JPH0612996A - イオンビーム処理方法および装置 - Google Patents
イオンビーム処理方法および装置Info
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- JPH0612996A JPH0612996A JP4172314A JP17231492A JPH0612996A JP H0612996 A JPH0612996 A JP H0612996A JP 4172314 A JP4172314 A JP 4172314A JP 17231492 A JP17231492 A JP 17231492A JP H0612996 A JPH0612996 A JP H0612996A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は適切な放電開始がなされるのに適した
イオンビーム処理技術を提供することにある。 【構成】イオン化室１に導入されるべきガスの種類に応
じた放電開始条件を予め記憶装置２４に記憶しておき、
入出力装置２５を通じてのガスの種類の指定に応答し
て、その指定されたガスの種類に対応して記憶されてい
る放電開始条件を読みだして、この条件下で、指定され
たガスをイオン化室１に導入し、放電を開始させる。
イオンビーム処理技術を提供することにある。 【構成】イオン化室１に導入されるべきガスの種類に応
じた放電開始条件を予め記憶装置２４に記憶しておき、
入出力装置２５を通じてのガスの種類の指定に応答し
て、その指定されたガスの種類に対応して記憶されてい
る放電開始条件を読みだして、この条件下で、指定され
たガスをイオン化室１に導入し、放電を開始させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオンビーム処理方法お
よび装置、特にガスの放電に基づいてイオンビームを生
成し、その生成したイオンビームで試料を処理するイオ
ンビーム処理方法および装置に関する。
よび装置、特にガスの放電に基づいてイオンビームを生
成し、その生成したイオンビームで試料を処理するイオ
ンビーム処理方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガスの放電に基づいてイオンビームを生
成するタイプのイオンビーム発生装置はフィラメントレ
スであることから長寿命であるとともにクリーン化に適
しており、したがって、イオン打込装置やエッチング装
置などの各種半導体製造装置に多用されている。
成するタイプのイオンビーム発生装置はフィラメントレ
スであることから長寿命であるとともにクリーン化に適
しており、したがって、イオン打込装置やエッチング装
置などの各種半導体製造装置に多用されている。
【０００３】この種のイオン発生装置はイオン化室内に
電界と磁界を形成させ、その状態でイオン化室にガスを
流して放電によりプラズマを生成し、このプラズマから
イオンビームを引き出すものである。放電を開始させる
に当たっては一般に電界の強さ，磁界の強さ及びガスの
流量は手動で設定される。しかし、これらの値はイオン
種、したがってガスの種類によって異なり、しかもそれ
らの値は必ずしも明確でないことから、これらの値は実
際には過大に設定される結果になることが多い。
電界と磁界を形成させ、その状態でイオン化室にガスを
流して放電によりプラズマを生成し、このプラズマから
イオンビームを引き出すものである。放電を開始させる
に当たっては一般に電界の強さ，磁界の強さ及びガスの
流量は手動で設定される。しかし、これらの値はイオン
種、したがってガスの種類によって異なり、しかもそれ
らの値は必ずしも明確でないことから、これらの値は実
際には過大に設定される結果になることが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、それらの値が
過大に設定されると次のような問題が生じる。
過大に設定されると次のような問題が生じる。
【０００５】（１）放電開始後の試料処理条件としては
プラズマ密度が過大であり、また、プラズマが不安定と
なることから、過大な設定値を試料処理に適した値に修
正する操作が必要である。
プラズマ密度が過大であり、また、プラズマが不安定と
なることから、過大な設定値を試料処理に適した値に修
正する操作が必要である。
【０００６】（２）過大なガス流量による装置内の汚れ
や異常放電による装置の破壊の問題があり、装置全体の
信頼性を低下させる。
や異常放電による装置の破壊の問題があり、装置全体の
信頼性を低下させる。
【０００７】本発明の目的は適切な放電開始がなされる
のに適したイオンビーム処理方法および装置を提供する
ことにある。
のに適したイオンビーム処理方法および装置を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、イオン
化室に導入されるべきガスの種類に応じた放電開始条件
を予め決定しておき、ガスの種類の指定に応答してその
指定されたガスの種類に対応して予め決定されている放
電開始条件下で指定されたガスをイオン化室に導入して
放電を開始するようにしたものである。
化室に導入されるべきガスの種類に応じた放電開始条件
を予め決定しておき、ガスの種類の指定に応答してその
指定されたガスの種類に対応して予め決定されている放
電開始条件下で指定されたガスをイオン化室に導入して
放電を開始するようにしたものである。
【０００９】
【作用】これによれば、ガスの種類に応じた、必要最小
限度の放電開始条件の設定が可能になることから、過度
の放電の防止が図られて適切な放電開始がなされるよう
になる。
限度の放電開始条件の設定が可能になることから、過度
の放電の防止が図られて適切な放電開始がなされるよう
になる。
【００１０】
【実施例】図６に示されているイオン打ち込み装置の説
明をするに、イオン源１１から放出されたイオンビーム
は磁場１３によって質量分離され、それによって得られ
た特定イオン種のイオンビームはスリット１４を通り、
打ち込み室１５内に配置された半導体ウエハである試料
１６に打ち込まれる。
明をするに、イオン源１１から放出されたイオンビーム
は磁場１３によって質量分離され、それによって得られ
た特定イオン種のイオンビームはスリット１４を通り、
打ち込み室１５内に配置された半導体ウエハである試料
１６に打ち込まれる。
【００１１】イオン源１１の詳細を図１を参照して説明
するに、マイクロ波発生装置２０によって発生されたマ
イクロ波３は導波管４内を通り、誘電体真空シール５を
通してイオン化室１に導かれる。これによって、イオン
化室１内にはマイクロ波電界が形成される。ソレノイド
コイル装置６はイオン化室１内にマイクロ波電界と直交
するように磁界を発生する。この状態でイオン化室１に
ガスを導入すると、その中でマイクロ波放電が起こって
プラズマが生成され、そのプラズマからイオンビームが
引き出される。
するに、マイクロ波発生装置２０によって発生されたマ
イクロ波３は導波管４内を通り、誘電体真空シール５を
通してイオン化室１に導かれる。これによって、イオン
化室１内にはマイクロ波電界が形成される。ソレノイド
コイル装置６はイオン化室１内にマイクロ波電界と直交
するように磁界を発生する。この状態でイオン化室１に
ガスを導入すると、その中でマイクロ波放電が起こって
プラズマが生成され、そのプラズマからイオンビームが
引き出される。
【００１２】ガス源２１には使用されるべき複数種類の
ガス、たとえばアルシンガス，アルゴンガス，窒素ガ
ス，三フッ化ボロン，ホスフインなど、が貯蔵されてい
る。それらのガスのうちの選択されたガスはマスフロー
コントローラ２，蓄積管２２，ストップバルブ７を介し
てイオン化室１に導入される。蓄積管２２へのガスの蓄
積量は、ストップバルブ７を閉じ、マスフローメータ２
で流量が規定された状態でマスフローメータ２を介して
蓄積管２２へガスを流した後ストップバルブ７を開ける
までの時間によって決定される。
ガス、たとえばアルシンガス，アルゴンガス，窒素ガ
ス，三フッ化ボロン，ホスフインなど、が貯蔵されてい
る。それらのガスのうちの選択されたガスはマスフロー
コントローラ２，蓄積管２２，ストップバルブ７を介し
てイオン化室１に導入される。蓄積管２２へのガスの蓄
積量は、ストップバルブ７を閉じ、マスフローメータ２
で流量が規定された状態でマスフローメータ２を介して
蓄積管２２へガスを流した後ストップバルブ７を開ける
までの時間によって決定される。
【００１３】ガスの種類の選択，マスフローコントロー
ラ２およびストップバルブ７の開閉，マイクロ波のパワ
ーすなわちマイクロ波電界や磁界の強さの選択や設定は
コンピュータ２３の指令に基づき駆動および／または制
御装置２６によって行われる。処理条件や放電開始条件
などはコンピュータ２３の記憶装置２４に予め記憶され
ている。
ラ２およびストップバルブ７の開閉，マイクロ波のパワ
ーすなわちマイクロ波電界や磁界の強さの選択や設定は
コンピュータ２３の指令に基づき駆動および／または制
御装置２６によって行われる。処理条件や放電開始条件
などはコンピュータ２３の記憶装置２４に予め記憶され
ている。
【００１４】図２は磁界の強さＢが０.０８Ｔ 、マイク
ロ波のパワーが２００Ｗである場合の、通常の処理工程
で設定されるべきガス流量（ＣＣ／Ｍ）に対する、放電
開始に必要なガス量（蓄積量)(ＣＣ）の関係をガスの種
類毎に示す。三角印の曲線は水素含有アルシンガスの曲
線，丸印の曲線はアルゴンガスの曲線，四角印の曲線は
窒素ガスの曲線である。この図から、ガスの種類と流量
が決まれば、放電開始に必要な最適ガス蓄積量がわか
る。
ロ波のパワーが２００Ｗである場合の、通常の処理工程
で設定されるべきガス流量（ＣＣ／Ｍ）に対する、放電
開始に必要なガス量（蓄積量)(ＣＣ）の関係をガスの種
類毎に示す。三角印の曲線は水素含有アルシンガスの曲
線，丸印の曲線はアルゴンガスの曲線，四角印の曲線は
窒素ガスの曲線である。この図から、ガスの種類と流量
が決まれば、放電開始に必要な最適ガス蓄積量がわか
る。
【００１５】図３は磁界の強さＢが０.０８Ｔ 、マイク
ロ波パワーが２００Ｗである場合の、通常の処理工程で
設定されるべき窒素ガス流量（ＣＣ／Ｍ）に対する、放
電開始に必要なガス蓄積時間（Ｓ）の関係を示す。この
図において、曲線の上側が放電領域、下側が非放電領域
である。窒素ガス流量が決まったならば、ガス蓄積時間
としては放電領域内で曲線すれすれの値を選択すること
が過度のプラズマ生成を防止するのに適当である。
ロ波パワーが２００Ｗである場合の、通常の処理工程で
設定されるべき窒素ガス流量（ＣＣ／Ｍ）に対する、放
電開始に必要なガス蓄積時間（Ｓ）の関係を示す。この
図において、曲線の上側が放電領域、下側が非放電領域
である。窒素ガス流量が決まったならば、ガス蓄積時間
としては放電領域内で曲線すれすれの値を選択すること
が過度のプラズマ生成を防止するのに適当である。
【００１６】図４は磁界の強さが０.０８Ｔ、窒素ガス
流量が２.０ＣＣ／Ｍである場合のマイクロ波パワー
（Ｗ）に対する、放電開始に必要なガス蓄積時間の関係
を示す。曲線の上側が放電領域、下側が非放電領域であ
る。マイクロ波パワーが決まったら、放電領域内で曲線
すれすれのガス蓄積時間を選択することが過度のプラズ
マ生成防止上大事なことである。
流量が２.０ＣＣ／Ｍである場合のマイクロ波パワー
（Ｗ）に対する、放電開始に必要なガス蓄積時間の関係
を示す。曲線の上側が放電領域、下側が非放電領域であ
る。マイクロ波パワーが決まったら、放電領域内で曲線
すれすれのガス蓄積時間を選択することが過度のプラズ
マ生成防止上大事なことである。
【００１７】図５はマイクロ波パワーが３００Ｗ、窒素
ガス流量が３ＣＣ／Ｍである場合の、磁界の強さ（Ｔ）
に対する放電開始に必要なガス蓄積時間（Ｓ）の関係を
示す。パワーを低くすると、曲線が上に平行移動する。
窒素ガス流量が２ＣＣ／Ｍの場合は曲線が１.５ 倍だけ
上に更に平行移動する。
ガス流量が３ＣＣ／Ｍである場合の、磁界の強さ（Ｔ）
に対する放電開始に必要なガス蓄積時間（Ｓ）の関係を
示す。パワーを低くすると、曲線が上に平行移動する。
窒素ガス流量が２ＣＣ／Ｍの場合は曲線が１.５ 倍だけ
上に更に平行移動する。
【００１８】コンピュータ２３の記憶装置２４には試料
処理のために要求されるガスの種類（したがってイオン
種）やガスの流量，マイクロ波パワー，マイクロ波電界
の強さ及び磁界の強さが予め記憶されている。又、放電
開始に必要な、ガスの種類毎のガス量テーブルが記憶さ
れている。このテーブルは磁界の強さ及び電界の強さ毎
のガス量であってよい。
処理のために要求されるガスの種類（したがってイオン
種）やガスの流量，マイクロ波パワー，マイクロ波電界
の強さ及び磁界の強さが予め記憶されている。又、放電
開始に必要な、ガスの種類毎のガス量テーブルが記憶さ
れている。このテーブルは磁界の強さ及び電界の強さ毎
のガス量であってよい。
【００１９】動作を説明するに、入出力装置２５から試
料処理のための条件としてガスの種類（イオン種），ガ
スの流量，マイクロ波パワー，マイクロ波電界の強さ，
磁界の強さがキーインされる（図７Ａ）。このキーイン
によって、ガスが選択されるとともにこれに対応した、
放電開始に最適なガス量が記憶装置２４から読みだされ
る（図７Ｂ）。これに基づき、コンピュータ２３は放電
開始に最適な蓄積時間を計算する（図７Ｃ）。コンピュ
ータ２３の指令により駆動及び／又は制御装置２６は蓄
積管２２内にガスを計算された時間だけ導入して放電開
始に最適な量だけ蓄積するようにストップバルブ７及び
マスフローコントローラ２の開閉を制御する（図７
Ｄ）。コンピュータ２３は蓄積時間後にストップバルブ
７を開き、それによって、蓄積されたガスはイオン化室
１に導入され(図７Ｅ)、放電が開始される(図７Ｆ)。放
電開始後は定常状態となって最初にキーインにより設定
された流量のガスが継続的にイオン化室１に導入され、
試料処理がなされる(図７Ｇ)。図８は本発明にもとづく
もう一つの実施例を示す。イオン化室１へ導入するガス
はマスフローコントローラ２によって制御されている。
イオン化室１にマイクロ波電界を形成するために導波管
４と真空シールプレート５が設けられている。６は磁場
形成用のソレノイドコイル６である。イオン化室１のガ
ス圧力を瞬間的に上げる手段としてイオン化室１へ導入
する２本のガスパイプ８，９を用い、点火すなわち放電
開始に必要なガス圧力はパイプ９の高圧ガス側のバルブ
７を短時間だけ開けることで実現している。点火後はパ
イプ９のバルブ７を閉じ試料処理条件に合ったガス流量
をパイプ８のマスフローコントローラ２で制御する。
料処理のための条件としてガスの種類（イオン種），ガ
スの流量，マイクロ波パワー，マイクロ波電界の強さ，
磁界の強さがキーインされる（図７Ａ）。このキーイン
によって、ガスが選択されるとともにこれに対応した、
放電開始に最適なガス量が記憶装置２４から読みだされ
る（図７Ｂ）。これに基づき、コンピュータ２３は放電
開始に最適な蓄積時間を計算する（図７Ｃ）。コンピュ
ータ２３の指令により駆動及び／又は制御装置２６は蓄
積管２２内にガスを計算された時間だけ導入して放電開
始に最適な量だけ蓄積するようにストップバルブ７及び
マスフローコントローラ２の開閉を制御する（図７
Ｄ）。コンピュータ２３は蓄積時間後にストップバルブ
７を開き、それによって、蓄積されたガスはイオン化室
１に導入され(図７Ｅ)、放電が開始される(図７Ｆ)。放
電開始後は定常状態となって最初にキーインにより設定
された流量のガスが継続的にイオン化室１に導入され、
試料処理がなされる(図７Ｇ)。図８は本発明にもとづく
もう一つの実施例を示す。イオン化室１へ導入するガス
はマスフローコントローラ２によって制御されている。
イオン化室１にマイクロ波電界を形成するために導波管
４と真空シールプレート５が設けられている。６は磁場
形成用のソレノイドコイル６である。イオン化室１のガ
ス圧力を瞬間的に上げる手段としてイオン化室１へ導入
する２本のガスパイプ８，９を用い、点火すなわち放電
開始に必要なガス圧力はパイプ９の高圧ガス側のバルブ
７を短時間だけ開けることで実現している。点火後はパ
イプ９のバルブ７を閉じ試料処理条件に合ったガス流量
をパイプ８のマスフローコントローラ２で制御する。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、適切な放電開始がなさ
れるのに適したイオンビーム処理方法および装置が提供
される。
れるのに適したイオンビーム処理方法および装置が提供
される。
【図１】本発明にもとづく一実施例のイオンビーム処理
装置の要部の、一部を概略的に示す斜視図。
装置の要部の、一部を概略的に示す斜視図。
【図２】本発明の理解を助けるためのガス流量対ガス量
の関係を示すデータ。
の関係を示すデータ。
【図３】本発明の理解を助けるための窒素ガス流量に対
するガス蓄積時間の関係を示す図。
するガス蓄積時間の関係を示す図。
【図４】本発明の理解を助けるためのマイクロ波パワー
に対するガス蓄積量の関係を示す図。
に対するガス蓄積量の関係を示す図。
【図５】本発明の理解を助けるための磁界の強さに対す
るガス蓄積量の関係を示す図。
るガス蓄積量の関係を示す図。
【図６】本発明にもとづく一実施例を示すイオンビーム
処理装置の概念図。
処理装置の概念図。
【図７】本発明の動作を説明すろためのフロー図。
【図８】本発明にもとづくもう一つの実施例を示すイオ
ンビーム処理装置の要部の断面図。
ンビーム処理装置の要部の断面図。
１…イオン化室、２…マスフローコントローラ、４…導
波管、５…誘電体真空シール、６…ソレノイドコイル装
置、７…ストップバルブ、８，９…パイプ、１３…質量
分離器（磁場）、１６…試料、２１…ガス源、２２…蓄
積管、２３…コンピュータ、２４…記憶装置、２５…入
出力装置、２６…駆動および／または制御装置。
波管、５…誘電体真空シール、６…ソレノイドコイル装
置、７…ストップバルブ、８，９…パイプ、１３…質量
分離器（磁場）、１６…試料、２１…ガス源、２２…蓄
積管、２３…コンピュータ、２４…記憶装置、２５…入
出力装置、２６…駆動および／または制御装置。
Claims (19)
- 【請求項１】イオン化室にガスを導入して放電によりそ
のガスのプラズマを生成し、その生成されたプラズマか
らイオンビームを引き出してその引き出されたイオンビ
ームにより試料を処理するイオンビーム処理装置であっ
て、前記イオン化室に導入されるべきガスの種類に応じ
た放電開始条件を予め記憶しておく手段と、前記イオン
化室に導入されるべきガスの種類を指定する手段とを備
え、その指定に応答してその指定されたガスの種類に対
応して記憶されている放電開始条件を前記記憶手段から
読みだし、その読みだされた放電開始条件下で前記放電
を開始するようにしたことを特徴とするイオンビーム処
理装置。 - 【請求項２】イオンビームを発生する手段と、その発生
したイオンビームで試料を処理する手段とを備え、前記
イオンビーム発生手段はイオン化室と、このイオン化室
に導入されるべきガスの種類に応じた放電開始条件を予
め記憶しておく手段と、前記イオン化室に導入されるべ
きガスの種類を指定する手段と、その指定に応答してそ
の指定されたガスの種類に対応して記憶されている放電
開始条件を前記記憶手段から読みだし、その読みだされ
た放電開始条件下で前記イオン化室内で放電を開始させ
て前記指定されたガスのプラズマを生成し、その生成さ
れたプラズマから前記イオンビームを引き出す手段とを
備えているイオンビーム処理装置。 - 【請求項３】前記イオン化室内に電界および磁界を形成
する手段を備えていることを特徴とする請求項１または
２に記載されたイオンビーム処理装置。 - 【請求項４】前記放電開始条件は前記電界の強さ、前記
磁界の強さおよび前記ガスの量によって決定されること
を特徴とする請求項３に記載されたイオンビーム処理装
置。 - 【請求項５】前記イオン化室に導入されるべきガスを蓄
積する手段と、この蓄積手段へのガスの蓄積量を制御す
る手段とを備え、前記ガス蓄積手段に蓄積されたガスを
前記イオン化室に導入することを特徴とする請求項４に
記載されたイオンビーム処理装置。 - 【請求項６】前記蓄積手段は第１のバルブ，流量を規定
する第２のバルブ及びそれらのバルブの間に介在された
蓄積管を含んでいる請求項５に記載されたイオンビーム
処理装置。 - 【請求項７】前記蓄積量制御手段は前記蓄積量を、前記
第１のバルブを閉じ、前記第２のバルブで流量が規定さ
れた状態でこの第２のバルブを介して前記蓄積管へガス
を流した後前記第１のバルブを開けるまでの時間によっ
て決定するように構成されていることを特徴とする請求
項６に記載されたイオンビーム処理装置。 - 【請求項８】イオン化室にガスを導入して放電によりそ
のガスのプラズマを生成し、その生成されたプラズマか
らイオンビームを引き出すイオンビーム発生装置であっ
て、前記イオン化室に導入されるべきガスの種類に応じ
た放電開始条件を予め記憶しておく手段と、前記イオン
化室に導入されるべきガスの種類を指定する手段とを備
え、その指定に応答してその指定されたガスの種類に対
応して記憶されている放電開始条件を前記記憶手段から
読みだし、その読みだされた放電開始条件下で前記放電
を開始するようにしたことを特徴とするイオンビーム発
生装置。 - 【請求項９】イオン化室と、このイオン化室に導入され
るべきガスの種類に応じた放電開始条件を予め記憶して
おく手段と、前記イオン化室に導入されるべきガスの種
類を指定する手段と、その指定に応答してその指定され
たガスの種類に対応して記憶されている放電開始条件を
前記記憶手段から読みだし、その読みだされた放電開始
条件下で前記イオン化室内で放電を開始させて前記指定
されたガスのプラズマを生成し、その生成されたプラズ
マからイオンビームを引き出す手段とを備えているイオ
ンビーム発生装置。 - 【請求項１０】前記イオン化室内に電界および磁界を形
成する手段を備えていることを特徴とする請求項８また
は９に記載されたイオンビーム発生装置。 - 【請求項１１】前記放電開始条件は前記電界の強さ、前
記磁界の強さおよび前記ガスの量によって決定されるこ
とを特徴とする請求項１０に記載されたイオンビーム発
生装置。 - 【請求項１２】前記イオン化室に導入されるべきガスを
蓄積する手段と、この蓄積手段へのガスの蓄積量を制御
する手段とを備え、前記ガス蓄積手段に蓄積されたガス
を前記イオン化室に導入することを特徴とする請求項１
１に記載されたイオンビーム発生装置。 - 【請求項１３】前記蓄積手段は第１のバルブ，流量を規
定する第２のバルブ及びそれらのバルブの間に介在され
た蓄積管を含んでいる請求項１２に記載されたイオンビ
ーム発生装置。 - 【請求項１４】前記蓄積量制御手段は前記蓄積量を、前
記第１のバルブを閉じ、前記第２のバルブで流量が規定
された状態でこの第２のバルブを介して前記蓄積管へガ
スを流した後前記第１のバルブを開けるまでの時間によ
って決定するように構成されていることを特徴とする請
求項１３に記載されたイオンビーム発生装置。 - 【請求項１５】イオン化室にガスを導入し、電界および
磁界の存在下で放電により前記イオン化室内で前記ガス
のプラズマを生成し、そのプラズマからイオンビームを
引き出してその引き出されたイオンビームで試料を処理
するイオンビーム処理方法であって、前記ガスの種類お
よび流量並びに前記電界および磁界の強さによって定め
られる前記試料の処理条件毎に前記放電の開始に適した
ガス量を予め決定しておき、前記処理条件の指定に応答
してその指定された処理条件に対応して予め定められて
ある前記放電の開始に適したガス量だけ指定されたガス
を前記イオン化室に導入して前記指定された処理条件下
で前記放電を開始することを特徴とするイオンビーム処
理方法。 - 【請求項１６】イオン化室にガスを導入し、電界および
磁界の存在下で放電により前記イオン化室内で前記ガス
のプラズマを生成し、そのプラズマからイオンビームを
引き出してその引き出されたイオンビームで試料を処理
するイオンビーム処理方法であって、前記ガスの種類お
よび流量並びに前記電界および磁界の強さによって定め
られる前記試料の処理条件毎に前記放電の開始に適した
ガス量を予め記憶装置に記憶しておき、前記処理条件の
指定に応答してその指定された処理条件に対応して記憶
されてある前記放電の開始に適したガス量を前記記憶装
置から読みだし、その読みだされたガス量だけ指定され
たガスを前記イオン化室に導入して前記指定された処理
条件下で前記放電を開始することを特徴とするイオンビ
ーム処理方法。 - 【請求項１７】イオン化室にガスを導入し、電界および
磁界の存在下で放電により前記イオン化室内で前記ガス
のプラズマを生成し、そのプラズマからイオンビームを
引き出してその引き出されたイオンビームで試料を処理
するイオンビーム処理方法であって、前記ガスの種類お
よび流量並びに前記電界および磁界の強さによって定め
られる前記試料の処理条件毎に前記放電の開始に適した
ガス量を予め記憶装置に記憶しておき、前記処理条件の
指定に応答してその指定された処理条件に対応して記憶
されてある前記放電の開始に適したガス量を前記記憶装
置から読みだし、その読みだされたガス量を指定された
ガスの流量で割算して得られる蓄積時間だけ指定された
ガスを蓄積装置に蓄積し、その蓄積されたガスを前記イ
オン化室に導入して前記指定された処理条件下で前記放
電を開始することを特徴とするイオンビーム処理方法。 - 【請求項１８】放電に基づきイオンビームを発生する手
段と、その発生したイオンビームで試料を処理する手段
とを備え、前記イオンビーム発生手段はイオン化室と、
このイオン化室内に電界および磁界を形成する手段と、
前記イオン化室にガスを導入する手段と、前記ガスの種
類および流量並びに前記電界および磁界の強さによって
決定される前記試料の処理条件毎に前記放電の開始に適
したガス量を予め記憶しておく手段と、前記処理条件を
指定する手段と、その指定に応答してその指定された処
理条件に対応して予め記憶されてある前記放電の開始に
適したガス量を前記記憶手段から読みだし、その読みだ
されたガス量だけ指定されたガスを前記ガス導入手段か
ら前記イオン化室に導入して前記指定された処理条件下
で前記放電を開始する手段とを備えているイオンビーム
処理装置。 - 【請求項１９】放電に基づきイオンビームを発生する手
段と、その発生したイオンビームで試料を処理する手段
とを備え、前記イオンビーム発生手段はイオン化室と、
このイオン化室内に電界および磁界を形成する手段と、
ガスを蓄積する手段と、そのガスの種類および流量並び
に前記電界および磁界の強さによって決定される前記試
料の処理条件ごとに前記放電の開始に適したガス量を予
め記憶しておく手段と、前記処理条件を指定する手段
と、その指定に応答してその指定された処理条件に対応
して予め記憶されてある前記放電の開始に適したガス量
を前記記憶手段から読みだし、その読みだされたガス量
を指定されたガスの流量で割算して蓄積時間を求め、そ
の求められた蓄積時間の間指定されたガスを前記蓄積手
段に蓄積し、その蓄積されたガスを前記イオン化室に導
入して前記指定された処理条件下で前記放電を開始する
手段とを備えているイオンビーム処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4172314A JP2882188B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | イオンビーム処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4172314A JP2882188B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | イオンビーム処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0612996A true JPH0612996A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2882188B2 JP2882188B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=15939622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4172314A Expired - Fee Related JP2882188B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | イオンビーム処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882188B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270039A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corp | イオン源、イオンビーム加工・観察装置、及び試料断面観察方法 |
| JP2009140762A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波イオン源装置 |
| JP2012164674A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム加工・観察装置 |
| JP2014502409A (ja) * | 2010-11-17 | 2014-01-30 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | ゲルマニウムおよびホウ素イオン注入のための複合ガスの利用（ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ） |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435843A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Tokyo Electron Ltd | Ion implanter |
| JPH0256833A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置の制御方法 |
| JPH03257747A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Hitachi Ltd | イオン源 |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4172314A patent/JP2882188B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| JP2012164674A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム加工・観察装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2882188B2 (ja) | 1999-04-12 |
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