JPH06131700A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH06131700A JPH06131700A JP4281562A JP28156292A JPH06131700A JP H06131700 A JPH06131700 A JP H06131700A JP 4281562 A JP4281562 A JP 4281562A JP 28156292 A JP28156292 A JP 28156292A JP H06131700 A JPH06131700 A JP H06131700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- group
- reflective layer
- amorphous
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐蝕、亀裂、剥離等が生じない、反射層の耐
久性が向上した光記録媒体を提供することにある。 【構成】 Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌからなる第１グルー
プ、Ｍｇ，Ｗ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｍｏからなる第２グループ、Ｂ，Ｓｉ，Ｓ，Ｐ，Ｃ
からなる第３グループの各グループに含まれる少なくと
も一つの元素から構成される非晶質の反射層を備えたこ
とを特徴とする光記録媒体、および高反射率を有する第
１の元素群、酸化被膜を形成する第２の元素群、前記第
１の元素群と前記第２の元素群とから構成される合金を
非晶質とする第３の元素群の各元素群に含まれる少なく
とも一つの元素から構成される非晶質の反射層を備えた
ことを特徴とする光記録媒体。 【効果】 本発明の光記録媒体は長期信頼性に優れる。
久性が向上した光記録媒体を提供することにある。 【構成】 Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌからなる第１グルー
プ、Ｍｇ，Ｗ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｍｏからなる第２グループ、Ｂ，Ｓｉ，Ｓ，Ｐ，Ｃ
からなる第３グループの各グループに含まれる少なくと
も一つの元素から構成される非晶質の反射層を備えたこ
とを特徴とする光記録媒体、および高反射率を有する第
１の元素群、酸化被膜を形成する第２の元素群、前記第
１の元素群と前記第２の元素群とから構成される合金を
非晶質とする第３の元素群の各元素群に含まれる少なく
とも一つの元素から構成される非晶質の反射層を備えた
ことを特徴とする光記録媒体。 【効果】 本発明の光記録媒体は長期信頼性に優れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非晶質の反射層を備えた
光記録媒体に関する。
光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光記録媒体としては、例えば図１
に示すような構造のものが知られている。図１におい
て、１は透光性を有するドーナツ板状の基板である。こ
の基板１の上には有機系色素等からなる光吸収層２が形
成されている。光吸収層２は、基板１を透過して照射さ
れたレーザ光を吸収して発熱し、溶融，蒸発，昇華，変
形または変性し、該光吸収層２や基板１の表面にピット
を形成する作用を有する層である。この光吸収層２の上
には、金，銀，銅等の結晶質の反射層３が形成されてい
る。反射層３の厚さは、通常５００〜２０００Å程度で
ある。さらに、この反射層３の上には、反射層３等を保
護するための保護層４が形成されている。
に示すような構造のものが知られている。図１におい
て、１は透光性を有するドーナツ板状の基板である。こ
の基板１の上には有機系色素等からなる光吸収層２が形
成されている。光吸収層２は、基板１を透過して照射さ
れたレーザ光を吸収して発熱し、溶融，蒸発，昇華，変
形または変性し、該光吸収層２や基板１の表面にピット
を形成する作用を有する層である。この光吸収層２の上
には、金，銀，銅等の結晶質の反射層３が形成されてい
る。反射層３の厚さは、通常５００〜２０００Å程度で
ある。さらに、この反射層３の上には、反射層３等を保
護するための保護層４が形成されている。
【０００３】上記光記録媒体は既存のコンパクトディス
クに用いられるプレーヤにより再生できることが望まれ
ている。このため、反射層の反射率は６５％以上である
ことが実用上要求されている。
クに用いられるプレーヤにより再生できることが望まれ
ている。このため、反射層の反射率は６５％以上である
ことが実用上要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記金，銀，銅等から
なる結晶質の反射層を用いた従来の光記録媒体は、長期
間使用していると、反射層３が基板１から剥離したり、
あるいは、反射層３に腐蝕が発生する。また、レーザー
で記録した際に発生する数百℃の熱によって、記録部の
反射層３に亀裂や剥離が生じ易い。このため、信号読み
取りの指標であるエラーレートが増加し、ジッターが著
しく悪化するという問題があった。
なる結晶質の反射層を用いた従来の光記録媒体は、長期
間使用していると、反射層３が基板１から剥離したり、
あるいは、反射層３に腐蝕が発生する。また、レーザー
で記録した際に発生する数百℃の熱によって、記録部の
反射層３に亀裂や剥離が生じ易い。このため、信号読み
取りの指標であるエラーレートが増加し、ジッターが著
しく悪化するという問題があった。
【０００５】本発明の目的は腐食、亀裂、剥離等が生じ
ない、反射層の耐久性が向上した光記録媒体を提供する
ことにある。
ない、反射層の耐久性が向上した光記録媒体を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、Ａｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌからなる第１グループ、Ｍｇ，Ｗ，Ｐ
ｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏからなる
第２グループ、Ｂ，Ｓｉ，Ｓ，Ｐ，Ｃからなる第３グル
ープの各グループに含まれる少なくとも一つの元素から
構成される非晶質の反射層を備えたことを特徴とする光
記録媒体である。
Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌからなる第１グループ、Ｍｇ，Ｗ，Ｐ
ｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏからなる
第２グループ、Ｂ，Ｓｉ，Ｓ，Ｐ，Ｃからなる第３グル
ープの各グループに含まれる少なくとも一つの元素から
構成される非晶質の反射層を備えたことを特徴とする光
記録媒体である。
【０００７】また本発明の要旨は、高反射率を有する第
１の元素群、酸化被膜を形成する第２の元素群、前記第
１の元素群と前記第２の元素群とから構成される合金を
非晶質とする第３の元素群の各元素群に含まれる少なく
とも一つの元素から構成される非晶質の反射層を備えた
ことを特徴とする光記録媒体である。
１の元素群、酸化被膜を形成する第２の元素群、前記第
１の元素群と前記第２の元素群とから構成される合金を
非晶質とする第３の元素群の各元素群に含まれる少なく
とも一つの元素から構成される非晶質の反射層を備えた
ことを特徴とする光記録媒体である。
【０００８】上記各グループまたは各金属群を用いて、
高周波マグネトロンスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビ
ーム法等により基板上に５〜５００ｎｍの反射層を形成
する。
高周波マグネトロンスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビ
ーム法等により基板上に５〜５００ｎｍの反射層を形成
する。
【０００９】この時、形成される反射層を非晶質となる
ような条件を選択する。例えば、前記反射層の積層方法
を、窒素ガスの流量が１〜５００ｓｃｃｍである窒素雰
囲気中で行う。あるいは、基板を十分に冷却して低温に
保った状態でその上に速い堆積速度で成膜する。さらに
は、非晶質となりやすい合金組成を選択するなどの条件
である。
ような条件を選択する。例えば、前記反射層の積層方法
を、窒素ガスの流量が１〜５００ｓｃｃｍである窒素雰
囲気中で行う。あるいは、基板を十分に冷却して低温に
保った状態でその上に速い堆積速度で成膜する。さらに
は、非晶質となりやすい合金組成を選択するなどの条件
である。
【００１０】さらに、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選ばれた少
なくとも１種の元素を含む第４の金属元素や、Ｇｅ，
Ｙ，Ａｓ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｓｂ，Ｓ
ｅ，Ｍｎ，Ｔｃ等から選ばれた少なくとも１種の元素を
含む第５の金属元素を、添加することによって腐食、亀
裂、剥離等を改良した非晶質の反射層を得ることができ
る。
なくとも１種の元素を含む第４の金属元素や、Ｇｅ，
Ｙ，Ａｓ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｓｂ，Ｓ
ｅ，Ｍｎ，Ｔｃ等から選ばれた少なくとも１種の元素を
含む第５の金属元素を、添加することによって腐食、亀
裂、剥離等を改良した非晶質の反射層を得ることができ
る。
【００１１】
【作用】本発明の作用については明らかではないが、以
下のように推測される。
下のように推測される。
【００１２】Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌからなる第１グル
ープは高反射率を有する金属であり、追記型記録媒体に
入射された光を反射する性質を持つ。Ｍｇ，Ｗ，Ｐｄ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏからなる第２
グループは酸化被膜を形成する性質を持つ。Ｂ，Ｓｉ，
Ｓ，Ｐ，Ｃからなる第３グループは第１グループおよび
第２グループからなる合金を非晶質の合金にしやすい性
質を持つ。
ープは高反射率を有する金属であり、追記型記録媒体に
入射された光を反射する性質を持つ。Ｍｇ，Ｗ，Ｐｄ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏからなる第２
グループは酸化被膜を形成する性質を持つ。Ｂ，Ｓｉ，
Ｓ，Ｐ，Ｃからなる第３グループは第１グループおよび
第２グループからなる合金を非晶質の合金にしやすい性
質を持つ。
【００１３】酸化被膜は化学的に安定であり反射層の腐
蝕を防止する。さらに、非晶質の合金は結晶金属の特性
である結晶粒界、転移、積層欠陥を含まないため、結晶
合金に対して耐蝕性に優れている。また、非晶質の合金
は内部応力も少ないため、密着性が向上し、剥離しにく
い。
蝕を防止する。さらに、非晶質の合金は結晶金属の特性
である結晶粒界、転移、積層欠陥を含まないため、結晶
合金に対して耐蝕性に優れている。また、非晶質の合金
は内部応力も少ないため、密着性が向上し、剥離しにく
い。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を説明するが、本発明はこれに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
【００１５】本発明に係る光記録媒体は、図１に示した
光記録媒体と基本的に同一構造を有しているので、実施
例の説明に図１を利用することする。
光記録媒体と基本的に同一構造を有しているので、実施
例の説明に図１を利用することする。
【００１６】（実施例１）ポリカーボネート製の基板１
上に、シアニン系有機色素をスピンコート法により塗布
し、記録層（光吸収層２）とした。さらに、９９．９９
％Ａｇターゲット上に、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｂ−Ｐ−Ｗの焼結
チップを置いた複合ターゲットを用いて、窒素流量が１
００ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、スパッタ法により
膜厚１５０ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。前記非
晶質の反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚さ約８μｍの
保護層４を形成した。
上に、シアニン系有機色素をスピンコート法により塗布
し、記録層（光吸収層２）とした。さらに、９９．９９
％Ａｇターゲット上に、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｂ−Ｐ−Ｗの焼結
チップを置いた複合ターゲットを用いて、窒素流量が１
００ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、スパッタ法により
膜厚１５０ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。前記非
晶質の反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚さ約８μｍの
保護層４を形成した。
【００１７】上記方法によって得られた光記録媒体を、
８５℃、８５％ＲＨ雰囲気中に２００時間投入したとこ
ろ、反射層３の剥離等の外観上異常は認められなかっ
た。
８５℃、８５％ＲＨ雰囲気中に２００時間投入したとこ
ろ、反射層３の剥離等の外観上異常は認められなかっ
た。
【００１８】また、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを
線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パワー６．０ｍＷで照射
し、ＥＦＭ信号を得られた光記録媒体に記録した。そし
て、前記光記録媒体を市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ
ＸＲ−Ｖ７３，再生光の波長７８０ｎｍ）で再生し
て、エラーレート、ジッターを測定したところ、その値
は１ｃｐｓ、２０ｎｓｅｃであり、良好な再生信号を得
ることができた。
線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パワー６．０ｍＷで照射
し、ＥＦＭ信号を得られた光記録媒体に記録した。そし
て、前記光記録媒体を市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ
ＸＲ−Ｖ７３，再生光の波長７８０ｎｍ）で再生し
て、エラーレート、ジッターを測定したところ、その値
は１ｃｐｓ、２０ｎｓｅｃであり、良好な再生信号を得
ることができた。
【００１９】また、スライドガラス基板上の非晶質の反
射層３を、６０℃の１０ｗｔ％ＮａＣｌ水溶液に５時間
浸漬し、７８０ｎｍの半導体レーザーで反射率の変化を
測定したところ、浸漬前と浸漬後で変化はなかった。
射層３を、６０℃の１０ｗｔ％ＮａＣｌ水溶液に５時間
浸漬し、７８０ｎｍの半導体レーザーで反射率の変化を
測定したところ、浸漬前と浸漬後で変化はなかった。
【００２０】（実施例２）実施例１と同様にして記録層
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｕ−Ｔｉ−Ｂ
−Ｓｉ−Ｎｉの焼結ターゲットを用いて、窒素流量が２
００ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、高周波マグネトロ
ンスパッタ法により膜厚１００ｎｍの非晶質の反射層３
を有する光記録媒体を製造した。
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｕ−Ｔｉ−Ｂ
−Ｓｉ−Ｎｉの焼結ターゲットを用いて、窒素流量が２
００ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、高周波マグネトロ
ンスパッタ法により膜厚１００ｎｍの非晶質の反射層３
を有する光記録媒体を製造した。
【００２１】これを、実施例１と同様な方法で反射層３
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
【００２２】（実施例３）実施例１と同様にして記録層
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｇ−Ｍｇ−Ｗ
−Ｂ−Ｓｉの焼結ターゲットを用いて、窒素流量が３０
ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、イオンビーム法により
膜厚２００ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｇ−Ｍｇ−Ｗ
−Ｂ−Ｓｉの焼結ターゲットを用いて、窒素流量が３０
ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、イオンビーム法により
膜厚２００ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。
【００２３】これを、実施例１と同様な方法で反射層３
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
【００２４】（実施例４）実施例１と同様にして記録層
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃ
ｒ−Ｂ−Ｗの焼結ターゲットを用いて、窒素流量が３０
０ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、イオンビーム法によ
り膜厚１００ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃ
ｒ−Ｂ−Ｗの焼結ターゲットを用いて、窒素流量が３０
０ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、イオンビーム法によ
り膜厚１００ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。
【００２５】これを、実施例１と同様な方法で反射層３
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
【００２６】（実施例５）実施例１と同様にして記録層
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｇ−Ｍｇ−Ｗ
−Ｓｉ−Ｓの合金ターゲットを用いて、窒素流量が５０
ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、スパッタ法により膜厚
１００ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。
（光吸収層２）を形成した基板１上に、Ａｇ−Ｍｇ−Ｗ
−Ｓｉ−Ｓの合金ターゲットを用いて、窒素流量が５０
ｓｃｃｍである窒素雰囲気中で、スパッタ法により膜厚
１００ｎｍの非晶質の反射層３を形成した。
【００２７】これを、実施例１と同様な方法で反射層３
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
の外観異常、エラーレート、ジッターの測定、反射率の
変化の測定を行ったところ、異常はみとめられなかっ
た。
【００２８】尚、実施例１〜５に示した以外の、第２お
よび第３のグループの元素を用いても、実施例１〜５と
同様の結果が得られている。
よび第３のグループの元素を用いても、実施例１〜５と
同様の結果が得られている。
【００２９】（比較例１）ポリカーボネート製ディスク
基板１上に、シアニン系有機色素をスピンコート法によ
り塗布し、記録層（光吸収層２）とした。さらに、９
９．９９％Ａｇターゲット用いたスパッタリング法によ
り膜厚１５０ｎｍの反射層３を形成した。前記非晶質の
反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、こ
れに紫外線を照射して硬化させ、厚さ約８μｍの保護層
４を形成した。
基板１上に、シアニン系有機色素をスピンコート法によ
り塗布し、記録層（光吸収層２）とした。さらに、９
９．９９％Ａｇターゲット用いたスパッタリング法によ
り膜厚１５０ｎｍの反射層３を形成した。前記非晶質の
反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、こ
れに紫外線を照射して硬化させ、厚さ約８μｍの保護層
４を形成した。
【００３０】上記方法によって得られた光記録媒体を、
８５℃、８５％ＲＨ、雰囲気中に２００時間投入したと
ころ、外観上ピンホールの発生が多数認められた。
８５℃、８５％ＲＨ、雰囲気中に２００時間投入したと
ころ、外観上ピンホールの発生が多数認められた。
【００３１】また、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを
線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パワー６．０ｍＷで照射
し、ＥＦＭ信号を得られた光記録媒体に記録した。そし
て、前記光記録媒体を市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ
ＸＲ−Ｖ７３，再生光の波長７８０ｎｍ）で再生し
て、エラーレート、ジッターを測定したところ、その値
は２００ｃｐｓ、３０ｎｓｅｃであり、ノイズの多い不
良な再生信号が得られた。
線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パワー６．０ｍＷで照射
し、ＥＦＭ信号を得られた光記録媒体に記録した。そし
て、前記光記録媒体を市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ
ＸＲ−Ｖ７３，再生光の波長７８０ｎｍ）で再生し
て、エラーレート、ジッターを測定したところ、その値
は２００ｃｐｓ、３０ｎｓｅｃであり、ノイズの多い不
良な再生信号が得られた。
【００３２】一方、上記のスパッタリング時、チャンバ
ー内にスライドガラスを投入して反射層を形成し、反射
層の構造をＸ線回折法により測定したところ結晶構造を
示した。
ー内にスライドガラスを投入して反射層を形成し、反射
層の構造をＸ線回折法により測定したところ結晶構造を
示した。
【００３３】以上示したように本発明の光記録媒体の非
晶質の反射層は、高反射率を有するＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，
Ａｌからなる元素群、酸化被膜を形成することができる
Ｍｇ，Ｗ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，
Ｍｏからなる元素群、前記二つの元素群から構成される
合金を非晶質とすることができるＢ，Ｓｉ，Ｓ，Ｐ，Ｃ
からなる元素群の各元素群に含まれる少なくとも一つの
元素から構成されるので、腐蝕、亀裂、剥離等が生じる
ことがなく、耐久性が向上している。
晶質の反射層は、高反射率を有するＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，
Ａｌからなる元素群、酸化被膜を形成することができる
Ｍｇ，Ｗ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，
Ｍｏからなる元素群、前記二つの元素群から構成される
合金を非晶質とすることができるＢ，Ｓｉ，Ｓ，Ｐ，Ｃ
からなる元素群の各元素群に含まれる少なくとも一つの
元素から構成されるので、腐蝕、亀裂、剥離等が生じる
ことがなく、耐久性が向上している。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体は耐久性が向上し、長期信頼性に優れたものである。
体は耐久性が向上し、長期信頼性に優れたものである。
【図１】光記録媒体の構造の一例を示す一部を切欠いた
概略斜視図である。
概略斜視図である。
１ 基板 ２ 光吸収層 ３ 反射層 ４ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌからなる第１グ
ループ、Ｍｇ，Ｗ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｃｒ，Ｍｏからなる第２グループ、Ｂ，Ｓｉ，Ｓ，
Ｐ，Ｃからなる第３グループの各グループに含まれる少
なくとも一つの元素から構成される非晶質の反射層を備
えたことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 高反射率を有する第１の元素群、酸化被
膜を形成する第２の元素群、前記第１の元素群と前記第
２の元素群とから構成される合金を非晶質とする第３の
元素群の各元素群に含まれる少なくとも一つの元素から
構成される非晶質の反射層を備えたことを特徴とする光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4281562A JPH06131700A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4281562A JPH06131700A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131700A true JPH06131700A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17640920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4281562A Pending JPH06131700A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06131700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008145A1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-01 | Sony Corporation | Optical recording medium, optical recording method, optical reproducing method, optical recording device, optical reproducing device, and optical recording/reproducing device |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP4281562A patent/JPH06131700A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008145A1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-01 | Sony Corporation | Optical recording medium, optical recording method, optical reproducing method, optical recording device, optical reproducing device, and optical recording/reproducing device |
| US6788635B1 (en) | 1999-07-22 | 2004-09-07 | Sony Corporation | Optical recording medium, optical recording method, optical reproducing method, optical recording device, optical reproducing device, and optical recording/reproducing device |
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