JPH06131612A - 磁気再生装置 - Google Patents
磁気再生装置Info
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- JPH06131612A JPH06131612A JP4275703A JP27570392A JPH06131612A JP H06131612 A JPH06131612 A JP H06131612A JP 4275703 A JP4275703 A JP 4275703A JP 27570392 A JP27570392 A JP 27570392A JP H06131612 A JPH06131612 A JP H06131612A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子の抵抗値のバラツキや電源電圧
の変動により生じる再生ヘッドの出力バラツキを防止
し、かつ、出力のＳ／Ｎを最良に設定する。 【構成】 ローパスフィルタ１５によりＡＢ間の直流電
位を検出する。次にローパスフィルタ１５の出力と第１
の基準電位ＶREF１との大小関係に応じて制御部１８に
おいて検知電流ＩSを制御する。制御部１８はローパス
フィルタ１５の出力がＶREF１より大きければＩSを増や
し小さければＩSを減らすように電流制御回路４を制御
する。これにより磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついて
も常にＡＢ間の電位をＶREF１にできる。ＶREF１を電流
制御素子３が定電流性を保つ最小の値に設定することで
ＩSを最大にできる。また、電源電圧と第２の基準電位
ＶREF２との大小関係に応じて利得可変部２３を制御す
ることで出力を一定とすることができる。このとき、磁
気抵抗素子１の抵抗値が増加したり電源電圧が上昇すれ
ば出力端１３でのＳ／Ｎは改善される。
の変動により生じる再生ヘッドの出力バラツキを防止
し、かつ、出力のＳ／Ｎを最良に設定する。 【構成】 ローパスフィルタ１５によりＡＢ間の直流電
位を検出する。次にローパスフィルタ１５の出力と第１
の基準電位ＶREF１との大小関係に応じて制御部１８に
おいて検知電流ＩSを制御する。制御部１８はローパス
フィルタ１５の出力がＶREF１より大きければＩSを増や
し小さければＩSを減らすように電流制御回路４を制御
する。これにより磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついて
も常にＡＢ間の電位をＶREF１にできる。ＶREF１を電流
制御素子３が定電流性を保つ最小の値に設定することで
ＩSを最大にできる。また、電源電圧と第２の基準電位
ＶREF２との大小関係に応じて利得可変部２３を制御す
ることで出力を一定とすることができる。このとき、磁
気抵抗素子１の抵抗値が増加したり電源電圧が上昇すれ
ば出力端１３でのＳ／Ｎは改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体製造技術の進歩により、再
生ヘッドも半導体と同様にスパッタリングやエッチング
等の薄膜製造技術を用いて作成されるものが出来てきて
いる。このような再生ヘッドの一種に磁気抵抗素子を用
いた再生ヘッドがある。この磁気抵抗素子は磁気記録さ
れた媒体の発生する磁束を受けると抵抗値が変化するの
で、この抵抗値の変化を電圧に変換して増幅することに
より媒体に記録されている信号を再生することができ
る。現在、このような磁気抵抗素子を用いた再生ヘッド
を有する磁気再生装置が開発されている。
生ヘッドも半導体と同様にスパッタリングやエッチング
等の薄膜製造技術を用いて作成されるものが出来てきて
いる。このような再生ヘッドの一種に磁気抵抗素子を用
いた再生ヘッドがある。この磁気抵抗素子は磁気記録さ
れた媒体の発生する磁束を受けると抵抗値が変化するの
で、この抵抗値の変化を電圧に変換して増幅することに
より媒体に記録されている信号を再生することができ
る。現在、このような磁気抵抗素子を用いた再生ヘッド
を有する磁気再生装置が開発されている。
【０００３】以下に、従来の磁気抵抗素子を用いた磁気
再生装置について説明する。図５は従来の再生ヘッドの
周辺の構成を示すブロック図である。図５において、１
は磁気抵抗素子、２は電流源、３は電流制御素子、４は
電流制御回路、５は抵抗器、６は電圧制御部、１２は初
段増幅器、１３は出力端子である。
再生装置について説明する。図５は従来の再生ヘッドの
周辺の構成を示すブロック図である。図５において、１
は磁気抵抗素子、２は電流源、３は電流制御素子、４は
電流制御回路、５は抵抗器、６は電圧制御部、１２は初
段増幅器、１３は出力端子である。
【０００４】以上のように構成された磁気再生装置につ
いて、以下その動作について説明する。
いて、以下その動作について説明する。
【０００５】磁気抵抗素子１は磁気記録された磁気テー
プの発生する磁束を受けて抵抗値が変化する。磁気抵抗
素子１には電流制御素子３から一定の検知電流ＩSが供
給されている。
プの発生する磁束を受けて抵抗値が変化する。磁気抵抗
素子１には電流制御素子３から一定の検知電流ＩSが供
給されている。
【０００６】磁気テープに信号がないときの磁気抵抗素
子１の抵抗値をＲとし、磁気テープの信号磁束により磁
気抵抗素子１が最大磁束を受けた時の磁気抵抗素子１の
抵抗値を（１−ｋ）・Ｒとし、最小磁束を受けた時の磁
気抵抗素子１の抵抗値を（１＋ｋ）・Ｒとする。
子１の抵抗値をＲとし、磁気テープの信号磁束により磁
気抵抗素子１が最大磁束を受けた時の磁気抵抗素子１の
抵抗値を（１−ｋ）・Ｒとし、最小磁束を受けた時の磁
気抵抗素子１の抵抗値を（１＋ｋ）・Ｒとする。
【０００７】磁気テープに信号がない時のＡ点の電位は
ＶCC−ＩS・Ｒとなる。このときの電流制御素子３のコ
レクタエミッタ間電圧ＶCE1は抵抗器５の抵抗値をＲEと
すると、ＶCE1＝ＶCC−ＩS・Ｒ−ＩS・ＲEとなる。
ＶCC−ＩS・Ｒとなる。このときの電流制御素子３のコ
レクタエミッタ間電圧ＶCE1は抵抗器５の抵抗値をＲEと
すると、ＶCE1＝ＶCC−ＩS・Ｒ−ＩS・ＲEとなる。
【０００８】磁気抵抗素子１が最大磁束を受けた時のＡ
点の電位はＶCC−ＩS・Ｒ（１−ｋ）となる。このとき
の電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧ＶCE2は、
ＶCE2＝ＶCC−ＩS・Ｒ（１−ｋ）−ＩS・ＲEとなる。
点の電位はＶCC−ＩS・Ｒ（１−ｋ）となる。このとき
の電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧ＶCE2は、
ＶCE2＝ＶCC−ＩS・Ｒ（１−ｋ）−ＩS・ＲEとなる。
【０００９】同様に磁気抵抗素子１が最小磁束を受けた
時のＡ点の電位はＶCC−ＩS・Ｒ（１＋ｋ）となる。こ
のときの電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧ＶCE
3は、ＶCE3＝ＶCC−ＩS・Ｒ（１＋ｋ）−ＩS・ＲEとな
る。
時のＡ点の電位はＶCC−ＩS・Ｒ（１＋ｋ）となる。こ
のときの電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧ＶCE
3は、ＶCE3＝ＶCC−ＩS・Ｒ（１＋ｋ）−ＩS・ＲEとな
る。
【００１０】図６に、図５の電流制御素子３のコレクタ
エミッタ間の飽和電圧ＶCEsatと、ＶCE1、ＶCE2、ＶCE3
の関係を示す。
エミッタ間の飽和電圧ＶCEsatと、ＶCE1、ＶCE2、ＶCE3
の関係を示す。
【００１１】以上のように磁気テープの信号磁束による
磁気抵抗素子１の抵抗値変化±ｋ・ＲはＡ点の電圧変化
±ＩS・ｋ・Ｒに変換され、初段増幅器１２はこの電圧
変化を入力とし増幅することにより、磁気テープに記録
されている信号を出力端１３から出力する。
磁気抵抗素子１の抵抗値変化±ｋ・ＲはＡ点の電圧変化
±ＩS・ｋ・Ｒに変換され、初段増幅器１２はこの電圧
変化を入力とし増幅することにより、磁気テープに記録
されている信号を出力端１３から出力する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例の構成では、磁気テープに信号がない時の磁気抵抗素
子１の抵抗値のばらつきにより図６に示す電流制御素子
３の動作点が変化する。例えば、抵抗値が大きく、図６
において、ＶCE3＜ＶCEsatとなると検知電流の定電流性
が保たれない。従って、磁気抵抗素子1の抵抗値ばらつ
きを考慮してＶCE3≧ＶCEsatとなるのに充分余裕のある
ＶCE3になるような検知電流に設定する必要がある。
例の構成では、磁気テープに信号がない時の磁気抵抗素
子１の抵抗値のばらつきにより図６に示す電流制御素子
３の動作点が変化する。例えば、抵抗値が大きく、図６
において、ＶCE3＜ＶCEsatとなると検知電流の定電流性
が保たれない。従って、磁気抵抗素子1の抵抗値ばらつ
きを考慮してＶCE3≧ＶCEsatとなるのに充分余裕のある
ＶCE3になるような検知電流に設定する必要がある。
【００１３】いま、磁気テープに信号がないときの磁気
抵抗素子１の抵抗値のセンター値をＲ、検知電流をＩS
とすれば、ＶCE3＝ＶCC−ＩS・Ｒ・（１＋ｋ）−ＩS・
ＲEである。抵抗値のばらつく最大の値をＲ＋ΔＲ、こ
のときの検知電流をＩS’とすれば、ＶCE3＝ＶCC−Ｉ
S’・（Ｒ＋ΔＲ）・（１＋ｋ）−ＩS’・ＲEであるの
で、ＶCE3＝ＶCEsatとなるＩS’に設定する。上記ＩS’
に設定した場合、磁気抵抗素子１の抵抗値が小さい方に
ばらつき、Ｒ−ΔＲとなった時、磁気抵抗素子１の信号
出力、すなわちＡ点の電圧変化は±ＩS’・ｋ・（Ｒ−
ΔＲ）となり抵抗値がＲであったり、Ｒ＋ΔＲである場
合と比べて小さくなる。従って、磁気抵抗素子１の抵抗
値ばらつきにより信号出力が変動し、抵抗値が小さい場
合に信号出力が小さくなるという問題を有していた。ま
た、出力変動を抑えるためには検知電流を磁気抵抗素子
１の抵抗値に応じて調整する必要があった。
抵抗素子１の抵抗値のセンター値をＲ、検知電流をＩS
とすれば、ＶCE3＝ＶCC−ＩS・Ｒ・（１＋ｋ）−ＩS・
ＲEである。抵抗値のばらつく最大の値をＲ＋ΔＲ、こ
のときの検知電流をＩS’とすれば、ＶCE3＝ＶCC−Ｉ
S’・（Ｒ＋ΔＲ）・（１＋ｋ）−ＩS’・ＲEであるの
で、ＶCE3＝ＶCEsatとなるＩS’に設定する。上記ＩS’
に設定した場合、磁気抵抗素子１の抵抗値が小さい方に
ばらつき、Ｒ−ΔＲとなった時、磁気抵抗素子１の信号
出力、すなわちＡ点の電圧変化は±ＩS’・ｋ・（Ｒ−
ΔＲ）となり抵抗値がＲであったり、Ｒ＋ΔＲである場
合と比べて小さくなる。従って、磁気抵抗素子１の抵抗
値ばらつきにより信号出力が変動し、抵抗値が小さい場
合に信号出力が小さくなるという問題を有していた。ま
た、出力変動を抑えるためには検知電流を磁気抵抗素子
１の抵抗値に応じて調整する必要があった。
【００１４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、磁気抵抗素子の抵抗値が変動しても検知電流を調整
することなく磁気抵抗素子の出力変動を抑えることので
きる磁気再生装置を簡易な構成で提供することを目的と
する。
で、磁気抵抗素子の抵抗値が変動しても検知電流を調整
することなく磁気抵抗素子の出力変動を抑えることので
きる磁気再生装置を簡易な構成で提供することを目的と
する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気再生装置は、 （１） 磁束を感知して抵抗値が変化する磁気抵抗素子
と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電流源と、前記
磁気抵抗素子と前記電流源が接続される点の電位を入力
とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束の周波数以下
の帯域を通過させるローパスフィルタと、基準電位を発
生する基準電位発生部と、前記ローパスフィルタの出力
と前記基準電位発生部の発生する基準電位との差により
前記電流源の電流値を制御する制御部とを有する。
に本発明の磁気再生装置は、 （１） 磁束を感知して抵抗値が変化する磁気抵抗素子
と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電流源と、前記
磁気抵抗素子と前記電流源が接続される点の電位を入力
とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束の周波数以下
の帯域を通過させるローパスフィルタと、基準電位を発
生する基準電位発生部と、前記ローパスフィルタの出力
と前記基準電位発生部の発生する基準電位との差により
前記電流源の電流値を制御する制御部とを有する。
【００１６】（２） 磁束を感知して抵抗値が変化する
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電
流源と、前記磁気抵抗素子の両端の電位を入力とし磁気
抵抗素子の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過
させるローパスフィルタと、基準電位を発生する基準電
位発生部と、前記ローパスフィルタの出力と前記基準電
位発生部の発生する基準電位との差により前記電流源の
電流値を制御する制御部とを有する。
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電
流源と、前記磁気抵抗素子の両端の電位を入力とし磁気
抵抗素子の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過
させるローパスフィルタと、基準電位を発生する基準電
位発生部と、前記ローパスフィルタの出力と前記基準電
位発生部の発生する基準電位との差により前記電流源の
電流値を制御する制御部とを有する。
【００１７】（３） 磁束を感知して抵抗値が変化する
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電
流源と、前記磁気抵抗素子と前記電流源が接続される点
の電位を入力とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束
の周波数以下の帯域を通過させるローパスフィルタと、
第１の基準電位を発生する第１の基準電位発生部と、前
記ローパスフィルタの出力と前記第１の基準電位発生部
が発生する第１の基準電位との差により前記電流源の電
流値を制御する第１の制御部と、前記磁気抵抗素子の検
出する出力を入力とし利得を可変し出力する利得可変部
と、第２の基準電位を発生する第２の基準電位発生部
と、電源電圧と前記第２の基準電位発生部が発生する第
２の基準電位との差により前記利得可変部の利得を制御
する第２の制御部とを有する。
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電
流源と、前記磁気抵抗素子と前記電流源が接続される点
の電位を入力とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束
の周波数以下の帯域を通過させるローパスフィルタと、
第１の基準電位を発生する第１の基準電位発生部と、前
記ローパスフィルタの出力と前記第１の基準電位発生部
が発生する第１の基準電位との差により前記電流源の電
流値を制御する第１の制御部と、前記磁気抵抗素子の検
出する出力を入力とし利得を可変し出力する利得可変部
と、第２の基準電位を発生する第２の基準電位発生部
と、電源電圧と前記第２の基準電位発生部が発生する第
２の基準電位との差により前記利得可変部の利得を制御
する第２の制御部とを有する。
【００１８】（４） 磁束を感知して抵抗値が変化する
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電
流制御素子と、前記電流制御素子が供給する電流値を制
御する電流制御回路と、前記電流制御素子の両端の電位
差を入力とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束の周
波数以下の帯域を通過させる第１のローパスフィルタ
と、第１の基準電位を発生する第１の基準電位発生部
と、前記第１のローパスフィルタの出力と前記第１の基
準電位発生部が発生する第１の基準電位との差により前
記電流制御回路を制御し前記電流制御素子の供給する電
流値を制御する第１の制御部と、前記磁気抵抗素子の検
出する出力を入力とし利得を可変し出力する利得可変部
と、前記磁気抵抗素子の両端の電位差を入力とし前記磁
気抵抗素子の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通
過させる第２のローパスフィルタと、第２の基準電位を
発生する第２の基準電位発生部と、前記第２のローパス
フィルタの出力と前記第２の基準電位発生部が発生する
第２の基準電位との差により前記利得可変部の利得を制
御する第２の制御部とを有する。
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に電流を供給する電
流制御素子と、前記電流制御素子が供給する電流値を制
御する電流制御回路と、前記電流制御素子の両端の電位
差を入力とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束の周
波数以下の帯域を通過させる第１のローパスフィルタ
と、第１の基準電位を発生する第１の基準電位発生部
と、前記第１のローパスフィルタの出力と前記第１の基
準電位発生部が発生する第１の基準電位との差により前
記電流制御回路を制御し前記電流制御素子の供給する電
流値を制御する第１の制御部と、前記磁気抵抗素子の検
出する出力を入力とし利得を可変し出力する利得可変部
と、前記磁気抵抗素子の両端の電位差を入力とし前記磁
気抵抗素子の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通
過させる第２のローパスフィルタと、第２の基準電位を
発生する第２の基準電位発生部と、前記第２のローパス
フィルタの出力と前記第２の基準電位発生部が発生する
第２の基準電位との差により前記利得可変部の利得を制
御する第２の制御部とを有する。
【００１９】
【作用】本発明は上記した構成により、 （１） ローパスフィルタにより磁気抵抗素子端の直流
電位を検出し、制御部において直流電位と基準電位発生
部の発生する基準電位との大小関係により、直流電位が
大きければ電流源の電流値を増やし、直流電位が小さけ
れば電流値を減らすよう制御することで、磁気抵抗素子
の抵抗値がばらついても常に磁気抵抗素子での直流電圧
降下を一定にし、磁気抵抗素子の信号出力を一定にす
る。また、基準電位を電流源が定電流性を保つ最小の値
にすることで磁気抵抗素子での電圧降下を最大にし、磁
気抵抗素子の信号出力を最大にする。
電位を検出し、制御部において直流電位と基準電位発生
部の発生する基準電位との大小関係により、直流電位が
大きければ電流源の電流値を増やし、直流電位が小さけ
れば電流値を減らすよう制御することで、磁気抵抗素子
の抵抗値がばらついても常に磁気抵抗素子での直流電圧
降下を一定にし、磁気抵抗素子の信号出力を一定にす
る。また、基準電位を電流源が定電流性を保つ最小の値
にすることで磁気抵抗素子での電圧降下を最大にし、磁
気抵抗素子の信号出力を最大にする。
【００２０】（２） 磁気抵抗素子の両端の電位差を検
出し、ローパスフィルタにより磁気抵抗素子の両端の直
流電位を検出し、制御部において直流電位と基準電位発
生部の発生する基準電位との大小関係に応じ、直流電位
が大きければ電流源が供給する電流値を減らし、直流電
位が小さければ電流値を増やすよう制御することで、磁
気抵抗素子の抵抗値や電源電圧がばらついても常に磁気
抵抗素子での直流電圧降下を一定にし、磁気抵抗素子の
信号出力を一定にする。
出し、ローパスフィルタにより磁気抵抗素子の両端の直
流電位を検出し、制御部において直流電位と基準電位発
生部の発生する基準電位との大小関係に応じ、直流電位
が大きければ電流源が供給する電流値を減らし、直流電
位が小さければ電流値を増やすよう制御することで、磁
気抵抗素子の抵抗値や電源電圧がばらついても常に磁気
抵抗素子での直流電圧降下を一定にし、磁気抵抗素子の
信号出力を一定にする。
【００２１】（３） 第１の基準電位を、電流源が定電
流性を保つ最小の値に設定し、ローパスフィルタにより
磁気抵抗素子端の直流電位を検出し、第１の制御部にお
いて直流電位と第１の基準電位との大小関係に応じ直流
電位が大きければ電流源の電流値を増やし、直流電位が
小さければ電流値を減らすよう制御することで、磁気抵
抗素子の抵抗値がばらついても常に磁気抵抗素子での直
流電圧降下を一定にし、磁気抵抗素子の信号出力を一定
にする。
流性を保つ最小の値に設定し、ローパスフィルタにより
磁気抵抗素子端の直流電位を検出し、第１の制御部にお
いて直流電位と第１の基準電位との大小関係に応じ直流
電位が大きければ電流源の電流値を増やし、直流電位が
小さければ電流値を減らすよう制御することで、磁気抵
抗素子の抵抗値がばらついても常に磁気抵抗素子での直
流電圧降下を一定にし、磁気抵抗素子の信号出力を一定
にする。
【００２２】さらに、電源電圧が上昇すると磁気抵抗素
子端での信号出力が上昇するので、第２の制御部におい
て電源電圧と第２の基準電位の差が大きくなるに従い利
得可変部の利得を低下させることで、磁気抵抗素子の抵
抗値と電源電圧がばらついても出力端での出力を一定に
保ちながら電源電圧の上昇時には出力端でのＳＮ比を改
善する。
子端での信号出力が上昇するので、第２の制御部におい
て電源電圧と第２の基準電位の差が大きくなるに従い利
得可変部の利得を低下させることで、磁気抵抗素子の抵
抗値と電源電圧がばらついても出力端での出力を一定に
保ちながら電源電圧の上昇時には出力端でのＳＮ比を改
善する。
【００２３】（４） 第１の基準電位を電流制御素子が
定電流性を保つ最小の電位に設定し、第１のローパスフ
ィルタにより電流制御素子両端の直流電位を検出し、第
１の制御部において直流電位と第１の基準電位の大小関
係に応じ、直流電位が大きければ電流制御素子の供給す
る電流値を増やし、直流電位が小さければ電流値を減ら
すよう電流制御回路を制御することで、電流制御素子で
のロス電圧を最小にし、磁気抵抗素子の抵抗値がばらつ
いても常に磁気抵抗素子での電圧降下を最大にして、磁
気抵抗素子の信号出力を最大にする。
定電流性を保つ最小の電位に設定し、第１のローパスフ
ィルタにより電流制御素子両端の直流電位を検出し、第
１の制御部において直流電位と第１の基準電位の大小関
係に応じ、直流電位が大きければ電流制御素子の供給す
る電流値を増やし、直流電位が小さければ電流値を減ら
すよう電流制御回路を制御することで、電流制御素子で
のロス電圧を最小にし、磁気抵抗素子の抵抗値がばらつ
いても常に磁気抵抗素子での電圧降下を最大にして、磁
気抵抗素子の信号出力を最大にする。
【００２４】さらに、電源電圧が上昇すると磁気抵抗素
子端での信号出力が上昇するので、第２のローパスフィ
ルタにより磁気抵抗素子の両端の直流電位を検出し、第
２の制御部において第２のローパスフィルタの出力と第
１の基準電位の差が大きくなるに従い利得可変部の利得
を低下させることで、磁気抵抗素子の抵抗値や電源電圧
が変動しても出力端での出力を一定に保ちながら電源電
圧の上昇時には出力端のＳＮ比を改善する。
子端での信号出力が上昇するので、第２のローパスフィ
ルタにより磁気抵抗素子の両端の直流電位を検出し、第
２の制御部において第２のローパスフィルタの出力と第
１の基準電位の差が大きくなるに従い利得可変部の利得
を低下させることで、磁気抵抗素子の抵抗値や電源電圧
が変動しても出力端での出力を一定に保ちながら電源電
圧の上昇時には出力端のＳＮ比を改善する。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００２６】図１は本発明の第１の実施例における磁気
再生装置の構成を示す図である。図１において、１は磁
気抵抗素子、２は電流源、３は電流制御素子、４は電流
制御回路、５は抵抗器、６は電圧制御部、１２は初段増
幅器、１３は出力端子、１５はローパスフィルタ、１６
は演算増幅器、１７は基準電位発生部、１８は制御部で
ある。
再生装置の構成を示す図である。図１において、１は磁
気抵抗素子、２は電流源、３は電流制御素子、４は電流
制御回路、５は抵抗器、６は電圧制御部、１２は初段増
幅器、１３は出力端子、１５はローパスフィルタ、１６
は演算増幅器、１７は基準電位発生部、１８は制御部で
ある。
【００２７】上記各構成要素の関係と動作について説明
する。磁気テープの磁束による磁気抵抗素子１の抵抗値
変化±ｋ・ＲがＡ点の電圧変化±ＩS・ｋ・Ｒに変換さ
れ、初段増幅器１２にこの電圧変化を入力し増幅するこ
とにより、磁気テープに記録されている信号を再生する
動作は前記従来例と同様なので説明を省略する。
する。磁気テープの磁束による磁気抵抗素子１の抵抗値
変化±ｋ・ＲがＡ点の電圧変化±ＩS・ｋ・Ｒに変換さ
れ、初段増幅器１２にこの電圧変化を入力し増幅するこ
とにより、磁気テープに記録されている信号を再生する
動作は前記従来例と同様なので説明を省略する。
【００２８】図１のＡ点の電位はローパスフィルタ１５
に入力される。ローパスフィルタ１５は磁気抵抗素子１
の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過させる。
磁気抵抗素子１に供給される検知電流をＩSとし、磁気
テープに信号がない時の磁気抵抗素子１の抵抗値をＲと
すると、ローパスフィルタ１５の出力はＶCC−ＩS・Ｒ
となりＡ点での直流電位を表している。ローパスフィル
タ１５の出力は演算増幅器１６で基準電位発生部１７で
発生する基準電位ＶREFと比較され、演算増幅器１６の
出力は制御部１８に入力される。制御部１８は演算増幅
器１６の出力に基づきローパスフィルタ１５の出力が基
準電位ＶREFに等しくなるように検知電流を以下のよう
に制御する。
に入力される。ローパスフィルタ１５は磁気抵抗素子１
の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過させる。
磁気抵抗素子１に供給される検知電流をＩSとし、磁気
テープに信号がない時の磁気抵抗素子１の抵抗値をＲと
すると、ローパスフィルタ１５の出力はＶCC−ＩS・Ｒ
となりＡ点での直流電位を表している。ローパスフィル
タ１５の出力は演算増幅器１６で基準電位発生部１７で
発生する基準電位ＶREFと比較され、演算増幅器１６の
出力は制御部１８に入力される。制御部１８は演算増幅
器１６の出力に基づきローパスフィルタ１５の出力が基
準電位ＶREFに等しくなるように検知電流を以下のよう
に制御する。
【００２９】磁気抵抗素子１の抵抗値がＲ、検知電流が
ＩSの時、Ａ点の直流電位ＶCC−ＩS・Ｒを基準電位発生
部１７で発生する基準電位ＶREFとする。上記の状態か
ら磁気テープに信号がない場合であっても、磁気抵抗素
子１の抵抗値が温度変化、個体差などによりＲ−ΔＲに
なったとするとローパスフィルタ１５の出力、すなわ
ち、Ａ点の直流電位はＶCC−ＩS・ＲからＶCC−ＩS・
（Ｒ−ΔＲ）へと変化する。制御部１１は検知電流をＩ
Sから（ＩS＋ΔＩS）に変化させＶREF＝ＶCC−ＩS・Ｒ
＝ＶCC−（ＩS＋ΔＩS）・（Ｒ−ΔＲ）となるように制
御する。すなわち、Ａ点での直流電位が常に基準電位Ｖ
REFになるように制御する。
ＩSの時、Ａ点の直流電位ＶCC−ＩS・Ｒを基準電位発生
部１７で発生する基準電位ＶREFとする。上記の状態か
ら磁気テープに信号がない場合であっても、磁気抵抗素
子１の抵抗値が温度変化、個体差などによりＲ−ΔＲに
なったとするとローパスフィルタ１５の出力、すなわ
ち、Ａ点の直流電位はＶCC−ＩS・ＲからＶCC−ＩS・
（Ｒ−ΔＲ）へと変化する。制御部１１は検知電流をＩ
Sから（ＩS＋ΔＩS）に変化させＶREF＝ＶCC−ＩS・Ｒ
＝ＶCC−（ＩS＋ΔＩS）・（Ｒ−ΔＲ）となるように制
御する。すなわち、Ａ点での直流電位が常に基準電位Ｖ
REFになるように制御する。
【００３０】ここで、Ａ点での直流電位が一定となるよ
うにすれば磁気抵抗素子の抵抗値がばらついても信号出
力が一定となることを説明する。
うにすれば磁気抵抗素子の抵抗値がばらついても信号出
力が一定となることを説明する。
【００３１】磁気テープが無信号時の磁気抵抗素子１の
抵抗値がＲである場合と、同じく磁気テープが無信号で
あっても磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついてＲ−ΔＲ
である場合について述べる。
抵抗値がＲである場合と、同じく磁気テープが無信号で
あっても磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついてＲ−ΔＲ
である場合について述べる。
【００３２】磁気抵抗値がＲの場合従来例で述べたよう
に磁気テープによる磁束変化で磁気抵抗素子１の抵抗値
は±ｋ・Ｒだけ変化し、検知電流をＩSとすれば、±ＩS
・ｋ・Ｒの信号出力が磁気抵抗素子１より出力される。
また、磁気抵抗素子１の抵抗値がＲ−ΔＲの場合には、
磁気テープの信号による磁束変化により磁気抵抗素子１
の抵抗値は±ｋ・（Ｒ−ΔＲ）だけ変化し、検知電流を
ＩS’とすると±ＩS’・ｋ・（Ｒ−ΔＲ）の信号出力が
磁気抵抗素子１より出力される。Ａ点での電位が一定と
なるようにすれば、ＶCC−Ｒ・ＩS＝ＶCC−（Ｒ−Δ
Ｒ）・ＩS’
に磁気テープによる磁束変化で磁気抵抗素子１の抵抗値
は±ｋ・Ｒだけ変化し、検知電流をＩSとすれば、±ＩS
・ｋ・Ｒの信号出力が磁気抵抗素子１より出力される。
また、磁気抵抗素子１の抵抗値がＲ−ΔＲの場合には、
磁気テープの信号による磁束変化により磁気抵抗素子１
の抵抗値は±ｋ・（Ｒ−ΔＲ）だけ変化し、検知電流を
ＩS’とすると±ＩS’・ｋ・（Ｒ−ΔＲ）の信号出力が
磁気抵抗素子１より出力される。Ａ点での電位が一定と
なるようにすれば、ＶCC−Ｒ・ＩS＝ＶCC−（Ｒ−Δ
Ｒ）・ＩS’
【００３３】
【数１】
【００３４】であるから、磁気抵抗素子１の抵抗値がＲ
−ΔＲの場合の信号出力は、±ＩS’・ｋ・（Ｒ−Δ
Ｒ）＝±ＩS・ｋ・Ｒとなり、磁気抵抗素子１の抵抗値
がＲの場合の信号出力と同じになる。
−ΔＲの場合の信号出力は、±ＩS’・ｋ・（Ｒ−Δ
Ｒ）＝±ＩS・ｋ・Ｒとなり、磁気抵抗素子１の抵抗値
がＲの場合の信号出力と同じになる。
【００３５】以上のように、Ａ点での直流電位が一定と
なるようにすれば磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついて
も磁気抵抗素子１の信号出力は一定となる。
なるようにすれば磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついて
も磁気抵抗素子１の信号出力は一定となる。
【００３６】次に、信号出力を最大にするための基準電
位ＶREFの決め方を説明する。磁気テープに信号がない
ときの磁気抵抗素子１の抵抗値をＲとし、このときの電
流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧をＶCE1とす
る。磁気テープの信号磁束により磁気抵抗素子１が最大
磁束を受けたときの抵抗値を（１−ｋ）・Ｒとし、この
ときの電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧をＶCE
2とする。磁気テープの信号磁束により磁気抵抗素子１
が最小磁束を受けたときの抵抗値を（１＋ｋ）・Ｒと
し、このときの電流制御素子３のコレクタエミッタ間電
圧をＶCE3とする。図６に示すように、電流制御素子３
のコレクタエミッタ間の飽和電圧ＶCEsatと、ＶCE1、Ｖ
CE2、ＶCE3の関係より、ＶCE3≧ＶCEsatならば電流制御
素子３の定電流性は保たれる。
位ＶREFの決め方を説明する。磁気テープに信号がない
ときの磁気抵抗素子１の抵抗値をＲとし、このときの電
流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧をＶCE1とす
る。磁気テープの信号磁束により磁気抵抗素子１が最大
磁束を受けたときの抵抗値を（１−ｋ）・Ｒとし、この
ときの電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧をＶCE
2とする。磁気テープの信号磁束により磁気抵抗素子１
が最小磁束を受けたときの抵抗値を（１＋ｋ）・Ｒと
し、このときの電流制御素子３のコレクタエミッタ間電
圧をＶCE3とする。図６に示すように、電流制御素子３
のコレクタエミッタ間の飽和電圧ＶCEsatと、ＶCE1、Ｖ
CE2、ＶCE3の関係より、ＶCE3≧ＶCEsatならば電流制御
素子３の定電流性は保たれる。
【００３７】ただし、ＶCE3は磁気抵抗素子１の抵抗値
がＲ、検知電流がＩSであれば、ＶCE3＝ＶCC−ＩS・Ｒ
・（１＋ｋ）−ＩS・ＲEとなるが、ここで磁気抵抗素子
１の抵抗値がばらつきによりＲ−ΔＲとなる場合には、
前述したように検出電流はＩS＋ΔＩSになる。このとき
の電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧をＶCE3’
とすれば、ＶCE3’＝ＶCC−ＩS・Ｒ・（１＋ｋ）−（Ｉ
S＋ΔＩS）・ＲEとなり、ＶCE3’＜ＶCE3である。この
ＶCE3’が磁気抵抗素子１の抵抗値が最小の時の値とす
れば、ＶCE3’＝ＶCEsatとすれば電流制御素子３の定電
流性は保たれ、このとき磁気抵抗素子１の電圧降下は最
大になり、磁気抵抗素子１の信号出力は最大になる。
がＲ、検知電流がＩSであれば、ＶCE3＝ＶCC−ＩS・Ｒ
・（１＋ｋ）−ＩS・ＲEとなるが、ここで磁気抵抗素子
１の抵抗値がばらつきによりＲ−ΔＲとなる場合には、
前述したように検出電流はＩS＋ΔＩSになる。このとき
の電流制御素子３のコレクタエミッタ間電圧をＶCE3’
とすれば、ＶCE3’＝ＶCC−ＩS・Ｒ・（１＋ｋ）−（Ｉ
S＋ΔＩS）・ＲEとなり、ＶCE3’＜ＶCE3である。この
ＶCE3’が磁気抵抗素子１の抵抗値が最小の時の値とす
れば、ＶCE3’＝ＶCEsatとすれば電流制御素子３の定電
流性は保たれ、このとき磁気抵抗素子１の電圧降下は最
大になり、磁気抵抗素子１の信号出力は最大になる。
【００３８】ＶCE3’＝ＶCEsatとするには、基準電位Ｖ
REFはＶCC−ＩS・Ｒで一定であるからＶCEsat＝ＶCE3’
＝ＶCC−ＩS・Ｒ・（１＋ｋ）−（ＩS＋ΔＩS）・ＲE＝
ＶREF−ＩS・Ｒ・ｋ−（ＩS＋ΔＩS）・ＲEより、ＶREF
＝ＶCEsat＋ＩS・Ｒ・ｋ＋（ＩS＋ΔＩS）・ＲEとすれ
ばよい。ここで、ＩS・Ｒ・ｋは磁気抵抗素子１の信号
振幅である。
REFはＶCC−ＩS・Ｒで一定であるからＶCEsat＝ＶCE3’
＝ＶCC−ＩS・Ｒ・（１＋ｋ）−（ＩS＋ΔＩS）・ＲE＝
ＶREF−ＩS・Ｒ・ｋ−（ＩS＋ΔＩS）・ＲEより、ＶREF
＝ＶCEsat＋ＩS・Ｒ・ｋ＋（ＩS＋ΔＩS）・ＲEとすれ
ばよい。ここで、ＩS・Ｒ・ｋは磁気抵抗素子１の信号
振幅である。
【００３９】従って、信号振幅、及び検出電流の最大値
（ＩS＋ΔＩS）よりＶREFが求まる。
（ＩS＋ΔＩS）よりＶREFが求まる。
【００４０】以上のように本実施例によれば、磁気抵抗
素子１端の直流電位と基準電位発生部１７の発生する基
準電位と比較し、検知電流ＩSを制御することで、磁気
抵抗素子１の抵抗値が変動しても常に磁気抵抗素子１で
の直流電圧降下を一定にできるので磁気抵抗素子の信号
出力を一定にすることができる。また、基準電位１７を
電流源２が定電流性を保つ最小の値にすることで、磁気
抵抗素子１の信号出力を最大にすることができる。
素子１端の直流電位と基準電位発生部１７の発生する基
準電位と比較し、検知電流ＩSを制御することで、磁気
抵抗素子１の抵抗値が変動しても常に磁気抵抗素子１で
の直流電圧降下を一定にできるので磁気抵抗素子の信号
出力を一定にすることができる。また、基準電位１７を
電流源２が定電流性を保つ最小の値にすることで、磁気
抵抗素子１の信号出力を最大にすることができる。
【００４１】次に、本発明の第２の実施例における磁気
再生装置について説明する。図２は本発明の第２の実施
例における磁気再生装置の構成を示す図である。図２に
おいて、前記図１と異なる構成要素について述べる。
７，９は演算増幅器、８はローパスフィルタ、１０は基
準電位発生部、１１は制御部である。
再生装置について説明する。図２は本発明の第２の実施
例における磁気再生装置の構成を示す図である。図２に
おいて、前記図１と異なる構成要素について述べる。
７，９は演算増幅器、８はローパスフィルタ、１０は基
準電位発生部、１１は制御部である。
【００４２】上記各構成要素の関係と動作について説明
する。磁気抵抗素子１の抵抗値変化±ｋ・ＲがＡ点の電
圧変化±ＩS・ｋ・Ｒに変換され、初段増幅器１２にこ
の電圧変化を入力し増幅することにより、磁気テープに
記録されている信号を再生する動作は前記従来例と同様
なので説明を省略する。
する。磁気抵抗素子１の抵抗値変化±ｋ・ＲがＡ点の電
圧変化±ＩS・ｋ・Ｒに変換され、初段増幅器１２にこ
の電圧変化を入力し増幅することにより、磁気テープに
記録されている信号を再生する動作は前記従来例と同様
なので説明を省略する。
【００４３】演算増幅器７において磁気抵抗素子１の両
端の電位を検出し、ローパスフィルタ８に入力する。ロ
ーパスフィルタ８は磁気抵抗素子１の検出する信号磁束
の周波数以下の帯域を通過させる。磁気抵抗素子１に供
給する検知電流をＩSとし、磁気テープに信号がない時
の磁気抵抗素子１の抵抗値をＲとすると、ローパスフィ
ルタ８の出力はＩS・Ｒとなり磁気抵抗素子１両端の直
流電位を表している。
端の電位を検出し、ローパスフィルタ８に入力する。ロ
ーパスフィルタ８は磁気抵抗素子１の検出する信号磁束
の周波数以下の帯域を通過させる。磁気抵抗素子１に供
給する検知電流をＩSとし、磁気テープに信号がない時
の磁気抵抗素子１の抵抗値をＲとすると、ローパスフィ
ルタ８の出力はＩS・Ｒとなり磁気抵抗素子１両端の直
流電位を表している。
【００４４】ローパスフィルタ８の出力は演算増幅器９
で基準電位発生部１０の発生する基準電位ＶREFと比較
される。磁気抵抗素子１の信号振幅をＩS・Ｒ・ｋにす
る場合、基準電位ＶREFはＩS・Ｒに設定する。磁気抵抗
素子１の抵抗値がばらつきによりＲからＲ−ΔＲになっ
たとすると、検知電流が一定ならばローパスフィルタ８
の出力はＩS・（Ｒ−ΔＲ）となるので演算増幅器９の
出力は（ＩS・（Ｒ−ΔＲ））−ＩS・Ｒであるから−Ｉ
S・ΔＲとなる。制御部１１は演算増幅器９の出力が０
になるように電流制御回路４を制御し検知電流を変化さ
せる。上記の場合は検知電流をＩS＋ΔＩSとし、ローパ
スフィルタの出力である磁気抵抗素子１の両端の直流電
位（ＩS＋ΔＩS）・（Ｒ−ΔＲ）が基準電位ＶREFすな
わちＩS・Ｒと等しくなるよう制御するので、磁気抵抗
素子１の抵抗値がＲからＲ−ΔＲになった時の信号振幅
（ＩS＋ΔＩS）・（Ｒ−ΔＲ）・ｋはＩS・Ｒ・ｋと等
しくなり一定に制御できる。
で基準電位発生部１０の発生する基準電位ＶREFと比較
される。磁気抵抗素子１の信号振幅をＩS・Ｒ・ｋにす
る場合、基準電位ＶREFはＩS・Ｒに設定する。磁気抵抗
素子１の抵抗値がばらつきによりＲからＲ−ΔＲになっ
たとすると、検知電流が一定ならばローパスフィルタ８
の出力はＩS・（Ｒ−ΔＲ）となるので演算増幅器９の
出力は（ＩS・（Ｒ−ΔＲ））−ＩS・Ｒであるから−Ｉ
S・ΔＲとなる。制御部１１は演算増幅器９の出力が０
になるように電流制御回路４を制御し検知電流を変化さ
せる。上記の場合は検知電流をＩS＋ΔＩSとし、ローパ
スフィルタの出力である磁気抵抗素子１の両端の直流電
位（ＩS＋ΔＩS）・（Ｒ−ΔＲ）が基準電位ＶREFすな
わちＩS・Ｒと等しくなるよう制御するので、磁気抵抗
素子１の抵抗値がＲからＲ−ΔＲになった時の信号振幅
（ＩS＋ΔＩS）・（Ｒ−ΔＲ）・ｋはＩS・Ｒ・ｋと等
しくなり一定に制御できる。
【００４５】さらに、電源電圧ＶCCが変動した場合であ
っても、磁気抵抗素子両端の電位を一定に制御している
ので、磁気抵抗素子１の信号出力は一定に保たれる。
っても、磁気抵抗素子両端の電位を一定に制御している
ので、磁気抵抗素子１の信号出力は一定に保たれる。
【００４６】基準電位ＶREFは信号振幅を最大にするた
めに以下のように設定する。電源電圧が変動する最小の
値をＶCCminとし、抵抗器５の抵抗値をＲEとし、電流制
御素子３のコレクタエミッタ間の飽和電圧をＶCEsatと
し、磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついて最小になると
きの検知電流をＩSmaxとすると、磁気抵抗素子１の両端
電位はＶREFになるよう制御され、ＶCEsat＝ＶCCmin−
ＶREF−ＩSmax・ＲEとなるようにＶREFを設定すると検
知電流の定電流性を保ちながら信号振幅を最大にとれ
る。
めに以下のように設定する。電源電圧が変動する最小の
値をＶCCminとし、抵抗器５の抵抗値をＲEとし、電流制
御素子３のコレクタエミッタ間の飽和電圧をＶCEsatと
し、磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついて最小になると
きの検知電流をＩSmaxとすると、磁気抵抗素子１の両端
電位はＶREFになるよう制御され、ＶCEsat＝ＶCCmin−
ＶREF−ＩSmax・ＲEとなるようにＶREFを設定すると検
知電流の定電流性を保ちながら信号振幅を最大にとれ
る。
【００４７】以上のように本実施例によれば、演算増幅
器９において磁気抵抗素子１両端の直流電位と基準電位
１０とを比較し、検知電流を制御することで、電源電圧
や磁気抵抗素子１の抵抗値が変動しても常に磁気抵抗素
子１での直流電圧降下を一定にできるので磁気抵抗素子
の信号出力を一定にできる。
器９において磁気抵抗素子１両端の直流電位と基準電位
１０とを比較し、検知電流を制御することで、電源電圧
や磁気抵抗素子１の抵抗値が変動しても常に磁気抵抗素
子１での直流電圧降下を一定にできるので磁気抵抗素子
の信号出力を一定にできる。
【００４８】次に、本発明の第３の実施例における磁気
再生装置について説明する。図３は本発明の第３の実施
例における磁気再生装置の構成を示すブロック図であ
る。図３において、前記図１と異なる構成要素について
述べる。２０は演算増幅器、２１は第２の基準電位発生
部、２２は第２の制御部、２３は利得可変部である。
再生装置について説明する。図３は本発明の第３の実施
例における磁気再生装置の構成を示すブロック図であ
る。図３において、前記図１と異なる構成要素について
述べる。２０は演算増幅器、２１は第２の基準電位発生
部、２２は第２の制御部、２３は利得可変部である。
【００４９】上記各構成要素の関係と動作について説明
する。磁気テープの磁束変化を出力端１３から出力する
動作、磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついても磁気抵抗
素子１の信号出力を一定に保つ動作は前記第１の実施例
と同様であるので説明を省略する。
する。磁気テープの磁束変化を出力端１３から出力する
動作、磁気抵抗素子１の抵抗値がばらついても磁気抵抗
素子１の信号出力を一定に保つ動作は前記第１の実施例
と同様であるので説明を省略する。
【００５０】以下に、電源電圧が変動したときの動作に
ついて説明する。本実施例の磁気再生装置は第１の実施
例と同様にＡ点の電位を一定に保つように動作するの
で、電源電圧が変動すると磁気抵抗素子１での電圧降下
が増加するため、磁気抵抗素子１の信号出力は変動す
る。電源電圧のセンター値をＶCC、Ａ点の電位をＶRE
F、検知電流をＩS、磁気抵抗素子１の抵抗値をＲ、磁気
抵抗素子の信号出力をＸとすると、（ＶCC−ＶREF）＝
ＩS・Ｒ、ＩS・Ｒ・ｋ＝Ｘとなる。
ついて説明する。本実施例の磁気再生装置は第１の実施
例と同様にＡ点の電位を一定に保つように動作するの
で、電源電圧が変動すると磁気抵抗素子１での電圧降下
が増加するため、磁気抵抗素子１の信号出力は変動す
る。電源電圧のセンター値をＶCC、Ａ点の電位をＶRE
F、検知電流をＩS、磁気抵抗素子１の抵抗値をＲ、磁気
抵抗素子の信号出力をＸとすると、（ＶCC−ＶREF）＝
ＩS・Ｒ、ＩS・Ｒ・ｋ＝Ｘとなる。
【００５１】電源電圧がＶCCからＶCC＋ΔＶCCへ変化し
たとき、磁気抵抗素子１の信号出力は、磁気抵抗素子１
の電圧降下のｋ倍となるのでＸ＋ΔＶCC・ｋとなる。従
って磁気抵抗素子の信号出力をＸに一定にするときは第
２の基準電位発生部２１の発生する基準電位ＶREF２を
ＶCCとすることにより、演算増幅器２０の出力は（ＶCC
＋ΔＶCC）−ＶCCであるからΔＶCCが検出でき、制御部
２１により利得可変部２３の利得をＸ／（Ｘ＋ΔＶCC・
ｋ）に制御し、出力端１３での出力をＸとする。
たとき、磁気抵抗素子１の信号出力は、磁気抵抗素子１
の電圧降下のｋ倍となるのでＸ＋ΔＶCC・ｋとなる。従
って磁気抵抗素子の信号出力をＸに一定にするときは第
２の基準電位発生部２１の発生する基準電位ＶREF２を
ＶCCとすることにより、演算増幅器２０の出力は（ＶCC
＋ΔＶCC）−ＶCCであるからΔＶCCが検出でき、制御部
２１により利得可変部２３の利得をＸ／（Ｘ＋ΔＶCC・
ｋ）に制御し、出力端１３での出力をＸとする。
【００５２】以上のように本実施例によれば、電源電圧
に応じて利得可変部２３を制御することで電源電圧が変
動しても、出力端１３での出力を一定にすることができ
る。また初段増幅器１２の入力信号が大きい時、出力端
１３での出力を減少させる動作をＩSを調節せずに初段
増幅器１２の後で減衰させて行うため初段増幅器１２の
ノイズも同時に減衰され、電源電圧が増加したときには
ＳＮ比を改善することができる。
に応じて利得可変部２３を制御することで電源電圧が変
動しても、出力端１３での出力を一定にすることができ
る。また初段増幅器１２の入力信号が大きい時、出力端
１３での出力を減少させる動作をＩSを調節せずに初段
増幅器１２の後で減衰させて行うため初段増幅器１２の
ノイズも同時に減衰され、電源電圧が増加したときには
ＳＮ比を改善することができる。
【００５３】次に、本発明の第４の実施例における磁気
再生装置について説明する。図４は本発明の第４の実施
例における磁気再生装置の構成を示すブロック図であ
る。図４において、前記図１と異なる構成要素について
述べる。７，９，１６，１９は演算増幅器、８，１５は
ローパスフィルタ、１０，１７は基準電位発生部、１
１，１８は制御部、２３は利得可変部である。
再生装置について説明する。図４は本発明の第４の実施
例における磁気再生装置の構成を示すブロック図であ
る。図４において、前記図１と異なる構成要素について
述べる。７，９，１６，１９は演算増幅器、８，１５は
ローパスフィルタ、１０，１７は基準電位発生部、１
１，１８は制御部、２３は利得可変部である。
【００５４】上記各構成要素の関係と動作について説明
する。磁気テープの磁束変化を出力端１３から出力する
動作は前記第１の実施例と同様であるので説明を省略す
る。
する。磁気テープの磁束変化を出力端１３から出力する
動作は前記第１の実施例と同様であるので説明を省略す
る。
【００５５】まず、磁気抵抗素子１の信号出力を最大に
する動作について説明する。演算増幅器１９は電流制御
素子３の両端の電位差を検出し、ローパスフィルタ１５
に出力する。ローパスフィルタ１５は磁気抵抗素子１の
検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過させる。磁
気抵抗素子１に供給される検知電流をＩS、磁気テープ
に信号がない時の磁気抵抗素子１の抵抗値をＲ、抵抗器
５の抵抗値をＲEとすると、ローパスフィルタ１５の出
力はＶCC−ＩS・Ｒ−ＩS・ＲEとなり、電流制御素子３
のコレクタエミッタ間の直流電位ＶCEを表している。ロ
ーパスフィルタ１５の出力は演算増幅器１６で基準電位
発生部１７で発生する基準電位ＶREFと比較され、演算
増幅器１６の出力は制御部１８に入力される。制御部１
８は演算増幅器１６の出力に基づきローパスフィルタ１
５の出力、ＶCC−ＩS・Ｒ−ＩS・ＲEが基準電位ＶREFに
等しくなるように検知電流ＩSを制御する。
する動作について説明する。演算増幅器１９は電流制御
素子３の両端の電位差を検出し、ローパスフィルタ１５
に出力する。ローパスフィルタ１５は磁気抵抗素子１の
検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過させる。磁
気抵抗素子１に供給される検知電流をＩS、磁気テープ
に信号がない時の磁気抵抗素子１の抵抗値をＲ、抵抗器
５の抵抗値をＲEとすると、ローパスフィルタ１５の出
力はＶCC−ＩS・Ｒ−ＩS・ＲEとなり、電流制御素子３
のコレクタエミッタ間の直流電位ＶCEを表している。ロ
ーパスフィルタ１５の出力は演算増幅器１６で基準電位
発生部１７で発生する基準電位ＶREFと比較され、演算
増幅器１６の出力は制御部１８に入力される。制御部１
８は演算増幅器１６の出力に基づきローパスフィルタ１
５の出力、ＶCC−ＩS・Ｒ−ＩS・ＲEが基準電位ＶREFに
等しくなるように検知電流ＩSを制御する。
【００５６】本実施例では基準電位ＶREFを電流制御素
子３が定電流性を保つ最小の値に設定することで電流制
御素子３での電圧降下を常に最小にし、磁気抵抗素子１
での電圧降下を最大にし、磁気抵抗素子１の信号出力を
最大に設定する。但し、磁気抵抗素子１の抵抗値ばらつ
きに応じＩSを制御しているのでＢ点での電位が変化
し、Ａ点の電位も変化する。例えば、磁気抵抗素子１の
抵抗値が大きくなるにつれ、Ａ点、Ｂ点の電位が低下
し、磁気抵抗素子１の電圧降下が増加し、磁気抵抗素子
１の信号出力が増加する。また、電源電圧が変動しても
磁気抵抗素子の信号出力は変動する。
子３が定電流性を保つ最小の値に設定することで電流制
御素子３での電圧降下を常に最小にし、磁気抵抗素子１
での電圧降下を最大にし、磁気抵抗素子１の信号出力を
最大に設定する。但し、磁気抵抗素子１の抵抗値ばらつ
きに応じＩSを制御しているのでＢ点での電位が変化
し、Ａ点の電位も変化する。例えば、磁気抵抗素子１の
抵抗値が大きくなるにつれ、Ａ点、Ｂ点の電位が低下
し、磁気抵抗素子１の電圧降下が増加し、磁気抵抗素子
１の信号出力が増加する。また、電源電圧が変動しても
磁気抵抗素子の信号出力は変動する。
【００５７】次に、出力端１３での出力を一定に保つ動
作について説明する。演算増幅器７により磁気抵抗素子
１の両端の電位を検出し、ローパスフィルタ８に出力す
る。ローパスフィルタ８は磁気抵抗素子１の検出する信
号磁束の周波数以下の帯域を通過させる。ローパスフィ
ルタ８の出力は演算増幅器９で第２の基準電位発生部１
０の発生する基準電位ＶREF2と比較される。制御部１１
では演算増幅器９の出力に応じてローパスフィルタ８の
出力が大きければ利得可変部２３の利得を低下させ、小
さければ利得可変部２３の利得を増加させるよう制御
し、出力端１３での出力を一定にする。
作について説明する。演算増幅器７により磁気抵抗素子
１の両端の電位を検出し、ローパスフィルタ８に出力す
る。ローパスフィルタ８は磁気抵抗素子１の検出する信
号磁束の周波数以下の帯域を通過させる。ローパスフィ
ルタ８の出力は演算増幅器９で第２の基準電位発生部１
０の発生する基準電位ＶREF2と比較される。制御部１１
では演算増幅器９の出力に応じてローパスフィルタ８の
出力が大きければ利得可変部２３の利得を低下させ、小
さければ利得可変部２３の利得を増加させるよう制御
し、出力端１３での出力を一定にする。
【００５８】以上のように本実施例によれば、基準電位
発生部１７の発生する基準電位を電流制御素子３が定電
流性を保つ最小の値に設定し、電流制御素子３両端の直
流電位と基準電位発生部１７の発生する基準電位とを比
較し、検知電流ＩSを制御し、電流制御素子３でのロス
電圧を最小にすることで、磁気抵抗素子１の抵抗値が変
動しても常に磁気抵抗素子１での直流電圧降下を最大に
することができ、磁気抵抗素子１の信号出力を最大にで
き、さらに、磁気抵抗素子１の両端の電位に基づき利得
可変部２３を制御することで電源電圧や磁気抵抗素子１
の抵抗値が変動しても、出力端１３での出力を一定にす
ることができる。また、初段増幅器１２の入力信号が大
きいとき出力端１３での出力を減少させる動作をＩSを
調節せずに初段増幅器１２の後で減衰させて行うため初
段増幅器１２のノイズも同時に減衰され、電源電圧が増
加したときにはＳＮ比を改善することができる。
発生部１７の発生する基準電位を電流制御素子３が定電
流性を保つ最小の値に設定し、電流制御素子３両端の直
流電位と基準電位発生部１７の発生する基準電位とを比
較し、検知電流ＩSを制御し、電流制御素子３でのロス
電圧を最小にすることで、磁気抵抗素子１の抵抗値が変
動しても常に磁気抵抗素子１での直流電圧降下を最大に
することができ、磁気抵抗素子１の信号出力を最大にで
き、さらに、磁気抵抗素子１の両端の電位に基づき利得
可変部２３を制御することで電源電圧や磁気抵抗素子１
の抵抗値が変動しても、出力端１３での出力を一定にす
ることができる。また、初段増幅器１２の入力信号が大
きいとき出力端１３での出力を減少させる動作をＩSを
調節せずに初段増幅器１２の後で減衰させて行うため初
段増幅器１２のノイズも同時に減衰され、電源電圧が増
加したときにはＳＮ比を改善することができる。
【００５９】
【発明の効果】以上のように本発明は、磁気抵抗素子の
抵抗値がばらついても常に磁気抵抗素子の信号出力を一
定にでき、かつ、基準電位を電流制御素子が定電流性を
保つ最小の値にすることで電流制御素子でのロス電圧を
最小にでき、磁気抵抗素子の信号出力を最大にすること
ができる磁気再生装置を簡易な構成で実現できる。
抵抗値がばらついても常に磁気抵抗素子の信号出力を一
定にでき、かつ、基準電位を電流制御素子が定電流性を
保つ最小の値にすることで電流制御素子でのロス電圧を
最小にでき、磁気抵抗素子の信号出力を最大にすること
ができる磁気再生装置を簡易な構成で実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例における磁気再生装置の
構成を示すブロック図
構成を示すブロック図
【図２】図１における電流制御素子３のコレクタエミッ
タ間電圧対コレクタ電流を示す特性図
タ間電圧対コレクタ電流を示す特性図
【図３】本発明の第２の実施例における磁気再生装置の
構成を示すブロック図
構成を示すブロック図
【図４】本発明の第３の実施例における磁気再生装置の
構成を示すブロック図
構成を示すブロック図
【図５】本発明の第４の実施例における磁気再生装置の
構成を示すブロック図
構成を示すブロック図
【図６】従来の磁気再生装置の構成を示すブロック図
１ 磁気抵抗素子 ２ 電流源 ３ 電流制御素子 ４ 電流制御回路 ５ 抵抗器 ６ 電圧制御部 ７，９，１６，１９，２０ 演算増幅器 ８，１５ ローパスフィルタ １０，１７，２１ 基準電位発生部 １１，１８，２２ 制御部 １２ 初段増幅器 １３ 出力端 ２３ 利得可変部
Claims (4)
- 【請求項１】 磁束を感知して抵抗値が変化する磁気抵
抗素子と、 前記磁気抵抗素子に電流を供給する電流源と、 前記磁気抵抗素子と前記電流源が接続される点の電位を
入力とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束の周波数
以下の帯域を通過させるローパスフィルタと、 基準電位を発生する基準電位発生部と、 前記ローパスフィルタの出力と前記基準電位発生部の発
生する基準電位との差により前記電流源の電流値を制御
する制御部とからなる磁気再生装置。 - 【請求項２】 磁束を感知して抵抗値が変化する磁気抵
抗素子と、 前記磁気抵抗素子に電流を供給する電流源と、 前記磁気抵抗素子の両端の電位を入力とし前記磁気抵抗
素子の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過させ
るローパスフィルタと、 基準電位を発生する基準電位発生部と、 前記ローパスフィルタの出力と前記基準電位発生部の発
生する基準電位との差により前記電流源の電流値を制御
する制御部とからなる磁気再生装置。 - 【請求項３】 磁束を感知して抵抗値が変化する磁気抵
抗素子と、 前記磁気抵抗素子に電流を供給する電流源と、 前記磁気抵抗素子と前記電流源が接続される点の電位を
入力とし前記磁気抵抗素子の検出する信号磁束の周波数
以下の帯域を通過させるローパスフィルタと、 第１の基準電位を発生する第１の基準電位発生部と、 前記ローパスフィルタの出力と前記第１の基準電位発生
部が発生する第１の基準電位との差により前記電流源の
電流値を制御する第１の制御部と、 前記磁気抵抗素子の検出する出力を入力とする初段増幅
器と、 前記初段増幅器の出力の信号レベルを可変し出力する利
得可変部と、 第２の基準電位を発生する第２の基準電位発生部と、 電源電圧と前記第２の基準電位発生部が発生する第２の
基準電位との差により前記利得可変部を制御し信号レベ
ルを可変する第２の制御部とからなる磁気再生装置。 - 【請求項４】 磁束を感知して抵抗値が変化する磁気抵
抗素子と、 前記磁気抵抗素子に電流を供給する電流制御素子と、 前記電流制御素子が供給する電流値を制御する電流制御
回路と、 前記電流制御素子の両端の電位差を入力とし前記磁気抵
抗素子の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過さ
せる第１のローパスフィルタと、 第１の基準電位を発生する第１の基準電位発生部と、 前記第１のローパスフィルタの出力と前記第１の基準電
位発生部が発生する第１の基準電位との差により前記電
流制御回路を制御し前記電流制御素子の供給する電流値
を制御する第１の制御部と、 前記磁気抵抗素子の検出する出力を入力する初段増幅器
と、 前記初段増幅器の出力の信号レベルを可変し出力する利
得可変部と、 前記磁気抵抗素子の両端の電位差を入力とし前記磁気抵
抗素子の検出する信号磁束の周波数以下の帯域を通過さ
せる第２のローパスフィルタと、 第２の基準電位を発生する第２の基準電位発生部と、 前記第２のローパスフィルタの出力と前記第２の基準電
位発生部が発生する第２の基準電位との差により前記利
得可変部を制御し信号レベルを可変する第２の制御部と
からなる磁気再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275703A JPH06131612A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275703A JPH06131612A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 磁気再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131612A true JPH06131612A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17559191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275703A Pending JPH06131612A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06131612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104557A (en) * | 1996-05-31 | 2000-08-15 | Fujitsu Limited | Magnetic disk reproduction with offset compensation for thermal asperity |
| WO2011145463A1 (ja) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | コニカミノルタオプト株式会社 | アクチュエータの駆動装置および駆動方法 |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP4275703A patent/JPH06131612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104557A (en) * | 1996-05-31 | 2000-08-15 | Fujitsu Limited | Magnetic disk reproduction with offset compensation for thermal asperity |
| WO2011145463A1 (ja) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | コニカミノルタオプト株式会社 | アクチュエータの駆動装置および駆動方法 |
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