JPH06138045A - ガラス基板用欠陥検査装置 - Google Patents
ガラス基板用欠陥検査装置Info
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- JPH06138045A JPH06138045A JP31286692A JP31286692A JPH06138045A JP H06138045 A JPH06138045 A JP H06138045A JP 31286692 A JP31286692 A JP 31286692A JP 31286692 A JP31286692 A JP 31286692A JP H06138045 A JPH06138045 A JP H06138045A
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- light
- glass substrate
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板Gの表面及び裏面に存在する塵な
どの微粒子を正確に検出する。 【構成】 第1の光源からガラス基板Gの表面に検出光
L1を照射し、基板Gの表裏面に存在する微粒子D1,D
2による散乱光L2を、基板Gの表面側において基板Gの
全反射の臨界角θc近傍以内の範囲に配置された第1の
検出用光学系14により検出して微粒子D1,D2を欠陥
として検出する。
どの微粒子を正確に検出する。 【構成】 第1の光源からガラス基板Gの表面に検出光
L1を照射し、基板Gの表裏面に存在する微粒子D1,D
2による散乱光L2を、基板Gの表面側において基板Gの
全反射の臨界角θc近傍以内の範囲に配置された第1の
検出用光学系14により検出して微粒子D1,D2を欠陥
として検出する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板の表裏に存
在する微粒子(塵)やキズ、ガラス基板を貫通するピン
ホール、基板内部の気泡等(以下、これらをまとめて異
物という)による欠陥を検出するためのガラス基板用欠
陥検査装置に関する。
在する微粒子(塵)やキズ、ガラス基板を貫通するピン
ホール、基板内部の気泡等(以下、これらをまとめて異
物という)による欠陥を検出するためのガラス基板用欠
陥検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】発明者は、先に特願平4−100596
号として、表面欠陥検査装置を提案した。この表面欠陥
検査装置は、ガラス基板のごとくパネル形ディスプレイ
に用いられる透明平板材料の表面に検出光を照射し、前
記表面に存在する異物による散乱光を検出用光学系によ
り検出して前記異物を欠陥として検出する表面欠陥検査
装置において、前記表面上で検出光が照射される検出位
置よりも前方であって、この検出位置に異物が存在した
場合にその散乱光を検出可能な位置であり、かつ、表面
に対し前記透明平板材料の全反射の臨界角近傍以内の範
囲に検出用光学系を配置するものである。
号として、表面欠陥検査装置を提案した。この表面欠陥
検査装置は、ガラス基板のごとくパネル形ディスプレイ
に用いられる透明平板材料の表面に検出光を照射し、前
記表面に存在する異物による散乱光を検出用光学系によ
り検出して前記異物を欠陥として検出する表面欠陥検査
装置において、前記表面上で検出光が照射される検出位
置よりも前方であって、この検出位置に異物が存在した
場合にその散乱光を検出可能な位置であり、かつ、表面
に対し前記透明平板材料の全反射の臨界角近傍以内の範
囲に検出用光学系を配置するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術によれ
ば、検出用光学系を特定の位置に配置して検出光を斜め
上方から透明平板材料の表面に照射した場合、透明平板
材料の表面のみに存在する異物を検出することができ
る。しかるに、この種のガラス基板においては、その表
裏に存在する異物を一度に検出できれば都合が良い場合
も多く、また、基板内部のピンホールや気泡も同時に検
出できることが望まれている。本発明はこれらの点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、ガラス
基板の表裏面に存在する微粒子やキズ、基板を貫通する
ピンホール、表裏面付近の気泡等の異物による欠陥を確
実に検出することができる構成簡単な欠陥検査装置を提
供することにある。
ば、検出用光学系を特定の位置に配置して検出光を斜め
上方から透明平板材料の表面に照射した場合、透明平板
材料の表面のみに存在する異物を検出することができ
る。しかるに、この種のガラス基板においては、その表
裏に存在する異物を一度に検出できれば都合が良い場合
も多く、また、基板内部のピンホールや気泡も同時に検
出できることが望まれている。本発明はこれらの点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、ガラス
基板の表裏面に存在する微粒子やキズ、基板を貫通する
ピンホール、表裏面付近の気泡等の異物による欠陥を確
実に検出することができる構成簡単な欠陥検査装置を提
供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、第1の発明は、第1の光源からガラス基板の
表面に検出光を照射し、前記基板の表裏面に存在する微
粒子による散乱光を、前記基板の表面側において前記基
板の全反射の臨界角近傍以内の範囲に配置された第1の
検出用光学系により検出して前記微粒子を欠陥として検
出するものである。この発明では、基板の表面及び裏面
に存在する微粒子による散乱光が第1の検出用光学系に
より検出され、基板内部の気泡や裏面近くのキズによる
散乱光は検出されない。
するため、第1の発明は、第1の光源からガラス基板の
表面に検出光を照射し、前記基板の表裏面に存在する微
粒子による散乱光を、前記基板の表面側において前記基
板の全反射の臨界角近傍以内の範囲に配置された第1の
検出用光学系により検出して前記微粒子を欠陥として検
出するものである。この発明では、基板の表面及び裏面
に存在する微粒子による散乱光が第1の検出用光学系に
より検出され、基板内部の気泡や裏面近くのキズによる
散乱光は検出されない。
【0005】第2の発明は、第2の光源から、ガラス基
板の表面に前記基板を透過しない波長の短波長検出光を
照射し、前記基板の表面に存在する微粒子による散乱光
を、前記基板の表面側に配置された第2の検出用光学系
により検出して前記微粒子を欠陥として検出するもので
ある。この発明では、基板内部を短波長検出光が透過し
ないため、裏面に存在する微粒子には検出光が照射され
ず、第2の検出用光学系により検出されるのは表面の微
粒子によるもののみとなる。
板の表面に前記基板を透過しない波長の短波長検出光を
照射し、前記基板の表面に存在する微粒子による散乱光
を、前記基板の表面側に配置された第2の検出用光学系
により検出して前記微粒子を欠陥として検出するもので
ある。この発明では、基板内部を短波長検出光が透過し
ないため、裏面に存在する微粒子には検出光が照射され
ず、第2の検出用光学系により検出されるのは表面の微
粒子によるもののみとなる。
【0006】従って、第1及び第2の発明を組み合わせ
ることにより、第1の検出用光学系からは基板の表面及
び裏面に存在する微粒子の数を、また、第2の検出用光
学系からは表面のみに存在する微粒子の数を直接的に検
出できるので、これらのデータから裏面のみに存在する
微粒子の数をも知ることができる。
ることにより、第1の検出用光学系からは基板の表面及
び裏面に存在する微粒子の数を、また、第2の検出用光
学系からは表面のみに存在する微粒子の数を直接的に検
出できるので、これらのデータから裏面のみに存在する
微粒子の数をも知ることができる。
【0007】第3の発明は、ガラス基板の端面から第3
の光源による検出光を前記基板の表面に平行に入射さ
せ、前記基板の表面または裏面に存在するキズまたは表
面または裏面近傍に存在する気泡による散乱光を、前記
の表面側または裏面側において前記基板の全反射の臨界
角近傍以内の範囲に配置された第1の検出用光学系によ
り検出して前記キズまたは気泡を欠陥として検出するも
のである。
の光源による検出光を前記基板の表面に平行に入射さ
せ、前記基板の表面または裏面に存在するキズまたは表
面または裏面近傍に存在する気泡による散乱光を、前記
の表面側または裏面側において前記基板の全反射の臨界
角近傍以内の範囲に配置された第1の検出用光学系によ
り検出して前記キズまたは気泡を欠陥として検出するも
のである。
【0008】第4の発明は、ガラス基板の裏面から、第
4の面状光源により前記基板を透過しない波長の短波長
検出光を照射し、前記基板の表裏を貫通するピンホール
を介した透過光を、前記基板の表面側に配置された第2
の検出用光学系により検出して前記ピンホールを欠陥と
して検出するものである。すなわち、ピンホール以外の
部分では前記短波長検出光が表面側に透過せず、S/N
比の高い欠陥検出が可能になる。
4の面状光源により前記基板を透過しない波長の短波長
検出光を照射し、前記基板の表裏を貫通するピンホール
を介した透過光を、前記基板の表面側に配置された第2
の検出用光学系により検出して前記ピンホールを欠陥と
して検出するものである。すなわち、ピンホール以外の
部分では前記短波長検出光が表面側に透過せず、S/N
比の高い欠陥検出が可能になる。
【0009】第5の発明は、上記すべての発明を組み合
わせたもので、第1ないし第4の光源と、第1及び第2
の検出用光学系とを備えたものであり、これにより、微
粒子やキズ、気泡、ピンホール等、検査する欠陥の種類
に応じて各光源や検出用光学系を使い分けることがで
き、多目的の欠陥検査装置を実現することができる。
わせたもので、第1ないし第4の光源と、第1及び第2
の検出用光学系とを備えたものであり、これにより、微
粒子やキズ、気泡、ピンホール等、検査する欠陥の種類
に応じて各光源や検出用光学系を使い分けることがで
き、多目的の欠陥検査装置を実現することができる。
【0010】
【実施例】以下、図に沿って各発明の実施例を説明す
る。図1は第1の発明の実施例を示している。図におい
て、Gは欠陥を検査するべきガラス基板であり、このガ
ラス基板Gにはその表面に直交するように、第1の光源
からのレーザ検出光L1が照射される。このレーザ検出
光L1は、例えば波長780〔nm〕の半導体レーザ光
であるが、レーザ光源の種類や波長はこれに限定される
ものではない。なお、図では、理解を容易にするために
ガラス基板Gの厚さを誇張して示してある。
る。図1は第1の発明の実施例を示している。図におい
て、Gは欠陥を検査するべきガラス基板であり、このガ
ラス基板Gにはその表面に直交するように、第1の光源
からのレーザ検出光L1が照射される。このレーザ検出
光L1は、例えば波長780〔nm〕の半導体レーザ光
であるが、レーザ光源の種類や波長はこれに限定される
ものではない。なお、図では、理解を容易にするために
ガラス基板Gの厚さを誇張して示してある。
【0011】一方、11,12はレンズ、13はホトデ
テクタであり、これらによって第1の検出用光学系14
が構成されている。ここで、検出用光学系14は、ガラ
ス基板Gの表面Sに対し、ガラス基板Gの全反射の臨界
角θc近傍以内の範囲に配置されている。これは、仮り
にガラス基板Gの裏面にキズD3が存在したりガラス基
板Gの内部に気泡D4が存在する場合、検出用光学系1
4が臨界角θcの外にあると、キズD3や気泡D4による
散乱光が基板内部を通過した後、検出用光学系14によ
って検出されてしまうため、これを防止するためであ
る。
テクタであり、これらによって第1の検出用光学系14
が構成されている。ここで、検出用光学系14は、ガラ
ス基板Gの表面Sに対し、ガラス基板Gの全反射の臨界
角θc近傍以内の範囲に配置されている。これは、仮り
にガラス基板Gの裏面にキズD3が存在したりガラス基
板Gの内部に気泡D4が存在する場合、検出用光学系1
4が臨界角θcの外にあると、キズD3や気泡D4による
散乱光が基板内部を通過した後、検出用光学系14によ
って検出されてしまうため、これを防止するためであ
る。
【0012】このように構成すると、レーザ検出光L1
を表面Sの検出位置P1に照射した場合、この位置P1に
微粒子D1が存在すると、この微粒子D1による散乱光L
2が検出用光学系14によって検出される。また、仮り
に、検出位置P1の反対側にあたるガラス基板Gの裏面
の位置P2にも微粒子D2が存在した場合、この微粒子D
2による散乱光はガラス基板Gを透過し、かつ、空気の
屈折率(n=1、ガラス基板Gの屈折率はn=1.55
とする)の影響を受け、臨界角θcの外部には出射しな
いので、やはり検出用光学系14によって検出されるこ
とになる。周知のように、検出用光学系14による検出
信号(パルス)の個数は微粒子の個数を示し、振幅は微
粒子の大きさ(粒径)を示す。
を表面Sの検出位置P1に照射した場合、この位置P1に
微粒子D1が存在すると、この微粒子D1による散乱光L
2が検出用光学系14によって検出される。また、仮り
に、検出位置P1の反対側にあたるガラス基板Gの裏面
の位置P2にも微粒子D2が存在した場合、この微粒子D
2による散乱光はガラス基板Gを透過し、かつ、空気の
屈折率(n=1、ガラス基板Gの屈折率はn=1.55
とする)の影響を受け、臨界角θcの外部には出射しな
いので、やはり検出用光学系14によって検出されるこ
とになる。周知のように、検出用光学系14による検出
信号(パルス)の個数は微粒子の個数を示し、振幅は微
粒子の大きさ(粒径)を示す。
【0013】ここで、ガラス基板Gが薄くなるほど裏面
の微粒子D2による散乱光強度は表面の微粒子D1による
散乱光強度に近くなる。例えば、表面及び裏面における
反射ロス等を考慮しても、表面の微粒子D1による散乱
光強度を100〔%〕とした場合、裏面の微粒子D2に
よる散乱光強度は約95〔%〕となって検出用光学系1
4によって検出される。
の微粒子D2による散乱光強度は表面の微粒子D1による
散乱光強度に近くなる。例えば、表面及び裏面における
反射ロス等を考慮しても、表面の微粒子D1による散乱
光強度を100〔%〕とした場合、裏面の微粒子D2に
よる散乱光強度は約95〔%〕となって検出用光学系1
4によって検出される。
【0014】なお、図1のごとく平面から見て表裏の同
一位置P1,P2に微粒子D1,D2が存在する場合には、
検出用光学系14の出力信号のみではそれが表裏面のど
ちらに存在する微粒子によるものかを判別することがで
きない。しかし、このように表裏面のまったく同一位置
に微粒子D1,D2が存在することは極めてまれであるか
ら、レーザ検出光L1をガラス基板Gの表面Sに対し相
対的に移動させてガラス基板Gの全面をスキャンするこ
とにより、ガラス基板Gの表裏に存在する微粒子の総数
を検出することができる。ここで、レーザ検出光L1の
レーザ光源と検出用光学系14とは同一のフレームに固
定して移動させると良い。
一位置P1,P2に微粒子D1,D2が存在する場合には、
検出用光学系14の出力信号のみではそれが表裏面のど
ちらに存在する微粒子によるものかを判別することがで
きない。しかし、このように表裏面のまったく同一位置
に微粒子D1,D2が存在することは極めてまれであるか
ら、レーザ検出光L1をガラス基板Gの表面Sに対し相
対的に移動させてガラス基板Gの全面をスキャンするこ
とにより、ガラス基板Gの表裏に存在する微粒子の総数
を検出することができる。ここで、レーザ検出光L1の
レーザ光源と検出用光学系14とは同一のフレームに固
定して移動させると良い。
【0015】次に、図2は第2の発明の実施例を示して
いる。この実施例は、ガラス基板Gの表面Sに存在する
微粒子D1のみを検出するものである。図2において、
L3は重水素ランプ等の第2の光源から照射される短波
長検出光であり、その波長は例えば200〜300〔n
m〕である。一般に、ガラス基板Gは無アルカリガラス
や低アルカリガラス、ゼロ膨張結晶化ガラスからなって
いるが、これらは通常、波長が250〔nm〕以下の光
に対して透過率が零に近いことが従来より知られてい
る。
いる。この実施例は、ガラス基板Gの表面Sに存在する
微粒子D1のみを検出するものである。図2において、
L3は重水素ランプ等の第2の光源から照射される短波
長検出光であり、その波長は例えば200〜300〔n
m〕である。一般に、ガラス基板Gは無アルカリガラス
や低アルカリガラス、ゼロ膨張結晶化ガラスからなって
いるが、これらは通常、波長が250〔nm〕以下の光
に対して透過率が零に近いことが従来より知られてい
る。
【0016】従って、短波長検出光L3を表面Sの検出
位置P1に照射した場合、微粒子D1による散乱光L4は
レンズ15,16、ホトデテクタ17からなる第2の検
出用光学系18によって検出されるが、仮りに裏面に微
粒子D2が存在していたとしても、短波長検出光L3がガ
ラス基板Gを殆ど透過しないため、散乱光を生じること
もない。従って、表面Sに存在する微粒子のみが検出用
光学系18により検出される。なお、検出用光学系18
のレンズ15,16はサファイアや石英等の材質とす
る。
位置P1に照射した場合、微粒子D1による散乱光L4は
レンズ15,16、ホトデテクタ17からなる第2の検
出用光学系18によって検出されるが、仮りに裏面に微
粒子D2が存在していたとしても、短波長検出光L3がガ
ラス基板Gを殆ど透過しないため、散乱光を生じること
もない。従って、表面Sに存在する微粒子のみが検出用
光学系18により検出される。なお、検出用光学系18
のレンズ15,16はサファイアや石英等の材質とす
る。
【0017】上述した図1の実施例及び図2の実施例を
組み合わせれば、第1の検出用光学系14では表裏面の
微粒子数を検出し、第2の検出用光学系18では表面の
みの微粒子数を検出することができるので、各光学系の
出力信号を処理するマイクロコンピュータ等によって両
者の差を求めることにより、裏面のみの微粒子数を検出
することができる。つまり、結果的に、ガラス基板Gの
表裏面各々の微粒子数をほぼ同時に測定可能となる。
組み合わせれば、第1の検出用光学系14では表裏面の
微粒子数を検出し、第2の検出用光学系18では表面の
みの微粒子数を検出することができるので、各光学系の
出力信号を処理するマイクロコンピュータ等によって両
者の差を求めることにより、裏面のみの微粒子数を検出
することができる。つまり、結果的に、ガラス基板Gの
表裏面各々の微粒子数をほぼ同時に測定可能となる。
【0018】従来、このように表裏面各々の微粒子数を
ほぼ同時に測定するためには、ガラス基板Gの表面側及
び裏面側にそれぞれ別個に光源と検出用光学系とを配置
する必要があるが、本発明によれば、光源及び検出用光
学系は表面側のみで足りるため、装置構成を全体的に薄
形化することができる。同時に、電気配線や放熱等のた
めにも便利である。
ほぼ同時に測定するためには、ガラス基板Gの表面側及
び裏面側にそれぞれ別個に光源と検出用光学系とを配置
する必要があるが、本発明によれば、光源及び検出用光
学系は表面側のみで足りるため、装置構成を全体的に薄
形化することができる。同時に、電気配線や放熱等のた
めにも便利である。
【0019】図3は、第3の発明の実施例であり、この
実施例はガラス基板Gの表面のキズD5や表面付近の気
泡D4を検出するようにしたものである。図において、
L5は第3の光源としての半導体レーザやHe−Neレ
ーザからのレーザ検出光であり、この検出光L5はガラ
ス基板Gの端面から表面に平行に入射されている。ま
た、ガラス基板Gの表面側には第1の検出用光学系14
が配置される。
実施例はガラス基板Gの表面のキズD5や表面付近の気
泡D4を検出するようにしたものである。図において、
L5は第3の光源としての半導体レーザやHe−Neレ
ーザからのレーザ検出光であり、この検出光L5はガラ
ス基板Gの端面から表面に平行に入射されている。ま
た、ガラス基板Gの表面側には第1の検出用光学系14
が配置される。
【0020】このような構成において、レーザ検出光L
5はガラス基板Gの内部をほぼ全反射しながら進むが、
表面SにキズD5が存在したり表面付近に気泡D4が存在
する場合、それによる散乱光L6が検出用光学系14に
より検出される。一方、裏面のキズD3による散乱光
は、検出用光学系14を臨界角θc近傍以内の範囲に配
置すれば検出されない。また、表裏面に存在する微粒子
D1,D2についても、ガラス基板Gの内部をほぼ全反射
しながら進むレーザ検出光L5がこれらに照射されない
ので、光散乱が起こらず、検出用光学系14によって検
出されることはない。なお、もう1組の検出用光学系1
4を基板Gの裏面側に設ければ、裏面のキズD3や裏面
近くの気泡も同時に検出可能である。
5はガラス基板Gの内部をほぼ全反射しながら進むが、
表面SにキズD5が存在したり表面付近に気泡D4が存在
する場合、それによる散乱光L6が検出用光学系14に
より検出される。一方、裏面のキズD3による散乱光
は、検出用光学系14を臨界角θc近傍以内の範囲に配
置すれば検出されない。また、表裏面に存在する微粒子
D1,D2についても、ガラス基板Gの内部をほぼ全反射
しながら進むレーザ検出光L5がこれらに照射されない
ので、光散乱が起こらず、検出用光学系14によって検
出されることはない。なお、もう1組の検出用光学系1
4を基板Gの裏面側に設ければ、裏面のキズD3や裏面
近くの気泡も同時に検出可能である。
【0021】この実施例においても、例えば、図1に示
した第1の光源によるレーザ検出光L1、図2に示した
第2の光源による短波長検出光L3及び第2の検出用光
学系18を追加することにより、表裏面の微粒子D1,
D2、表面のみの微粒子D1、裏面のみの微粒子D2も検
出可能な欠陥検査装置を実現することができる。
した第1の光源によるレーザ検出光L1、図2に示した
第2の光源による短波長検出光L3及び第2の検出用光
学系18を追加することにより、表裏面の微粒子D1,
D2、表面のみの微粒子D1、裏面のみの微粒子D2も検
出可能な欠陥検査装置を実現することができる。
【0022】図4は第4の発明の実施例を示している。
この実施例は、ガラス基板Gの表裏を貫通するピンホー
ルD6を検出するようにしたもので、ガラス基板Gの裏
面側には、波長が300〔nm〕以下の短波長検出光L
7を発する面状光源19が配置され、ガラス基板Gの表
面側には、第2の検出用光学系18が配置されている。
この実施例は、ガラス基板Gの表裏を貫通するピンホー
ルD6を検出するようにしたもので、ガラス基板Gの裏
面側には、波長が300〔nm〕以下の短波長検出光L
7を発する面状光源19が配置され、ガラス基板Gの表
面側には、第2の検出用光学系18が配置されている。
【0023】前述の如く、波長が300〔nm〕以下の
光はガラス基板Gの透過率が極めて小さくなることか
ら、短波長検出光L7は通常、ガラス基板Gを透過せ
ず、あるいは若干透過しても検出用光学系18による検
出にはかからない。しかるに、ガラス基板Gの表裏を貫
通するピンホールD6が存在する場合、検出光L7はこれ
を通過して透過光L8として検出用光学系18により検
出されるため、高いS/N比によってピンホールD6を
検出することができる。
光はガラス基板Gの透過率が極めて小さくなることか
ら、短波長検出光L7は通常、ガラス基板Gを透過せ
ず、あるいは若干透過しても検出用光学系18による検
出にはかからない。しかるに、ガラス基板Gの表裏を貫
通するピンホールD6が存在する場合、検出光L7はこれ
を通過して透過光L8として検出用光学系18により検
出されるため、高いS/N比によってピンホールD6を
検出することができる。
【0024】なお、この実施例では、面状光源19がガ
ラス基板Gの面積と同等以上の面積を有していれば、面
状光源19の1回の点灯によりガラス基板Gの全面に検
出光L7を照射することができる。従って、スキャンの
ために面状光源19とガラス基板Gとを相対的、平面的
に移動する必要がない。検出用光学系18に関しては、
その光軸と基板表面との交差角が直角に近くなるように
配置すればするほど、ピンホールD6の検出面積が増大
し、検査効率を高めることができる。更に、必要に応じ
て検出光L7の波長を紫外線領域にまで可変とすれば、
UV光による有機物の光洗浄を行うことができ、ガラス
基板Gの表面(裏面)洗浄効果が得られる。
ラス基板Gの面積と同等以上の面積を有していれば、面
状光源19の1回の点灯によりガラス基板Gの全面に検
出光L7を照射することができる。従って、スキャンの
ために面状光源19とガラス基板Gとを相対的、平面的
に移動する必要がない。検出用光学系18に関しては、
その光軸と基板表面との交差角が直角に近くなるように
配置すればするほど、ピンホールD6の検出面積が増大
し、検査効率を高めることができる。更に、必要に応じ
て検出光L7の波長を紫外線領域にまで可変とすれば、
UV光による有機物の光洗浄を行うことができ、ガラス
基板Gの表面(裏面)洗浄効果が得られる。
【0025】次いで、図5は、図1ないし図4の実施例
を組み合わせて構成した欠陥検査装置の主要部を示して
おり、第5の発明の実施例に相当する。なお、各構成部
材の番号は前述したものと同一である。このように構成
しておけば、微粒子やキズ、気泡、ピンホール等、検査
する欠陥の種類に応じて各光源や検出用光学系を使い分
けることができ、多目的の欠陥検査装置を実現すること
が可能になる。
を組み合わせて構成した欠陥検査装置の主要部を示して
おり、第5の発明の実施例に相当する。なお、各構成部
材の番号は前述したものと同一である。このように構成
しておけば、微粒子やキズ、気泡、ピンホール等、検査
する欠陥の種類に応じて各光源や検出用光学系を使い分
けることができ、多目的の欠陥検査装置を実現すること
が可能になる。
【0026】
【発明の効果】以上のように第1の発明によれば、第1
の光源及び第1の検出用光学系により、基板の表面及び
裏面に存在する微粒子による散乱光を検出することがで
き、これらの微粒子の数や大きさを正確に検出すること
が可能である。第2の発明によれば、第2の光源及び第
2の検出用光学系により、基板の表面に存在する微粒子
のみによる散乱光から、これらの微粒子の数や大きさを
正確に検出することができる。
の光源及び第1の検出用光学系により、基板の表面及び
裏面に存在する微粒子による散乱光を検出することがで
き、これらの微粒子の数や大きさを正確に検出すること
が可能である。第2の発明によれば、第2の光源及び第
2の検出用光学系により、基板の表面に存在する微粒子
のみによる散乱光から、これらの微粒子の数や大きさを
正確に検出することができる。
【0027】従って、第1及び第2の発明を組み合わせ
ることにより、第1の検出用光学系からは基板の表面及
び裏面に存在する微粒子の数を、また、第2の検出用光
学系からは表面のみに存在する微粒子の数を直接的に検
出できるので、これらのデータから裏面のみに存在する
微粒子の数をも知ることができる。このような演算処理
はマイクロコンピュータ等により即座に実現可能である
から、基板表裏面の個別の微粒子個数、合計の微粒子個
数をほぼ同時に測定可能な欠陥検査装置を提供すること
ができる。
ることにより、第1の検出用光学系からは基板の表面及
び裏面に存在する微粒子の数を、また、第2の検出用光
学系からは表面のみに存在する微粒子の数を直接的に検
出できるので、これらのデータから裏面のみに存在する
微粒子の数をも知ることができる。このような演算処理
はマイクロコンピュータ等により即座に実現可能である
から、基板表裏面の個別の微粒子個数、合計の微粒子個
数をほぼ同時に測定可能な欠陥検査装置を提供すること
ができる。
【0028】第3の発明によれば、第3の光源及び第1
の検出用光学系により、基板の表面または裏面のキズ、
あるいは表面または裏面近傍の気泡を欠陥として正確に
検出することができる。第4の発明によれば、第4の面
状光源及び第2の検出用光学系により、基板の表裏を貫
通するピンホールを欠陥として高S/N比にて検出する
ことができ、必要に応じて第4の面状光源により基板の
表面(裏面)洗浄効果を得ることができる。
の検出用光学系により、基板の表面または裏面のキズ、
あるいは表面または裏面近傍の気泡を欠陥として正確に
検出することができる。第4の発明によれば、第4の面
状光源及び第2の検出用光学系により、基板の表裏を貫
通するピンホールを欠陥として高S/N比にて検出する
ことができ、必要に応じて第4の面状光源により基板の
表面(裏面)洗浄効果を得ることができる。
【0029】第5の発明によれば、微粒子やキズ、気
泡、ピンホール等、検査する欠陥の種類に応じて各光源
や検出用光学系を使い分けることができ、多目的の欠陥
検査装置を簡単な構成によって実現することができる。
特に、各光源や検出用光学系をユニット化し、増設や取
外しが容易な構造にしておけば、ユーザの用途に応じた
実用性の高い検査装置を提供することが可能である。
泡、ピンホール等、検査する欠陥の種類に応じて各光源
や検出用光学系を使い分けることができ、多目的の欠陥
検査装置を簡単な構成によって実現することができる。
特に、各光源や検出用光学系をユニット化し、増設や取
外しが容易な構造にしておけば、ユーザの用途に応じた
実用性の高い検査装置を提供することが可能である。
【図1】第1の発明の実施例を示す図である。
【図2】第2の発明の実施例を示す図である。
【図3】第3の発明の実施例を示す図である。
【図4】第4の発明の実施例を示す図である。
【図5】図1〜図4の実施例を組合わせて構成した欠陥
検査装置を示す図である。
検査装置を示す図である。
11,12,15,16 レンズ 13,17 ホトデテクタ 14,18 検出用光学系 19 面状光源 L1,L5 レーザ検出光 L2,L4,L6 散乱光 L3,L7 短波長検出光 L8 透過光 G ガラス基板 S 表面 P1,P2 検出位置 D1,D2 微粒子 D3,D5 キズ D4 気泡 D6 ピンホール
Claims (6)
- 【請求項1】 第1の光源からガラス基板の表面に検出
光を照射し、前記基板の表裏面に存在する微粒子による
散乱光を、前記基板の表面側において前記基板の全反射
の臨界角近傍以内の範囲に配置された第1の検出用光学
系により検出して前記微粒子を欠陥として検出すること
を特徴とするガラス基板用欠陥検査装置。 - 【請求項2】 第2の光源から、ガラス基板の表面に前
記基板を透過しない波長の短波長検出光を照射し、前記
基板の表面に存在する微粒子による散乱光を、前記基板
の表面側に配置された第2の検出用光学系により検出し
て前記微粒子を欠陥として検出することを特徴とするガ
ラス基板用欠陥検査装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の第1の光源及び第1の検
出用光学系と、請求項2記載の第2の光源及び第2の検
出用光学系とを備えたことを特徴とするガラス基板用欠
陥検査装置。 - 【請求項4】 ガラス基板の端面から第3の光源による
検出光を前記基板の表面に平行に入射させ、前記基板の
表面または裏面に存在するキズまたは前記基板の表面ま
たは裏面近傍に存在する気泡による散乱光を、前記の表
面側または裏面側において前記基板の全反射の臨界角近
傍以内の範囲に配置された第1の検出用光学系により検
出して前記キズまたは気泡を欠陥として検出することを
特徴とするガラス基板用欠陥検査装置。 - 【請求項5】 ガラス基板の裏面から、第4の面状光源
により前記基板を透過しない波長の短波長検出光を照射
し、前記基板の表裏を貫通するピンホールを介した透過
光を、前記基板の表面側に配置された第2の検出用光学
系により検出して前記ピンホールを欠陥として検出する
ことを特徴とするガラス基板用欠陥検査装置。 - 【請求項6】 請求項3記載のガラス基板用欠陥検査装
置において、請求項4記載の第3の光源と、請求項5記
載の第4の面状光源とを備えたことを特徴とするガラス
基板用欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31286692A JPH06138045A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ガラス基板用欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31286692A JPH06138045A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ガラス基板用欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138045A true JPH06138045A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=18034383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31286692A Withdrawn JPH06138045A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | ガラス基板用欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06138045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381134B1 (ko) * | 2000-09-14 | 2003-04-23 | 주식회사 에이스월드 | 유리 검사장치 및 제어방법 |
| KR100485029B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2005-06-16 | 호야 가부시키가이샤 | 전자디바이스용유리기판과이를이용하는포토마스크블랭크및포토마스크 |
| WO2024090109A1 (ja) * | 2022-10-25 | 2024-05-02 | 株式会社堀場製作所 | 検査装置、検査方法及び検査プログラム |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP31286692A patent/JPH06138045A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485029B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2005-06-16 | 호야 가부시키가이샤 | 전자디바이스용유리기판과이를이용하는포토마스크블랭크및포토마스크 |
| KR100381134B1 (ko) * | 2000-09-14 | 2003-04-23 | 주식회사 에이스월드 | 유리 검사장치 및 제어방법 |
| WO2024090109A1 (ja) * | 2022-10-25 | 2024-05-02 | 株式会社堀場製作所 | 検査装置、検査方法及び検査プログラム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |