JPH0613020A - 二次電子増倍装置用半導体磁器組成物 - Google Patents
二次電子増倍装置用半導体磁器組成物Info
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- JPH0613020A JPH0613020A JP16744092A JP16744092A JPH0613020A JP H0613020 A JPH0613020 A JP H0613020A JP 16744092 A JP16744092 A JP 16744092A JP 16744092 A JP16744092 A JP 16744092A JP H0613020 A JPH0613020 A JP H0613020A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】二次電子放出係数（δ）が大きく、かつ、フラ
ットもしくは正の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成
物を得、もって抵抗値を小さくしても発熱による熱暴走
の恐れのない動作の安定な二次電子増倍装置を得るこ
と。 【構成】酸化亜鉛及び酸化チタンからなる主成分に酸化
ニッケルを所定量添加し、酸化亜鉛５５〜８０モル％、
酸化チタン１２〜３０モル％、酸化ニッケル０．２〜２
０モル％からなる組成とする。
ットもしくは正の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成
物を得、もって抵抗値を小さくしても発熱による熱暴走
の恐れのない動作の安定な二次電子増倍装置を得るこ
と。 【構成】酸化亜鉛及び酸化チタンからなる主成分に酸化
ニッケルを所定量添加し、酸化亜鉛５５〜８０モル％、
酸化チタン１２〜３０モル％、酸化ニッケル０．２〜２
０モル％からなる組成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は二次電子増倍装置用半導
体磁器組成物に関する。
体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体磁器を用いた二次電子増倍
装置としては、例えば、円筒状半導体磁器の必要箇所に
電極を設けたもの（特公昭４８−１８０２６号公報）、
板状半導体磁器の両端に電極を設け、両電極に垂直に複
数個の孔を設けたもの（特公昭４８−１８０２９号公
報）、及び同一長の筒を複数個束ねたもの（特公昭４８
−１８０３０号公報）などが提案されているが、その材
料としてチタン酸亜鉛系半導体磁器が採用されている。
装置としては、例えば、円筒状半導体磁器の必要箇所に
電極を設けたもの（特公昭４８−１８０２６号公報）、
板状半導体磁器の両端に電極を設け、両電極に垂直に複
数個の孔を設けたもの（特公昭４８−１８０２９号公
報）、及び同一長の筒を複数個束ねたもの（特公昭４８
−１８０３０号公報）などが提案されているが、その材
料としてチタン酸亜鉛系半導体磁器が採用されている。
【０００３】このチタン酸亜鉛系半導体磁器の具体的な
組成としては、ＺnＯ７２.５モル％及びＴiＯ2２７.５
モル％からなる半導体磁器、およびＺnＯ７２.５モル
％、ＴiＯ2２７.５モル％、Ａl2Ｏ3１.２５モル％から
なる半導体磁器が示され、前者の材料では抵抗率が８×
１０6Ω・cmのものが、また、後者の材料では抵抗率が
２．８×１０6Ω・cmのものが得られるとしている。
組成としては、ＺnＯ７２.５モル％及びＴiＯ2２７.５
モル％からなる半導体磁器、およびＺnＯ７２.５モル
％、ＴiＯ2２７.５モル％、Ａl2Ｏ3１.２５モル％から
なる半導体磁器が示され、前者の材料では抵抗率が８×
１０6Ω・cmのものが、また、後者の材料では抵抗率が
２．８×１０6Ω・cmのものが得られるとしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記チ
タン酸亜鉛系半導体磁器は、二次電子増倍管を主として
極微量の荷電粒子の検出を目的とする限りにおいては十
分適用できるが、近年、使用環境が過酷になり、極微量
から大きな入射電流の検出までを１本の検出器で行うこ
とが要求され、二次電子増倍管に入射電流と出力電流と
の比例性つまりダイナミックレンジの広いことが要求さ
れるようになってきたため、その使用範囲が限定されて
しまうという問題があった。即ち、一般に、チャネルタ
イプの二次電子増倍管では入射電流に対しリニアに取り
出せる出力電流量は、素子を流れる電流、即ち、素子電
流の１０％であると言われている。このため出力電流を
大きくするには素子電流を大きくする必要があるが、前
記チタン酸亜鉛系半導体磁器は、負の抵抗温度係数を有
することから、ダイナミックレンジを大きくするため抵
抗値を大幅に下げると、発熱して抵抗値が低下し、それ
によって更に発熱して一段と抵抗値の低下を招くという
悪循環を繰り返し、ついにはいわゆる熱暴走を起こし高
電圧を保持出来なくなる恐れがあり、ダイナミックレン
ジの拡大には限界があり、使用範囲が限定されてしまう
という問題があった。
タン酸亜鉛系半導体磁器は、二次電子増倍管を主として
極微量の荷電粒子の検出を目的とする限りにおいては十
分適用できるが、近年、使用環境が過酷になり、極微量
から大きな入射電流の検出までを１本の検出器で行うこ
とが要求され、二次電子増倍管に入射電流と出力電流と
の比例性つまりダイナミックレンジの広いことが要求さ
れるようになってきたため、その使用範囲が限定されて
しまうという問題があった。即ち、一般に、チャネルタ
イプの二次電子増倍管では入射電流に対しリニアに取り
出せる出力電流量は、素子を流れる電流、即ち、素子電
流の１０％であると言われている。このため出力電流を
大きくするには素子電流を大きくする必要があるが、前
記チタン酸亜鉛系半導体磁器は、負の抵抗温度係数を有
することから、ダイナミックレンジを大きくするため抵
抗値を大幅に下げると、発熱して抵抗値が低下し、それ
によって更に発熱して一段と抵抗値の低下を招くという
悪循環を繰り返し、ついにはいわゆる熱暴走を起こし高
電圧を保持出来なくなる恐れがあり、ダイナミックレン
ジの拡大には限界があり、使用範囲が限定されてしまう
という問題があった。
【０００５】従って、この発明は、二次電子放出係数
（δ）が大きく、かつ、フラットもしくは正の抵抗温度
特性を有する半導体磁器組成物を得、もって抵抗値を小
さくしても発熱による熱暴走の恐れのない動作の安定な
二次電子増倍装置を得ることを目的とする。
（δ）が大きく、かつ、フラットもしくは正の抵抗温度
特性を有する半導体磁器組成物を得、もって抵抗値を小
さくしても発熱による熱暴走の恐れのない動作の安定な
二次電子増倍装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記課題を
解決するための手段として、酸化亜鉛及び酸化チタンか
らなる主成分に酸化ニッケルを所定量添加し、酸化亜鉛
５５〜８０モル％、酸化チタン１２〜３０モル％、酸化
ニッケル０．２〜２０モル％からなる組成とするように
したものである。
解決するための手段として、酸化亜鉛及び酸化チタンか
らなる主成分に酸化ニッケルを所定量添加し、酸化亜鉛
５５〜８０モル％、酸化チタン１２〜３０モル％、酸化
ニッケル０．２〜２０モル％からなる組成とするように
したものである。
【０００７】
【作用】酸化亜鉛−酸化チタン系半導体磁器に酸化ニッ
ケルを添加すると、比抵抗及び利得が増大するだけでな
く、零若しくは正の抵抗温度係数を示すようになり、素
子の抵抗値を大幅に下げても熱暴走を起こさず高真空中
での動作が安定する。本発明に係る半導体磁器組成物を
前記組成範囲に限定した理由は、酸化ニッケルの添加量
が０．２モル％未満ではその添加効果が十分に得られ
ず、２０モル％を越えると、比抵抗が低下するからであ
る。
ケルを添加すると、比抵抗及び利得が増大するだけでな
く、零若しくは正の抵抗温度係数を示すようになり、素
子の抵抗値を大幅に下げても熱暴走を起こさず高真空中
での動作が安定する。本発明に係る半導体磁器組成物を
前記組成範囲に限定した理由は、酸化ニッケルの添加量
が０．２モル％未満ではその添加効果が十分に得られ
ず、２０モル％を越えると、比抵抗が低下するからであ
る。
【０００８】以下、本発明の実施例について説明する。
【０００９】
【実施例】原料として、酸化亜鉛、酸化ニッケル及び酸
化チタンの各粉末を用い、これらを表１に示す組成比率
の半導体磁器が得られるように配合した。得られた混合
物をポリエチレンで内貼りしたポットミルにめのう玉
石、純水と共に入れて、２０時間湿式粉砕、混合した
後、脱水、乾燥して５０〜２００メッシュに粉砕、整粒
した。
化チタンの各粉末を用い、これらを表１に示す組成比率
の半導体磁器が得られるように配合した。得られた混合
物をポリエチレンで内貼りしたポットミルにめのう玉
石、純水と共に入れて、２０時間湿式粉砕、混合した
後、脱水、乾燥して５０〜２００メッシュに粉砕、整粒
した。
【００１０】得られた各粉末に小麦粉糊とパラフィンか
らなるバインダーを加えて可塑物とし、これを押出成形
して管状の成形体を得た。この成形物をアルミナ匣に敷
いた共生地原料の上に並べ、電気炉を用いて自然雰囲気
中、表１に示す温度で約１時間焼成し、外径２.０ｍ
ｍ、内径１.０ｍｍ、長さ５０.０ｍｍの筒状の半導体磁
器試料を得た。
らなるバインダーを加えて可塑物とし、これを押出成形
して管状の成形体を得た。この成形物をアルミナ匣に敷
いた共生地原料の上に並べ、電気炉を用いて自然雰囲気
中、表１に示す温度で約１時間焼成し、外径２.０ｍ
ｍ、内径１.０ｍｍ、長さ５０.０ｍｍの筒状の半導体磁
器試料を得た。
【００１１】得られた試料について、比抵抗、増倍利
得、抵抗温度特性を測定した。その結果を表１に示す。
なお、比抵抗は、室温で３０Ｖ／ｍｍの電圧を印加して
常温での比抵抗を求めた。
得、抵抗温度特性を測定した。その結果を表１に示す。
なお、比抵抗は、室温で３０Ｖ／ｍｍの電圧を印加して
常温での比抵抗を求めた。
【００１２】また、増倍利得については、図１に示す実
験回路を用い、点線で囲んだように、筒状半導体磁器１
の両端に形成された電極２，３に接続された直流電源
４、フィラメント５を加熱するフィラメント電源６、電
子加速用電源７、コレクタ８に接続されたコレクタ電源
９、及び電子計数器１０を除き、すべて真空中に設置
し、真空度を１．０×１０-6Torrとした後、直流電源を
３ｋＶ、電子加速用電源７を２００Ｖとし、フィラメン
ト５より放出させた電子を筒状半導体磁器１の入射口か
ら導入して、筒内の壁面に衝突させて増倍し、増倍電子
をコレクタ８で受けて、パルス数を電子計数器１０で計
数して二次電子増倍利得を測定した。
験回路を用い、点線で囲んだように、筒状半導体磁器１
の両端に形成された電極２，３に接続された直流電源
４、フィラメント５を加熱するフィラメント電源６、電
子加速用電源７、コレクタ８に接続されたコレクタ電源
９、及び電子計数器１０を除き、すべて真空中に設置
し、真空度を１．０×１０-6Torrとした後、直流電源を
３ｋＶ、電子加速用電源７を２００Ｖとし、フィラメン
ト５より放出させた電子を筒状半導体磁器１の入射口か
ら導入して、筒内の壁面に衝突させて増倍し、増倍電子
をコレクタ８で受けて、パルス数を電子計数器１０で計
数して二次電子増倍利得を測定した。
【００１３】抵抗値の温度特性は、試料を恒温槽内に設
置し、常温から順次１０℃づつ温度を上げてゆき各温度
で３０Ｖ／ｍｍの電圧を印加して測定を行い、温度変化
に対する抵抗値の変化を温度の関数として図９に示す様
にプロットし、抵抗値が温度の上昇とともに増加するも
のを（ａ）、ほぼフラットになるものを（ｂ）、減少す
るものを（ｃ）として表１に示した。
置し、常温から順次１０℃づつ温度を上げてゆき各温度
で３０Ｖ／ｍｍの電圧を印加して測定を行い、温度変化
に対する抵抗値の変化を温度の関数として図９に示す様
にプロットし、抵抗値が温度の上昇とともに増加するも
のを（ａ）、ほぼフラットになるものを（ｂ）、減少す
るものを（ｃ）として表１に示した。
【００１４】
【表１】 主成分（モル％） 焼成温度 比抵抗 利得 特性 No. ＺnＯ ＴiＯ2 ＮiＯ ℃ （Ω・cm） at 3KV 曲線 １ ７４ ２６ ０ １３８０ 2.8×105 2.0×106 ｃ ２ ５５ ３１ １４ １３３０ ∞ ３ ５５ ２８ １７ １３３０ 6.3×108 2.5×108 ａ ４ ５５ ２５ ２０ １３２０ 3.8×108 3.3×106 ａ ５ ６０ ３２ ８ １３６０ ∞ ６ ６０ ２９ １１ １３６０ 1.5×109 2.1×106 ａ ７ ６０ ２６ １４ １３２０ 7.7×108 2.8×106 ａ ８ ６０ ２３ １７ １３２０ 3.4×108 3.1×106 ａ ９ ６０ ２０ ２０ １３２０ 9.2×107 3.0×106 ａ １０ ６０ １７ ２３ １３００ 4.6×107 3.2×106 ａ １１ ６５ ３２ ３ １３６０ ∞ １２ ６５ ３０ ５ １３６０ 1.1×109 1.5×106 ｂ １３ ６５ ２７ ８ １３６０ 8.7×108 2.4×106 ｂ １４ ６５ ２４ １１ １３６０ 1.3×108 3.2×106 ａ １５ ６５ ２１ １４ １３２０ 2.4×107 2.8×106 ａ １６ ６５ １８ １７ １３２０ 6.7×106 2.4×106 ａ １７ ６５ １５ ２０ １３２０ 4.0×105 3.6×106 ａ １８ ６５ １２ ２３ １３００ 3.8×104 3.2×106 ａ １９ ７０ ２７ ３ １３６０ 3.6×104 1.0×106 ｂ ２０ ７０ ２５ ５ １３６０ 8.7×107 2.1×106 ｂ ２１ ７０ ２２ ８ １３６０ 2.5×107 3.0×106 ｂ ２２ ７０ １９ １１ １３２０ 8.9×106 3.2×106 ａ ２３ ７０ １６ １４ １３２０ 1.5×106 4.5×106 ａ ２４ ７０ １３ １７ １３２０ 9.6×106 3.8×106 ａ ２５ ７０ １０ ２０ １３２０ 印加不能 ２６ ７５ ２１.９ ０.１ １３６０ 7.6×107 1.8×106 ａ ２７ ７５ ２１.８ ０.２ １３６０ 8.7×107 1.4×106 ａ ２８ ７５ ２２ ３ １３６０ 9.0×107 2.6×106 ｂ ２９ ７５ ２０ ５ １３６０ 4.3×107 3.1×106 ｂ ３０ ７５ １７ ８ １３６０ 1.2×107 2.8×106 ｂ ３１ ７５ １４ １１ １３２０ 8.9×106 4.2×106 ａ ３２ ７５ １１ １４ １３２０ 1.0×104 5.3×106 ａ ３３ ７５ ８ １７ １３２０ 印加不能 ３４ ８０ １７ ３ １３６０ 8.7×105 9.5×105 ｂ３５ ８０ １５ ５ １３６０ 3.3×105 2.8×106 ｂ
【００１５】表１の結果から明らかなように、この発明
にかかる二次電子増倍装置用半導体磁器組成物は、広い
範囲に渡り抵抗値が温度変化に対してフラットもしくは
正であり、その上高利得を示し、高真空中でダイナミッ
クレンジが広く動作の安定な二次電子増倍管の製造を可
能にしている。
にかかる二次電子増倍装置用半導体磁器組成物は、広い
範囲に渡り抵抗値が温度変化に対してフラットもしくは
正であり、その上高利得を示し、高真空中でダイナミッ
クレンジが広く動作の安定な二次電子増倍管の製造を可
能にしている。
【００１６】なお、前記実施例では、原料として酸化物
を用いたが、焼成により酸化物となるものであれば、炭
酸塩、水酸化物、硝酸塩、塩化物などの無機化合物、カ
ルボン酸塩、アルコキシドなどの有機化合物を用いても
よい。また、酸化ニッケルは必ずしも原料粉末に添加す
る必要は無く、酸化亜鉛と酸化チタンとの混合粉末に焼
成して得た所定形状の半導体磁器に、熱処理により酸化
ニッケルとなるニッケル化合物の溶液を浸漬その他の手
段により含浸させ、その後熱処理してもよい。
を用いたが、焼成により酸化物となるものであれば、炭
酸塩、水酸化物、硝酸塩、塩化物などの無機化合物、カ
ルボン酸塩、アルコキシドなどの有機化合物を用いても
よい。また、酸化ニッケルは必ずしも原料粉末に添加す
る必要は無く、酸化亜鉛と酸化チタンとの混合粉末に焼
成して得た所定形状の半導体磁器に、熱処理により酸化
ニッケルとなるニッケル化合物の溶液を浸漬その他の手
段により含浸させ、その後熱処理してもよい。
【００１７】また、二次電子増倍装置の構造としては、
図１に示す円筒状に限定されるものでは無く、図２〜図
８に示す構造としてもよい。
図１に示す円筒状に限定されるものでは無く、図２〜図
８に示す構造としてもよい。
【００１８】図２に示す二次電子増倍装置は、両端に電
極２１、２２を形成した２枚の平板状半導体磁器２０を
平行状に配置して連続通路を２３を形成したものであ
る。平板２０の外面は絶縁されていてもよいが、内面は
全部又は部分的に平板２０の一端から他端にかけて露出
している。なお、電極は平板の両端のみならず、必要に
より平板２０の途中の所要個所に複数形成しても良く、
これによりさらに増倍能率を向上させることができる。
極２１、２２を形成した２枚の平板状半導体磁器２０を
平行状に配置して連続通路を２３を形成したものであ
る。平板２０の外面は絶縁されていてもよいが、内面は
全部又は部分的に平板２０の一端から他端にかけて露出
している。なお、電極は平板の両端のみならず、必要に
より平板２０の途中の所要個所に複数形成しても良く、
これによりさらに増倍能率を向上させることができる。
【００１９】図３に示す二次電子増倍装置は、二次電子
増倍能を有する半導体磁器を円筒状に形成し、両端に電
極３１，３２を形成した単位筒３０を複数本束ねたもの
である。この場合、筒３０全体が二次電子増倍能を有す
る半導体磁器で構成されているため、筒３０の内面およ
び外面とも二次電子増倍能を有しており、筒３０の連続
通路３３の内面のみならず、相隣接する筒３０の間に生
ずる間隙３４も二次電子増倍面として利用することがで
きる。
増倍能を有する半導体磁器を円筒状に形成し、両端に電
極３１，３２を形成した単位筒３０を複数本束ねたもの
である。この場合、筒３０全体が二次電子増倍能を有す
る半導体磁器で構成されているため、筒３０の内面およ
び外面とも二次電子増倍能を有しており、筒３０の連続
通路３３の内面のみならず、相隣接する筒３０の間に生
ずる間隙３４も二次電子増倍面として利用することがで
きる。
【００２０】図４に示す二次電子増倍装置は、半導体磁
器からなる三角柱状中空体４０をピラミッド形に複数個
束ねたもので、両端に電極４１、４２を形成したもので
ある。この構造によれば、図３のものと同様に、三角柱
状中空体４０の連続通路４３の内面のみならず、相隣接
する複数個の中空体４０の間に生じる間隙４４をも二次
電子増倍面として利用できる。
器からなる三角柱状中空体４０をピラミッド形に複数個
束ねたもので、両端に電極４１、４２を形成したもので
ある。この構造によれば、図３のものと同様に、三角柱
状中空体４０の連続通路４３の内面のみならず、相隣接
する複数個の中空体４０の間に生じる間隙４４をも二次
電子増倍面として利用できる。
【００２１】図５に示す二次電子増倍装置は、複数の筒
状半導体磁器５０を捩り合せて構成したもので、両端に
は電極５１、５２が形成されている。この筒状半導体磁
器５０からなる二次電子増倍装置は図１に示した直線状
の二次電子増倍管１にくらべてコレクタ側からの反極性
粒子（たとえば入来電子に対して陽イオン）の正帰還が
抑制でき、さらに見掛長に対して連続通路５３の有効長
を長くすることができ、動作をさらに安定させ、かつ二
次電子増倍利得を高めることができる。
状半導体磁器５０を捩り合せて構成したもので、両端に
は電極５１、５２が形成されている。この筒状半導体磁
器５０からなる二次電子増倍装置は図１に示した直線状
の二次電子増倍管１にくらべてコレクタ側からの反極性
粒子（たとえば入来電子に対して陽イオン）の正帰還が
抑制でき、さらに見掛長に対して連続通路５３の有効長
を長くすることができ、動作をさらに安定させ、かつ二
次電子増倍利得を高めることができる。
【００２２】図６に示す二次電子増倍装置は、外径がほ
ぼ断面八角形の筒状半導体磁器６０を多数束ねたもの
で、両端には電極６１、６２が形成されている。この筒
状半導体磁器６０の外面には軸方向に八角形の辺が一す
みおきに断面１／４円と成る溝が形成されている。した
がって、筒状半導体磁器６０の連続通路６３のみなら
ず、相隣接する筒状半導体磁器６０の間に生ずる円筒状
間隙６４も二次電子増倍面として利用でき、しかも横断
面が均一に揃っているため、たとえば、絵素の均一性と
規則性を必要とする影像増倍管などの用途に特に適合す
る。
ぼ断面八角形の筒状半導体磁器６０を多数束ねたもの
で、両端には電極６１、６２が形成されている。この筒
状半導体磁器６０の外面には軸方向に八角形の辺が一す
みおきに断面１／４円と成る溝が形成されている。した
がって、筒状半導体磁器６０の連続通路６３のみなら
ず、相隣接する筒状半導体磁器６０の間に生ずる円筒状
間隙６４も二次電子増倍面として利用でき、しかも横断
面が均一に揃っているため、たとえば、絵素の均一性と
規則性を必要とする影像増倍管などの用途に特に適合す
る。
【００２３】図７に示す二次電子増倍装置は、連続通路
７３を有し、外径が横断面六角形の筒状半導体磁器７０
を多数束ねたもので、両端には電極７１、７２が形成さ
れており、相隣接する筒状半導体磁器７０間に隙間をな
くしたものである。
７３を有し、外径が横断面六角形の筒状半導体磁器７０
を多数束ねたもので、両端には電極７１、７２が形成さ
れており、相隣接する筒状半導体磁器７０間に隙間をな
くしたものである。
【００２４】なお、図６、図７の各種の例についても、
必要に応じて図５のように、捩って使用してもよい。
必要に応じて図５のように、捩って使用してもよい。
【００２５】図８に示す二次電子増倍装置は、両端に電
極８１、８２を形成した板状若しくは直方体状半導体磁
器８０に、電極８１、８２に垂直に複数個の連続通路８
３を形成したものである。
極８１、８２を形成した板状若しくは直方体状半導体磁
器８０に、電極８１、８２に垂直に複数個の連続通路８
３を形成したものである。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば、二次電子放出係数が
大きく、高抵抗でフラット若しくは正の温度特性を有す
る二次電子増倍装置用半導体磁器組成物が得られるの
で、抵抗値を従来の１／１０以上に下げても熱暴走を起
こさず、長時間、高真空中で動作するため、従来よりも
一桁以上広いリニアリテーが得られ応用範囲が格段に広
くなるという効果が得られる。さらに従来では困難であ
った１００から２００℃の高温雰囲気下での動作が可能
になる。また素子抵抗を大幅に下げられるため素子の発
熱量が増加し、その結果素子温度が高くなるため素子表
面にガス化された被分析試料が吸着されにくくなり、結
果として素子表面がクリーンなまま保たれる為、寿命が
従来よりも長くなると言うメリットが生じる。
大きく、高抵抗でフラット若しくは正の温度特性を有す
る二次電子増倍装置用半導体磁器組成物が得られるの
で、抵抗値を従来の１／１０以上に下げても熱暴走を起
こさず、長時間、高真空中で動作するため、従来よりも
一桁以上広いリニアリテーが得られ応用範囲が格段に広
くなるという効果が得られる。さらに従来では困難であ
った１００から２００℃の高温雰囲気下での動作が可能
になる。また素子抵抗を大幅に下げられるため素子の発
熱量が増加し、その結果素子温度が高くなるため素子表
面にガス化された被分析試料が吸着されにくくなり、結
果として素子表面がクリーンなまま保たれる為、寿命が
従来よりも長くなると言うメリットが生じる。
【図１】 二次電子増倍利得を測定するための実験回路
図である。
図である。
【図２】 この発明に係る半導体磁器を用いた二次電子
増倍装置の構造の一例を示す斜視図である。
増倍装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図３】 この発明に係る半導体磁器を用いた二次電子
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
【図４】 この発明に係る半導体磁器を用いた二次電子
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
【図５】 この発明に係る半導体磁器を用いた二次電子
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
【図６】 この発明に係る半導体磁器を用いた二次電子
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
【図７】 この発明に係る半導体磁器を用いた二次電子
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
【図８】 この発明に係る半導体磁器を用いた二次電子
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
増倍装置の構造の他の例を示す斜視図である。
【図９】 温度変化に対する抵抗値の変化を温度の関数
として示した図である。
として示した図である。
１、３０、４０、５０、６０、７０：筒状半導体磁器、
２０、８０：平板状半導体磁器。
２０、８０：平板状半導体磁器。
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記課題を
解決するための手段として、酸化亜鉛及び酸化チタンか
らなる主成分に酸化ニッケルを所定量添加し、酸化亜鉛
５５〜８０モル％、酸化チタン１２〜３０モル％、酸化
ニッケル０．２〜２０モル％からなる組成、好ましく
は、酸化亜鉛６０〜７０モル％、酸化チタン２０〜２９
モル％、酸化ニッケル５〜２０モル％からなる組成とす
るようにしたものである。
解決するための手段として、酸化亜鉛及び酸化チタンか
らなる主成分に酸化ニッケルを所定量添加し、酸化亜鉛
５５〜８０モル％、酸化チタン１２〜３０モル％、酸化
ニッケル０．２〜２０モル％からなる組成、好ましく
は、酸化亜鉛６０〜７０モル％、酸化チタン２０〜２９
モル％、酸化ニッケル５〜２０モル％からなる組成とす
るようにしたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【表１】 主成分（モル％） 焼成温度 比抵抗 利得 特性 No. ＺnＯ ＴiＯ2 ＮiＯ ℃ （Ω・cm） at 3KV 曲線 １ ７４ ２６ ０ １３８０ 2.8×105 2.0×106 ｃ ２ ５５ ３１ １４ １３３０ ∞ ３ ５５ ２８ １７ １３３０ 6.3×108 2.5×108 ａ ４ ５５ ２５ ２０ １３２０ 3.8×108 3.3×106 ａ ５ ６０ ３２ ８ １３６０ ∞ ６ ６０ ２９ １１ １３６０ 1.5×109 2.1×106 ａ ７ ６０ ２６ １４ １３２０ 7.7×108 2.8×106 ａ ８ ６０ ２３ １７ １３２０ 3.4×108 3.1×106 ａ ９ ６０ ２０ ２０ １３２０ 9.2×107 3.0×106 ａ １０ ６０ １７ ２３ １３００ 4.6×107 3.2×106 ｃ １１ ６５ ３２ ３ １３６０ ∞ １２ ６５ ３０ ５ １３６０ 1.1×109 1.5×106 ｂ １３ ６５ ２７ ８ １３６０ 8.7×108 2.4×106 ｂ １４ ６５ ２４ １１ １３６０ 1.3×108 3.2×106 ａ １５ ６５ ２１ １４ １３２０ 2.4×107 2.8×106 ａ １６ ６５ １８ １７ １３２０ 6.7×106 2.4×106 ａ １７ ６５ １５ ２０ １３２０ 4.0×105 3.6×106 ａ １８ ６５ １２ ２３ １３００ 3.8×104 3.2×106 ｃ １９ ７０ ２７ ３ １３６０ 3.6×104 1.0×106 ｂ ２０ ７０ ２５ ５ １３６０ 8.7×107 2.1×106 ｂ ２１ ７０ ２２ ８ １３６０ 2.5×107 3.0×106 ｂ ２２ ７０ １９ １１ １３２０ 8.9×106 3.2×106 ａ ２３ ７０ １６ １４ １３２０ 1.5×106 4.5×106 ａ ２４ ７０ １３ １７ １３２０ 9.6×106 3.8×106 ａ ２５ ７０ １０ ２０ １３２０ 印加不能 ２６ ７５ ２１.９ ０.１ １３６０ 7.6×107 1.8×106 ｃ ２７ ７５ ２１.８ ０.２ １３６０ 8.7×107 1.4×106 ａ ２８ ７５ ２２ ３ １３６０ 9.0×107 2.6×106 ｂ ２９ ７５ ２０ ５ １３６０ 4.3×107 3.1×106 ｂ ３０ ７５ １７ ８ １３６０ 1.2×107 2.8×106 ｂ ３１ ７５ １４ １１ １３２０ 8.9×106 4.2×106 ａ ３２ ７５ １１ １４ １３２０ 1.0×104 5.3×106 ａ ３３ ７５ ８ １７ １３２０ 印加不能 ３４ ８０ １７ ３ １３６０ 8.7×105 9.5×105 ｂ３５ ８０ １５ ５ １３６０ 3.3×105 2.8×106 ｂ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】なお、前記実施例では、原料として酸化物
を用いたが、焼成により酸化物となるものであれば、炭
酸塩、水酸化物、硝酸塩、塩化物などの無機化合物、カ
ルボン酸塩、アルコキシドなどの有機化合物を用いても
よい。また、酸化ニッケルは必ずしも原料粉末に添加す
る必要は無く、酸化亜鉛と酸化チタンとの混合粉末を所
定形状に成形した後、仮焼し、この仮焼物を熱処理によ
り酸化ニッケルとなるニッケル化合物の溶液に浸漬して
又はその他の手段により仮焼物にニッケル化合物を含浸
させ、その後焼成してもよい。
を用いたが、焼成により酸化物となるものであれば、炭
酸塩、水酸化物、硝酸塩、塩化物などの無機化合物、カ
ルボン酸塩、アルコキシドなどの有機化合物を用いても
よい。また、酸化ニッケルは必ずしも原料粉末に添加す
る必要は無く、酸化亜鉛と酸化チタンとの混合粉末を所
定形状に成形した後、仮焼し、この仮焼物を熱処理によ
り酸化ニッケルとなるニッケル化合物の溶液に浸漬して
又はその他の手段により仮焼物にニッケル化合物を含浸
させ、その後焼成してもよい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化亜鉛５５〜８０モル％、酸化チタン
１２〜３０モル％、及び酸化ニッケル０．２〜２０モル
％からなることを特徴とする二次電子増倍装置用半導体
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16744092A JPH0613020A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 二次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16744092A JPH0613020A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 二次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613020A true JPH0613020A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15849753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16744092A Pending JPH0613020A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 二次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613020A (ja) |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16744092A patent/JPH0613020A/ja active Pending
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