℃、圧力０．０
５〜2Torrである。このとき希釈ガスとして水素やヘリ
ウムを用いることができる。希釈ガスを用いることによ
り光活性層の光導電度を希釈ガスを用いない場合に比べ
２〜10倍増加させることができる。
５〜2Torrである。このとき希釈ガスとして水素やヘリ
ウムを用いることができる。希釈ガスを用いることによ
り光活性層の光導電度を希釈ガスを用いない場合に比べ
２〜10倍増加させることができる。
ｐ型又はｎ型のドーピングガスはそれぞれジボラン（B2
Ｈ6）およびホスフイン（PH3）が水素又はヘリウムで希
釈して用いられる。
Ｈ6）およびホスフイン（PH3）が水素又はヘリウムで希
釈して用いられる。
太陽電池の形成方法は上記の態様の外にも(i)基板側か
らｎ型−ｉ型−ｐ型と積層する方法、(ii)電極を分解し
ておいて、複数の太陽電池を形成しこれらを直列接続し
た型で得る集積型太陽電池を製造する方法、(ii)電極お
よびａ−Si：Ｈ膜を一様に形成した後、レーザー光のよ
うな加熱手段で分解し、ついで集積化する方法等いろい
ろあるが、これらのいずれの方法をも用いることができ
る。またｐ，ｉ，ｎ型ａ−Si：Ｈ膜を単一の反応室で作
成する方法や別々の反応室で作成することもできる。
らｎ型−ｉ型−ｐ型と積層する方法、(ii)電極を分解し
ておいて、複数の太陽電池を形成しこれらを直列接続し
た型で得る集積型太陽電池を製造する方法、(ii)電極お
よびａ−Si：Ｈ膜を一様に形成した後、レーザー光のよ
うな加熱手段で分解し、ついで集積化する方法等いろい
ろあるが、これらのいずれの方法をも用いることができ
る。またｐ，ｉ，ｎ型ａ−Si：Ｈ膜を単一の反応室で作
成する方法や別々の反応室で作成することもできる。
なお、本発明においてｐ型，ｉ型，ｎ型ａ−Si：Ｈ層の
膜厚はそれぞれ50〜500Å、2000〜8000Å、50〜500Åで
ある。
膜厚はそれぞれ50〜500Å、2000〜8000Å、50〜500Åで
ある。
本発明で用いる基板や電極の材料については特に制限さ
れず、従来用いられている物質が有効に用いられる。
れず、従来用いられている物質が有効に用いられる。
たとえば、基板として絶縁性又は導電性、透明又は不透
明のいずれの性質を有するものでもよい。基本的にはガ
ラス、アルミナ、シリコン、ステンレンステイール、ア
ルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の物質で形成
されるフイルムあるいは板状の材料を基板として有効に
用いることができる。電極材料としては、光入射側には
もちろん透明あるいは透光性の材料を用いなければなら
ないが、これ以外の制限はない。アルミニウム、モリブ
デン、ニクロム、ＩＴＯ、酸化錫、ステンレス等の薄膜
又は薄板が電極材料として有効に用いられる。
明のいずれの性質を有するものでもよい。基本的にはガ
ラス、アルミナ、シリコン、ステンレンステイール、ア
ルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の物質で形成
されるフイルムあるいは板状の材料を基板として有効に
用いることができる。電極材料としては、光入射側には
もちろん透明あるいは透光性の材料を用いなければなら
ないが、これ以外の制限はない。アルミニウム、モリブ
デン、ニクロム、ＩＴＯ、酸化錫、ステンレス等の薄膜
又は薄板が電極材料として有効に用いられる。
以下実施例により本発明を説明する。
（実施例） 基板挿入室、ｐ層、光活性層、ｎ層の各層形成室、基板
取出し室からなるプラズマＣＶＤ装置において、本発明
の方法を実施した。ｐ層はB2H6／Si2H6＝０．１vol％、
Si2H6／H2＝50vol％で、圧力０．１Torr、供給エネルギ
ー８．２KJ／ｇ−Si2H6、温度200℃で約100Åの膜厚に
形成された。つぎに光活性層形成室に移し、温度300
℃、形成圧力０．０８〜０．３Torrにおいて供給エネル
ギーを60KJ／ｇ−Si2H6として光活性層を形成した。光
活性層の形成は２Å／Ｓの堆積速度を有する界面形成部
に基板を移送し５０秒間の滞留の後、30Å／Ｓの堆積速
度になるようにＲＦ電力および流量を変化させ、約5000
Åの膜厚とすることで行なわれた。この時の平均の堆積
速度は23Å／Ｓを越える高速である。ついでｎ層形成室
に移送した。
取出し室からなるプラズマＣＶＤ装置において、本発明
の方法を実施した。ｐ層はB2H6／Si2H6＝０．１vol％、
Si2H6／H2＝50vol％で、圧力０．１Torr、供給エネルギ
ー８．２KJ／ｇ−Si2H6、温度200℃で約100Åの膜厚に
形成された。つぎに光活性層形成室に移し、温度300
℃、形成圧力０．０８〜０．３Torrにおいて供給エネル
ギーを60KJ／ｇ−Si2H6として光活性層を形成した。光
活性層の形成は２Å／Ｓの堆積速度を有する界面形成部
に基板を移送し５０秒間の滞留の後、30Å／Ｓの堆積速
度になるようにＲＦ電力および流量を変化させ、約5000
Åの膜厚とすることで行なわれた。この時の平均の堆積
速度は23Å／Ｓを越える高速である。ついでｎ層形成室
に移送した。
PH3／Si2H6＝１vol％、S2H6／H2＝10vol％でｎ層を約30
0Å形成した。基板取出し室を経て取り出し真空蒸着に
よりＡｌ電極を形成した。AMI100mW／cm2の光を照射し
たところ光活性層の平均堆積速度が23Å／Ｓを越す高速
製造条件であつたにかかわらず、短絡電流は13〜14mÅ
／cm2、曲線因子は０．６５〜０．７を維持しており、
光電変換効率の低下をひきおこさないことがわかつた。
0Å形成した。基板取出し室を経て取り出し真空蒸着に
よりＡｌ電極を形成した。AMI100mW／cm2の光を照射し
たところ光活性層の平均堆積速度が23Å／Ｓを越す高速
製造条件であつたにかかわらず、短絡電流は13〜14mÅ
／cm2、曲線因子は０．６５〜０．７を維持しており、
光電変換効率の低下をひきおこさないことがわかつた。
以上のごとく、たとえば上記実施例に示すように、本発
明の方法によれば高速製造条件においても短絡電流の低
下や曲線因子の低下等の太陽電池特性の低下を生じさせ
ることなく光電変換効率の高効率化を達成できるもので
ある。
明の方法によれば高速製造条件においても短絡電流の低
下や曲線因子の低下等の太陽電池特性の低下を生じさせ
ることなく光電変換効率の高効率化を達成できるもので
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】電極を有する基板上に、シリコン水素化物
のグロー放電分解により、第１の導電層、光活性層およ
び第２の導電層を順次形成し、第２の電極を設ける光電
変換素子の製造方法において、少なくとも該光活性層の
形成をジシランにより行い、かつ該ジシラン単位質量当
り、活性層薄膜の形成速度が主としてジシラン流量に依
存し印加エネルギー量によっては実質的に影響されるこ
とのない最低のエネルギー量（以下閾値という）以上の
エネルギーを常に印加してあらかじめ形成されている安
定したグロー放電中に第１の導電層が形成された基板を
移送してグロー放電を乱すことなく光活性層の形成を開
始すると共に、該光活性層形成の少なくとも初期１００
０Å以下の領域は１０Å／秒より低い堆積速度で、残り
の光活性層をより高い堆積速度となるごとくグロー放電
を停止することなく連続的に堆積速度を変化させて行う
ことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171438A JPH0612836B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171438A JPH0612836B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150380A JPS6150380A (ja) | 1986-03-12 |
| JPH0612836B2 true JPH0612836B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=15923122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171438A Expired - Lifetime JPH0612836B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612836B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799776B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1995-10-25 | 住友電気工業株式会社 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS6340383A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 | Hitachi Ltd | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
| JP2575397B2 (ja) * | 1987-07-29 | 1997-01-22 | 三井東圧化学株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666137B2 (ja) * | 1983-03-19 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | 偏向ヨ−ク |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP59171438A patent/JPH0612836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150380A (ja) | 1986-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |