JPH0613258A - 薄膜積層コンデンサのパターン形成方法 - Google Patents
薄膜積層コンデンサのパターン形成方法Info
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- JPH0613258A JPH0613258A JP3338100A JP33810091A JPH0613258A JP H0613258 A JPH0613258 A JP H0613258A JP 3338100 A JP3338100 A JP 3338100A JP 33810091 A JP33810091 A JP 33810091A JP H0613258 A JPH0613258 A JP H0613258A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電気回路部品として用いられる薄
膜積層コンデンサのパターン形成方法に関するもので、
パターン形成工程が簡単で積層膜の加工が容易であり、
位置精度の確保も容易な薄膜積層コンデンサのパターン
形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 真空蒸着により基体表面に誘電体となる合成
樹脂薄膜と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層
する方法として、開口部エッジの勾配２が基体表面の法
線方向より基体蒸着面に向って内方向に２０゜以上７０
゜以下の金属マスク１枚を用い、また誘電体となる合成
樹脂の蒸発源の位置する角度が基体表面の法線方向であ
り、内部電極となる金属の蒸発源の位置する角度が基体
表面の法線方向に対し外部電極引き出し部とは逆の方向
に２０゜以上７０゜以下とする。
膜積層コンデンサのパターン形成方法に関するもので、
パターン形成工程が簡単で積層膜の加工が容易であり、
位置精度の確保も容易な薄膜積層コンデンサのパターン
形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 真空蒸着により基体表面に誘電体となる合成
樹脂薄膜と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層
する方法として、開口部エッジの勾配２が基体表面の法
線方向より基体蒸着面に向って内方向に２０゜以上７０
゜以下の金属マスク１枚を用い、また誘電体となる合成
樹脂の蒸発源の位置する角度が基体表面の法線方向であ
り、内部電極となる金属の蒸発源の位置する角度が基体
表面の法線方向に対し外部電極引き出し部とは逆の方向
に２０゜以上７０゜以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気回路部品として用
いられる薄膜積層コンデンサのパターン形成方法に関す
るものである。
いられる薄膜積層コンデンサのパターン形成方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空蒸着により基体表面に誘電体
となる合成樹脂薄膜と内部電極となる金属薄膜を交互に
形成、積層する薄膜積層コンデンサのパターン形成方法
としては、シルクスクリーン印刷やホトレジストを用い
て基体表面にネガ画像を形成し、その後、誘電体となる
合成樹脂薄膜あるいは内部電極となる金属薄膜を全面に
付け、さらにネガ画像形成材料を溶解する溶液中でネガ
画像形成材料を溶解すると共に、その上に付いている合
成樹脂薄膜あるいは内部電極となる金属薄膜を取り去り
パターン形成することを繰り返し行なって積層する「リ
フトオフ法」、基体表面全面に誘電体となる合成樹脂薄
膜あるいは内部電極となる金属薄膜を付けた上に、シル
クスクリーン印刷やホトレジストを用いてポジパターン
を形成し、その後、露出部をウェットエッチングやドラ
イエッチング等により除去、さらにポジパターン形成材
料を溶解する溶液等でポジパターン形成材料を除去しパ
ターン形成することを繰り返し行なって積層する「ホト
エッチング法」、基体表面にネガパターン状のマスクを
密着させ、その後、誘電体となる合成樹脂薄膜あるいは
内部電極となる金属薄膜を全面に付け、さらにマスクを
取り外しパターン形成することを繰り返し行なって積層
する「マスク法」、等が知られている。
となる合成樹脂薄膜と内部電極となる金属薄膜を交互に
形成、積層する薄膜積層コンデンサのパターン形成方法
としては、シルクスクリーン印刷やホトレジストを用い
て基体表面にネガ画像を形成し、その後、誘電体となる
合成樹脂薄膜あるいは内部電極となる金属薄膜を全面に
付け、さらにネガ画像形成材料を溶解する溶液中でネガ
画像形成材料を溶解すると共に、その上に付いている合
成樹脂薄膜あるいは内部電極となる金属薄膜を取り去り
パターン形成することを繰り返し行なって積層する「リ
フトオフ法」、基体表面全面に誘電体となる合成樹脂薄
膜あるいは内部電極となる金属薄膜を付けた上に、シル
クスクリーン印刷やホトレジストを用いてポジパターン
を形成し、その後、露出部をウェットエッチングやドラ
イエッチング等により除去、さらにポジパターン形成材
料を溶解する溶液等でポジパターン形成材料を除去しパ
ターン形成することを繰り返し行なって積層する「ホト
エッチング法」、基体表面にネガパターン状のマスクを
密着させ、その後、誘電体となる合成樹脂薄膜あるいは
内部電極となる金属薄膜を全面に付け、さらにマスクを
取り外しパターン形成することを繰り返し行なって積層
する「マスク法」、等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
薄膜積層コンデンサのパターン形成方法では、「リフト
オフ法」「ホトエッチング法」の場合はパターン形成工
程が複雑で積層膜の加工が複雑になる等の課題を有して
いた。また「マスク法」の場合はパターン形成工程が簡
単で積層膜の加工が容易なものの、マスクの密着と取り
外しを繰り返す際、特に２種類以上のマスクを使用する
必要があり、マスクの位置合わせ精度の確保が難しい等
の課題を有していた。
薄膜積層コンデンサのパターン形成方法では、「リフト
オフ法」「ホトエッチング法」の場合はパターン形成工
程が複雑で積層膜の加工が複雑になる等の課題を有して
いた。また「マスク法」の場合はパターン形成工程が簡
単で積層膜の加工が容易なものの、マスクの密着と取り
外しを繰り返す際、特に２種類以上のマスクを使用する
必要があり、マスクの位置合わせ精度の確保が難しい等
の課題を有していた。
【０００４】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、パターン形成工程が簡単で積層膜の加工が容易であ
り、位置精度の確保も容易な薄膜積層コンデンサのパタ
ーン形成方法を提供することを目的とする。
で、パターン形成工程が簡単で積層膜の加工が容易であ
り、位置精度の確保も容易な薄膜積層コンデンサのパタ
ーン形成方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の薄膜積層コンデンサのパターン形成方法は、
真空蒸着により基体表面に合成樹脂誘電体薄膜と一端ま
たは他端に外部電極引き出し部を有する内部電極金属薄
膜を交互に形成、積層する工程において、開口部エッジ
の勾配が基体表面の法線方向より基体蒸着面に向って内
方向に２０゜以上７０゜以下である金属マスク１枚を用
い、また誘電体となる合成樹脂の蒸発源の位置する角度
が基体表面の法線方向であり、内部電極となる金属の蒸
発源の位置する角度が基体表面の法線方向に対し外部電
極引き出し部とは逆の方向に２０゜以上７０゜以下であ
る構成でパターン形成することである。
に本発明の薄膜積層コンデンサのパターン形成方法は、
真空蒸着により基体表面に合成樹脂誘電体薄膜と一端ま
たは他端に外部電極引き出し部を有する内部電極金属薄
膜を交互に形成、積層する工程において、開口部エッジ
の勾配が基体表面の法線方向より基体蒸着面に向って内
方向に２０゜以上７０゜以下である金属マスク１枚を用
い、また誘電体となる合成樹脂の蒸発源の位置する角度
が基体表面の法線方向であり、内部電極となる金属の蒸
発源の位置する角度が基体表面の法線方向に対し外部電
極引き出し部とは逆の方向に２０゜以上７０゜以下であ
る構成でパターン形成することである。
【０００６】
【作用】本発明の薄膜積層コンデンサのパターン形成方
法は上記構成とすることにより、蒸着の指向性を利用す
ることで１枚の金属マスクを基体から取り外すことなく
密着したままで、基体表面に誘電体となる合成樹脂薄膜
と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層すること
ができることとなる。
法は上記構成とすることにより、蒸着の指向性を利用す
ることで１枚の金属マスクを基体から取り外すことなく
密着したままで、基体表面に誘電体となる合成樹脂薄膜
と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層すること
ができることとなる。
【０００７】以下図面を参照しながら作用に付いて詳細
に説明する。図１は、本発明の薄膜積層コンデンサのパ
ターン形成方法を説明するための概略断面図であり、図
１に示すように開口部エッジの勾配２が基体６表面の法
線方向に対し基体蒸着面に向って内方向に２０゜及至７
０゜である金属マスク１を基体６の表面に密着させ、内
部電極となる金属薄膜４を形成する際には、金属の蒸発
源１９の位置する角度５が基体６表面の法線方向に対し
て外部電極引き出し部とは逆の方向に２０゜以上７０゜
以下の位置となるように設定することにより、金属薄膜
４は金属マスク１に対し外部電極引き出し部方向にシフ
トした位置の基体６上に形成される（図１ａ）。
に説明する。図１は、本発明の薄膜積層コンデンサのパ
ターン形成方法を説明するための概略断面図であり、図
１に示すように開口部エッジの勾配２が基体６表面の法
線方向に対し基体蒸着面に向って内方向に２０゜及至７
０゜である金属マスク１を基体６の表面に密着させ、内
部電極となる金属薄膜４を形成する際には、金属の蒸発
源１９の位置する角度５が基体６表面の法線方向に対し
て外部電極引き出し部とは逆の方向に２０゜以上７０゜
以下の位置となるように設定することにより、金属薄膜
４は金属マスク１に対し外部電極引き出し部方向にシフ
トした位置の基体６上に形成される（図１ａ）。
【０００８】誘電体となる合成樹脂薄膜３を形成する際
は、図１ｂに示すように、上記金属マスク１を密着させ
たままとし、合成樹脂の蒸発源１７を基体表面の法線方
向に設定することにより、合成樹脂薄膜３は金属マスク
開口部中央位置に対応する基体６上に形成される。ま
た、金属薄膜４の対向電極である金属薄膜４’も同様に
形成する（図１ｃ）。
は、図１ｂに示すように、上記金属マスク１を密着させ
たままとし、合成樹脂の蒸発源１７を基体表面の法線方
向に設定することにより、合成樹脂薄膜３は金属マスク
開口部中央位置に対応する基体６上に形成される。ま
た、金属薄膜４の対向電極である金属薄膜４’も同様に
形成する（図１ｃ）。
【０００９】以上を繰り返す事により、金属マスクを基
体より取り外す事なく薄膜積層コンデンサのパターンが
形成可能となる。
体より取り外す事なく薄膜積層コンデンサのパターンが
形成可能となる。
【００１０】また、金属マスクの開口部エッジの勾配は
基体表面の法線方向より基体蒸着面に向って内方向に２
０゜以上７０゜以下の角度であり、また内部電極となる
金属の蒸発源は基体表面の法線方向に対し、外部電極引
き出し部とは逆の方向に２０゜以上７０゜以下の位置に
設定する必要がある。２０゜未満であると内部電極のシ
フト量（外部電極引き出し量）が十分でなく、外部電極
との接続が不十分になり誘電正接異常となる。また、金
属マスクの開口部エッジの勾配が７０゜を越えると、金
属マスクの強度低下による変形が起き、高精度なパター
ンが形成できなくなる。また内部電極となる金属の蒸発
源の位置角度が基体表面の法線方向に対し７０゜を越え
ると金属薄膜の付着効率が著しく低下し好ましくない。
基体表面の法線方向より基体蒸着面に向って内方向に２
０゜以上７０゜以下の角度であり、また内部電極となる
金属の蒸発源は基体表面の法線方向に対し、外部電極引
き出し部とは逆の方向に２０゜以上７０゜以下の位置に
設定する必要がある。２０゜未満であると内部電極のシ
フト量（外部電極引き出し量）が十分でなく、外部電極
との接続が不十分になり誘電正接異常となる。また、金
属マスクの開口部エッジの勾配が７０゜を越えると、金
属マスクの強度低下による変形が起き、高精度なパター
ンが形成できなくなる。また内部電極となる金属の蒸発
源の位置角度が基体表面の法線方向に対し７０゜を越え
ると金属薄膜の付着効率が著しく低下し好ましくない。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例に付いて図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１２】図２は本発明の薄膜積層コンデンサのパタ
ーン形成方法を実施するために使用する装置の概略断面
図である。図２に示すように、薄膜積層コンデンサを形
成させるための基体６には、基体表面の法線方向より基
体蒸着面に向って内方向に勾配を持つ金属マスク７が密
着してあり、基体ホルダー８によって下向きに保持され
ている。また、真空排気系９に接続された真空槽１０内
は３つのチャンバー１１，１４及び１９に分割してあ
り、基体ホルダー８は金属マスク７を密着させたままの
状態で基体６と共に各チャンバーに移動し、基体６と金
属マスク７に所定の傾斜を与えることができるようにな
っている。チャンバー１１の下部には内部電極となる金
属の蒸発源１２と加熱用のＥＢガン（図示せず）が設け
られ、シャッター１３により所定の膜厚に調整される。
そしてチャンバー１４の下部には２種類の原料モノマー
をそれぞれ蒸発させるための蒸発源１５，１６が設けら
れ、それぞれヒーター（図示せず）と熱電対（図示せ
ず）とによって各原料モノマーの蒸発量が一定となる所
定温度に制御される。そして、それぞれの蒸発源より蒸
発した原料モノマーは噴き出し口１７より噴出する。吹
き出し口１７の上部にはシャッター１８が設けられてお
り、その開閉により基体６に形成される合成樹脂薄膜の
膜厚が調整される。チャンバー１９は、チャンバー１１
と同様に、下部には内部電極となる金属の蒸発源２０と
加熱用のＥＢガン（図示せず）が設けられ、それぞれシ
ャッター２１により所定の膜厚に調整される。ただし、
基体ホルダー８の傾斜の方向が、チャンバー１１とチャ
ンバー１９とでは逆向きになるようになっている。
ーン形成方法を実施するために使用する装置の概略断面
図である。図２に示すように、薄膜積層コンデンサを形
成させるための基体６には、基体表面の法線方向より基
体蒸着面に向って内方向に勾配を持つ金属マスク７が密
着してあり、基体ホルダー８によって下向きに保持され
ている。また、真空排気系９に接続された真空槽１０内
は３つのチャンバー１１，１４及び１９に分割してあ
り、基体ホルダー８は金属マスク７を密着させたままの
状態で基体６と共に各チャンバーに移動し、基体６と金
属マスク７に所定の傾斜を与えることができるようにな
っている。チャンバー１１の下部には内部電極となる金
属の蒸発源１２と加熱用のＥＢガン（図示せず）が設け
られ、シャッター１３により所定の膜厚に調整される。
そしてチャンバー１４の下部には２種類の原料モノマー
をそれぞれ蒸発させるための蒸発源１５，１６が設けら
れ、それぞれヒーター（図示せず）と熱電対（図示せ
ず）とによって各原料モノマーの蒸発量が一定となる所
定温度に制御される。そして、それぞれの蒸発源より蒸
発した原料モノマーは噴き出し口１７より噴出する。吹
き出し口１７の上部にはシャッター１８が設けられてお
り、その開閉により基体６に形成される合成樹脂薄膜の
膜厚が調整される。チャンバー１９は、チャンバー１１
と同様に、下部には内部電極となる金属の蒸発源２０と
加熱用のＥＢガン（図示せず）が設けられ、それぞれシ
ャッター２１により所定の膜厚に調整される。ただし、
基体ホルダー８の傾斜の方向が、チャンバー１１とチャ
ンバー１９とでは逆向きになるようになっている。
【００１３】次に上記装置を用いた重付加反応による尿
素樹脂薄膜による薄膜積層コンデンサのパターン形成方
法の一例を説明する。
素樹脂薄膜による薄膜積層コンデンサのパターン形成方
法の一例を説明する。
【００１４】１０cm角のガラス板を基体６とし、誘電体
となる合成樹脂原料モノマーとして、蒸発源１５に４，
４’メチレン・ジアニリンを、蒸発源１６に４，４’ジ
フェニル・メタン・ジイソシアネートを充填し、内部電
極となる金属材料として、蒸発源１２、２０のそれぞれ
にアルミニウムを充填した。シャッター１３、１８、２
１のそれぞれを閉じた状態で、チャンバー１１、１４、
１９内のいずれもが雰囲気ガスの全圧が１０-3Pa以下に
なるまで真空排気系９により排気する。なお、基体６の
中心点から合成樹脂原料モノマーの蒸発源噴き出し口１
７の中心までの距離は３０cm、蒸発源噴き出し口１７の
内径は３cmであった。また、基体６の中心点から金属電
極材料の蒸発源１２、２０の中心までの距離は３５cmで
あった。また、金属の蒸発源位置は基体表面の法線方向
に対し外部電極引き出し部とは逆の方向に２０゜の角度
にあった。また、金属マスクの厚みは０．２mmであり、
基体蒸着面に向って内方向の勾配は２０゜であった。次
いで、蒸発源１５および１６のヒーターを制御して、
４，４’メチレン・ジアニリンを１１０±１℃に、４，
４’ジフェニル・メタン・ジイソシアネートを８０±１
℃に加熱した。この状態で合成樹脂薄膜と金属薄膜を交
互に形成、積層し、外部電極としては亜鉛を金属溶射
し、基体上に誘電体厚みが１層当たり４０００Å、内部
電極厚みが１層当たり１０００Å、積層数１００の薄膜
積層コンデンサを得た。
となる合成樹脂原料モノマーとして、蒸発源１５に４，
４’メチレン・ジアニリンを、蒸発源１６に４，４’ジ
フェニル・メタン・ジイソシアネートを充填し、内部電
極となる金属材料として、蒸発源１２、２０のそれぞれ
にアルミニウムを充填した。シャッター１３、１８、２
１のそれぞれを閉じた状態で、チャンバー１１、１４、
１９内のいずれもが雰囲気ガスの全圧が１０-3Pa以下に
なるまで真空排気系９により排気する。なお、基体６の
中心点から合成樹脂原料モノマーの蒸発源噴き出し口１
７の中心までの距離は３０cm、蒸発源噴き出し口１７の
内径は３cmであった。また、基体６の中心点から金属電
極材料の蒸発源１２、２０の中心までの距離は３５cmで
あった。また、金属の蒸発源位置は基体表面の法線方向
に対し外部電極引き出し部とは逆の方向に２０゜の角度
にあった。また、金属マスクの厚みは０．２mmであり、
基体蒸着面に向って内方向の勾配は２０゜であった。次
いで、蒸発源１５および１６のヒーターを制御して、
４，４’メチレン・ジアニリンを１１０±１℃に、４，
４’ジフェニル・メタン・ジイソシアネートを８０±１
℃に加熱した。この状態で合成樹脂薄膜と金属薄膜を交
互に形成、積層し、外部電極としては亜鉛を金属溶射
し、基体上に誘電体厚みが１層当たり４０００Å、内部
電極厚みが１層当たり１０００Å、積層数１００の薄膜
積層コンデンサを得た。
【００１５】（比較例１）金属マスクの基体蒸着面に向
って内方向の勾配が１５゜である以外は実施例と全く同
様にして、基体上に積層数１００の薄膜積層コンデンサ
を得た。
って内方向の勾配が１５゜である以外は実施例と全く同
様にして、基体上に積層数１００の薄膜積層コンデンサ
を得た。
【００１６】（比較例２）金属の蒸発源が基体表面の法
線方向に対し外部電極引き出し部とは逆の方向に１５゜
の位置である以外は実施例と全く同様にして、基体上に
積層数１００の薄膜積層コンデンサを得た。
線方向に対し外部電極引き出し部とは逆の方向に１５゜
の位置である以外は実施例と全く同様にして、基体上に
積層数１００の薄膜積層コンデンサを得た。
【００１７】（比較例３）開口部エッジの勾配が基体表
面の法線方向と一致している金属マスクを基体に密着、
取り外しを繰り返し、誘電体と内部電極のパターンを形
成した。また、金属の蒸発源は基体表面の法線方向とし
た。それ以外は実施例と全く同様にして、基体上に積層
数１００の薄膜積層コンデンサを得た。
面の法線方向と一致している金属マスクを基体に密着、
取り外しを繰り返し、誘電体と内部電極のパターンを形
成した。また、金属の蒸発源は基体表面の法線方向とし
た。それ以外は実施例と全く同様にして、基体上に積層
数１００の薄膜積層コンデンサを得た。
【００１８】上記本実施例と比較例それぞれによる薄膜
積層コンデンサのパターンエッジ部の膜厚分布（５点測
定の平均値）を図３に比較して示している。また、本実
施例と比較例それぞれによる薄膜積層コンデンサの誘電
正接の分布（測定素子数１００）を図４に比較して示し
ている。
積層コンデンサのパターンエッジ部の膜厚分布（５点測
定の平均値）を図３に比較して示している。また、本実
施例と比較例それぞれによる薄膜積層コンデンサの誘電
正接の分布（測定素子数１００）を図４に比較して示し
ている。
【００１９】この図３、４から明らかなように、比較例
においては金属マスクの位置精度の低さにより薄膜積層
コンデンサのパターンエッジ部の膜厚分布の広がりが増
大したり、外部電極と内部電極の接続が不十分なため誘
電正接の悪化を招く。
においては金属マスクの位置精度の低さにより薄膜積層
コンデンサのパターンエッジ部の膜厚分布の広がりが増
大したり、外部電極と内部電極の接続が不十分なため誘
電正接の悪化を招く。
【００２０】
【発明の効果】本発明は上記実施例より明らかなよう
に、真空蒸着により基体表面に誘電体となる合成樹脂薄
膜と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層する方
法として、開口部エッジの勾配が基体表面の法線方向よ
り基体蒸着面に向って内方向に２０゜以上７０゜以下で
ある金属マスク１枚を用い、また誘電体となる合成樹脂
の蒸発源の位置する角度が基体表面の法線方向であり、
内部電極となる金属の蒸発源の位置する角度が基体表面
の法線方向に対し外部電極引き出し部とは逆の方向に２
０゜以上７０゜以下である構成でパターンを形成する事
により、１枚の金属マスクを基体から取り外すことなく
密着したままで、基体表面に誘電体となる合成樹脂薄膜
と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層すること
ができ、結果として、パターン形成工程が簡単で積層膜
の加工が容易で、位置精度の確保も容易な薄膜積層コン
デンサのパターン形成方法を実現できるものである。
に、真空蒸着により基体表面に誘電体となる合成樹脂薄
膜と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層する方
法として、開口部エッジの勾配が基体表面の法線方向よ
り基体蒸着面に向って内方向に２０゜以上７０゜以下で
ある金属マスク１枚を用い、また誘電体となる合成樹脂
の蒸発源の位置する角度が基体表面の法線方向であり、
内部電極となる金属の蒸発源の位置する角度が基体表面
の法線方向に対し外部電極引き出し部とは逆の方向に２
０゜以上７０゜以下である構成でパターンを形成する事
により、１枚の金属マスクを基体から取り外すことなく
密着したままで、基体表面に誘電体となる合成樹脂薄膜
と内部電極となる金属薄膜を交互に形成、積層すること
ができ、結果として、パターン形成工程が簡単で積層膜
の加工が容易で、位置精度の確保も容易な薄膜積層コン
デンサのパターン形成方法を実現できるものである。
【図１】本発明の薄膜積層コンデンサのパターン形成方
法を説明するための概略断面図
法を説明するための概略断面図
【図２】本発明の一実施例における薄膜積層コンデンサ
のパターン形成方法を実施するために使用する装置の概
略断面図
のパターン形成方法を実施するために使用する装置の概
略断面図
【図３】実施例、比較例における薄膜積層コンデンサの
パターンエッジ部の膜厚分布図（５点測定の平均値）
パターンエッジ部の膜厚分布図（５点測定の平均値）
【図４】実施例、比較例における薄膜積層コンデンサの
誘電正接の分布図（測定素子数１００）
誘電正接の分布図（測定素子数１００）
１、７ 金属マスク ２ 開口部エッジの勾配 ３ 合成樹脂薄膜 ４ 金属薄膜 ５ 金属の蒸発源の位置する角度 ６ 基体 ８ 基体ホルダー ９ 真空排気系 １０ 真空槽 １１、１４、１９ チャンバー １２、２０ 金属の蒸発源 １３、１８、２１ シャッター １５、１６ 蒸発源 １７ 蒸発源吹き出し口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 信一 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 増田 行男 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】真空蒸着により基体表面に合成樹脂誘電体
薄膜と一端または他端に外部電極引き出し部を有する内
部電極金属薄膜を交互に形成、積層する薄膜積層コンデ
ンサの形成工程において、開口部エッジの勾配が前記基
体表面の法線方向より基体蒸着面に向って内方向に２０
゜以上７０゜以下である金属マスク１枚を用い、また誘
電体となる合成樹脂の蒸発源の位置する角度が基体表面
の法線方向であり、内部電極となる金属の蒸発源の位置
する角度が基体表面の法線方向に対し前記内部電極の外
部電極引き出し部とは逆の方向に２０゜以上７０゜以下
であることを特徴とする薄膜積層コンデンサのパターン
形成方法。 - 【請求項２】誘電体となる合成樹脂薄膜が重付加反応に
よって形成される尿素樹脂であることを特徴とする請求
項１記載の薄膜積層コンデンサのパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3338100A JPH0613258A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜積層コンデンサのパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP3338100A JPH0613258A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜積層コンデンサのパターン形成方法 |
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