JPH06132246A - コンタクトホール埋込構造およびコンタクトホール埋込方法 - Google Patents
コンタクトホール埋込構造およびコンタクトホール埋込方法Info
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- JPH06132246A JPH06132246A JP27882592A JP27882592A JPH06132246A JP H06132246 A JPH06132246 A JP H06132246A JP 27882592 A JP27882592 A JP 27882592A JP 27882592 A JP27882592 A JP 27882592A JP H06132246 A JPH06132246 A JP H06132246A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 深さの異なる微細なコンタクトホールを平坦
に埋込み、電気的導通を容易に得ることができ、Ａｌ系
配線の平坦化多層配線形成を実現する。 【構成】 Ｓｉデバイス層１あるいは下層配線２を被覆
する絶縁層３を形成した後、通常の露光・現像・エッチ
ング工程を行い、アスペクト比１／２以上の同一径のコ
ンタクトホール４を形成し、レジスト膜５が残ったまま
の基板に対して、選択ＣＶＤ工程における核形成層（Ｓ
ｉ薄膜）６をコンフォーマルに形成する。次に、レジス
ト膜５を除去し、選択ＣＶＤにより、コンタクトホール
４の側面および底面に選択的にＡｌ７を堆積させ、コン
タクトホール４を埋込む。
に埋込み、電気的導通を容易に得ることができ、Ａｌ系
配線の平坦化多層配線形成を実現する。 【構成】 Ｓｉデバイス層１あるいは下層配線２を被覆
する絶縁層３を形成した後、通常の露光・現像・エッチ
ング工程を行い、アスペクト比１／２以上の同一径のコ
ンタクトホール４を形成し、レジスト膜５が残ったまま
の基板に対して、選択ＣＶＤ工程における核形成層（Ｓ
ｉ薄膜）６をコンフォーマルに形成する。次に、レジス
ト膜５を除去し、選択ＣＶＤにより、コンタクトホール
４の側面および底面に選択的にＡｌ７を堆積させ、コン
タクトホール４を埋込む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の多層配線に
関し、特に径が等しく深さの異なるコンタクトホールの
埋込構造およびその埋込方法に関する。
関し、特に径が等しく深さの異なるコンタクトホールの
埋込構造およびその埋込方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】塗布型絶縁膜を用いた平坦化が行われて
いるＬＳＩの場合、下層配線が密集した部分とそうでな
い部分とで絶縁膜の厚みが異なるため、上部配線との電
気的接続のためのコンタクトホールの深さがコンタクト
ホールごとに異なる場合が生ずる。
いるＬＳＩの場合、下層配線が密集した部分とそうでな
い部分とで絶縁膜の厚みが異なるため、上部配線との電
気的接続のためのコンタクトホールの深さがコンタクト
ホールごとに異なる場合が生ずる。
【０００３】深さの異なったコンタクトホールを埋込む
ためには、従来ブランケットＣＶＤによりコンフォーマ
ルにポリシリコンやＷを成膜して行っているが、抵抗が
高いことから基板全面に形成された膜をコンタクトホー
ル上面までエッチバックする必要があり、工程数が増え
る煩雑さがある。
ためには、従来ブランケットＣＶＤによりコンフォーマ
ルにポリシリコンやＷを成膜して行っているが、抵抗が
高いことから基板全面に形成された膜をコンタクトホー
ル上面までエッチバックする必要があり、工程数が増え
る煩雑さがある。
【０００４】化学気相堆積を用いた選択成長方法として
は、１９８６年秋応用物理学会講演番号３０ａ−Ｎ−１
０記載のＷによるコンタクトホールの埋め込みや、第１
８回固体素子材料コンファレンス予稿集，７５５〜７５
６頁（１９８６年）記載の、トリイソブチアルミ（（ｉ
−Ｃ4Ｈ5）３Ａｌ）を原料として用いたＡｌの選択的成
長方法が報告されている。これらによると、原料流量や
基板温度などのパラメータを適当に選ぶと、絶縁膜とシ
リコン露出面での化学的活性の違いにより、シリコン露
出面にのみ前記金属を堆積させることができる。
は、１９８６年秋応用物理学会講演番号３０ａ−Ｎ−１
０記載のＷによるコンタクトホールの埋め込みや、第１
８回固体素子材料コンファレンス予稿集，７５５〜７５
６頁（１９８６年）記載の、トリイソブチアルミ（（ｉ
−Ｃ4Ｈ5）３Ａｌ）を原料として用いたＡｌの選択的成
長方法が報告されている。これらによると、原料流量や
基板温度などのパラメータを適当に選ぶと、絶縁膜とシ
リコン露出面での化学的活性の違いにより、シリコン露
出面にのみ前記金属を堆積させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コンタ
クトホールの底面部のみ選択的に成長する面が露出して
いるので、深さの異なるコンタクトホールを埋めようと
する場合、より浅いコンタクトホールほど早く埋め込ま
れる。したがって、浅いコンタクトホールを上面まで埋
め込むことができたとしても、同時に深いコンタクトホ
ールは埋めきれず、深いコンタクトホールを上面まで埋
めようとすると、浅いコンタクトホールは堆積物が盛り
上がってしまうという問題がある。
クトホールの底面部のみ選択的に成長する面が露出して
いるので、深さの異なるコンタクトホールを埋めようと
する場合、より浅いコンタクトホールほど早く埋め込ま
れる。したがって、浅いコンタクトホールを上面まで埋
め込むことができたとしても、同時に深いコンタクトホ
ールは埋めきれず、深いコンタクトホールを上面まで埋
めようとすると、浅いコンタクトホールは堆積物が盛り
上がってしまうという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、深さの異なる微細なコン
タクトホールを平坦化に埋め込むコンタクトホール埋込
構造およびその埋込方法を提供することにある。
タクトホールを平坦化に埋め込むコンタクトホール埋込
構造およびその埋込方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るコンタクトホール埋込構造は、核形成
層と埋込み金属とを有するコンタクトホール埋込構造で
あって、核形成層は、コンタクトホールの底部及び側壁
に設けられ、埋込み金属は、コンタクトホール内部に埋
込まれたＡｌである。
め、本発明に係るコンタクトホール埋込構造は、核形成
層と埋込み金属とを有するコンタクトホール埋込構造で
あって、核形成層は、コンタクトホールの底部及び側壁
に設けられ、埋込み金属は、コンタクトホール内部に埋
込まれたＡｌである。
【０００８】また本発明に係るコンタクトホール埋込構
造は、バリアメタルあるいはポリシリコン層と核形成層
と埋込み金属とを有するコンタクトホール埋込構造であ
って、バリアメタルあるいはポリシリコン層は、コンタ
クトホールの底部に設けられ、核形成層は、コンタクト
ホールの側壁に設けられ、埋込み金属は、コンタクトホ
ール内部に埋込まれたＡｌである。
造は、バリアメタルあるいはポリシリコン層と核形成層
と埋込み金属とを有するコンタクトホール埋込構造であ
って、バリアメタルあるいはポリシリコン層は、コンタ
クトホールの底部に設けられ、核形成層は、コンタクト
ホールの側壁に設けられ、埋込み金属は、コンタクトホ
ール内部に埋込まれたＡｌである。
【０００９】また本発明に係るコンタクトホール埋込方
法は、コンタクトホール形成工程と、核形成層成膜工程
と、Ａｌ堆積工程とを含むコンタクトホール埋込方法で
あって、コンタクトホール形成工程は、Ｓｉデバイス層
あるいは下層配線を被覆する絶縁層を形成した後、通常
の露光・現像・エッチング処理を行い、アスペクト比１
／２以上の同一径のコンタクトホールを形成するもので
あり、核形成層成膜工程は、絶縁層上のレジスト膜を残
したまま選択ＣＶＤ処理により核形成層をコンタクトホ
ールの底部及び側壁に形成するものであり、Ａｌ堆積工
程は、レジスト膜を除去した後、選択ＣＶＤ処理により
コンタクトホールの側面及び底面に選択的にＡｌを堆積
させるものである。
法は、コンタクトホール形成工程と、核形成層成膜工程
と、Ａｌ堆積工程とを含むコンタクトホール埋込方法で
あって、コンタクトホール形成工程は、Ｓｉデバイス層
あるいは下層配線を被覆する絶縁層を形成した後、通常
の露光・現像・エッチング処理を行い、アスペクト比１
／２以上の同一径のコンタクトホールを形成するもので
あり、核形成層成膜工程は、絶縁層上のレジスト膜を残
したまま選択ＣＶＤ処理により核形成層をコンタクトホ
ールの底部及び側壁に形成するものであり、Ａｌ堆積工
程は、レジスト膜を除去した後、選択ＣＶＤ処理により
コンタクトホールの側面及び底面に選択的にＡｌを堆積
させるものである。
【００１０】また本発明に係るコンタクトホール埋込方
法は、コンタクトホール形成工程と、核形成層成膜工程
と、核形成層除去工程と、Ａｌ堆積工程とを有するコン
タクトホール埋込方法であって、コンタクトホール形成
工程は、Ｓｉデバイス層あるいは下層配線を被覆する絶
縁層及びレジスト膜を形成した後、通常の露光・現像・
エッチング・レジスト剥離処理を行い、絶縁膜を露光さ
せて、アスペクト比１／２以上の同一径のコンタクトホ
ールを形成するものであり、核形成層成膜工程は、選択
ＣＶＤ処理によりコンタクトホールを含む絶縁膜表面全
面に核形成層を形成するものであり、核形成層除去工程
は、異方性エッチングにより絶縁膜表面及びコンタクト
ホールの底面の核形成層を除去するものであり、Ａｌ堆
積工程は、選択ＣＶＤ処理によりコンタクトホールの側
面及び底面に選択的にＡｌを堆積させるものである。
法は、コンタクトホール形成工程と、核形成層成膜工程
と、核形成層除去工程と、Ａｌ堆積工程とを有するコン
タクトホール埋込方法であって、コンタクトホール形成
工程は、Ｓｉデバイス層あるいは下層配線を被覆する絶
縁層及びレジスト膜を形成した後、通常の露光・現像・
エッチング・レジスト剥離処理を行い、絶縁膜を露光さ
せて、アスペクト比１／２以上の同一径のコンタクトホ
ールを形成するものであり、核形成層成膜工程は、選択
ＣＶＤ処理によりコンタクトホールを含む絶縁膜表面全
面に核形成層を形成するものであり、核形成層除去工程
は、異方性エッチングにより絶縁膜表面及びコンタクト
ホールの底面の核形成層を除去するものであり、Ａｌ堆
積工程は、選択ＣＶＤ処理によりコンタクトホールの側
面及び底面に選択的にＡｌを堆積させるものである。
【００１１】
【作用】深さが異なり、径が等しい複数のコンタクトホ
ールをコンタクトホール上面まで均一に埋めるために
は、コンタクトホール底面部だけでなく、側面にも堆積
を開始させる核形成層を薄く堆積させることにより、コ
ンタクトホールの底面および側面から堆積が始まる。堆
積速度に異方性のないＣＶＤにおいては、コンタクトホ
ールの初期の側壁と底面の表面材質の違いによる成膜開
始時間の差は僅かであると考えられ、埋込み金属として
のＡｌが堆積された後のＡｌ表面に対しては、コンタク
トホールの側壁からの堆積速度も底面からの堆積速度も
ほとんど差がないと考えられている。
ールをコンタクトホール上面まで均一に埋めるために
は、コンタクトホール底面部だけでなく、側面にも堆積
を開始させる核形成層を薄く堆積させることにより、コ
ンタクトホールの底面および側面から堆積が始まる。堆
積速度に異方性のないＣＶＤにおいては、コンタクトホ
ールの初期の側壁と底面の表面材質の違いによる成膜開
始時間の差は僅かであると考えられ、埋込み金属として
のＡｌが堆積された後のＡｌ表面に対しては、コンタク
トホールの側壁からの堆積速度も底面からの堆積速度も
ほとんど差がないと考えられている。
【００１２】コンタクトホールの側壁からの堆積に対し
ては、コンタクトホール径の半分の膜厚まで堆積すれば
コンタクトホールを埋め込むことができる。これに対し
コンタクトホールの底面からの堆積においてはコンタク
トホールを埋め込むには、その深さ分の膜厚まで堆積さ
せる必要がある。アスペクト比が１／２、すなわちコン
タクトホールの側壁とコンタクトホールの中心との距離
と、コンタクトホールの底面とコンタクトホールの直上
との距離とが等しいコンタクトホールでは、堆積に対す
る側面からの成長の寄与と底面からの成長の寄与とが等
しくなると考えられる。
ては、コンタクトホール径の半分の膜厚まで堆積すれば
コンタクトホールを埋め込むことができる。これに対し
コンタクトホールの底面からの堆積においてはコンタク
トホールを埋め込むには、その深さ分の膜厚まで堆積さ
せる必要がある。アスペクト比が１／２、すなわちコン
タクトホールの側壁とコンタクトホールの中心との距離
と、コンタクトホールの底面とコンタクトホールの直上
との距離とが等しいコンタクトホールでは、堆積に対す
る側面からの成長の寄与と底面からの成長の寄与とが等
しくなると考えられる。
【００１３】しかし、アスペクト比が１／２より大きい
場合、堆積に対するコンタクトホール側面からの成長の
寄与がコンタクトホール底面からの成長の寄与より大き
くなるため、深さの異なったコンタクトホールに対して
も径が同じであればコンタクトホール側壁からの堆積に
より埋めることができ、異なった深さをもつ同一径のコ
ンタクトホールを同時に埋め込むことができる。
場合、堆積に対するコンタクトホール側面からの成長の
寄与がコンタクトホール底面からの成長の寄与より大き
くなるため、深さの異なったコンタクトホールに対して
も径が同じであればコンタクトホール側壁からの堆積に
より埋めることができ、異なった深さをもつ同一径のコ
ンタクトホールを同時に埋め込むことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図により説明する。
【００１５】（実施例１）図１は本発明の実施例１を工
程順に示す断面図である。まず図１（ａ）に示すよう
に、Ｓｉデバイス層１と下層配線２を被覆する絶縁層３
を形成した後、通常の露光・現像・エッチング工程を行
い、アスペクト比１／２以上の同一径のコンタクトホー
ル４を形成する。この場合、下層配線２の間隔が狭い部
分と広い部分とでは絶縁膜３の厚みに差ができ、このた
め形成されたコンタクトホール４の深さが異なる。
程順に示す断面図である。まず図１（ａ）に示すよう
に、Ｓｉデバイス層１と下層配線２を被覆する絶縁層３
を形成した後、通常の露光・現像・エッチング工程を行
い、アスペクト比１／２以上の同一径のコンタクトホー
ル４を形成する。この場合、下層配線２の間隔が狭い部
分と広い部分とでは絶縁膜３の厚みに差ができ、このた
め形成されたコンタクトホール４の深さが異なる。
【００１６】次に図１（ｂ）に示すように、レジスト膜
５が形成されたままの基板に対して、核形成層であるＳ
ｉ薄膜６をＣＶＤにより段差被覆性よく形成すると、コ
ンタクトホール４の内面とレジスト膜５の表面にＳｉ薄
膜６が形成される。
５が形成されたままの基板に対して、核形成層であるＳ
ｉ薄膜６をＣＶＤにより段差被覆性よく形成すると、コ
ンタクトホール４の内面とレジスト膜５の表面にＳｉ薄
膜６が形成される。
【００１７】次に図１（ｃ）に示すように、レジスト膜
５を通常のレジスト灰化および有機剥離工程により除去
すると、コンタクトホール４の底面および側面のみがＳ
ｉ薄膜６により被覆され、コンタクトホール４以外の絶
縁膜３の表面はＳｉ薄膜６がない状態となる。コンタク
トホール４の底面と側面に形成されたＳｉ薄膜６は大気
に曝すと、その表面が酸化されるため、ＣＶＤ装置に導
入する前に希フッ酸で自然酸化膜を除去する処理を行
う。
５を通常のレジスト灰化および有機剥離工程により除去
すると、コンタクトホール４の底面および側面のみがＳ
ｉ薄膜６により被覆され、コンタクトホール４以外の絶
縁膜３の表面はＳｉ薄膜６がない状態となる。コンタク
トホール４の底面と側面に形成されたＳｉ薄膜６は大気
に曝すと、その表面が酸化されるため、ＣＶＤ装置に導
入する前に希フッ酸で自然酸化膜を除去する処理を行
う。
【００１８】次に減圧ＣＶＤ装置を用いて、全圧２Ｔｏ
ｒｒ，水素キャリア６０ｓｃｃｍ，ＤＭＡＨ（ジメチル
アルミニウムハイドライド）０．２Ｔｏｒｒの設定条件
の下で選択ＣＶＤを２分間行うと、図１（ｄ）のように
深さの異なるコンタクトホール４がＡｌ７でコンタクト
ホール直上まで埋め込まれる。
ｒｒ，水素キャリア６０ｓｃｃｍ，ＤＭＡＨ（ジメチル
アルミニウムハイドライド）０．２Ｔｏｒｒの設定条件
の下で選択ＣＶＤを２分間行うと、図１（ｄ）のように
深さの異なるコンタクトホール４がＡｌ７でコンタクト
ホール直上まで埋め込まれる。
【００１９】（実施例２）図２は本発明の実施例２を工
程順に示す断面図である。まず図２（ａ）に示すよう
に、Ｓｉデバイス層２１と下層配線２２を被覆する絶縁
層２３を形成した後、通常の露光・現像・エッチング工
程を行い、アスペクト比１／２以上の同一径のコンタク
トホール２４を形成する。
程順に示す断面図である。まず図２（ａ）に示すよう
に、Ｓｉデバイス層２１と下層配線２２を被覆する絶縁
層２３を形成した後、通常の露光・現像・エッチング工
程を行い、アスペクト比１／２以上の同一径のコンタク
トホール２４を形成する。
【００２０】次に図２（ｂ）に示すように、レジスト膜
２５を除去した後に、核形成層であるＳｉ薄膜２６をＣ
ＶＤ法により段差被覆性よく形成すると、コンタクトホ
ール２４の表面と絶縁層２３の表面にＳｉ薄膜２６が形
成される。
２５を除去した後に、核形成層であるＳｉ薄膜２６をＣ
ＶＤ法により段差被覆性よく形成すると、コンタクトホ
ール２４の表面と絶縁層２３の表面にＳｉ薄膜２６が形
成される。
【００２１】次に図２（ｃ）に示すように、反応ガスに
Ｃｌ2を用いて１０-3Ｔｏｒｒの圧力のもとに、マグネ
トロンＲＩＥによるドライエッチングでコンタクトホー
ル２４の側壁以外のＳｉ薄膜２６を取り除く。この場
合、Ａｒイオンによるドライエッチング促進反応が進む
圧力領域なので、コンタクトホール２４の側壁のＳｉ薄
膜２６はイオンによる衝撃を受けにくく、基板に対して
垂直な方向にＳｉの異方性エッチングが進む。そのため
図２（ｃ）に示すように、コンタクトホール２４の側面
のみがＳｉ薄膜２６で被覆された状態になる。
Ｃｌ2を用いて１０-3Ｔｏｒｒの圧力のもとに、マグネ
トロンＲＩＥによるドライエッチングでコンタクトホー
ル２４の側壁以外のＳｉ薄膜２６を取り除く。この場
合、Ａｒイオンによるドライエッチング促進反応が進む
圧力領域なので、コンタクトホール２４の側壁のＳｉ薄
膜２６はイオンによる衝撃を受けにくく、基板に対して
垂直な方向にＳｉの異方性エッチングが進む。そのため
図２（ｃ）に示すように、コンタクトホール２４の側面
のみがＳｉ薄膜２６で被覆された状態になる。
【００２２】次に図２（ｄ）に示すように、減圧ＣＶＤ
装置を用いて全圧２Ｔｏｒｒ，水素キャリア６０ｓｃｃ
ｍ，ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイドライド）
０．２Ｔｏｒｒの設定条件の下で選択ＣＶＤを２分間行
うと、Ａｌ２７が堆積し、コンタクトホール２４を埋め
込むことができる。
装置を用いて全圧２Ｔｏｒｒ，水素キャリア６０ｓｃｃ
ｍ，ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイドライド）
０．２Ｔｏｒｒの設定条件の下で選択ＣＶＤを２分間行
うと、Ａｌ２７が堆積し、コンタクトホール２４を埋め
込むことができる。
【００２３】以上の実施例では、核形成層としてＳｉ薄
膜６を用いたが、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｃｕ，Ａｕなどの金属
でコンフォーマルに堆積できるものであればよいことは
いうまでもない。
膜６を用いたが、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｃｕ，Ａｕなどの金属
でコンフォーマルに堆積できるものであればよいことは
いうまでもない。
【００２４】また、Ａｌの選択堆積の原料として、ＤＭ
ＡＨを用いたが、トリブチルアルミニウムやトリメチル
アミンアランなどの有機アルミニウムを用いても同じ結
果を得ることができることは云うまでもない。
ＡＨを用いたが、トリブチルアルミニウムやトリメチル
アミンアランなどの有機アルミニウムを用いても同じ結
果を得ることができることは云うまでもない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、コ
ンタクトホール側壁にＡｌＣＶＤの核形成層を形成する
ことで、深さの異なる径の等しいアスペクト比１／２以
上のコンタクトホールを均一に埋め込むことができ、Ａ
ｌ系配線の平坦化多層配線形成を実現することができ
る。
ンタクトホール側壁にＡｌＣＶＤの核形成層を形成する
ことで、深さの異なる径の等しいアスペクト比１／２以
上のコンタクトホールを均一に埋め込むことができ、Ａ
ｌ系配線の平坦化多層配線形成を実現することができ
る。
【図１】本発明の実施例１を説明するための主要工程図
である。
である。
【図２】本発明の実施例２を説明するための主要工程図
である。
である。
１ Ｓｉデバイス層 ２ 下層配線 ３ 絶縁層 ４ コンタクトホール ５ レジスト膜 ６ Ｓｉ薄膜 ７ Ａｌ ２１ Ｓｉデバイス層 ２２ 下層配線 ２３ 絶縁層 ２４ コンタクトホール ２５ レジスト膜 ２６ Ｓｉ薄膜 ２７ Ａｌ
Claims (4)
- 【請求項１】 核形成層と埋込み金属とを有するコンタ
クトホール埋込構造であって、 核形成層は、コンタクトホールの底部及び側壁に設けら
れ、 埋込み金属は、コンタクトホール内部に埋込まれたＡｌ
であることを特徴とするコンタクトホール埋込構造。 - 【請求項２】 バリアメタルあるいはポリシリコン層と
核形成層と埋込み金属とを有するコンタクトホール埋込
構造であって、 バリアメタルあるいはポリシリコン層は、コンタクトホ
ールの底部に設けられ、 核形成層は、コンタクトホールの側壁に設けられ、 埋込み金属は、コンタクトホール内部に埋込まれたＡｌ
であることを特徴とするコンタクトホール埋込構造。 - 【請求項３】 コンタクトホール形成工程と、核形成層
成膜工程と、Ａｌ堆積工程とを含むコンタクトホール埋
込方法であって、 コンタクトホール形成工程は、Ｓｉデバイス層あるいは
下層配線を被覆する絶縁層を形成した後、通常の露光・
現像・エッチング処理を行い、アスペクト比１／２以上
の同一径のコンタクトホールを形成するものであり、 核形成層成膜工程は、絶縁層上のレジスト膜を残したま
ま選択ＣＶＤ処理により核形成層をコンタクトホールの
底部及び側壁に形成するものであり、 Ａｌ堆積工程は、レジスト膜を除去した後、選択ＣＶＤ
処理によりコンタクトホールの側面及び底面に選択的に
Ａｌを堆積させるものであることを特徴とするコンタク
トホール埋込方法。 - 【請求項４】 コンタクトホール形成工程と、核形成層
成膜工程と、核形成層除去工程と、Ａｌ堆積工程とを有
するコンタクトホール埋込方法であって、 コンタクトホール形成工程は、Ｓｉデバイス層あるいは
下層配線を被覆する絶縁層及びレジスト膜を形成した
後、通常の露光・現像・エッチング・レジスト剥離処理
を行い、絶縁膜を露光させて、アスペクト比１／２以上
の同一径のコンタクトホールを形成するものであり、 核形成層成膜工程は、選択ＣＶＤ処理によりコンタクト
ホールを含む絶縁膜表面全面に核形成層を形成するもの
であり、 核形成層除去工程は、異方性エッチングにより絶縁膜表
面及びコンタクトホールの底面の核形成層を除去するも
のであり、 Ａｌ堆積工程は、選択ＣＶＤ処理によりコンタクトホー
ルの側面及び底面に選択的にＡｌを堆積させるものであ
ることを特徴とするコンタクトホール埋込方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27882592A JPH06132246A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | コンタクトホール埋込構造およびコンタクトホール埋込方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27882592A JPH06132246A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | コンタクトホール埋込構造およびコンタクトホール埋込方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132246A true JPH06132246A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17602684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27882592A Pending JPH06132246A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | コンタクトホール埋込構造およびコンタクトホール埋込方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310891A (ja) * | 2006-08-07 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP27882592A patent/JPH06132246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310891A (ja) * | 2006-08-07 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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