JPH06139560A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH06139560A JPH06139560A JP31264092A JP31264092A JPH06139560A JP H06139560 A JPH06139560 A JP H06139560A JP 31264092 A JP31264092 A JP 31264092A JP 31264092 A JP31264092 A JP 31264092A JP H06139560 A JPH06139560 A JP H06139560A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特に耐久性を改善した磁気記録媒体に関す
る。 【構成】 非磁性基体の表面に強磁性金属膜を形成した
磁気記録媒体において、前記強磁性金属膜の表面に水素
ガスによるプラズマ処理を施し、その上にダイヤモンド
状保護膜を形成したことを特徴とする。
る。 【構成】 非磁性基体の表面に強磁性金属膜を形成した
磁気記録媒体において、前記強磁性金属膜の表面に水素
ガスによるプラズマ処理を施し、その上にダイヤモンド
状保護膜を形成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属膜を磁気記録
層とする磁気記録媒体に関し、特に耐久性を改善した磁
気記録媒体に関する。
層とする磁気記録媒体に関し、特に耐久性を改善した磁
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒその他の強磁性
金属膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する技術
は、ビデオ記録、デジタル記録等の高密度記録のため、
あるいは記録再生装置の小型化、高性能化などのために
従来から広く研究されており、また実用化されている。
しかし、強磁性金属膜は一般に磁気ヘッド等の摺動部材
との摩擦により摩耗し易いので、強磁性金属膜の表面に
潤滑剤を塗布したり、潤滑剤層を設けたりして摩擦を減
じるとか、あるいは硬質の保護膜を形成して耐摩耗性を
上げることが提案されている。例えば、特開平２−１３
２６２３号及び特開平３−２２４１３２号には、強磁性
金属膜の表面にダイヤモンド状炭素よりなる保護膜を生
成し、更にその上に潤滑剤層を設けることにより、耐久
性並びに走行安定性を改善することが提案されている。
金属膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する技術
は、ビデオ記録、デジタル記録等の高密度記録のため、
あるいは記録再生装置の小型化、高性能化などのために
従来から広く研究されており、また実用化されている。
しかし、強磁性金属膜は一般に磁気ヘッド等の摺動部材
との摩擦により摩耗し易いので、強磁性金属膜の表面に
潤滑剤を塗布したり、潤滑剤層を設けたりして摩擦を減
じるとか、あるいは硬質の保護膜を形成して耐摩耗性を
上げることが提案されている。例えば、特開平２−１３
２６２３号及び特開平３−２２４１３２号には、強磁性
金属膜の表面にダイヤモンド状炭素よりなる保護膜を生
成し、更にその上に潤滑剤層を設けることにより、耐久
性並びに走行安定性を改善することが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の文献に記載されたダイヤモンド状炭素を検討したとこ
ろ、特開平２−１３２６２３号に記載されたものは炭素
膜中の水素の濃度が３ａｔ％以下であり、また特開平３
−２２４１３２号に記載されたものは炭素膜中の水素の
濃度が１５ａｔ％（３０モル％）以下であり、比較的結
晶性が高い硬質の膜であるために脆く、潤滑剤を併用し
ても耐摩耗性は十分でないことが分かった。強磁性金属
膜への接着性を上げるために、従来ダイヤモンド状保護
膜を形成する前に強磁性金属膜の表面を前処理すること
が提案されている。例えば、特開平３−１１４１３２号
公報、特開平４−１０２１４号、及び特開平４−４４６
３６号には、メタン、エタンのような低級炭化水素ある
いは更にフッ素を含む炭化水素を強磁性金属膜の表面で
プラズマ重合してプラズマ重合膜を形成することが提案
されている。しかし比較例に示すようにプラズマ膜を介
在させたのでは必ずしも十分な耐久性が得られない。他
の重要な問題は、プラズマ重合膜を介在させると、ダイ
ヤモンド状保護膜の厚さに更にプラズマ重合膜の厚さが
加算される結果スペーシングロスが増大することであ
る。したがって、プラズマ重合膜のような中間層はでき
るだけ回避する必要がある。したがって本発明の目的
は、ダイヤモンド状保護膜の強磁性金属膜への密着性を
向上させることにより、磁気記録媒体のスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。本発明の他の目的は、ダ
イヤモンド状保護膜の柔軟性を向上してスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。
の文献に記載されたダイヤモンド状炭素を検討したとこ
ろ、特開平２−１３２６２３号に記載されたものは炭素
膜中の水素の濃度が３ａｔ％以下であり、また特開平３
−２２４１３２号に記載されたものは炭素膜中の水素の
濃度が１５ａｔ％（３０モル％）以下であり、比較的結
晶性が高い硬質の膜であるために脆く、潤滑剤を併用し
ても耐摩耗性は十分でないことが分かった。強磁性金属
膜への接着性を上げるために、従来ダイヤモンド状保護
膜を形成する前に強磁性金属膜の表面を前処理すること
が提案されている。例えば、特開平３−１１４１３２号
公報、特開平４−１０２１４号、及び特開平４−４４６
３６号には、メタン、エタンのような低級炭化水素ある
いは更にフッ素を含む炭化水素を強磁性金属膜の表面で
プラズマ重合してプラズマ重合膜を形成することが提案
されている。しかし比較例に示すようにプラズマ膜を介
在させたのでは必ずしも十分な耐久性が得られない。他
の重要な問題は、プラズマ重合膜を介在させると、ダイ
ヤモンド状保護膜の厚さに更にプラズマ重合膜の厚さが
加算される結果スペーシングロスが増大することであ
る。したがって、プラズマ重合膜のような中間層はでき
るだけ回避する必要がある。したがって本発明の目的
は、ダイヤモンド状保護膜の強磁性金属膜への密着性を
向上させることにより、磁気記録媒体のスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。本発明の他の目的は、ダ
イヤモンド状保護膜の柔軟性を向上してスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性基体の
表面に強磁性金属膜を形成した磁気記録媒体において、
前記強磁性金属膜の表面に水素ガスによるプラズマ処理
を施し、その上にダイヤモンド状保護膜を形成したこと
を特徴とする。本発明は水素ガスによるプラズマ処理に
加えて、更にダイヤモンド状保護膜として炭素が６０〜
７０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％である組成を採用
することにより、ダイヤモンド状保護膜を柔軟にするこ
とにより耐摩耗性を向上させる。更に好ましくは、ダイ
ヤモンド状保護膜の上に更に潤滑層を設けることにより
潤滑性を向上させる。
表面に強磁性金属膜を形成した磁気記録媒体において、
前記強磁性金属膜の表面に水素ガスによるプラズマ処理
を施し、その上にダイヤモンド状保護膜を形成したこと
を特徴とする。本発明は水素ガスによるプラズマ処理に
加えて、更にダイヤモンド状保護膜として炭素が６０〜
７０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％である組成を採用
することにより、ダイヤモンド状保護膜を柔軟にするこ
とにより耐摩耗性を向上させる。更に好ましくは、ダイ
ヤモンド状保護膜の上に更に潤滑層を設けることにより
潤滑性を向上させる。
【０００５】本発明のダイヤモンド状保護膜は、例えば
特開平２−１３２６２３号等に記載されているグラファ
イトをターゲットとしＡｒ及びＨ2 のグロー放電による
スパッタリング法、メタン、エタン、ブタン等の低分子
量炭化水素のプラズマ蒸着とか、これらのガスをグロー
放電でイオン化し、それを蒸着するイオン化蒸着法な
ど、従来公知の任意の方法を用い、条件を適正に制御す
ることにより製造できる。
特開平２−１３２６２３号等に記載されているグラファ
イトをターゲットとしＡｒ及びＨ2 のグロー放電による
スパッタリング法、メタン、エタン、ブタン等の低分子
量炭化水素のプラズマ蒸着とか、これらのガスをグロー
放電でイオン化し、それを蒸着するイオン化蒸着法な
ど、従来公知の任意の方法を用い、条件を適正に制御す
ることにより製造できる。
【０００６】ダイヤモンド状保護膜は、炭素が６０〜７
０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％の組成が望ましい。
ポリエチレンのようにＣ／Ｈ＝０．５になると直鎖状で
あり、架橋構造を有しない。これに対し、この組成（Ｃ
／Ｈ＝０．５）からずれてくると架橋構造を有すること
になり膜強度が急激に上昇する。この場合、Ｃ／Ｈ＝
０．５では透明であるがＣ＝６０〜７０ａｔ％、Ｈ＝３
０〜４０ａｔ％では膜が黒色化する。これはＣ−ＨのＨ
が取れてＣ−Ｃ結合が多くなり同時にＣ＝Ｃ結合も生成
しているためである。これが架橋の進行を示すものであ
る。そのため膜強度が上昇してセラミック並みの硬度を
得る。
０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％の組成が望ましい。
ポリエチレンのようにＣ／Ｈ＝０．５になると直鎖状で
あり、架橋構造を有しない。これに対し、この組成（Ｃ
／Ｈ＝０．５）からずれてくると架橋構造を有すること
になり膜強度が急激に上昇する。この場合、Ｃ／Ｈ＝
０．５では透明であるがＣ＝６０〜７０ａｔ％、Ｈ＝３
０〜４０ａｔ％では膜が黒色化する。これはＣ−ＨのＨ
が取れてＣ−Ｃ結合が多くなり同時にＣ＝Ｃ結合も生成
しているためである。これが架橋の進行を示すものであ
る。そのため膜強度が上昇してセラミック並みの硬度を
得る。
【０００７】水素によるプラズマ処理は、排気した真空
室に装入した強磁性金属膜を有する非磁性基体を真空度
０．０１〜１Ｔｏｒｒ、水素の流量５〜１００ＳＣＣ
Ｍ、周波数０〜１３．５ＭＨｚ〜Ｈｚ、電力１０〜１０
０Ｗ、パワー密度０．１〜０．５Ｗ／ｃｍ2 の条件でプ
ラズマ処理して強磁性金属膜の表面を清浄化及び活性化
する。
室に装入した強磁性金属膜を有する非磁性基体を真空度
０．０１〜１Ｔｏｒｒ、水素の流量５〜１００ＳＣＣ
Ｍ、周波数０〜１３．５ＭＨｚ〜Ｈｚ、電力１０〜１０
０Ｗ、パワー密度０．１〜０．５Ｗ／ｃｍ2 の条件でプ
ラズマ処理して強磁性金属膜の表面を清浄化及び活性化
する。
【０００８】潤滑層としては脂肪酸、パーフルオロアル
キルカルボン酸、パーフルオロアルキルポリエーテル、
高級アルコール、脂肪酸アミド等の潤滑剤、特にフッ素
系のものが好ましい。
キルカルボン酸、パーフルオロアルキルポリエーテル、
高級アルコール、脂肪酸アミド等の潤滑剤、特にフッ素
系のものが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明によると、強磁性金属膜とダイヤモンド
状保護膜の密着性が向上し耐摩耗性、耐久性が向上す
る。また、形成されるダイヤモンド状保護膜は、比較的
高い水素含有率を有する有機質に接近するので、保護膜
の柔軟性が増し、強磁性金属膜への密着性が向上するこ
とにより耐久性が向上する。さらに、走行安定性に関し
ては潤滑層と併用することにより何ら問題は生じないこ
とが分かった。
状保護膜の密着性が向上し耐摩耗性、耐久性が向上す
る。また、形成されるダイヤモンド状保護膜は、比較的
高い水素含有率を有する有機質に接近するので、保護膜
の柔軟性が増し、強磁性金属膜への密着性が向上するこ
とにより耐久性が向上する。さらに、走行安定性に関し
ては潤滑層と併用することにより何ら問題は生じないこ
とが分かった。
【００１０】
【実施例の説明】以下、本発明の好ましい実施例を詳し
く説明する。強磁性金属膜の材料としてはＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ等が使用できる
が、特にＣｏ−Ｎｉ（重量比で７０〜９５対３０〜５）
が好ましく、以下の実施例ではＣｏ８０重量−Ｎｉ２０
重量％のものを使用した。また、非磁性基体としては、
ポリアミド、ポリエステル、等従来公知のプラスチック
製支持体が使用できるが、以下の例ではポリエチレンテ
レフタレートを使用した。非磁性体の表面に強磁性金属
膜を形成する方としては、電子ビーム蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法、などが使用できる
が、以下の例では電子ビーム蒸着法によった。すなわ
ち、真空中で、電子ビームにより、るつぼ内に収容した
Ｃｏ−Ｎｉ合金を照射して溶融させ、これを回転ドラム
の面に沿って一定速度で移動している長尺のポリエチレ
ンテレフタレートのフィルム上に蒸着した。得られた強
磁性金属膜の表面に、水素プラズマによる前処理を施し
て表面をわずかに還元して活性化した。その上に、ダイ
ヤモンド状膜を、ＣＨ4 とＨ2 との混合ガスをＡＦプラ
ズマ化し、これをＣｏ−Ｎｉ蒸着膜の表面に成膜した。
く説明する。強磁性金属膜の材料としてはＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ等が使用できる
が、特にＣｏ−Ｎｉ（重量比で７０〜９５対３０〜５）
が好ましく、以下の実施例ではＣｏ８０重量−Ｎｉ２０
重量％のものを使用した。また、非磁性基体としては、
ポリアミド、ポリエステル、等従来公知のプラスチック
製支持体が使用できるが、以下の例ではポリエチレンテ
レフタレートを使用した。非磁性体の表面に強磁性金属
膜を形成する方としては、電子ビーム蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法、などが使用できる
が、以下の例では電子ビーム蒸着法によった。すなわ
ち、真空中で、電子ビームにより、るつぼ内に収容した
Ｃｏ−Ｎｉ合金を照射して溶融させ、これを回転ドラム
の面に沿って一定速度で移動している長尺のポリエチレ
ンテレフタレートのフィルム上に蒸着した。得られた強
磁性金属膜の表面に、水素プラズマによる前処理を施し
て表面をわずかに還元して活性化した。その上に、ダイ
ヤモンド状膜を、ＣＨ4 とＨ2 との混合ガスをＡＦプラ
ズマ化し、これをＣｏ−Ｎｉ蒸着膜の表面に成膜した。
【００１１】実施例１ ポリエチレンテレフタレートの表面にＣｏ−Ｎｉ（８
０：２０）を厚さ０．２μｍに成膜した。次に、強磁性
金属表面を水素プラズマにより次の条件で活性化した。 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ 周波数：１００Ｈｚ 電力：５０Ｗ その後、ダイヤモンド状保護膜を次の条件で厚さ１００
Åに成膜した。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝４：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ 得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有率は３０ａｔ
％であった。更にＣｏ−Ｎｉ層の表面に潤滑剤層として
パーフルオロアルキルポリエーテルを３０Åの厚さに塗
布した。
０：２０）を厚さ０．２μｍに成膜した。次に、強磁性
金属表面を水素プラズマにより次の条件で活性化した。 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ 周波数：１００Ｈｚ 電力：５０Ｗ その後、ダイヤモンド状保護膜を次の条件で厚さ１００
Åに成膜した。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝４：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ 得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有率は３０ａｔ
％であった。更にＣｏ−Ｎｉ層の表面に潤滑剤層として
パーフルオロアルキルポリエーテルを３０Åの厚さに塗
布した。
【００１２】実施例２ 実施例１において、ダイヤモンド膜の成膜条件を次のよ
うに変えた。得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有
率は３５ａｔ％であった。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝２：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
うに変えた。得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有
率は３５ａｔ％であった。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝２：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
【００１３】比較例１ 実施例１においてダイヤモンド膜の成膜条件を次のよう
に変えた。得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有率
は４５ａｔ％であった。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝１：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
に変えた。得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有率
は４５ａｔ％であった。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝１：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
【００１４】比較例２ 実施例１においてダイヤモンド膜の成膜条件を次のよう
に変えた。得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有率
は２０ａｔ％であった。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝１：０ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
に変えた。得られたダイヤモンド状保護膜の水素含有率
は２０ａｔ％であった。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝１：０ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
【００１５】比較例３ 実施例１において水素の代わりにアルゴンを使用し炭化
水素プラズマ重合膜を１００Åの厚さに形成した。
水素プラズマ重合膜を１００Åの厚さに形成した。
【００１６】上記の実施例及び比較例の摩擦係数と耐久
走行性であるスチル特性を測定したところ表１の通りで
あった。スチル特性は再生出力が２ｄＢ低下するまでの
再生時間を示す。硬度は潤滑剤と塗布する前のダイヤモ
ンド状保護膜のビッカース硬度を示す。耐久摩擦係数は
２００パス走行後の走行摩擦である。
走行性であるスチル特性を測定したところ表１の通りで
あった。スチル特性は再生出力が２ｄＢ低下するまでの
再生時間を示す。硬度は潤滑剤と塗布する前のダイヤモ
ンド状保護膜のビッカース硬度を示す。耐久摩擦係数は
２００パス走行後の走行摩擦である。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【効果】水素プラズマ処理により、還元雰囲気となり活
性化された基体上に製膜されたダイヤモンド状保護膜は
密着性が増し、耐久摩擦、スチル特性が著しく向上す
る。
性化された基体上に製膜されたダイヤモンド状保護膜は
密着性が増し、耐久摩擦、スチル特性が著しく向上す
る。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の文献に記載されたダイヤモンド状炭素を検討したとこ
ろ、特開平２−１３２６２３号に記載されたものは炭素
膜中の水素の濃度が３ａｔ％以下であり、また特開平３
−２２４１３２号に記載されたものは炭素膜中の水素の
濃度が１５ａｔ％（７．５モル％）以下であり、比較的
結晶性が高い硬質の膜であるために脆く、潤滑剤を併用
しても耐摩耗性は十分でないことが分かった。強磁性金
属膜への接着性を上げるために、従来ダイヤモンド状保
護膜を形成する前に強磁性金属膜の表面を前処理するこ
とが提案されている。例えば、特開平３−１１４１３２
号公報、特開平４−１０２１４号、及び特開平４−４４
６３６号には、メタン、エタンのような低級炭化水素あ
るいは更にフッ素を含む炭化水素を強磁性金属膜の表面
でプラズマ重合してプラズマ重合膜を形成することが提
案されている。しかし比較例に示すようにプラズマ膜を
介在させたのでは必ずしも十分な耐久性が得られない。
他の重要な問題は、プラズマ重合膜を介在させると、ダ
イヤモンド状保護膜の厚さに更にプラズマ重合膜の厚さ
が加算される結果スペーシングロスが増大することであ
る。したがって、プラズマ重合膜のような中間層はでき
るだけ回避する必要がある。したがって本発明の目的
は、ダイヤモンド状保護膜の強磁性金属膜への密着性を
向上させることにより、磁気記録媒体のスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。本発明の他の目的は、ダ
イヤモンド状保護膜の柔軟性を向上してスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。
の文献に記載されたダイヤモンド状炭素を検討したとこ
ろ、特開平２−１３２６２３号に記載されたものは炭素
膜中の水素の濃度が３ａｔ％以下であり、また特開平３
−２２４１３２号に記載されたものは炭素膜中の水素の
濃度が１５ａｔ％（７．５モル％）以下であり、比較的
結晶性が高い硬質の膜であるために脆く、潤滑剤を併用
しても耐摩耗性は十分でないことが分かった。強磁性金
属膜への接着性を上げるために、従来ダイヤモンド状保
護膜を形成する前に強磁性金属膜の表面を前処理するこ
とが提案されている。例えば、特開平３−１１４１３２
号公報、特開平４−１０２１４号、及び特開平４−４４
６３６号には、メタン、エタンのような低級炭化水素あ
るいは更にフッ素を含む炭化水素を強磁性金属膜の表面
でプラズマ重合してプラズマ重合膜を形成することが提
案されている。しかし比較例に示すようにプラズマ膜を
介在させたのでは必ずしも十分な耐久性が得られない。
他の重要な問題は、プラズマ重合膜を介在させると、ダ
イヤモンド状保護膜の厚さに更にプラズマ重合膜の厚さ
が加算される結果スペーシングロスが増大することであ
る。したがって、プラズマ重合膜のような中間層はでき
るだけ回避する必要がある。したがって本発明の目的
は、ダイヤモンド状保護膜の強磁性金属膜への密着性を
向上させることにより、磁気記録媒体のスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。本発明の他の目的は、ダ
イヤモンド状保護膜の柔軟性を向上してスチル特性等の
耐摩耗性を上げることにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】本発明のダイヤモンド状保護膜は、例えば
特開平２−１３２６２３号等に記載されているグラファ
イトをターゲットとしＡｒ及びＨ２のグロー放電による
スパッタリング法、メタン、エタン、ブタン等の低分子
量炭化水素のプラズマ重合とか、これらのガスをグロー
放電でイオン化し、それを蒸着するイオン化蒸着法な
ど、従来公知の任意の方法を用い、条件を適正に制御す
ることにより製造できる。
特開平２−１３２６２３号等に記載されているグラファ
イトをターゲットとしＡｒ及びＨ２のグロー放電による
スパッタリング法、メタン、エタン、ブタン等の低分子
量炭化水素のプラズマ重合とか、これらのガスをグロー
放電でイオン化し、それを蒸着するイオン化蒸着法な
ど、従来公知の任意の方法を用い、条件を適正に制御す
ることにより製造できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】
【表１】
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基体の表面に強磁性金属膜を形成
した磁気記録媒体において、前記強磁性金属膜の表面に
水素ガスによるプラズマ処理を施し、その上にダイヤモ
ンド状保護膜を形成したことを特徴とする、磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 ダイヤモンド状保護膜は炭素が６０〜７
０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％である請求項１に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 ダイヤモンド状保護膜の上に更に潤滑層
を設けたことを特徴とする、請求項１または２に記載の
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31264092A JPH06139560A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31264092A JPH06139560A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139560A true JPH06139560A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=18031645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31264092A Pending JPH06139560A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06139560A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858477A (en) * | 1996-12-10 | 1999-01-12 | Akashic Memories Corporation | Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon |
| US6171674B1 (en) * | 1993-07-20 | 2001-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Hard carbon coating for magnetic recording medium |
| WO2015197047A1 (de) | 2014-06-26 | 2015-12-30 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Atomare kohlenstoffquelle |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP31264092A patent/JPH06139560A/ja active Pending
Cited By (14)
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