JPH06135794A - 複層セラミックスるつぼ - Google Patents
複層セラミックスるつぼInfo
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- JPH06135794A JPH06135794A JP31290192A JP31290192A JPH06135794A JP H06135794 A JPH06135794 A JP H06135794A JP 31290192 A JP31290192 A JP 31290192A JP 31290192 A JP31290192 A JP 31290192A JP H06135794 A JPH06135794 A JP H06135794A
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- JP
- Japan
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- crucible
- layer
- thermal expansion
- heat absorbing
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- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は昇温、降温などのくり返しでもる
つぼ基材から熱分解グラファイトからなる熱吸収層、ま
たは電気絶縁性セラミックスからなる被覆層が剥離する
ことがないことから長寿命である複層セラミックスるつ
ぼの提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の複層セラミックスるつぼは、熱分
解窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面に熱分解グラフ
ァイトからなる熱吸収層を接合し、その上に電気絶縁性
セラミックスからなる被覆層を設けてなる複層セラミッ
クスるつぼにおいて、該熱吸収層と該るつぼ基材との熱
膨張係数の差および該被覆層と該熱吸収層との熱膨張係
数の差を１×10-6／℃以下としてなることを特徴とする
ものである。
つぼ基材から熱分解グラファイトからなる熱吸収層、ま
たは電気絶縁性セラミックスからなる被覆層が剥離する
ことがないことから長寿命である複層セラミックスるつ
ぼの提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の複層セラミックスるつぼは、熱分
解窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面に熱分解グラフ
ァイトからなる熱吸収層を接合し、その上に電気絶縁性
セラミックスからなる被覆層を設けてなる複層セラミッ
クスるつぼにおいて、該熱吸収層と該るつぼ基材との熱
膨張係数の差および該被覆層と該熱吸収層との熱膨張係
数の差を１×10-6／℃以下としてなることを特徴とする
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複層セラミックスるつ
ぼ、特には化合物半導体の分子線エピタキシ−用に好適
とされる複層セラミックスるつぼに関するものである。
ぼ、特には化合物半導体の分子線エピタキシ−用に好適
とされる複層セラミックスるつぼに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体の分子線エピタキシ
−用に使用される蒸発源るつぼとしては、熱分解窒化ほ
う素などの高耐熱性セラミックスからなるるつぼが用い
られてきており、これについてはこの熱分解窒化ほう素
からなるるつぼ基材上に熱吸収率の高い熱分解グラファ
イトからなる熱吸収層を設け、これに電気絶縁性セラミ
ックスを被覆してなる複層セラミックスるつぼも開発さ
れている。
−用に使用される蒸発源るつぼとしては、熱分解窒化ほ
う素などの高耐熱性セラミックスからなるるつぼが用い
られてきており、これについてはこの熱分解窒化ほう素
からなるるつぼ基材上に熱吸収率の高い熱分解グラファ
イトからなる熱吸収層を設け、これに電気絶縁性セラミ
ックスを被覆してなる複層セラミックスるつぼも開発さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この熱分解窒
化ほう素などからなる従来のるつぼでは、この熱分解窒
化ほう素が熱吸収率の低いものであるために、これを蒸
発源るつぼとして用いると開口部付近の温度が相対的に
低いものとなり、蒸発が不安定になるという欠点があ
る。そのため、これについてはこの低温部に熱分解グラ
ファイトなどからなる熱吸収層を設けて温度を均一化す
ることも行われているが、これは前記した電気絶縁性セ
ラミックスからなる被覆層とこの熱吸収層がるつぼ基材
とを一体化しているために、それらの熱膨張の差によっ
て温度が変化するとその接合部に熱応力が発生し、この
被覆層や熱吸収層がるつぼ基材から剥離してしまうとい
う欠点がある。
化ほう素などからなる従来のるつぼでは、この熱分解窒
化ほう素が熱吸収率の低いものであるために、これを蒸
発源るつぼとして用いると開口部付近の温度が相対的に
低いものとなり、蒸発が不安定になるという欠点があ
る。そのため、これについてはこの低温部に熱分解グラ
ファイトなどからなる熱吸収層を設けて温度を均一化す
ることも行われているが、これは前記した電気絶縁性セ
ラミックスからなる被覆層とこの熱吸収層がるつぼ基材
とを一体化しているために、それらの熱膨張の差によっ
て温度が変化するとその接合部に熱応力が発生し、この
被覆層や熱吸収層がるつぼ基材から剥離してしまうとい
う欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決した複層セラミックスるつぼに関するも
のであり、これは熱分解窒化ほう素からなるるつぼ基材
の表面に熱分解グラファイトからなる熱吸収層を接合
し、その上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を
設けてなる複層セラミックスるつぼにおいて、該熱吸収
層と該るつぼ基材との熱膨張係数の差および該被覆層と
該熱吸収層との熱膨張係数の差を１×10-6／℃以下とし
てなることを特徴とするものである。
利、欠点を解決した複層セラミックスるつぼに関するも
のであり、これは熱分解窒化ほう素からなるるつぼ基材
の表面に熱分解グラファイトからなる熱吸収層を接合
し、その上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を
設けてなる複層セラミックスるつぼにおいて、該熱吸収
層と該るつぼ基材との熱膨張係数の差および該被覆層と
該熱吸収層との熱膨張係数の差を１×10-6／℃以下とし
てなることを特徴とするものである。
【０００５】すなわち、発明者らは従来公知の複層セラ
ミックスるつぼの欠点を解決した複層セラミックスるつ
ぼを開発すべく種々検討した結果、これについては熱分
解窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面に熱吸収層とし
て熱分解グラファイト層を接合し、この上に電気絶縁性
セラミックスを被覆してなる公知の複層セラミックスる
つぼおいて、このるつぼ基材と熱吸収層との熱膨張係数
の差および被覆層と熱吸収層との熱膨張係数の差を１×
10-6／℃以下のものとすればこの被覆層や熱吸収層がる
つぼ基材から剥離することがなくなるということを見出
すと共に、これによればこのものを化合物半導体の分子
線エピタキシ−用に使用しても不純物による汚染が生ず
ることがなくなるということを確認して本発明を完成さ
せた。以下にこれをさらに詳述する。
ミックスるつぼの欠点を解決した複層セラミックスるつ
ぼを開発すべく種々検討した結果、これについては熱分
解窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面に熱吸収層とし
て熱分解グラファイト層を接合し、この上に電気絶縁性
セラミックスを被覆してなる公知の複層セラミックスる
つぼおいて、このるつぼ基材と熱吸収層との熱膨張係数
の差および被覆層と熱吸収層との熱膨張係数の差を１×
10-6／℃以下のものとすればこの被覆層や熱吸収層がる
つぼ基材から剥離することがなくなるということを見出
すと共に、これによればこのものを化合物半導体の分子
線エピタキシ−用に使用しても不純物による汚染が生ず
ることがなくなるということを確認して本発明を完成さ
せた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００６】
【作用】本発明は複層セラミックスるつぼに関するもの
で、これは熱分解窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面
に熱分解グラファイトからなる熱吸収層を接合し、その
上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を設けてな
る複層セラミックスるつぼにおいて、該熱吸収層と該る
つぼ基材との熱膨張係数の差および該被覆層と該熱吸収
層との熱膨張係数の差を１×10-6／℃以下としてなるこ
とを特徴とするものであるが、このものはその被覆層と
熱吸収層がるつぼ基材から剥離することがなくなるの
で、これは長寿命なものとなり、このものは化合物半導
体の分子線エピタキシ−法に好適なものになるという有
利性をもつものになる。
で、これは熱分解窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面
に熱分解グラファイトからなる熱吸収層を接合し、その
上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を設けてな
る複層セラミックスるつぼにおいて、該熱吸収層と該る
つぼ基材との熱膨張係数の差および該被覆層と該熱吸収
層との熱膨張係数の差を１×10-6／℃以下としてなるこ
とを特徴とするものであるが、このものはその被覆層と
熱吸収層がるつぼ基材から剥離することがなくなるの
で、これは長寿命なものとなり、このものは化合物半導
体の分子線エピタキシ−法に好適なものになるという有
利性をもつものになる。
【０００７】本発明の複層セラミックスるつぼは熱分解
窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面に熱分解グラファ
イトからなる熱吸収層を接合し、その上に電気絶縁性セ
ラミックスからなる被覆層を設けてなるものであること
から、これ自体の構成は公知のものとされる。しかし、
この複層セラミックスるつぼについてはこの熱分解グラ
ファイトからなる熱吸収層と熱分解窒化ほう素とからな
るるつぼ基材との熱膨張係数の差、またこの絶縁性セラ
ミックスからなる被覆層と該熱吸収層との熱膨張係数の
差が１×10-6／℃以上であると、使用時にその熱膨張係
数の差によって温度が変化するとこの接合部に熱応力が
発生して、この熱吸収層や被覆層がるつぼ基材から剥離
するということが見出された。
窒化ほう素からなるるつぼ基材の表面に熱分解グラファ
イトからなる熱吸収層を接合し、その上に電気絶縁性セ
ラミックスからなる被覆層を設けてなるものであること
から、これ自体の構成は公知のものとされる。しかし、
この複層セラミックスるつぼについてはこの熱分解グラ
ファイトからなる熱吸収層と熱分解窒化ほう素とからな
るるつぼ基材との熱膨張係数の差、またこの絶縁性セラ
ミックスからなる被覆層と該熱吸収層との熱膨張係数の
差が１×10-6／℃以上であると、使用時にその熱膨張係
数の差によって温度が変化するとこの接合部に熱応力が
発生して、この熱吸収層や被覆層がるつぼ基材から剥離
するということが見出された。
【０００８】したがって、本発明ではこの熱吸収層とる
つぼ基材との熱膨張係数の差、および被覆層と熱吸収層
との熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下とすることが必
要とされ、これによれば使用時に温度が変化したときで
もこれら両社の熱膨張係数の差により発生する接合部の
熱応力が接合強度より小さいものとなるので、この接合
部での被覆層、熱吸収層の剥離は起こらず、これは寿命
の長いものになるという有利性が与えられる。
つぼ基材との熱膨張係数の差、および被覆層と熱吸収層
との熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下とすることが必
要とされ、これによれば使用時に温度が変化したときで
もこれら両社の熱膨張係数の差により発生する接合部の
熱応力が接合強度より小さいものとなるので、この接合
部での被覆層、熱吸収層の剥離は起こらず、これは寿命
の長いものになるという有利性が与えられる。
【０００９】したがって、この複層セラミックスるつぼ
を構成するるつぼ基材と熱吸収層、および被覆層と熱吸
収層はこれらの熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下のも
のとされる。このるつぼ基材はこれがIII.V 族化合物半
導体プロセスに使用されるものであることから、これと
は同族化合物である窒化ほう素からなるものとされる
が、このものは例えばアンモニアと三塩化ほう素とを1,
800 〜2,100 ℃、10ト−ルの条件下で反応させたものと
すればよく、このようにして得られた熱分解窒化ほう素
は熱膨張係数が２〜４×10-6／℃のものとなる。
を構成するるつぼ基材と熱吸収層、および被覆層と熱吸
収層はこれらの熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下のも
のとされる。このるつぼ基材はこれがIII.V 族化合物半
導体プロセスに使用されるものであることから、これと
は同族化合物である窒化ほう素からなるものとされる
が、このものは例えばアンモニアと三塩化ほう素とを1,
800 〜2,100 ℃、10ト−ルの条件下で反応させたものと
すればよく、このようにして得られた熱分解窒化ほう素
は熱膨張係数が２〜４×10-6／℃のものとなる。
【００１０】つぎにこのるつぼ基材と接合される熱吸収
剤は窒化ほう素との付着性が比較的よいということから
熱分解グラファイトからなるものとされるが、このもの
は例えばメタンガスを1,900 〜2,100 ℃、５ト−ルとい
う条件下で熱分解させることによって作ったものとすれ
ばよく、このようにして得られた熱分解グラファイトは
熱膨張係数が１〜３×10-6／℃のものとなる。
剤は窒化ほう素との付着性が比較的よいということから
熱分解グラファイトからなるものとされるが、このもの
は例えばメタンガスを1,900 〜2,100 ℃、５ト−ルとい
う条件下で熱分解させることによって作ったものとすれ
ばよく、このようにして得られた熱分解グラファイトは
熱膨張係数が１〜３×10-6／℃のものとなる。
【００１１】また、この熱分解グラファイトの上に被覆
される被覆剤は電気絶縁性セラミックスからなるものと
されるが、これはこのるつぼ基材が熱分解窒化ほう素か
らなるものであることから、窒化ほう素からなるものと
することがよく、したがってこれはるつぼ基材としての
熱分解窒化ほう素と同様にアンモニアと三塩化ほう素と
を1,800 〜2,100 ℃、５〜10ト−ルという条件下で熱分
解して作ったものとすればよい。
される被覆剤は電気絶縁性セラミックスからなるものと
されるが、これはこのるつぼ基材が熱分解窒化ほう素か
らなるものであることから、窒化ほう素からなるものと
することがよく、したがってこれはるつぼ基材としての
熱分解窒化ほう素と同様にアンモニアと三塩化ほう素と
を1,800 〜2,100 ℃、５〜10ト−ルという条件下で熱分
解して作ったものとすればよい。
【００１２】このようにして作られたるつぼ基材として
の熱分解窒化ほう素、熱分解グラファイトからなる熱吸
収層および窒化ほう素からなる被覆層の熱膨張係数は上
記したようなものとなるが、このるつぼ基材と熱吸収
層、被覆層と熱吸収層とはそれらの熱膨張係数の差が１
×10-6／℃以下のものとすることが必要とされるので、
これらはそれを製造するときの温度、真空度などを調整
してその熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下となるよう
にすればよい。
の熱分解窒化ほう素、熱分解グラファイトからなる熱吸
収層および窒化ほう素からなる被覆層の熱膨張係数は上
記したようなものとなるが、このるつぼ基材と熱吸収
層、被覆層と熱吸収層とはそれらの熱膨張係数の差が１
×10-6／℃以下のものとすることが必要とされるので、
これらはそれを製造するときの温度、真空度などを調整
してその熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下となるよう
にすればよい。
【００１３】なお、このようにして作られた複層セラミ
ックスるつぼはその熱吸収層とるつぼ基材、また被覆層
と熱吸収層との熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下とな
るのでこの被覆層と熱吸収層がるつぼ基材から剥離する
ことがなくなり、高い寿命をもつものになるが、このも
のはこれを化合物半導体の分子線エピタキシ−法に使用
してもこの被覆層が窒化ほう素とされているので、これ
がIV族元素で汚染されることはないし、このるつぼ基
材、熱吸収層も化学気相蒸着法で作られたもので、焼結
法で作られたものに比べて不純物を含んでいない高純度
のものであるので、これはこれを半導体プロセスに使用
しても半導体がこれらの不純物によって汚染することは
ないという有利性が与えられる。
ックスるつぼはその熱吸収層とるつぼ基材、また被覆層
と熱吸収層との熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下とな
るのでこの被覆層と熱吸収層がるつぼ基材から剥離する
ことがなくなり、高い寿命をもつものになるが、このも
のはこれを化合物半導体の分子線エピタキシ−法に使用
してもこの被覆層が窒化ほう素とされているので、これ
がIV族元素で汚染されることはないし、このるつぼ基
材、熱吸収層も化学気相蒸着法で作られたもので、焼結
法で作られたものに比べて不純物を含んでいない高純度
のものであるので、これはこれを半導体プロセスに使用
しても半導体がこれらの不純物によって汚染することは
ないという有利性が与えられる。
【００１４】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１ アンモニアと三塩化ほう素とを2,100 ℃、10ト−ルとい
う条件下で反応させて、直径20mm、 厚さ１mmの熱分解窒
化ほう素のるつぼを作ったのち、このるつぼの表面でメ
タンガスを1,900 ℃、 ５ト−ルという条件下で熱分解さ
せてここに厚さ40μm の熱分解グラファイトからなる熱
吸収層を形成させた。
う条件下で反応させて、直径20mm、 厚さ１mmの熱分解窒
化ほう素のるつぼを作ったのち、このるつぼの表面でメ
タンガスを1,900 ℃、 ５ト−ルという条件下で熱分解さ
せてここに厚さ40μm の熱分解グラファイトからなる熱
吸収層を形成させた。
【００１５】ついで、この熱吸収層の上でアンモニアと
三塩化ほう素とを2,100 ℃、10ト−ルという条件下で反
応させて、ここに厚さ100 μm の電気絶縁性セラミック
スとしての熱分解窒化ほう素からなる被複層を形成させ
て複層セラミックスるつぼを作ったところ、このるつぼ
はその熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差と被覆
層と熱吸収層との熱膨張係数の差がいずれも１×10-6／
℃であることから、このものは1,300 ℃まで100 回昇
温、降温をくり返しても、るつぼ基材と発熱層との接合
部には剥離が発生せず、長い寿命をもつものであり、こ
れは化合物半導体としてのGaAsの分子線エピタキシ−用
に使用したところ、６ケ月間毎日昇降温をくり返しても
剥離は発生せず、安定した蒸発を維持することができる
という好結果を与えた。
三塩化ほう素とを2,100 ℃、10ト−ルという条件下で反
応させて、ここに厚さ100 μm の電気絶縁性セラミック
スとしての熱分解窒化ほう素からなる被複層を形成させ
て複層セラミックスるつぼを作ったところ、このるつぼ
はその熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差と被覆
層と熱吸収層との熱膨張係数の差がいずれも１×10-6／
℃であることから、このものは1,300 ℃まで100 回昇
温、降温をくり返しても、るつぼ基材と発熱層との接合
部には剥離が発生せず、長い寿命をもつものであり、こ
れは化合物半導体としてのGaAsの分子線エピタキシ−用
に使用したところ、６ケ月間毎日昇降温をくり返しても
剥離は発生せず、安定した蒸発を維持することができる
という好結果を与えた。
【００１６】実施例２ アンモニアと三塩化ほう素とを1,800 ℃、10ト−ルとい
う条件下で反応させて、直径40mm、 厚さ１mmの熱分解窒
化ほう素のるつぼをつくったのち，このるつぼの表面で
メタンガスを2,100 ℃、 ５ト−ルという条件下で熱分解
させて、ここに厚さ50μm の熱分解グラファイトからな
る熱吸収層を形成させた。
う条件下で反応させて、直径40mm、 厚さ１mmの熱分解窒
化ほう素のるつぼをつくったのち，このるつぼの表面で
メタンガスを2,100 ℃、 ５ト−ルという条件下で熱分解
させて、ここに厚さ50μm の熱分解グラファイトからな
る熱吸収層を形成させた。
【００１７】ついで、この熱吸収層の上でアンモニアと
三塩化ほう素とを1,900 ℃、10ト−ルという条件下で反
応させて、ここに厚さ90μm の電気絶縁性セラミックス
としての熱分解窒化ほう素からなる被複層を形成させて
複層セラミックスるつぼを作ったところ、このるつぼは
その熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差が0.5×1
0-6／℃であり、被複層と熱吸収層との熱膨張係数の差
が0.4 ×10-6／℃であることから、室温から1,300 ℃ま
で100 回の昇温、降温をくり返してもるつぼ基材と発熱
層の接合部に剥離は発生しなかった。
三塩化ほう素とを1,900 ℃、10ト−ルという条件下で反
応させて、ここに厚さ90μm の電気絶縁性セラミックス
としての熱分解窒化ほう素からなる被複層を形成させて
複層セラミックスるつぼを作ったところ、このるつぼは
その熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差が0.5×1
0-6／℃であり、被複層と熱吸収層との熱膨張係数の差
が0.4 ×10-6／℃であることから、室温から1,300 ℃ま
で100 回の昇温、降温をくり返してもるつぼ基材と発熱
層の接合部に剥離は発生しなかった。
【００１８】比較例 アンモニアと三塩化ほう素とを2,100 ℃、10ト−ルとい
う条件下で反応させて、直径が50mm、 厚さが１mmの熱分
解窒化ほう素製るつぼを作ったのち、このるつぼの表面
でメタンガスを2,100 ℃、５ト−ルという条件下で熱分
解させて、ここに厚さが10μm の熱分解グラファイトか
らなる熱吸収層を形成させた。
う条件下で反応させて、直径が50mm、 厚さが１mmの熱分
解窒化ほう素製るつぼを作ったのち、このるつぼの表面
でメタンガスを2,100 ℃、５ト−ルという条件下で熱分
解させて、ここに厚さが10μm の熱分解グラファイトか
らなる熱吸収層を形成させた。
【００１９】ついで、この熱吸収層の上でアンモニアと
三塩化ほう素とを1,800 ℃、５ト−ルという条件下で反
応させて、ここに厚さ100 μm の電気絶縁性セラミック
スとしての熱分解窒化ほう素からなる被覆層を形成させ
て複層セラミックスるつぼを作ったところ、このるつぼ
は熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差が２×10-6
／℃であり、被覆層と熱吸収層との熱膨張係数の差が1.
2 ×10-6／℃でいずれも１×10-6／℃以上であることか
ら、室温から1,300 ℃まで28回の昇温、降温をくり返し
た時点でるつぼ基材と発熱層との接合部に剥離が発生し
た。
三塩化ほう素とを1,800 ℃、５ト−ルという条件下で反
応させて、ここに厚さ100 μm の電気絶縁性セラミック
スとしての熱分解窒化ほう素からなる被覆層を形成させ
て複層セラミックスるつぼを作ったところ、このるつぼ
は熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差が２×10-6
／℃であり、被覆層と熱吸収層との熱膨張係数の差が1.
2 ×10-6／℃でいずれも１×10-6／℃以上であることか
ら、室温から1,300 ℃まで28回の昇温、降温をくり返し
た時点でるつぼ基材と発熱層との接合部に剥離が発生し
た。
【００２０】
【発明の効果】本発明は複層セラミックスるつぼに関す
るものであり、これは前記したように熱分解窒化ほう素
からなるるつぼ基材の表面に熱分解グラファイトからな
る熱吸収層と接合し、その上に電気絶縁性セラミックス
からなる被覆層を設けてなる積層セラミックスるつぼに
おいて、該熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差お
よび該被覆層と該熱吸収層との熱膨張係数の差を１×10
-6／℃以下としてなることを特徴とするものであるが、
このものはその熱吸収層とるつぼ基材およびその被覆層
と熱吸収層との熱膨張係数の差がいずれも１×10-6／℃
以下とされているので使用時に温度差が生じてもその接
合部に発生する熱応力がこの接合強度より小さいので、
この接合部で熱吸収層や被覆層が剥離することがなくな
って寿命の長いものとなるし、これはIV族元素などで汚
染されることもないので、これはIII-V 族化合物半導体
の分子線エピタキシ−法などに使用することができると
う有利性が与えられる。
るものであり、これは前記したように熱分解窒化ほう素
からなるるつぼ基材の表面に熱分解グラファイトからな
る熱吸収層と接合し、その上に電気絶縁性セラミックス
からなる被覆層を設けてなる積層セラミックスるつぼに
おいて、該熱吸収層とるつぼ基材との熱膨張係数の差お
よび該被覆層と該熱吸収層との熱膨張係数の差を１×10
-6／℃以下としてなることを特徴とするものであるが、
このものはその熱吸収層とるつぼ基材およびその被覆層
と熱吸収層との熱膨張係数の差がいずれも１×10-6／℃
以下とされているので使用時に温度差が生じてもその接
合部に発生する熱応力がこの接合強度より小さいので、
この接合部で熱吸収層や被覆層が剥離することがなくな
って寿命の長いものとなるし、これはIV族元素などで汚
染されることもないので、これはIII-V 族化合物半導体
の分子線エピタキシ−法などに使用することができると
う有利性が与えられる。
Claims (1)
- 【請求項１】熱分解窒化ほう素からなるるつぼ基材の表
面に熱分解グラファイトからなる熱吸収層を接合し、そ
の上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を設けて
なる複層セラミックスるつぼにおいて、該熱吸収層と該
るつぼ基材との熱膨張係数の差および該被覆層と該熱吸
収層との熱膨張との差をともに１×１０-6／℃以下とし
てなることを特徴とする複層セラミックスるつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4312901A JP2837049B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 複層セラミックスるつぼの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4312901A JP2837049B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 複層セラミックスるつぼの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06135794A true JPH06135794A (ja) | 1994-05-17 |
| JP2837049B2 JP2837049B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=18034827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4312901A Expired - Lifetime JP2837049B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 複層セラミックスるつぼの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837049B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0759416A3 (en) * | 1995-08-22 | 1997-06-04 | Shinetsu Chemical Co | Pyrolytic boron nitride tank |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153189A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-08 | Kyocera Corp | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 |
| JPS62176981A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-03 | Kyocera Corp | 窒化ホウ素被覆ルツボ |
| JPH04231459A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-08-20 | Union Carbide Coatings Service Technol Corp | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 |
| JPH04285086A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fujitsu Ltd | 窒化硼素複合材料 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP4312901A patent/JP2837049B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153189A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-08 | Kyocera Corp | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 |
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| JPH04231459A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-08-20 | Union Carbide Coatings Service Technol Corp | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 |
| JPH04285086A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fujitsu Ltd | 窒化硼素複合材料 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0759416A3 (en) * | 1995-08-22 | 1997-06-04 | Shinetsu Chemical Co | Pyrolytic boron nitride tank |
| US5759646A (en) * | 1995-08-22 | 1998-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Vessel of pyrolytic boron nitride |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2837049B2 (ja) | 1998-12-14 |
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