JPH06139620A - 記録再生媒体と記録再生装置 - Google Patents
記録再生媒体と記録再生装置Info
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録再生装置の記録要領を大幅に増大させ、
繰り返し記録再生可能な記録再生媒体と記録再生装置を
提供する。 【構成】 プリズムの低面で全反射を起こす角度で再生
光を入射し、媒体は例えば金属薄膜からなる加熱層を有
し、記録再生層は例えば光磁気材料による薄膜で構成す
る。
繰り返し記録再生可能な記録再生媒体と記録再生装置を
提供する。 【構成】 プリズムの低面で全反射を起こす角度で再生
光を入射し、媒体は例えば金属薄膜からなる加熱層を有
し、記録再生層は例えば光磁気材料による薄膜で構成す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光を用いて情報の記録再
生媒体と記録再生装置に関するものである。
生媒体と記録再生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】大容量を必要とする記録再生装置として
光ディスク装置が注目されている。
光ディスク装置が注目されている。
【0003】コンパクトディスク等に代表される光ディ
スク装置は大容量・低価格と言った特徴によって特に音
楽用あるいは動画用で再生専用機として一般的に普及し
ている。また最近ではコンピュータ等の周辺機器として
の用途も拡大しつつある。この分野では記録再生を行う
必要がある。現在の光ディスク装置における記録再生方
式は通常熱記録と呼ばれており、レーザ等の光源から発
生する記録再生光を微少なスポットに集光し、媒体を加
熱することによって媒体の特性を変化させることによっ
て記録する。この様ないわゆる熱記録方式ではレーザ光
のエネルギを熱に変換するときの効率が高くないため高
速に記録再生することが困難で、そのためには出力の大
きなレーザ光源が必要である。
スク装置は大容量・低価格と言った特徴によって特に音
楽用あるいは動画用で再生専用機として一般的に普及し
ている。また最近ではコンピュータ等の周辺機器として
の用途も拡大しつつある。この分野では記録再生を行う
必要がある。現在の光ディスク装置における記録再生方
式は通常熱記録と呼ばれており、レーザ等の光源から発
生する記録再生光を微少なスポットに集光し、媒体を加
熱することによって媒体の特性を変化させることによっ
て記録する。この様ないわゆる熱記録方式ではレーザ光
のエネルギを熱に変換するときの効率が高くないため高
速に記録再生することが困難で、そのためには出力の大
きなレーザ光源が必要である。
【0004】近年、このような課題にたいして表面プラ
ズモン共鳴を用いた再生方式が特開平4−14620に
提案されている。この方式では記録膜が薄くできるた
め、比較的低出力のレーザ光源で記録できるものであ
る。記録の高速化を目指した記録再生方式の従来例の1
実施例を図9を用いて説明する。
ズモン共鳴を用いた再生方式が特開平4−14620に
提案されている。この方式では記録膜が薄くできるた
め、比較的低出力のレーザ光源で記録できるものであ
る。記録の高速化を目指した記録再生方式の従来例の1
実施例を図9を用いて説明する。
【0005】プリズム103と金属膜101の間にはプ
リズム103の屈折率npよりも小さい屈折率nsを有す
る媒質4で充填されておりその厚さはd1とする。一般
に媒質4はnp>nsを満たせばよく、通常は空気であり
その場合はns〜1である。入射光106として周波数
ωのP偏光波を臨界角θcよりも大きな角度θでプリズ
ムに入射させる。入射角度θが有る特定の角度θ1にな
るとき、界面近傍に発生するエバネッセント波が、媒質
4と金属層101との間に存在するプラズマ振動と共鳴
し表面プラズモン共鳴を励起する。このため入射光10
6の反射率は低減する。一般にd1は入射光106の波
長λよりも小さい値が望ましい。入射光106の入射角
度θに対する反射率の変化を図10の実線で示す。ここ
でd1よりも薄い厚さd2を有する誘電体薄膜102を堆
積させると表面プラズモン共鳴を励起させる角度はθ2
となり反射率の特性は図10の点線に示すように変化す
る。このように誘電体薄膜102がある部分とない部分
とでは入射角度θに対する反射率の特性が変化する。こ
こで入射角度をθ1に固定して媒体面を走査すれば誘電
体薄膜102がある部分とない部分とで反射光量が変化
し、再生信号Aを得ることができる。
リズム103の屈折率npよりも小さい屈折率nsを有す
る媒質4で充填されておりその厚さはd1とする。一般
に媒質4はnp>nsを満たせばよく、通常は空気であり
その場合はns〜1である。入射光106として周波数
ωのP偏光波を臨界角θcよりも大きな角度θでプリズ
ムに入射させる。入射角度θが有る特定の角度θ1にな
るとき、界面近傍に発生するエバネッセント波が、媒質
4と金属層101との間に存在するプラズマ振動と共鳴
し表面プラズモン共鳴を励起する。このため入射光10
6の反射率は低減する。一般にd1は入射光106の波
長λよりも小さい値が望ましい。入射光106の入射角
度θに対する反射率の変化を図10の実線で示す。ここ
でd1よりも薄い厚さd2を有する誘電体薄膜102を堆
積させると表面プラズモン共鳴を励起させる角度はθ2
となり反射率の特性は図10の点線に示すように変化す
る。このように誘電体薄膜102がある部分とない部分
とでは入射角度θに対する反射率の特性が変化する。こ
こで入射角度をθ1に固定して媒体面を走査すれば誘電
体薄膜102がある部分とない部分とで反射光量が変化
し、再生信号Aを得ることができる。
【0006】一方、記録時は直接レーザ光を直接誘電体
薄膜102に照射し、そのビームスポットで発生する熱
によって誘電体薄膜102を溶融あるいは昇華させてピ
ットを形成する。尚、誘電体薄膜102は有機単分子膜
あるいはその累積膜である。
薄膜102に照射し、そのビームスポットで発生する熱
によって誘電体薄膜102を溶融あるいは昇華させてピ
ットを形成する。尚、誘電体薄膜102は有機単分子膜
あるいはその累積膜である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、誘電体薄膜2の記録部分を溶融あるいは
昇華によって消滅させてしまうため繰り返し記録再生が
できず、記録及び再生に別々の光源が必要で、また情報
の記録密度はレーザ光のスポットサイズで決定されそれ
以上の記録密度の向上は困難であると言う課題があっ
た。
うな構成では、誘電体薄膜2の記録部分を溶融あるいは
昇華によって消滅させてしまうため繰り返し記録再生が
できず、記録及び再生に別々の光源が必要で、また情報
の記録密度はレーザ光のスポットサイズで決定されそれ
以上の記録密度の向上は困難であると言う課題があっ
た。
【0008】本発明は上記問題点に鑑み、記録再生が同
一のレーザ光で繰り返し記録再生が可能で、スポットサ
イズよりも小さい情報の記録再生が可能となる記録再生
媒体とその記録再生装置を提供するものである。
一のレーザ光で繰り返し記録再生が可能で、スポットサ
イズよりも小さい情報の記録再生が可能となる記録再生
媒体とその記録再生装置を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の記録再生媒体
は、記録再生層と加熱層を有し、記録再生層に繰り返し
熱記録を行う媒体であって、熱の発生手段として、前記
加熱層に励起される表面プラズモン共鳴現象を利用して
記録及び再生を行う記録再生媒体であり、例えば記録再
生層が相変化材料薄膜あるいは光磁気材料薄膜より成る
もので、加熱層が金属薄膜より成るという構成のもので
ある。
は、記録再生層と加熱層を有し、記録再生層に繰り返し
熱記録を行う媒体であって、熱の発生手段として、前記
加熱層に励起される表面プラズモン共鳴現象を利用して
記録及び再生を行う記録再生媒体であり、例えば記録再
生層が相変化材料薄膜あるいは光磁気材料薄膜より成る
もので、加熱層が金属薄膜より成るという構成のもので
ある。
【0010】更に記録密度を向上させるために、加熱層
を溝状に形成するという構成によるものである。
を溝状に形成するという構成によるものである。
【0011】
【作用】本発明は上記した構成によって光のエネルギを
効率良く熱に変換することが出来るため同一の光源で高
速の記録が出来ると共に繰り返しの記録消去が可能にな
る。更に、加熱層を溝状に形成することによって表面プ
ラズモン共鳴の発生する部分を溝幅によって限定し、ビ
ームスポット径よりも小さい情報の記録が可能となる。
効率良く熱に変換することが出来るため同一の光源で高
速の記録が出来ると共に繰り返しの記録消去が可能にな
る。更に、加熱層を溝状に形成することによって表面プ
ラズモン共鳴の発生する部分を溝幅によって限定し、ビ
ームスポット径よりも小さい情報の記録が可能となる。
【0012】
【実施例】以下本発明の一実施例の記録再生装置とその
媒体について、図面を参照しながら説明する。
媒体について、図面を参照しながら説明する。
【0013】図1は本発明の実施例における例えばカー
ド状の記録再生媒体7の断面図を示すものである。図1
において、1は基板である。基板1の表面には例えば金
属薄膜による加熱層3が配置されている。5は加熱層3
の上に設けられた記録再生層である。記録再生層5は例
えば結晶質と非晶質とで屈折率の異なるいわゆる相変化
型の材料であっても、光磁気効果を有する材料によって
構成されたいわゆる光磁気膜であってもかまわない。
ド状の記録再生媒体7の断面図を示すものである。図1
において、1は基板である。基板1の表面には例えば金
属薄膜による加熱層3が配置されている。5は加熱層3
の上に設けられた記録再生層である。記録再生層5は例
えば結晶質と非晶質とで屈折率の異なるいわゆる相変化
型の材料であっても、光磁気効果を有する材料によって
構成されたいわゆる光磁気膜であってもかまわない。
【0014】図1は片面での記録再生を行う記録再生媒
体7の例を示したが、両面に記録再生のできる媒体とす
ることも可能である。また図1の実施例はカード状の記
録再生媒体の例であるが円盤状であってもかまわない。
体7の例を示したが、両面に記録再生のできる媒体とす
ることも可能である。また図1の実施例はカード状の記
録再生媒体の例であるが円盤状であってもかまわない。
【0015】図2は本発明の記録再生媒体7の第2の実
施例を示したものである。加熱層3は基板1に形成され
た溝9を埋めるように配置され、基板1と加熱層3を埋
めるように記録再生層5が設けられている。溝9の深さ
は記録再生に用いる光の波長以下が望ましい。
施例を示したものである。加熱層3は基板1に形成され
た溝9を埋めるように配置され、基板1と加熱層3を埋
めるように記録再生層5が設けられている。溝9の深さ
は記録再生に用いる光の波長以下が望ましい。
【0016】図3は本発明の記録再生媒体7の第3の実
施例を示したものである。図2と同様に溝9が設けられ
ている。加熱層3は通常金属膜であり、スパッタ等の方
法で形成することにより可能である。加熱層3の表面に
も溝9の影響による第2の溝11が現れている程度に加
熱層3の厚さを設定するのが望ましい。
施例を示したものである。図2と同様に溝9が設けられ
ている。加熱層3は通常金属膜であり、スパッタ等の方
法で形成することにより可能である。加熱層3の表面に
も溝9の影響による第2の溝11が現れている程度に加
熱層3の厚さを設定するのが望ましい。
【0017】図4は本発明の記録再生媒体7の第4の実
施例を示したものである。基板1の表面は平面でその上
に加熱層3を形成する。その後、加熱層3の表面を半導
体プロセス等を用いて加工する事によって溝9を形成し
その上に記録再生層5を形成する。
施例を示したものである。基板1の表面は平面でその上
に加熱層3を形成する。その後、加熱層3の表面を半導
体プロセス等を用いて加工する事によって溝9を形成し
その上に記録再生層5を形成する。
【0018】図5は図1から図4に示した媒体に記録再
生を行う記録再生装置の原理を示したものである。
生を行う記録再生装置の原理を示したものである。
【0019】プリズム13と加熱層3の間にはプリズム
13の屈折率npよりも小さい屈折率nsを有する媒質4
と記録再生層5で充填されておりその厚さをd1とす
る。ここで記録再生層5はd1よりも薄い厚さd2を有す
る相変化材料で屈折率ntを有している。
13の屈折率npよりも小さい屈折率nsを有する媒質4
と記録再生層5で充填されておりその厚さをd1とす
る。ここで記録再生層5はd1よりも薄い厚さd2を有す
る相変化材料で屈折率ntを有している。
【0020】一般に媒質4と記録再生層5はnp,nt>
nsを満たせばよく、通常媒質4は空気でありその場合
はns〜1である。記録再生光15として周波数ωのP
偏光波を臨界角θcよりも大きな角度θでプリズム13
に入射させる。16は記録再生光15をプリズム13の
低面14に集光させるレンズである。入射角度θが有る
特定の角度θ1になるとき、界面近傍に発生するエバネ
ッセント波が、記録再生層5と加熱層3との間に存在す
るプラズマ振動と共鳴し表面プラズモン共鳴を励起す
る。このため記録再生光15の反射率は低減する。n
s、np、ntが決まっている場合、表面プラズモン共鳴
を最も効率よく発生させるための主なパラメータは角度
θ、再生項5の波長λ、厚さd1である。図6はその中
でもθを変数として示したものである。一般にd1は記
録再生光15の波長λよりも小さい値が望ましい。記録
再生光15の入射角度θに対する反射率の変化を図6の
実線で示す。相変化材料の記録再生層5の屈折率ntは
記録部分19と未記録部分17とで値が異なる。従って
未記録部分17の反射率変化が図6の実線で表されると
すると記録部分19の反射率の変化は図6の点線で表さ
れ、表面プラズモン共鳴を励起させる角度はθ2とな
る。このように記録再生層5の記録部分19と未記録部
分17とで入射角度θに対する反射率の特性が変化す
る。ここで入射角度をθ1に固定して媒体面を走査すれ
ば反射光量が変化し、再生信号Aを検出することが出来
る。
nsを満たせばよく、通常媒質4は空気でありその場合
はns〜1である。記録再生光15として周波数ωのP
偏光波を臨界角θcよりも大きな角度θでプリズム13
に入射させる。16は記録再生光15をプリズム13の
低面14に集光させるレンズである。入射角度θが有る
特定の角度θ1になるとき、界面近傍に発生するエバネ
ッセント波が、記録再生層5と加熱層3との間に存在す
るプラズマ振動と共鳴し表面プラズモン共鳴を励起す
る。このため記録再生光15の反射率は低減する。n
s、np、ntが決まっている場合、表面プラズモン共鳴
を最も効率よく発生させるための主なパラメータは角度
θ、再生項5の波長λ、厚さd1である。図6はその中
でもθを変数として示したものである。一般にd1は記
録再生光15の波長λよりも小さい値が望ましい。記録
再生光15の入射角度θに対する反射率の変化を図6の
実線で示す。相変化材料の記録再生層5の屈折率ntは
記録部分19と未記録部分17とで値が異なる。従って
未記録部分17の反射率変化が図6の実線で表されると
すると記録部分19の反射率の変化は図6の点線で表さ
れ、表面プラズモン共鳴を励起させる角度はθ2とな
る。このように記録再生層5の記録部分19と未記録部
分17とで入射角度θに対する反射率の特性が変化す
る。ここで入射角度をθ1に固定して媒体面を走査すれ
ば反射光量が変化し、再生信号Aを検出することが出来
る。
【0021】この様な媒体に情報の記録を行う場合も表
面プラズモン共鳴を利用する。表面プラズモン共鳴が励
起されると反射率は殆ど0に近くなる。これによって図
7に示すように、光波は加熱層3の表面で発生するプラ
ズマ振動と結合し、この1部は加熱層3での熱に変換さ
れる。加熱層3で発生する熱によって記録再生層5を加
熱し熱記録が可能になる。
面プラズモン共鳴を利用する。表面プラズモン共鳴が励
起されると反射率は殆ど0に近くなる。これによって図
7に示すように、光波は加熱層3の表面で発生するプラ
ズマ振動と結合し、この1部は加熱層3での熱に変換さ
れる。加熱層3で発生する熱によって記録再生層5を加
熱し熱記録が可能になる。
【0022】従って、この特性を利用して再生時の入射
角度θ1を未記録部分17での表面プラズモン共鳴が発
生する条件にあわせておいて、記録再生光15の光量を
加熱層3の発熱によって記録再生層5の温度を充分上げ
られるように設定することによって記録が可能となる。
角度θ1を未記録部分17での表面プラズモン共鳴が発
生する条件にあわせておいて、記録再生光15の光量を
加熱層3の発熱によって記録再生層5の温度を充分上げ
られるように設定することによって記録が可能となる。
【0023】記録再生層5に記録された情報の消去は同
様の構成を持った別の光学系によって行う。このときの
記録再生光の入射角度をθ2とすれば記録時と同様の過
程によって情報の消去が可能である。
様の構成を持った別の光学系によって行う。このときの
記録再生光の入射角度をθ2とすれば記録時と同様の過
程によって情報の消去が可能である。
【0024】更に図3あるいは図4に示す媒体のよう
に、加熱層3の表面に凹凸を設けたり図2の様に加熱層
3を部分的に設けたりすることで、表面プラズモン共鳴
を加熱層3の凹の部分あるいは凸の部分のみに励起させ
たり、加熱層3の配置された部分に選択的に励起するこ
とによりさらに高い記録密度が得られる。そもそも、表
面プラズモン共鳴は入射光の入射角θに敏感であると共
に厚さd1にも敏感である。
に、加熱層3の表面に凹凸を設けたり図2の様に加熱層
3を部分的に設けたりすることで、表面プラズモン共鳴
を加熱層3の凹の部分あるいは凸の部分のみに励起させ
たり、加熱層3の配置された部分に選択的に励起するこ
とによりさらに高い記録密度が得られる。そもそも、表
面プラズモン共鳴は入射光の入射角θに敏感であると共
に厚さd1にも敏感である。
【0025】従って図8に示すように凸部をd1の位置
に設定すれば凸部にのみ表面プラズモン共鳴が発生し加
熱層3が加熱されるが凹部では熱は発生しない。また逆
に、凹部をd1の位置に設定すれば凹部にのみ表面プラ
ズモン共鳴が発生し加熱層3が加熱されるが凸部では熱
は発生しない。この特性によって、例えば凹部・凸部の
幅Tをビームスポット径φD以下に設定することによっ
て、凸部のみあるいは凹部のみを選択的に加熱すること
が出来るため、ビームスポット径以下の情報の記録再生
が可能となる。
に設定すれば凸部にのみ表面プラズモン共鳴が発生し加
熱層3が加熱されるが凹部では熱は発生しない。また逆
に、凹部をd1の位置に設定すれば凹部にのみ表面プラ
ズモン共鳴が発生し加熱層3が加熱されるが凸部では熱
は発生しない。この特性によって、例えば凹部・凸部の
幅Tをビームスポット径φD以下に設定することによっ
て、凸部のみあるいは凹部のみを選択的に加熱すること
が出来るため、ビームスポット径以下の情報の記録再生
が可能となる。
【0026】記録再生層5が光磁気材料の場合でも記録
の原理は同様で、表面プラズモン共鳴によって加熱膜3
を加熱することによって記録再生層5に熱記録を行う。
記録再生層5が光磁気材料の場合は、記録再生層5の温
度がキュリー点をこえた時に逆向きの磁界を印加して記
録する。このとき、記録によって記録再生層5の屈折率
は殆ど変化しない。従って、反射光量はかなり小さくな
るが再生信号の検出は可能である。光磁気媒体の再生信
号の検出は反射光のS偏光成分とP偏光成分の変化を検
出することによって行う。これを検出する方法は通常の
光磁気記録装置の検出光学系で可能である。
の原理は同様で、表面プラズモン共鳴によって加熱膜3
を加熱することによって記録再生層5に熱記録を行う。
記録再生層5が光磁気材料の場合は、記録再生層5の温
度がキュリー点をこえた時に逆向きの磁界を印加して記
録する。このとき、記録によって記録再生層5の屈折率
は殆ど変化しない。従って、反射光量はかなり小さくな
るが再生信号の検出は可能である。光磁気媒体の再生信
号の検出は反射光のS偏光成分とP偏光成分の変化を検
出することによって行う。これを検出する方法は通常の
光磁気記録装置の検出光学系で可能である。
【0027】この媒体の情報の消去は記録時と同じ光学
系で可能であるが、記録された情報の磁化の方向を反転
させるバイアス磁気回路が必要である。
系で可能であるが、記録された情報の磁化の方向を反転
させるバイアス磁気回路が必要である。
【0028】
【発明の効果】以上のように本発明は、記録再生層と加
熱層を有し、記録再生層に繰り返し熱記録を行う媒体で
あって、熱の発生手段として、前記加熱層に励起される
表面プラズモン共鳴現象を利用して記録及び再生を行う
記録再生媒体であり、例えば記録再生層が相変化材料薄
膜あるいは光磁気材料薄膜より成るもので、加熱層が金
属薄膜より成るという構成によって光のエネルギを効率
良く熱に変換することが出来るため同一の光源で高速の
記録が出来ると共に繰り返しの記録消去が可能になる。
熱層を有し、記録再生層に繰り返し熱記録を行う媒体で
あって、熱の発生手段として、前記加熱層に励起される
表面プラズモン共鳴現象を利用して記録及び再生を行う
記録再生媒体であり、例えば記録再生層が相変化材料薄
膜あるいは光磁気材料薄膜より成るもので、加熱層が金
属薄膜より成るという構成によって光のエネルギを効率
良く熱に変換することが出来るため同一の光源で高速の
記録が出来ると共に繰り返しの記録消去が可能になる。
【0029】更に記録密度を向上させるために、加熱層
を溝状に形成することによって表面プラズモン共鳴の発
生する部分を溝幅によって限定し、ビームスポット径よ
りも小さい情報の記録ができ、高密度の記録再生が可能
になる。
を溝状に形成することによって表面プラズモン共鳴の発
生する部分を溝幅によって限定し、ビームスポット径よ
りも小さい情報の記録ができ、高密度の記録再生が可能
になる。
【図1】本発明の実施例における記録再生媒体の斜視図
【図2】本発明の第1の実施例に於ける記録再生媒体の
要部斜視図
要部斜視図
【図3】本発明の第2の実施例における記録再生媒体の
要部斜視図
要部斜視図
【図4】本発明の第3の実施例に於ける記録再生媒体の
要部斜視図
要部斜視図
【図5】本発明の記録再生媒体における記録再生の原理
を示す正面断面図
を示す正面断面図
【図6】本発明の記録再生媒体の反射率の特性を示した
図
図
【図7】本発明の実施例における記録の原理を示す正面
断面図
断面図
【図8】本発明の他の媒体での実施例に於ける記録原理
を示す正面断面図
を示す正面断面図
【図9】従来の記録再生の原理を示す概略正面断面図
【図10】従来の媒体の反射率を示す特性図
1 基板 3 加熱層 5 記録再生層 7 記録再生媒体 9 溝 13 プリズム 15 記録再生光
Claims (12)
- 【請求項1】少なくとも1層の記録再生層と少なくとも
1層の加熱層を有し、記録再生層に繰り返し熱記録を行
う媒体であって、熱の発生手段として、前記加熱層に励
起される表面プラズモン共鳴現象を利用した記録再生媒
体。 - 【請求項2】記録再生層が相変化材料薄膜より成る請求
項1記載の記録再生媒体。 - 【請求項3】記録再生層が光磁気材料薄膜より成る請求
項1記載の記録再生媒体。 - 【請求項4】加熱層が金属薄膜より成る請求項1記載の
記録再生媒体。 - 【請求項5】加熱層が表面に凹凸を有する溝状に形成さ
れた請求項1記載の記録再生媒体。 - 【請求項6】記録再生層の表面あるいは低面あるいは内
部に加熱層を有し、前記加熱層は金属より成り前記加熱
層は凹凸の表面を有する記録再生媒体に、記録再生光を
前記加熱層の凸部あるいは凹部に表面プラズモンを励起
させる条件で照射し情報の記録再生を行う記録再生装
置。 - 【請求項7】凹部あるいは凸部の幅が記録再生光のスポ
ットの直径よりも小さい請求項5記載の記録再生媒体。 - 【請求項8】凹部と凸部の段差が記録再生光の波長以下
である請求項5記載の記録再生媒体。 - 【請求項9】基板表面に溝部を有し、前記溝部に前記溝
部を埋める様に加熱層を配置し、前記加熱層と前記基板
表面をおおう様に記録再生層を配置した記録再生媒体。 - 【請求項10】溝部の幅が記録再生光のスポットの直径
よりも小さい請求項9記載の記録再生媒体。 - 【請求項11】基板表面に溝部を有し、前記溝部に前記
溝部を埋める様に記録再生層を配置し、前記記録再生層
と前記基板の表面に加熱層を配置した記録再生媒体。 - 【請求項12】溝部の幅が記録再生光のスポットの直径
よりも小さい請求項11記載の記録再生媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285757A JPH06139620A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 記録再生媒体と記録再生装置 |
| KR1019930021662A KR940009986A (ko) | 1992-10-23 | 1993-10-19 | 기록재생매체와 기록재생장치 |
| US08/141,130 US5582896A (en) | 1992-10-23 | 1993-10-21 | Recording and reproducing medium and a recording and reproducing apparatus |
| DE69327382T DE69327382T2 (de) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | Träger zur Aufzeichnung und Wiedergabe sowie Aufzeichnungs- und Wiedergabegerät |
| EP93117153A EP0594194B1 (en) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | A recording and reproducing medium and a recording and reproducing apparatus |
| US08/619,988 US5614279A (en) | 1992-10-23 | 1996-03-21 | Recording and reproducing medium and a recording and reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285757A JPH06139620A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 記録再生媒体と記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139620A true JPH06139620A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17695660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4285757A Pending JPH06139620A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 記録再生媒体と記録再生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5582896A (ja) |
| EP (1) | EP0594194B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06139620A (ja) |
| KR (1) | KR940009986A (ja) |
| DE (1) | DE69327382T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6697322B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-02-24 | Seiko Instruments Inc. | Recording medium, optical recording device utilizing recording medium, and method of manufacturing recording medium |
| JP2011096354A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 高光学効率のための熱アシスト磁気記録ヘッドとパターン化された媒体との統合設計方法 |
| WO2012026096A1 (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | パナソニック株式会社 | 光学情報再生装置、光学情報再生方法及び情報記録媒体 |
| KR101596712B1 (ko) * | 2015-01-14 | 2016-02-23 | 현대자동차주식회사 | 차량용 에코 가습장치 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH05334664A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Pioneer Electron Corp | 情報記録ディスクとその記録情報再生装置 |
| US5910940A (en) * | 1996-10-08 | 1999-06-08 | Polaroid Corporation | Storage medium having a layer of micro-optical lenses each lens generating an evanescent field |
| JP4073525B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2008-04-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
| EP1047464B8 (en) | 1997-12-19 | 2007-11-21 | United States Surgical Corporation | Two component dispenser system |
| US6784095B1 (en) | 2001-02-14 | 2004-08-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Phosphine treatment of low dielectric constant materials in semiconductor device manufacturing |
| US6566283B1 (en) | 2001-02-15 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silane treatment of low dielectric constant materials in semiconductor device manufacturing |
| JP2002319119A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体用基板、該基板を用いた垂直磁気記録媒体、およびそれらの製造方法 |
| US8345374B2 (en) | 2003-05-29 | 2013-01-01 | Seagate Technology, Llc | Patterned media for heat assisted magnetic recording |
| AU2003234686A1 (en) * | 2003-05-29 | 2005-01-21 | Seagate Technology Llc | Patterned media for heat assisted magnetic recording |
| ES2261009B1 (es) * | 2004-06-11 | 2007-11-16 | Consejo Superior De Investigaciones Cientificas. | Dispositivo y metodo para detectar cambios en el indice de refraccion de un medio dielectrico. |
| JP2008507806A (ja) | 2004-07-26 | 2008-03-13 | インペリアル・イノベイションズ・リミテッド | 光ディスクおよびそのための読取装置 |
| US9372241B2 (en) * | 2009-11-06 | 2016-06-21 | Headway Technologies, Inc. | Multi-directional pin anneal of MR sensors with plasmon heating |
| DE102021202924A1 (de) | 2021-03-25 | 2022-09-29 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren für ein lokales Modifizieren einer Schichteigenschaft, Verfahren zum Herstellen einer magnetoresistiven Sensoreinrichtung und magnetoresistive Sensoreinrichtung |
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| US4616237A (en) * | 1982-09-27 | 1986-10-07 | Pa Management Consultants, Ltd. | Data storage medium |
| JPS60500148A (ja) * | 1982-12-06 | 1985-01-31 | コムテツク リサ−チ ユニツト リミテツド | 像形成及びデ−タ記憶 |
| WO1984004420A1 (en) * | 1983-04-28 | 1984-11-08 | Comtech Res Unit | Data storage and recording |
| US5014254A (en) * | 1988-05-09 | 1991-05-07 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording method and magneto-optical recording apparatus |
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| JPH02308423A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-21 | Toshiba Corp | 光記録媒体の再生方法 |
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| FR2781770B1 (fr) * | 1998-07-30 | 2000-10-13 | Valois Sa | Echantillon de produit fluide |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP4285757A patent/JPH06139620A/ja active Pending
-
1993
- 1993-10-19 KR KR1019930021662A patent/KR940009986A/ko not_active Ceased
- 1993-10-21 US US08/141,130 patent/US5582896A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-22 EP EP93117153A patent/EP0594194B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-22 DE DE69327382T patent/DE69327382T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-21 US US08/619,988 patent/US5614279A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| EP0594194B1 (en) | 1999-12-22 |
| KR940009986A (ko) | 1994-05-24 |
| EP0594194A3 (en) | 1995-07-05 |
| US5582896A (en) | 1996-12-10 |
| US5614279A (en) | 1997-03-25 |
| DE69327382D1 (de) | 2000-01-27 |
| DE69327382T2 (de) | 2000-05-11 |
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