JPH06129855A - 電子方位計 - Google Patents
電子方位計Info
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- JPH06129855A JPH06129855A JP4283172A JP28317292A JPH06129855A JP H06129855 A JPH06129855 A JP H06129855A JP 4283172 A JP4283172 A JP 4283172A JP 28317292 A JP28317292 A JP 28317292A JP H06129855 A JPH06129855 A JP H06129855A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型、低消費電力、回転不要な電子方位形を
提供する。 【構成】 地磁気センサと、該地磁気センサの駆動回路
と、該地磁気センサからの出力信号を演算し方位データ
を出力する演算回路と、方位データの表示器よりなる電
子方位計において、強磁性磁気抵抗素子を２個ある相対
角度をもたして配置した磁気センサを１組とし、磁気オ
フセット用の磁石と３組以上の磁気センサを各々角度を
変えて配置した事を特徴とする。 【効果】 強磁性磁気抵抗素子を使用するため低消費電
力で小型になり、複数のセンサ出力より方位を推定する
事から、センサを回転しなくてもよいという効果を有す
る。
提供する。 【構成】 地磁気センサと、該地磁気センサの駆動回路
と、該地磁気センサからの出力信号を演算し方位データ
を出力する演算回路と、方位データの表示器よりなる電
子方位計において、強磁性磁気抵抗素子を２個ある相対
角度をもたして配置した磁気センサを１組とし、磁気オ
フセット用の磁石と３組以上の磁気センサを各々角度を
変えて配置した事を特徴とする。 【効果】 強磁性磁気抵抗素子を使用するため低消費電
力で小型になり、複数のセンサ出力より方位を推定する
事から、センサを回転しなくてもよいという効果を有す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は地磁気を活用した方位指
示装置に関する。
示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より方位を知る方法として、磁針の
示す方向より方位を測るやり方があるが、腕時計のよう
な小型機器と併合した使いかたの時は、体積がかさばる
事から、携帯しずらく、デザインの拘束をうける。その
対策として、特開昭６３−１４２２８９号公報におい
て、フラックスゲート型磁気センサをケース内に組みこ
んだ方位センサー付き電子機器の例が報告されている。
この場合は、磁気センサーがリング状をしており、かな
りの体積を占めるうえにコイルに通電してセンシングす
る事から消費電流が大きく特開昭６２−１９４４１４号
公報において測定回数を減らす事が提案されている。
示す方向より方位を測るやり方があるが、腕時計のよう
な小型機器と併合した使いかたの時は、体積がかさばる
事から、携帯しずらく、デザインの拘束をうける。その
対策として、特開昭６３−１４２２８９号公報におい
て、フラックスゲート型磁気センサをケース内に組みこ
んだ方位センサー付き電子機器の例が報告されている。
この場合は、磁気センサーがリング状をしており、かな
りの体積を占めるうえにコイルに通電してセンシングす
る事から消費電流が大きく特開昭６２−１９４４１４号
公報において測定回数を減らす事が提案されている。
【０００３】その改良方法として、特開平３−２４８０
０９号公報において、磁気抵抗素子を使用し、磁気レン
ズをつかって感度を上げＸとＹの２方向のセンサ出力よ
り方位を推定する方法が提案されている。しかし、この
方法では、磁気レンズを使用することからセンサ部が大
きくなる。しかも、センサを１周分回転しないと方位を
推定できない事から不便である。
０９号公報において、磁気抵抗素子を使用し、磁気レン
ズをつかって感度を上げＸとＹの２方向のセンサ出力よ
り方位を推定する方法が提案されている。しかし、この
方法では、磁気レンズを使用することからセンサ部が大
きくなる。しかも、センサを１周分回転しないと方位を
推定できない事から不便である。
【０００４】その対策として、特開平３−１２７２８０
号公報においてセンサの外部にセンサを回転させる機構
を設ける方法が紹介されている。しかし、この方法で
は、装置を大きく複雑にせざるをえない。
号公報においてセンサの外部にセンサを回転させる機構
を設ける方法が紹介されている。しかし、この方法で
は、装置を大きく複雑にせざるをえない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の電子方位計の従
来技術において、フラックスゲート型は占有体積が大き
く、消費電力が大きかった。磁気抵抗素子を活用した内
容も磁気レンズを使っている事から体積が大きい物とな
っている。しかもセンサを回転させる必要があることか
ら、回転機構も必要であり、大きく又複雑な装置となっ
ていた。
来技術において、フラックスゲート型は占有体積が大き
く、消費電力が大きかった。磁気抵抗素子を活用した内
容も磁気レンズを使っている事から体積が大きい物とな
っている。しかもセンサを回転させる必要があることか
ら、回転機構も必要であり、大きく又複雑な装置となっ
ていた。
【０００６】本発明の目的は、小型で低消費電力で回転
不要な電子方位計を提供する事である。
不要な電子方位計を提供する事である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電子方位計は、
地磁気センサと、該地磁気センサの駆動回路と、該地磁
気センサからの出力信号を演算し方位データを出力する
演算回路と、方位データを表示する表示部からなる電子
方位計において、指向性のある磁気抵抗素子を２個ある
相対角度をもたして配置した磁気センサを１組とし、３
組以上の磁気センサを各々角度を変えて配置した事を特
徴とする。
地磁気センサと、該地磁気センサの駆動回路と、該地磁
気センサからの出力信号を演算し方位データを出力する
演算回路と、方位データを表示する表示部からなる電子
方位計において、指向性のある磁気抵抗素子を２個ある
相対角度をもたして配置した磁気センサを１組とし、３
組以上の磁気センサを各々角度を変えて配置した事を特
徴とする。
【０００８】また、地磁気センサに磁気抵抗素子を使用
し、放射状に着磁した磁石に対し同心円上に複数個のセ
ンサを配置したことを特徴とする。
し、放射状に着磁した磁石に対し同心円上に複数個のセ
ンサを配置したことを特徴とする。
【０００９】また、地磁気センサの駆動回路において複
数個のセンサに対して順次データをサンプリングし、演
算する回路とした事を特徴とする。
数個のセンサに対して順次データをサンプリングし、演
算する回路とした事を特徴とする。
【００１０】また、地磁気センサに強磁性磁気抵抗素子
を使用した事を特徴とする。
を使用した事を特徴とする。
【００１１】また、基盤の片面に強磁性磁気抵抗素子を
使用した磁気センサの裏面に磁性薄膜を形成した事を特
徴とする。
使用した磁気センサの裏面に磁性薄膜を形成した事を特
徴とする。
【００１２】
（実施例１）図１は、本発明の実施例１におけるセンサ
ユニットの正面図である。図２は図１の側面図である。
土台１の上に磁気センサＡ２磁気センサＢ３磁気センサ
Ｃ４を直角に且つ放射状に並べた。センサの中央部に
は、上側をＳ極にして磁石Ｄ５を配置した。センサの外
周部には、上側をＮ極にして磁石Ａ６、磁石Ｂ７、磁石
Ｃ８を配置した。磁石は磁気センサに磁気オフセットを
かけている。磁気抵抗素子は、磁気の方向によらず絶対
値に対して出力することから、磁気オフセットをかける
事により、磁気オフセットと検出する磁気の方向が等し
ければ出力が大きくなり、逆方向の時出力が小さくなる
事より検出する磁気の方向も、認識できるようになる。
ユニットの正面図である。図２は図１の側面図である。
土台１の上に磁気センサＡ２磁気センサＢ３磁気センサ
Ｃ４を直角に且つ放射状に並べた。センサの中央部に
は、上側をＳ極にして磁石Ｄ５を配置した。センサの外
周部には、上側をＮ極にして磁石Ａ６、磁石Ｂ７、磁石
Ｃ８を配置した。磁石は磁気センサに磁気オフセットを
かけている。磁気抵抗素子は、磁気の方向によらず絶対
値に対して出力することから、磁気オフセットをかける
事により、磁気オフセットと検出する磁気の方向が等し
ければ出力が大きくなり、逆方向の時出力が小さくなる
事より検出する磁気の方向も、認識できるようになる。
【００１３】図３は、センサーの駆動回路を示す。磁気
センサＡ１４の電位を基準にし、磁気センサＢ１５と磁
気センサＣ１６をスイッチ１７、１８で切り替えて、各
々の電位差を増幅して出力した。地磁気は、０．３ガウ
スしかなく電気増幅率を上げる必要がある。一方、磁気
センサは、温度による変化もあるため、増幅率を上げた
時ドリフトが問題になるので、同じ特性をもつ磁気セン
サの電位を差動増幅する方法をとった。
センサＡ１４の電位を基準にし、磁気センサＢ１５と磁
気センサＣ１６をスイッチ１７、１８で切り替えて、各
々の電位差を増幅して出力した。地磁気は、０．３ガウ
スしかなく電気増幅率を上げる必要がある。一方、磁気
センサは、温度による変化もあるため、増幅率を上げた
時ドリフトが問題になるので、同じ特性をもつ磁気セン
サの電位を差動増幅する方法をとった。
【００１４】図１のセンサユニットを回転した時、セン
サＡＢＣの各電位は図４のように変化する。センサＡＢ
Ｃは、磁石Ｄ５を中心にして、各々９０度ずつ方向をず
らしてある事から、センサユニットを回転した時に、各
センサの出力電位は、９０度の位相がずれて出力され
る。センサＢの出力２２がＳＩＮ（Ｘ）の時センサＡの
出力２１はＳＩＮ（Ｘ＋９０度）、センサＣの出力２３
はＳＩＮ（Ｘ−９０度）である。
サＡＢＣの各電位は図４のように変化する。センサＡＢ
Ｃは、磁石Ｄ５を中心にして、各々９０度ずつ方向をず
らしてある事から、センサユニットを回転した時に、各
センサの出力電位は、９０度の位相がずれて出力され
る。センサＢの出力２２がＳＩＮ（Ｘ）の時センサＡの
出力２１はＳＩＮ（Ｘ＋９０度）、センサＣの出力２３
はＳＩＮ（Ｘ−９０度）である。
【００１５】増幅回路は、センサＡ１４の電位を基準と
してセンサＢ１５とセンサＣ１６の電位差を出力するの
で、センサユニットを回転した時に、図５のように出力
電圧が変化する。センサＢ２５の出力は１．４１×ＣＯ
Ｓ（Ｘ＋４５度）。センサＣの出力２６は２×ＣＯＳ
（Ｘ）である。この場合センサＡの出力は、零に変換さ
れたと解釈できる。
してセンサＢ１５とセンサＣ１６の電位差を出力するの
で、センサユニットを回転した時に、図５のように出力
電圧が変化する。センサＢ２５の出力は１．４１×ＣＯ
Ｓ（Ｘ＋４５度）。センサＣの出力２６は２×ＣＯＳ
（Ｘ）である。この場合センサＡの出力は、零に変換さ
れたと解釈できる。
【００１６】図１において磁気センサＡ、Ｂ，Ｃは各々
９０度の間隔をあけてある。磁気センサＡと磁気センサ
Ｂの組を考えた時、外部磁気のＸ成分をセンサＡ、Ｙ成
分をセンサＢで感知していると考える事ができる。ま
た、磁気センサＢ，Ｃの組においては、外部磁気のＸ成
分をセンサＢ，Ｙ成分をセンサＣで感知していると考え
る事ができる。さらに、磁気センサＡ，Ｂの組と磁気セ
ンサＢ，Ｃの組は９０度の差がある。
９０度の間隔をあけてある。磁気センサＡと磁気センサ
Ｂの組を考えた時、外部磁気のＸ成分をセンサＡ、Ｙ成
分をセンサＢで感知していると考える事ができる。ま
た、磁気センサＢ，Ｃの組においては、外部磁気のＸ成
分をセンサＢ，Ｙ成分をセンサＣで感知していると考え
る事ができる。さらに、磁気センサＡ，Ｂの組と磁気セ
ンサＢ，Ｃの組は９０度の差がある。
【００１７】図６は、図５においてセンサユニット回転
角度が零度の時のセンサＢの出力、センサＣの出力値を
使い、センサＡの出力を零として、Ｐ点（Ｘ＝センサＡ
の出力、Ｙ＝センサＢの出力）とＱ点（Ｘ＝センサＢの
出力、Ｙ＝センサＣの出力）をプロットし、辺ＰＱを底
辺とする直角２等辺３角形をつくり直角部の頂点をＯ点
とし、次にＯ点を中心にＰ点、Ｑ点を通る円を描いた図
である。直角三角形の頂点は、辺ＰＱを対称線となるよ
うにもう１点できる。これをＲ点とする。
角度が零度の時のセンサＢの出力、センサＣの出力値を
使い、センサＡの出力を零として、Ｐ点（Ｘ＝センサＡ
の出力、Ｙ＝センサＢの出力）とＱ点（Ｘ＝センサＢの
出力、Ｙ＝センサＣの出力）をプロットし、辺ＰＱを底
辺とする直角２等辺３角形をつくり直角部の頂点をＯ点
とし、次にＯ点を中心にＰ点、Ｑ点を通る円を描いた図
である。直角三角形の頂点は、辺ＰＱを対称線となるよ
うにもう１点できる。これをＲ点とする。
【００１８】図１よりセンサＡ，Ｂの組に対しセンサ
Ｃ，Ｄの組は反時計方向に９０度ずれている事から、Ｐ
点からＱ点に９０度分の円弧を描いた時に反時計回りと
なる方の中心を選択する。図６の場合は０点となる。
Ｃ，Ｄの組は反時計方向に９０度ずれている事から、Ｐ
点からＱ点に９０度分の円弧を描いた時に反時計回りと
なる方の中心を選択する。図６の場合は０点となる。
【００１９】図７、図８、図９は、図５においてセンサ
ユニット回転角度が９０度、１８０度、２７０度の時の
センサＢの出力とセンサＣの出力値を使って、同様の方
法で描いた図である。図６から図９の線分ＯＰとＸ軸の
なす角度は、各々９０度ずつ変わっている。つまり、セ
ンサの回転角度に合わせて線分ＯＰとＸ軸のなす角度が
変わる事から、逆に線分ＯＰとＸ軸の角度を計算する事
により、センサユニットと地磁場のなす角度を推定で
き、地磁気のＮ，Ｓ極の方向がわかる。
ユニット回転角度が９０度、１８０度、２７０度の時の
センサＢの出力とセンサＣの出力値を使って、同様の方
法で描いた図である。図６から図９の線分ＯＰとＸ軸の
なす角度は、各々９０度ずつ変わっている。つまり、セ
ンサの回転角度に合わせて線分ＯＰとＸ軸のなす角度が
変わる事から、逆に線分ＯＰとＸ軸の角度を計算する事
により、センサユニットと地磁場のなす角度を推定で
き、地磁気のＮ，Ｓ極の方向がわかる。
【００２０】この方法により、センサユニットを回転し
なくとも地磁気の方向が認識できる。
なくとも地磁気の方向が認識できる。
【００２１】（実施例２）図１０は本発明の実施例２に
おけるセンサユニットの正面図である。図１の例におい
て３組のセンサを各々図１１に示すセンサより構成し
た。図１１の構成においては、外部磁場により、出力Ａ
４２が増えると出力Ｂ４３が減る関係にあるので、出力
Ａと出力Ｂの差を電気回路で演算すると、図１の方法の
２倍の出力が得られる。
おけるセンサユニットの正面図である。図１の例におい
て３組のセンサを各々図１１に示すセンサより構成し
た。図１１の構成においては、外部磁場により、出力Ａ
４２が増えると出力Ｂ４３が減る関係にあるので、出力
Ａと出力Ｂの差を電気回路で演算すると、図１の方法の
２倍の出力が得られる。
【００２２】また、図１２に電気回路図を示す。図３の
回路の時はセンサＡ１４を基準として、センサＢ１５，
センサＣ１６の差を出力した。磁気オフセットの加え方
によりセンサＡ、Ｂ，Ｃの出力が変わるが、電気増幅率
が、大きいため外部磁場の無い状態で同じ出力がでるよ
うにする必要がある。その調整は、センサと磁気オフセ
ット用磁石の相対位置と磁石の磁力の強さを操作する
が、大変むずかしい作業である。ところが、図１２の回
路では各々独自の磁気オフセットの影響を受けるセンサ
を増幅することから、各センサを個々に調整すればよい
ので、製作しやすい構成となる。
回路の時はセンサＡ１４を基準として、センサＢ１５，
センサＣ１６の差を出力した。磁気オフセットの加え方
によりセンサＡ、Ｂ，Ｃの出力が変わるが、電気増幅率
が、大きいため外部磁場の無い状態で同じ出力がでるよ
うにする必要がある。その調整は、センサと磁気オフセ
ット用磁石の相対位置と磁石の磁力の強さを操作する
が、大変むずかしい作業である。ところが、図１２の回
路では各々独自の磁気オフセットの影響を受けるセンサ
を増幅することから、各センサを個々に調整すればよい
ので、製作しやすい構成となる。
【００２３】（実施例３）図１３は実施例３におけるセ
ンサユニットの正面図であり、図１４は側面図である。
非磁性体の土台７１の上にセンサＡ７２，センサＢ７
３，センサＣ７４を９０度間隔に配置する。土台７１の
下には、円形状の薄板磁石を配置し放射状に着磁した。
磁石による磁場が対称形になっている事から、この方式
の方がセンサと磁石の相対位置が調整しやすい。磁石も
１個しか使用しない事より、コストもさげられる。
ンサユニットの正面図であり、図１４は側面図である。
非磁性体の土台７１の上にセンサＡ７２，センサＢ７
３，センサＣ７４を９０度間隔に配置する。土台７１の
下には、円形状の薄板磁石を配置し放射状に着磁した。
磁石による磁場が対称形になっている事から、この方式
の方がセンサと磁石の相対位置が調整しやすい。磁石も
１個しか使用しない事より、コストもさげられる。
【００２４】（実施例４）図１５は実施例４におけるセ
ンサユニットの正面図であり、図１６は側面図である。
ガラス板８１の上に磁気センサＡ８２、磁気センサＢ８
３、磁気センサＣ８４を強磁性磁気抵抗素子であるニッ
ケル、コバルトをパターニングして作ってある。ガラス
板の下面には、ネオジ、鉄、ボロンによる磁性薄膜８５
を成形し、着磁した。
ンサユニットの正面図であり、図１６は側面図である。
ガラス板８１の上に磁気センサＡ８２、磁気センサＢ８
３、磁気センサＣ８４を強磁性磁気抵抗素子であるニッ
ケル、コバルトをパターニングして作ってある。ガラス
板の下面には、ネオジ、鉄、ボロンによる磁性薄膜８５
を成形し、着磁した。
【００２５】この方法は、センサと磁気オフセットの位
置関係をフォトリソグラフィ技術により正確に作り込む
事ができる。またセンサユニットの大きさも飛躍的に小
さくすることが出来た。
置関係をフォトリソグラフィ技術により正確に作り込む
事ができる。またセンサユニットの大きさも飛躍的に小
さくすることが出来た。
【００２６】（実施例５）図１７は実施例５におけるセ
ンサユニットの例の正面図であり、図１８は側面図であ
る。８個の磁気センサを磁気センサＡ９２から磁気セン
サＨ９９の順にならべて１つのセンサユニットを構成し
た。８個の磁気センサの出力は図１９のようになる。各
センサは等角度に並べている事から、曲線形状とサイン
曲線を比較して、位相の最もあった位置を算出する事に
より、磁気方位を推定することができた。磁気センサの
数が多いほど測定角度精度がよくなるが、駆動回路が複
雑になる。
ンサユニットの例の正面図であり、図１８は側面図であ
る。８個の磁気センサを磁気センサＡ９２から磁気セン
サＨ９９の順にならべて１つのセンサユニットを構成し
た。８個の磁気センサの出力は図１９のようになる。各
センサは等角度に並べている事から、曲線形状とサイン
曲線を比較して、位相の最もあった位置を算出する事に
より、磁気方位を推定することができた。磁気センサの
数が多いほど測定角度精度がよくなるが、駆動回路が複
雑になる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば以下
の様な効果を有する。
の様な効果を有する。
【００２８】（１）３組以上の磁気センサの出力を演算
して、地磁気方位を推定する事から、磁気センサを回転
しなくとも、方位の推定ができた。それにより、磁気セ
ンサを回転させる機構を必要とせず、煩わしさがなくな
った。
して、地磁気方位を推定する事から、磁気センサを回転
しなくとも、方位の推定ができた。それにより、磁気セ
ンサを回転させる機構を必要とせず、煩わしさがなくな
った。
【００２９】（２）放射状に着磁した磁石で磁気オフセ
ットをセンサに与えることにより、磁石が１個で済み、
磁石とセンサの相対位置をだし易くなる事により、組立
性が向上し、さらに、センサユニットの大きさを小さく
する事ができた。
ットをセンサに与えることにより、磁石が１個で済み、
磁石とセンサの相対位置をだし易くなる事により、組立
性が向上し、さらに、センサユニットの大きさを小さく
する事ができた。
【００３０】（３）磁気センサに強磁性磁気抵抗素子を
使用することにより、消費電力を小さくでき、磁気レン
ズを使用する必要もない事から、小さなセンサユニット
にする事ができた。
使用することにより、消費電力を小さくでき、磁気レン
ズを使用する必要もない事から、小さなセンサユニット
にする事ができた。
【００３１】（４）基盤の表面に磁気抵抗素子による磁
気センサを構成し、裏面に磁性薄膜によるオフセット用
磁石を形成する事により、非常に小さなセンサユニット
にする事ができた。さらに、フォトリソグラフィの技術
により加工出来ることから、精度よく品質のよいセンサ
ユニットを製造する事ができた。
気センサを構成し、裏面に磁性薄膜によるオフセット用
磁石を形成する事により、非常に小さなセンサユニット
にする事ができた。さらに、フォトリソグラフィの技術
により加工出来ることから、精度よく品質のよいセンサ
ユニットを製造する事ができた。
【００３２】（５）センサの差動増幅回路において、複
数のセンサに対して、スイッチにより切り替えて出力を
得る事により、差動増幅回路を１回路だけにして、簡素
化した事より、回路のコストを下げ、消費電力をさげる
事ができた。
数のセンサに対して、スイッチにより切り替えて出力を
得る事により、差動増幅回路を１回路だけにして、簡素
化した事より、回路のコストを下げ、消費電力をさげる
事ができた。
【図１】本発明の実施例１におけるセンサユニットの正
面図。
面図。
【図２】本発明の実施例１におけるセンサユニットの側
面図。
面図。
【図３】本発明の実施例１におけるセンサユニットの駆
動電気回路図。
動電気回路図。
【図４】本発明の実施例１における各センサ素子の出力
図。
図。
【図５】本発明の実施例１における差動増幅回路の出力
図。
図。
【図６】本発明の実施例１における方位推定方法の説明
図。
図。
【図７】本発明の実施例１における方位推定方法の説明
図。
図。
【図８】本発明の実施例１における方位推定方法の説明
図。
図。
【図９】本発明の実施例１における方位推定方法の説明
図。
図。
【図１０】本発明の実施例２におけるセンサユニットの
正面図。
正面図。
【図１１】本発明の実施例２におけるセンサ素子の説明
図。
図。
【図１２】本発明の実施例２における差動増幅回路のブ
ロック図。
ロック図。
【図１３】本発明の実施例３におけるセンサユニットの
正面図。
正面図。
【図１４】本発明の実施例３におけるセンサユニットの
側面図。
側面図。
【図１５】本発明の実施例４におけるセンサユニットの
正面図。
正面図。
【図１６】本発明の実施例４におけるセンサユニットの
側面図。
側面図。
【図１７】本発明の実施例５におけるセンサユニットの
正面図。
正面図。
【図１８】本発明の実施例５におけるセンサユニットの
側面図。
側面図。
【図１９】本発明の実施例５における方位推定方法の説
明図。
明図。
１，３１，７１ 土台 ２，１４，３２，５４，７２，８２ センサＡ ３，１５，３３，５５，７３，８３ センサＢ ４，１６，３４，５６，７４，８４ センサＣ ５，３５ 磁石Ｄ ６，３６ 磁石Ａ ７，３７ 磁石Ｂ ８，３８ 磁石Ｃ ９，６３ スイッチ制
御回路 １０，１１，１２，１３ オペアン
プ １７，１８ スイッチ １９ 反転素子 ２０，６４ 演算回路 ２１ センサＡ
出力 ２２，２５ センサＢ
出力 ２３，２６ センサＣ
出力 ２４，２７，１０１ 出力電圧 ２５，２８ センサユ
ニット回転角度 ４０ 電源電圧 ４１ グランド ４２ 出力Ａ ４３ 出力Ｂ ４４ 磁気オフ
セットのベクトル ５０，５１，５２，５３ オペアン
プ ５７，５８，５９，６０ スイッチ ６１，６２ スイッチ ６４ 演算回路 ７５ 磁石 ８１ ガラス板 ８５ 磁性薄膜 ９１ 土台 ９２ 磁気セン
サＡ ９３ 磁気セン
サＢ ９４ 磁気セン
サＣ ９５ 磁気セン
サＤ ９６ 磁気セン
サＥ ９７ 磁気セン
サＦ ９８ 磁気セン
サＧ ９９ 磁気セン
サＨ １００ 磁石 １０１ 出力電圧 １０２ センサ記
号
御回路 １０，１１，１２，１３ オペアン
プ １７，１８ スイッチ １９ 反転素子 ２０，６４ 演算回路 ２１ センサＡ
出力 ２２，２５ センサＢ
出力 ２３，２６ センサＣ
出力 ２４，２７，１０１ 出力電圧 ２５，２８ センサユ
ニット回転角度 ４０ 電源電圧 ４１ グランド ４２ 出力Ａ ４３ 出力Ｂ ４４ 磁気オフ
セットのベクトル ５０，５１，５２，５３ オペアン
プ ５７，５８，５９，６０ スイッチ ６１，６２ スイッチ ６４ 演算回路 ７５ 磁石 ８１ ガラス板 ８５ 磁性薄膜 ９１ 土台 ９２ 磁気セン
サＡ ９３ 磁気セン
サＢ ９４ 磁気セン
サＣ ９５ 磁気セン
サＤ ９６ 磁気セン
サＥ ９７ 磁気セン
サＦ ９８ 磁気セン
サＧ ９９ 磁気セン
サＨ １００ 磁石 １０１ 出力電圧 １０２ センサ記
号
Claims (5)
- 【請求項１】 地磁気センサと、該地磁気センサの駆動
回路と、該地磁気センサからの出力信号を演算し方位デ
ータを出力する演算回路と、方位データを表示する表示
部からなる電子方位計において、指向性のある磁気抵抗
素子を２個ある相対角度をもたして配置した地磁気セン
サを１組とし、３組以上の地磁気センサを各々角度を変
えて配置した事を特徴とする電子方位計。 - 【請求項２】 地磁気センサに磁気抵抗素子を使用し、
放射状に着磁した磁石に対し同心円上に複数個のセンサ
を配置したことを特徴とする請求項１記載の電子方位
計。 - 【請求項３】 地磁気センサの駆動回路において複数個
のセンサに対して順次データをサンプリングし、演算す
る回路とした事を特徴とする請求項１記載の電子方位
計。 - 【請求項４】 地磁気センサに強磁性磁気抵抗素子を使
用した事を特徴とする請求項１記載の電子方位計。 - 【請求項５】 基盤の片面に強磁性磁気抵抗素子を配列
した磁気センサの裏面に磁性薄膜を形成した地磁気セン
サを使用した事を特徴とする電子方位計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283172A JPH06129855A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 電子方位計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283172A JPH06129855A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 電子方位計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06129855A true JPH06129855A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17662103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4283172A Pending JPH06129855A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 電子方位計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06129855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831457B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-12-14 | Aichi Micro Intelligent Corporation | Two-dimensional magnetic sensor including magneto-impedance sensor elements |
| US6909368B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-06-21 | Aichi Micro Intelligent Corporation | Magnetic field detection device |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP4283172A patent/JPH06129855A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831457B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-12-14 | Aichi Micro Intelligent Corporation | Two-dimensional magnetic sensor including magneto-impedance sensor elements |
| US6909368B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-06-21 | Aichi Micro Intelligent Corporation | Magnetic field detection device |
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