JPH06132595A - 第２次高調波光発生装置 - Google Patents
第２次高調波光発生装置Info
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- JPH06132595A JPH06132595A JP27899792A JP27899792A JPH06132595A JP H06132595 A JPH06132595 A JP H06132595A JP 27899792 A JP27899792 A JP 27899792A JP 27899792 A JP27899792 A JP 27899792A JP H06132595 A JPH06132595 A JP H06132595A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構造で安価に製造できてグリーン光や
ブルー光の発生が可能な第２次高調波光発生装置を提供
すること。 【構成】 片端面にミラー構造２およびその対向面に無
反射構造３を形成してなる光源１と、非線形光学材料か
らなりドメイン反転型構造５を有し、かつ、その光発振
面にミラー構造６およびその対向面に無反射構造１０を
形成してなる部材４とを具備し、上記光源１と部材４の
ミラー構造２，６間で共振器構造７を形成してなり、望
ましくは該光源１が、半導体レーザまたは／および半導
体レーザ励起固体レーザである。 【効果】 部品点数を減らし装置を小型化でき、製造が
容易で低コストのグリーン光やブルー光の発生が可能な
第２次高調波発生装置を提供できる。
ブルー光の発生が可能な第２次高調波光発生装置を提供
すること。 【構成】 片端面にミラー構造２およびその対向面に無
反射構造３を形成してなる光源１と、非線形光学材料か
らなりドメイン反転型構造５を有し、かつ、その光発振
面にミラー構造６およびその対向面に無反射構造１０を
形成してなる部材４とを具備し、上記光源１と部材４の
ミラー構造２，６間で共振器構造７を形成してなり、望
ましくは該光源１が、半導体レーザまたは／および半導
体レーザ励起固体レーザである。 【効果】 部品点数を減らし装置を小型化でき、製造が
容易で低コストのグリーン光やブルー光の発生が可能な
第２次高調波発生装置を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、擬位相整合素子を用い
たグリーン光やブルー光の発生が可能な第２次高調波光
発生装置に関する。
たグリーン光やブルー光の発生が可能な第２次高調波光
発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信，光コンピュータ，情報処
理等の光エレクトロニクスの発展に伴い、非線形光学効
果を利用した各種の機能性光学材料が要求されるように
なってきた。これらの分野で用いられる光源は、通常出
力数10〜100 ｍＷ（変換効率数％以上）の赤外ないし近
赤外領域の半導体レーザである。光メモリ，ディスプレ
ー関係では特にグリーン光やブルー光が必要とされてお
り、LiNbＯ3 ，ＫNbＯ3，ＫＴＰ等の非線形光学効果の
大きい無機材料を用いた波長変換用デバイスの研究が世
界中で精力的に進められている。
理等の光エレクトロニクスの発展に伴い、非線形光学効
果を利用した各種の機能性光学材料が要求されるように
なってきた。これらの分野で用いられる光源は、通常出
力数10〜100 ｍＷ（変換効率数％以上）の赤外ないし近
赤外領域の半導体レーザである。光メモリ，ディスプレ
ー関係では特にグリーン光やブルー光が必要とされてお
り、LiNbＯ3 ，ＫNbＯ3，ＫＴＰ等の非線形光学効果の
大きい無機材料を用いた波長変換用デバイスの研究が世
界中で精力的に進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記グリーン光やブル
ー光を発生する装置として、例えば図３で示す装置が知
られている（Appl.Phys.Lett.59(5),29 July 1991 p.51
0 〜512 参照）。この装置の構造は、オプティカルフィ
ードバック方式による発振器波長の安定化を計るもので
あり、導波路形の周期的分極反転構造１４ｂに２倍高調
波を発生させる周期構造とブラッグ反射による基本部構
造を反射させるための周期構造との２つの構造をもたせ
ている。このような構造を有するLiNbＯ3 製基板１４ａ
を用い、劈開面およびその対向面に反射防止構造１２を
設けたInP/InGaAsP レーザダイオード（ＬＤ）１１によ
り発振された基本波を、光ファイバ１５で上記基板１４
ａの導波路１６に導く構成として入射すると、上記周期
的分極反転構造１４ｂを有するLiNbＯ3 製基板１４ａの
うちのdistributed Bragg reflector （ＤＢＲ）の作用
によって、該基本波の一部はこの基板１４ａからのフィ
ードバック波によって発振器に戻ることで発振周波数が
固定される。そしてこの固定された波長に丁度２倍の高
調波発生が起きるように上記周期的分極反転構造１４ｂ
が作製されているので、安定した２倍高調波１９を得る
ことができるというものである。
ー光を発生する装置として、例えば図３で示す装置が知
られている（Appl.Phys.Lett.59(5),29 July 1991 p.51
0 〜512 参照）。この装置の構造は、オプティカルフィ
ードバック方式による発振器波長の安定化を計るもので
あり、導波路形の周期的分極反転構造１４ｂに２倍高調
波を発生させる周期構造とブラッグ反射による基本部構
造を反射させるための周期構造との２つの構造をもたせ
ている。このような構造を有するLiNbＯ3 製基板１４ａ
を用い、劈開面およびその対向面に反射防止構造１２を
設けたInP/InGaAsP レーザダイオード（ＬＤ）１１によ
り発振された基本波を、光ファイバ１５で上記基板１４
ａの導波路１６に導く構成として入射すると、上記周期
的分極反転構造１４ｂを有するLiNbＯ3 製基板１４ａの
うちのdistributed Bragg reflector （ＤＢＲ）の作用
によって、該基本波の一部はこの基板１４ａからのフィ
ードバック波によって発振器に戻ることで発振周波数が
固定される。そしてこの固定された波長に丁度２倍の高
調波発生が起きるように上記周期的分極反転構造１４ｂ
が作製されているので、安定した２倍高調波１９を得る
ことができるというものである。
【０００４】しかしながら、上記構成の装置は、導波路
形の周期的分極反転構造１４ｂを有しているため、発振
器からの装置への導入にファイバを用いて結合する必要
があり、調整がかなり面倒であり、また、結合時の損失
が大きい。さらに、光ファイバ等の付属部品を必要と
し、製造工程が複雑でコストが高くつき、実用化には問
題がある。本発明は上記問題を解消して、簡単な構造で
安価に製造できてグリーン光やブルー光の発生が可能な
第２次高調波光発生装置を提供することを目的とすもの
である。
形の周期的分極反転構造１４ｂを有しているため、発振
器からの装置への導入にファイバを用いて結合する必要
があり、調整がかなり面倒であり、また、結合時の損失
が大きい。さらに、光ファイバ等の付属部品を必要と
し、製造工程が複雑でコストが高くつき、実用化には問
題がある。本発明は上記問題を解消して、簡単な構造で
安価に製造できてグリーン光やブルー光の発生が可能な
第２次高調波光発生装置を提供することを目的とすもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は種々検討の結
果、周期的分極反転構造を有する非線形光学材料からな
る部材として、従来の導波路形に替えてバルク形を用
い、光源と上記部材とを共振器構造内に置く構成とする
ことによって、前記問題が解消できることを見出し、本
発明を完成した。即ち、本発明の第２次高調波光発生装
置は、片端面にミラー構造およびその対向面に無反射構
造を形成してなる光源と、非線形光学材料からなりドメ
イン反転型構造を有し、かつ、その光発振面にミラー構
造およびその対向面に無反射構造を形成してなる部材と
を具備し、上記光源と部材のミラー構造間で共振器構造
を形成してなり、望ましくは該光源１が、半導体レーザ
または／および半導体レーザ励起固体レーザである。
果、周期的分極反転構造を有する非線形光学材料からな
る部材として、従来の導波路形に替えてバルク形を用
い、光源と上記部材とを共振器構造内に置く構成とする
ことによって、前記問題が解消できることを見出し、本
発明を完成した。即ち、本発明の第２次高調波光発生装
置は、片端面にミラー構造およびその対向面に無反射構
造を形成してなる光源と、非線形光学材料からなりドメ
イン反転型構造を有し、かつ、その光発振面にミラー構
造およびその対向面に無反射構造を形成してなる部材と
を具備し、上記光源と部材のミラー構造間で共振器構造
を形成してなり、望ましくは該光源１が、半導体レーザ
または／および半導体レーザ励起固体レーザである。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、光源（半導体レーザ）から
発振される発振波（レーザ）は、光源（半導体レーザ）
に設けたミラー構造によって光電界を増長できるように
なる。このように、内部共振器構造を持つため必要とす
る非線形光学材料長は、前記公知の方式に比べ１／３〜
１／５で済み、結果として位相整合角許容度が３〜５倍
広くなり、しかもバルク型であるから、容易に発振器の
波長を高効率に２倍高調波発生ができるように角度調整
できる。さらに、前記従来の導波路形部材の導波路に発
振波を導くためのレンズや光ファイバーのような光学的
接続部材を不要にでき、装置を簡単な構成にすることが
できる。したがって、簡単な構成の装置で、グリーン光
やブルー光の第２次高調波光を発生させることができる
ようになる。
発振される発振波（レーザ）は、光源（半導体レーザ）
に設けたミラー構造によって光電界を増長できるように
なる。このように、内部共振器構造を持つため必要とす
る非線形光学材料長は、前記公知の方式に比べ１／３〜
１／５で済み、結果として位相整合角許容度が３〜５倍
広くなり、しかもバルク型であるから、容易に発振器の
波長を高効率に２倍高調波発生ができるように角度調整
できる。さらに、前記従来の導波路形部材の導波路に発
振波を導くためのレンズや光ファイバーのような光学的
接続部材を不要にでき、装置を簡単な構成にすることが
できる。したがって、簡単な構成の装置で、グリーン光
やブルー光の第２次高調波光を発生させることができる
ようになる。
【０００７】以下、本発明の一実施例に係る第２次高調
波発生装置を図面に基づきより詳細に説明する。図１
は、本発明の第２次高調波光発生装置の基本構造を示す
模式図である。同図において、第２次高調波光発生装置
は、光源１と非線形光学材料からなる部材４とで構成さ
れる。光源１には、その端面にミラー構造２を形成する
とともに、その対向面に無反射構造３を形成している。
また、部材４の片端面には周期的分極反転構造５を形成
するとともに、その光発振面にミラー構造６を形成して
いる。また、部材４の他端面１０には、基本波光に対し
無反射構造を形成している。本発明の装置は、上記光源
１と部材４とを同軸上に配設し、上記光源１のミラー構
造２と部材４のミラー構造６とで共振器７を形成してい
る。
波発生装置を図面に基づきより詳細に説明する。図１
は、本発明の第２次高調波光発生装置の基本構造を示す
模式図である。同図において、第２次高調波光発生装置
は、光源１と非線形光学材料からなる部材４とで構成さ
れる。光源１には、その端面にミラー構造２を形成する
とともに、その対向面に無反射構造３を形成している。
また、部材４の片端面には周期的分極反転構造５を形成
するとともに、その光発振面にミラー構造６を形成して
いる。また、部材４の他端面１０には、基本波光に対し
無反射構造を形成している。本発明の装置は、上記光源
１と部材４とを同軸上に配設し、上記光源１のミラー構
造２と部材４のミラー構造６とで共振器７を形成してい
る。
【０００８】本発明で使用される光源１としては、縦モ
ード，横モード共に単一の半導体レーザが必要である。
出力数１００ｍＷ以上の半導体レーザでは、発振空間パ
ターンが悪い、即ち上下と左右の方向でビームの発散角
が異なり、一点に集光しにくく使いにくい問題点があ
る。また、エネルギーを蓄積できず、Ｑスイッチがかけ
られないため高出力が出せず、高出力のグリーン光やブ
ルー光を得る場合には、高出力半導体レーザ励起の固体
レーザ１を用いる必要がある。この場合、固体レーザ１
としては、縦モード，横モード共に単一モードのものを
必要とする。
ード，横モード共に単一の半導体レーザが必要である。
出力数１００ｍＷ以上の半導体レーザでは、発振空間パ
ターンが悪い、即ち上下と左右の方向でビームの発散角
が異なり、一点に集光しにくく使いにくい問題点があ
る。また、エネルギーを蓄積できず、Ｑスイッチがかけ
られないため高出力が出せず、高出力のグリーン光やブ
ルー光を得る場合には、高出力半導体レーザ励起の固体
レーザ１を用いる必要がある。この場合、固体レーザ１
としては、縦モード，横モード共に単一モードのものを
必要とする。
【０００９】上記ミラー構造２は、１が半導体レーザの
場合は、金コーティング等により、高反射率（反射率９
９．９％）とする。一方、１が固体レーザの場合は、励
起用の半導体レーザが透過し、固体レーザの発振波に対
して高反射率になるよう、誘電体多層膜コーティングを
施す。
場合は、金コーティング等により、高反射率（反射率９
９．９％）とする。一方、１が固体レーザの場合は、励
起用の半導体レーザが透過し、固体レーザの発振波に対
して高反射率になるよう、誘電体多層膜コーティングを
施す。
【００１０】また、上記無反射構造３は、ＭｇＦ2 材を
基本波長のλ／４厚さにつける方法やＶコート方式によ
る無反射構造とする。
基本波長のλ／４厚さにつける方法やＶコート方式によ
る無反射構造とする。
【００１１】本発明で使用される部材４は非線形光学材
料から作製されるもので、この非線形光学材料として
は、無機又は有機の各種非線形光学材料が結晶基板とし
て使用される。この無機非線形光学材料を例示すると、
ＬＮ（LiNbＯ3 ），ＬＴ（LiTaＯ3 ），ＫNbＯ3 ，ＢＮ
Ｎ（Ba2 NaNb5 Ｏ15），ＫＴＰ（ＫTiＯＰＯ4 ），ＫＴ
Ａ（ＫTiＯAsＯ4 ），ＢＢＯ（β−BaＢ2 Ｏ4 ），ＬＢ
Ｏ（LiＢ3 Ｏ7 ）等が、有機非線形光学材料としては、
ｍＮＡ（メタニトロアニリン），ＭＮＡ（2-メチル-4-
ニトロアニリン），カルコン（4-ブロモ-4'-メトキシ
カルコン），ＤＩＶＡ（ジシアノビニル アニソー
ル），ＤＭＮＰ〔3,5-ジメチル-1-(4-ニトロフェニル）
ピラゾール〕，ＭＭＮＡ（N-メトキシメチル-4- ニトロ
アニリン），ＭＮＢＡ（4'- ニトロベンジリデン-3- ア
セタミノ-4- メトキシアニリン）等の低分子有機材料，
ＬＡＰ（Ｌ−アルギニン フォスフェート モノハイド
レート），ポールドポリマ等が挙げられる。
料から作製されるもので、この非線形光学材料として
は、無機又は有機の各種非線形光学材料が結晶基板とし
て使用される。この無機非線形光学材料を例示すると、
ＬＮ（LiNbＯ3 ），ＬＴ（LiTaＯ3 ），ＫNbＯ3 ，ＢＮ
Ｎ（Ba2 NaNb5 Ｏ15），ＫＴＰ（ＫTiＯＰＯ4 ），ＫＴ
Ａ（ＫTiＯAsＯ4 ），ＢＢＯ（β−BaＢ2 Ｏ4 ），ＬＢ
Ｏ（LiＢ3 Ｏ7 ）等が、有機非線形光学材料としては、
ｍＮＡ（メタニトロアニリン），ＭＮＡ（2-メチル-4-
ニトロアニリン），カルコン（4-ブロモ-4'-メトキシ
カルコン），ＤＩＶＡ（ジシアノビニル アニソー
ル），ＤＭＮＰ〔3,5-ジメチル-1-(4-ニトロフェニル）
ピラゾール〕，ＭＭＮＡ（N-メトキシメチル-4- ニトロ
アニリン），ＭＮＢＡ（4'- ニトロベンジリデン-3- ア
セタミノ-4- メトキシアニリン）等の低分子有機材料，
ＬＡＰ（Ｌ−アルギニン フォスフェート モノハイド
レート），ポールドポリマ等が挙げられる。
【００１２】上記部材４に形成される周期的分極反転構
造５とは、媒質のコヒーレント長毎に結晶反転を繰り返
す構造をいい、この構造を形成することにより入射され
る基本波を擬似的に位相整合を図り、高効率波長変換を
行なうものである。具体的にはドメイン反転構造，Segm
ented waveguide structure 等を意味する。
造５とは、媒質のコヒーレント長毎に結晶反転を繰り返
す構造をいい、この構造を形成することにより入射され
る基本波を擬似的に位相整合を図り、高効率波長変換を
行なうものである。具体的にはドメイン反転構造，Segm
ented waveguide structure 等を意味する。
【００１３】図２は、上記非線形光学材料でドメイン反
転構造５を形成した部材４の構造の一例を示す斜視図で
あり、図中４ａは基板、４ｂは反転層である。ドメイン
反転構造５は、複数の反転層４ｂからなる。反転層４ｂ
は常套手段により形成され、例えばＬＮ（LiNbＯ3 ）の
場合、通常電子ビーム描画やTiイオンを拡散し、加熱処
理することにより形成される。上記ドメイン反転構造５
は、図２に示すように、基板４ａの一方の面（例えば−
Ｚ面）から反対の面（例えば＋Ｚ面）にまで貫通するよ
うに形成したバルク形と、図３に示す導波路形とがある
が、本発明では、バルク形の部材を用いることを特徴と
する。この理由は、導波路形のものでは、一旦周期構造
を作製すると、その周期は変化させることができないた
め、高効率波長変換を行うためには、発振器の波長をそ
の周期に合わせる工夫（フィードバックシステム）が必
要となり、さらにファイバやレンズ等を用い微細な光軸
調節を行わなければならないという問題が生じるためで
ある。
転構造５を形成した部材４の構造の一例を示す斜視図で
あり、図中４ａは基板、４ｂは反転層である。ドメイン
反転構造５は、複数の反転層４ｂからなる。反転層４ｂ
は常套手段により形成され、例えばＬＮ（LiNbＯ3 ）の
場合、通常電子ビーム描画やTiイオンを拡散し、加熱処
理することにより形成される。上記ドメイン反転構造５
は、図２に示すように、基板４ａの一方の面（例えば−
Ｚ面）から反対の面（例えば＋Ｚ面）にまで貫通するよ
うに形成したバルク形と、図３に示す導波路形とがある
が、本発明では、バルク形の部材を用いることを特徴と
する。この理由は、導波路形のものでは、一旦周期構造
を作製すると、その周期は変化させることができないた
め、高効率波長変換を行うためには、発振器の波長をそ
の周期に合わせる工夫（フィードバックシステム）が必
要となり、さらにファイバやレンズ等を用い微細な光軸
調節を行わなければならないという問題が生じるためで
ある。
【００１４】上記ドメイン反転構造５の周期（反転層４
ｂ相互間の距離）は、使用する光源の発振波長により異
なるが、特に赤外〜赤色を波長変換する場合、４〜２μ
ｍ又はこの奇数倍とすればよい。
ｂ相互間の距離）は、使用する光源の発振波長により異
なるが、特に赤外〜赤色を波長変換する場合、４〜２μ
ｍ又はこの奇数倍とすればよい。
【００１５】一方、部材４に形成されるミラー構造６
は、基本波に対し高反射率（９９．９％以上），２倍高
調波光に対しては、出力を取り出すため、低反射率（１
０％以下）となるよう誘電体多層膜コーティングをす
る。位相整合時に、部材４の角度を微調整し、傾けても
共振器が狂わないように、ミラー構造６には曲率を持た
せることが好ましい。具体的には、曲率半径１０ｍｍ〜
２０ｍｍとする。
は、基本波に対し高反射率（９９．９％以上），２倍高
調波光に対しては、出力を取り出すため、低反射率（１
０％以下）となるよう誘電体多層膜コーティングをす
る。位相整合時に、部材４の角度を微調整し、傾けても
共振器が狂わないように、ミラー構造６には曲率を持た
せることが好ましい。具体的には、曲率半径１０ｍｍ〜
２０ｍｍとする。
【００１６】上記構成よりなる図１に示す第２次高調波
光発生装置によると、高反射率のミラー２と６から構成
される共振器内でレーザ１により基本波光を発振させ
る。この基本波光は、フィネスの高い共振器構成により
高い電界８を作り、これにより同時に共振器内に存在す
るドメイン反転構造５で高効率波長変換がなされ、第２
次高調波９が発生する。１には縦および横モード共に単
一発振する半導体レーザ、または、半導体レーザ励起固
体レーザを用いる。発振波長に対し高効率波長変換を行
うため、５の角度を微調整して変え、最適角度に合わせ
る。このことにより、ミラー６は殆ど狂うことなく、共
振器の光軸がずれることはない。
光発生装置によると、高反射率のミラー２と６から構成
される共振器内でレーザ１により基本波光を発振させ
る。この基本波光は、フィネスの高い共振器構成により
高い電界８を作り、これにより同時に共振器内に存在す
るドメイン反転構造５で高効率波長変換がなされ、第２
次高調波９が発生する。１には縦および横モード共に単
一発振する半導体レーザ、または、半導体レーザ励起固
体レーザを用いる。発振波長に対し高効率波長変換を行
うため、５の角度を微調整して変え、最適角度に合わせ
る。このことにより、ミラー６は殆ど狂うことなく、共
振器の光軸がずれることはない。
【００１７】なお、上記実施例では、光源１として半導
体レーザを用いたが、本発明では、上記半導体レーザに
半導体レーザ励起固体レーザ（以下、単に「固体レー
ザ」ともいう。）を併用することができる。即ち、固体
レーザによれば、単一横モードで発振させることが容易
となり、また蛍光寿命の長い固体レーザを用いることに
よりエネルギー蓄積ができ高出力が出せる。さらに発振
スペクトルを安定に制御でき、固体材料の選択により波
長可変性を持たせることができる。
体レーザを用いたが、本発明では、上記半導体レーザに
半導体レーザ励起固体レーザ（以下、単に「固体レー
ザ」ともいう。）を併用することができる。即ち、固体
レーザによれば、単一横モードで発振させることが容易
となり、また蛍光寿命の長い固体レーザを用いることに
よりエネルギー蓄積ができ高出力が出せる。さらに発振
スペクトルを安定に制御でき、固体材料の選択により波
長可変性を持たせることができる。
【００１８】この固体レーザの材料としては特に制限さ
れず、例えば、Nd：ＹＡＧ，Nd：ＹＶＯ4 ，Nd：ＬＯ
Ｓ，Nd：ＣＧＡ，ＮＰＰ，ＬＮＰ，ＫＮＰ，ＮＹＡＢ等
が好適に使用される。特に吸収係数の大きい材料は、単
一縦モードを発振しやすく、従って発振スペクトルを十
分狭くすることができ望ましい。
れず、例えば、Nd：ＹＡＧ，Nd：ＹＶＯ4 ，Nd：ＬＯ
Ｓ，Nd：ＣＧＡ，ＮＰＰ，ＬＮＰ，ＫＮＰ，ＮＹＡＢ等
が好適に使用される。特に吸収係数の大きい材料は、単
一縦モードを発振しやすく、従って発振スペクトルを十
分狭くすることができ望ましい。
【００１９】また、上記実施例では、共振器としてミラ
ーを用いるものであるが、共振器内における基本波の損
失が変換効率を大きく左右するので、損失の小さい材料
を選ぶ必要がある。
ーを用いるものであるが、共振器内における基本波の損
失が変換効率を大きく左右するので、損失の小さい材料
を選ぶ必要がある。
【００２０】
【発明の効果】本発明の第２次高調波光発生装置は、以
上説明したように構成されているので、以下のような効
果を奏する。 共振器構造を用いるため必要非線形光学材料長は、図
３のような非線形光学材料をレーザが一回だけ通過する
通常の方法に対し１／３〜１／５ですむ。したがって、
位相整合角度の調整が、３〜５倍容易になる。 ２倍高調波発生は、バルク型ドメイン反転構造５の角
度調整により行い、フィードバック系を用いない。した
がって、装置の部品点数が削減できるとともに、小型化
が達成できる。また、装置が簡単な構成となるので、容
易に製造ができるようになり、コストを低減できる。 光発振面にミラー構造を形成したバルク形ドメイン反
転構造を形成した部材を用いるので、従来の導波路形の
部材を用いる装置で必要とされる光ファイバのような光
学的接続部材や外部ミラーを不要にできる。 従来、技術的に困難とされていたグリーン光やブルー
光の発振が可能な第２次高調波発生装置が、容易にかつ
安価に提供できる。
上説明したように構成されているので、以下のような効
果を奏する。 共振器構造を用いるため必要非線形光学材料長は、図
３のような非線形光学材料をレーザが一回だけ通過する
通常の方法に対し１／３〜１／５ですむ。したがって、
位相整合角度の調整が、３〜５倍容易になる。 ２倍高調波発生は、バルク型ドメイン反転構造５の角
度調整により行い、フィードバック系を用いない。した
がって、装置の部品点数が削減できるとともに、小型化
が達成できる。また、装置が簡単な構成となるので、容
易に製造ができるようになり、コストを低減できる。 光発振面にミラー構造を形成したバルク形ドメイン反
転構造を形成した部材を用いるので、従来の導波路形の
部材を用いる装置で必要とされる光ファイバのような光
学的接続部材や外部ミラーを不要にできる。 従来、技術的に困難とされていたグリーン光やブルー
光の発振が可能な第２次高調波発生装置が、容易にかつ
安価に提供できる。
【図１】本発明の第２次高調波発生装置の一実施例を示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図２】本発明で用いる非線形光学材料の構造の一例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図３】従来の第２次高調波発生装置を示す模式図であ
る。
る。
１ 光源 ２，６ ミラー構造 ３，１０ 無反射構造 ４ 非線形光学材料からなる部材 ５ バルク形ドメイン反転構造 ７ 共振器構造
Claims (2)
- 【請求項１】 片端面にミラー構造およびその対向面に
無反射構造を形成してなる光源と、非線形光学材料から
なりドメイン反転型構造を有し、かつ、その光発振面に
ミラー構造およびその対向面に無反射構造を形成してな
る部材とを具備し、上記光源と部材のミラー構造間で共
振器構造を形成してなる第２次高調波光発生装置。 - 【請求項２】 該光源が半導体レーザまたは／および半
導体レーザ励起固体レーザであることを特徴とする請求
項１記載の第２次高調波光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27899792A JP3300429B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 第２次高調波光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27899792A JP3300429B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 第２次高調波光発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132595A true JPH06132595A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3300429B2 JP3300429B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=17604966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27899792A Expired - Lifetime JP3300429B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 第２次高調波光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3300429B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1798991A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-20 | Seiko Epson Corporation | Laser light source device and projector including said device |
| JP2009046882A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | メタンハイドレート採掘方法およびメタンハイドレート採掘装置 |
| WO2010122899A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | 株式会社Ｑｄレーザ | レーザシステム |
| WO2011114907A1 (ja) | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 株式会社Ｑｄレーザ | レーザシステム |
| US8896911B2 (en) | 2008-09-19 | 2014-11-25 | Qd Laser, Inc. | Laser system |
| US10989985B2 (en) | 2019-06-07 | 2021-04-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength converter |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7561612B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-07-14 | Seiko Epson Corporation | Laser source device, image display device equipped with the laser source device, and monitor device |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP27899792A patent/JP3300429B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1798991A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-20 | Seiko Epson Corporation | Laser light source device and projector including said device |
| KR100893451B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2009-04-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광원 장치 및 광원 장치를 구비한 프로젝터 |
| US7796672B2 (en) | 2005-12-13 | 2010-09-14 | Seiko Epson Corporation | Light source device and projector including light source device |
| JP2009046882A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | メタンハイドレート採掘方法およびメタンハイドレート採掘装置 |
| US8896911B2 (en) | 2008-09-19 | 2014-11-25 | Qd Laser, Inc. | Laser system |
| WO2010122899A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | 株式会社Ｑｄレーザ | レーザシステム |
| WO2011114907A1 (ja) | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 株式会社Ｑｄレーザ | レーザシステム |
| US10989985B2 (en) | 2019-06-07 | 2021-04-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3300429B2 (ja) | 2002-07-08 |
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