JPH06140294A - Vacuum processing device - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a vacuum processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、真空処理室内に被処理物を収
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えば、イオン注入装置、エッチング装置、
アッシング装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知
られている。2. Description of the Related Art Conventionally, a vacuum processing apparatus, for example, an ion implantation apparatus, an etching apparatus, which accommodates an object to be processed in a vacuum processing chamber and performs a predetermined process on the object to be processed under a reduced pressure atmosphere,
An ashing device, a sputtering device, a low pressure CVD device and the like are known.
【０００３】このような真空処理装置では、真空処理室
内を常圧に戻してしまうと、再び真空処理室内を所定の
真空度に設定し、次の処理を開始できる状態にするまで
に非常に長い時間を要する。このため、真空処理室に較
べて容積の少ない予備真空室いわゆるロードロック室を
設け、このロードロック室内だけを常圧に戻すようにし
て、ロードロック室を介して被処理物、例えば半導体ウ
エハを真空処理室内に搬入、搬出するよう構成されたも
のが多い。In such a vacuum processing apparatus, if the pressure inside the vacuum processing chamber is returned to normal pressure, the vacuum processing chamber is set to a predetermined degree of vacuum again, and it takes a very long time to start the next processing. It takes time. For this reason, a preliminary vacuum chamber having a smaller volume than the vacuum processing chamber, a so-called load lock chamber, is provided, and only the load lock chamber is returned to normal pressure, and an object to be processed, for example, a semiconductor wafer is transferred through the load lock chamber. Many are configured to be carried in and out of the vacuum processing chamber.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た真空処理装置では、例えば真空処理室内で発生した反
応生成物、機械的な駆動部例えばゲートバルブや被処理
物の搬送機構等から発生した塵埃等（パーティクル）が
ロードロック室内に多数存在する。また、従来からロー
ドロック室内の真空排気およびロードロック室内への気
体導入をゆっくりと徐々に行ういわゆるスロー排気、ス
ローベント等を行っているものの、このような気体の流
れによるパーティクルの舞い上がりは完全に防止するこ
とができない。このため、半導体デバイスの製造工程等
においては、これらの塵埃が、半導体ウエハ等の被処理
物に付着して不良発生の原因となり、歩留まりの低下を
招く大きな要因となっている。However, in the above-described vacuum processing apparatus, for example, a reaction product generated in the vacuum processing chamber, dust generated from a mechanical drive unit such as a gate valve or a transfer mechanism of an object to be processed, etc. Many (particles) exist in the load lock chamber. Further, conventionally, so-called slow exhaust, slow vent, etc., which slowly evacuates the load lock chamber and introduces gas into the load lock chamber, has been performed, but particle soar due to such gas flow is completely eliminated. Cannot be prevented. Therefore, in a semiconductor device manufacturing process or the like, these dusts adhere to an object to be processed such as a semiconductor wafer to cause a defect, which is a major factor of lowering the yield.
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて被処理物に付着する塵埃の
量を低減することができ、歩留まりの向上を図ることの
できる真空処理装置を提供しようとするものである。The present invention has been made in response to such a conventional situation, and it is possible to reduce the amount of dust adhering to an object to be processed as compared with the related art and to improve the yield. It is intended to provide a device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の発明は、被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、
内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備え、
この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空処理
室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置にお
いて、前記予備真空室内に設けられ、静電気により塵埃
を吸着する塵埃吸着手段と、前記塵埃吸着手段の静電気
を除去し、吸着された塵埃を除去するクリーニング手段
とを具備したことを特徴とする。That is, the invention according to claim 1 is a vacuum processing chamber for subjecting an object to be processed to a predetermined process,
With a preliminary vacuum chamber configured to be able to evacuate the inside,
In the vacuum processing apparatus configured to carry in and carry out the object to be processed into and out of the vacuum processing chamber through the preliminary vacuum chamber, a dust adsorbing unit that is provided in the preliminary vacuum chamber and adsorbs dust by static electricity, And a cleaning unit that removes static electricity from the dust adsorbing unit and removes the adsorbed dust.
【０００７】また、請求項２記載の発明は、被処理物に
所定の処理を施す真空処理室と、内部を真空排気可能に
構成された予備真空室とを備え、この予備真空室を介し
て、前記被処理物を前記真空処理室内に搬入、搬出する
よう構成された真空処理装置において、前記予備真空室
内の前記被処理物と対向する位置に設けられ、樹脂から
なり、静電気により塵埃を吸着する塵埃吸着手段と、前
記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除
去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
る。Further, the invention according to claim 2 is provided with a vacuum processing chamber for subjecting the object to be processed to a predetermined process, and a preliminary vacuum chamber capable of evacuating the inside, and through the preliminary vacuum chamber. In a vacuum processing apparatus configured to carry in and carry out the object to be processed into and out of the vacuum processing chamber, the vacuum processing apparatus is provided at a position facing the object to be processed in the preliminary vacuum chamber, is made of resin, and adsorbs dust by static electricity. And a cleaning means for removing static electricity from the dust adsorbing means and removing the adsorbed dust.
【０００８】さらに、請求項３記載の発明は、半導体ウ
エハにイオンビームを照射してイオンを注入する真空処
理室と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室と
を備え、この予備真空室を介して、前記半導体ウエハを
前記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成されたイオ
ン注入装置において、前記予備真空室内の前記半導体ウ
エハと対向する位置に設けられ、樹脂からなり、静電気
により塵埃を吸着する塵埃吸着手段と、前記塵埃吸着手
段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除去するクリー
ニング手段とを具備したことを特徴とする。Further, the invention according to claim 3 is provided with a vacuum processing chamber for irradiating a semiconductor wafer with an ion beam to implant ions, and a preliminary vacuum chamber capable of evacuating the inside thereof. An ion implantation apparatus configured to carry the semiconductor wafer into and out of the vacuum processing chamber through a chamber, which is provided at a position facing the semiconductor wafer in the preliminary vacuum chamber, is made of resin, and is dusted by static electricity. And a cleaning means for removing static electricity from the dust adsorbing means and removing the adsorbed dust.
【０００９】[0009]
【作用】上記構成の本発明の真空処理装置では、例えば
半導体ウエハ等の被処理物をイオン注入等を行う真空処
理室内に搬入、搬出するための予備真空室、すなわち、
ロードロック室に、静電気により塵埃を吸着する樹脂等
からなる塵埃吸着手段が設けられている。In the vacuum processing apparatus of the present invention having the above-mentioned structure, for example, a preliminary vacuum chamber for carrying in and carrying out an object to be processed such as a semiconductor wafer into and out of a vacuum processing chamber for ion implantation, that is,
The load lock chamber is provided with dust adsorbing means made of resin or the like that adsorbs dust by static electricity.
【００１０】したがって、ロードロック室内の塵埃が、
この塵埃吸着手段に吸着され、半導体ウエハ等の被処理
物に付着することを防止することができる。Therefore, the dust in the load lock chamber is
It is possible to prevent the particles from being adsorbed by the dust adsorbing means and adhering to an object to be processed such as a semiconductor wafer.
【００１１】また、このような塵埃吸着手段は、ある程
度塵埃を吸着すると、静電的に飽和し、それまでに吸着
した塵埃を放出する。そこで、本発明の真空処理装置で
は、イオンを含む気体を供給すること等により、塵埃吸
着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除去するク
リーニング手段が設けられており、このクリーニング手
段によって、定期的に塵埃吸着手段をクリーニングする
ことにより、その吸着機能を保持し、半導体ウエハ等の
被処理物への塵埃の付着を防止することができる。When the dust adsorbing means adsorbs dust to some extent, it is electrostatically saturated and releases the dust that has been adsorbed up to that point. Therefore, in the vacuum processing apparatus of the present invention, a cleaning unit for removing static electricity of the dust adsorbing unit and removing the adsorbed dust by supplying a gas containing ions is provided. By regularly cleaning the dust adsorbing means, it is possible to maintain its adsorbing function and prevent dust from adhering to an object to be processed such as a semiconductor wafer.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明をイオン注入装置に適用した一
実施例について、図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an ion implantation apparatus will be described below with reference to the drawings.
【００１３】図２は、本発明の一実施例のイオン注入装
置の全体構成を示すもので、イオン源１では、ガスボッ
クス２内に収容されたガスボトルから供給された所定の
ガスを、イオン源用電源３から印加された電力によりイ
オン化する。そして、このイオンを引き出し、質量分析
マグネット４および可変スリット５によって選別し、加
速管６および四極子レンズ７、Ｙスキャンプレート８お
よびＸスキャンプレート９によって加速、収束、走査を
行い、イオンビームとしてエンドステーション１０のプ
ラテン１１上に配置された半導体ウエハ１２に走査、照
射するよう構成されている。FIG. 2 shows the overall structure of an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention. In the ion source 1, a predetermined gas supplied from a gas bottle housed in a gas box 2 is ionized. It is ionized by the electric power applied from the power supply 3 for the source. Then, the ions are extracted, selected by the mass analysis magnet 4 and the variable slit 5, and accelerated, converged, and scanned by the accelerating tube 6, the quadrupole lens 7, the Y scan plate 8, and the X scan plate 9, and ended as an ion beam. The semiconductor wafer 12 arranged on the platen 11 of the station 10 is configured to scan and irradiate.
【００１４】上記プラテン１１等は、高真空とされた真
空処理室１３内に配置されている。そして、エンドステ
ーション１０には、真空処理室１３を挟むように2 つの
ロードロック室１４が設けられている。図３にも示すよ
うに、各ロードロック室１４の前方には、回転可能に構
成されたターンテーブル１５および長手方向に移動可能
とされたフォーク１６からなるウエハ搬送機構が設けら
れており、これらのウエハ搬送機構の間には、フォーク
１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（センタリン
グ）を行うセンタリングカップ１７が設けられている。The platen 11 and the like are placed in a high vacuum vacuum processing chamber 13. Further, the end station 10 is provided with two load lock chambers 14 so as to sandwich the vacuum processing chamber 13. As shown in FIG. 3, in front of each load lock chamber 14, there is provided a wafer transfer mechanism including a turntable 15 that is rotatable and a fork 16 that is movable in the longitudinal direction. A centering cup 17 for aligning (centering) the semiconductor wafer 12 on the fork 16 is provided between the wafer transfer mechanisms.
【００１５】また、ターンテーブル１５の側方には、そ
れぞれ上下動可能に構成されたカセットエレベータ１８
が設けられており、これらのカセットエレベータ１８上
には、複数枚（例えば25枚）の半導体ウエハ１２を収容
したウエハカセット１９が載置されるよう構成されてい
る。Further, on the side of the turntable 15, a cassette elevator 18 is constructed so as to be vertically movable.
A wafer cassette 19 accommodating a plurality of (for example, 25) semiconductor wafers 12 is mounted on these cassette elevators 18.
【００１６】図１に示すように、上記ロードロック室１
４と真空処理室１３との間には、これらの間を気密に閉
塞可能に構成されたゲートバルブ２０が設けられてお
り、ロードロック室１４の前部（ターンテーブル１５
側）にも図３に示すようにゲートバルブ２１が設けられ
ている。As shown in FIG. 1, the load lock chamber 1
4 and the vacuum processing chamber 13 are provided with a gate valve 20 configured to hermetically close the space between them and the front portion of the load lock chamber 14 (the turntable 15).
The gate valve 21 is also provided on the side) as shown in FIG.
【００１７】また、図１に示すように、ロードロック室
１４内には、半導体ウエハ１２を支持するための上下動
可能に構成されたウエハ支持ピン２２が設けられてお
り、このウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ１２と対
向するロードロック室１４内の天井面には、静電気を帯
び易い材質、例えばテフロン等の樹脂からなる塵埃吸着
機構２３が設けられている。Further, as shown in FIG. 1, in the load lock chamber 14, a wafer support pin 22 configured to be movable up and down for supporting the semiconductor wafer 12 is provided, and the wafer support pin 22 is provided. A dust adsorbing mechanism 23 made of a material that is easily charged with static electricity, for example, resin such as Teflon is provided on the ceiling surface inside the load lock chamber 14 facing the upper semiconductor wafer 12.
【００１８】さらに、このロードロック室１４には、図
示しない真空ポンプに接続された排気配管２４と、図示
しないベント用の窒素ガス供給源に接続された窒素ガス
供給配管２５が接続されている。この窒素ガス供給配管
２５には、静電気除去装置２６と、この静電気除去装置
２６をバイパスするバイパス配管２７とが設けられてお
り、バルブ２８、２９によって、図示しない窒素ガス供
給源からの窒素ガスの流通経路を、静電気除去装置２６
を通過させる経路およびバイパス配管２７を通過させる
経路のどちらかに切り替えることができるよう構成され
ている。Further, an exhaust pipe 24 connected to a vacuum pump (not shown) and a nitrogen gas supply pipe 25 connected to a nitrogen gas supply source for venting (not shown) are connected to the load lock chamber 14. The nitrogen gas supply pipe 25 is provided with a static electricity removing device 26 and a bypass pipe 27 that bypasses the static electricity removing device 26, and valves 28 and 29 are used to supply nitrogen gas from a nitrogen gas supply source (not shown). A static electricity removing device 26
It is configured so that it can be switched to either the path for passing through or the path for passing through the bypass pipe 27.
【００１９】上記構成のこの実施例のイオン注入装置で
は、カセットエレベータ１８の一方に処理を行う半導体
ウエハ１２を収容したウエハカセット１９を載置し、他
方に空のウエハカセット１９を載置して、一方のロード
ロック室１４を半導体ウエハ１２の搬入用、他方のロー
ドロック室１４を処理の終了した半導体ウエハ１２の搬
出用として用いる。In the ion implantation apparatus of this embodiment having the above-mentioned configuration, the wafer cassette 19 containing the semiconductor wafer 12 to be processed is placed on one side of the cassette elevator 18, and the empty wafer cassette 19 is placed on the other side. The one load lock chamber 14 is used for loading the semiconductor wafer 12, and the other load lock chamber 14 is used for loading the semiconductor wafer 12 that has been processed.
【００２０】そして、まずカセットエレベータ１８によ
って、この処理を行う半導体ウエハ１２を収容したウエ
ハカセット１９を上昇させ、最下段の半導体ウエハ１２
をフォーク１６によって取り出す。そして、ターンテー
ブル１５を回転させ、センタリングカップ１７によって
フォーク１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（セン
タリング）を行い、この後、この半導体ウエハ１２をロ
ードロック室１４に搬入する。なお、この搬入用のロー
ドロック室１４は、予め常圧とし、大気側のゲートバル
ブ２１を開けておく。First, the cassette elevator 18 raises the wafer cassette 19 accommodating the semiconductor wafer 12 to be processed, and the semiconductor wafer 12 at the lowermost stage is raised.
Is taken out by the fork 16. Then, the turntable 15 is rotated, the semiconductor wafer 12 on the fork 16 is aligned (centered) by the centering cup 17, and then the semiconductor wafer 12 is carried into the load lock chamber 14. The load lock chamber 14 for loading is set to normal pressure in advance, and the gate valve 21 on the atmosphere side is opened.
【００２１】次に、ロードロック室１４内のウエハ支持
ピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１２をフォーク１６
上からウエハ支持ピン２２上に移し、フォーク１６をロ
ードロック室１４から引き抜いて、ゲートバルブ２１を
閉じる。そして、排気配管２４から図示しない真空ポン
プにより排気し、ロードロック室１４内を所定の真空度
に設定する。Next, the wafer support pins 22 in the load lock chamber 14 are raised to move the semiconductor wafer 12 to the fork 16
The wafer is moved from above to the wafer support pin 22, the fork 16 is pulled out from the load lock chamber 14, and the gate valve 21 is closed. Then, the exhaust pipe 24 is evacuated by a vacuum pump (not shown) to set the inside of the load lock chamber 14 to a predetermined degree of vacuum.
【００２２】この後、真空処理室１３側のゲートバルブ
２０を開け、真空処理室１３内に設けられた図示しない
搬送機構により、ウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ
１２を搬送し、プラテン１１上に配置する。なお、プラ
テン１１は、半導体ウエハ１２を支持する支持面がほぼ
水平な状態および垂直な状態となるよう約90度回転自在
に構成されている。そして、このプラテン１１支持面を
ほぼ水平な状態として半導体ウエハ１２をロード・アン
ロードし、支持面をほぼ垂直な状態としてイオンビーム
の照射を行う。After that, the gate valve 20 on the side of the vacuum processing chamber 13 is opened, and the semiconductor wafer 12 on the wafer support pins 22 is transferred by the transfer mechanism (not shown) provided in the vacuum processing chamber 13 and onto the platen 11. Deploy. The platen 11 is configured to be rotatable about 90 degrees so that the support surface for supporting the semiconductor wafer 12 is in a substantially horizontal state and a vertical state. Then, the semiconductor wafer 12 is loaded and unloaded with the support surface of the platen 11 substantially horizontal, and the ion beam irradiation is performed with the support surface substantially vertical.
【００２３】半導体ウエハ１２にイオンビームの照射を
行っている間、搬入用のロードロック室１４では、次の
半導体ウエハ１２の搬入のための準備を行う。すなわ
ち、ゲートバルブ２０、２１とも閉めた状態で、窒素ガ
ス供給配管２５から内部に窒素ガスを導入し常圧に戻し
た後、大気側のゲートバルブ２１を開けて上記手順によ
り次の半導体ウエハ１２の搬入動作を実行する。なお、
この時、通常時は、バルブ２８を閉じ、バルブ２９を開
けてバイパス配管２７を通過させた窒素ガスをロードロ
ック室１４内に供給する。While the semiconductor wafer 12 is being irradiated with the ion beam, the loading lock chamber 14 for loading prepares for loading the next semiconductor wafer 12. That is, with both gate valves 20 and 21 closed, nitrogen gas is introduced from the nitrogen gas supply pipe 25 to return to normal pressure, the atmosphere side gate valve 21 is opened, and the next semiconductor wafer 12 is processed by the above procedure. Execute the loading operation of. In addition,
At this time, normally, the valve 28 is closed, the valve 29 is opened, and the nitrogen gas that has passed through the bypass pipe 27 is supplied into the load lock chamber 14.
【００２４】一方、搬出用のロードロック室１４は、予
め真空排気を実施し、所定の真空度に設定しておく。そ
して、半導体ウエハ１２のイオン注入処理が終了する
と、真空処理室１３側のゲートバルブ２０を開け、真空
処理室１３内に設けられた図示しない搬送機構により、
プラテン１１上の半導体ウエハ１２を搬送し、ウエハ支
持ピン２２上に配置する。そして、ゲートバルブ２０、
２１を両方とも閉め、窒素ガス供給配管２５からロード
ロック室１４内部に窒素ガスを導入し常圧に戻した後、
大気側のゲートバルブ２１を開け、ターンテーブル１５
およびフォーク１６によってロードロック室１４内の半
導体ウエハ１２を取り出し、空のウエハカセット１９の
上段から順に収容する。なお、この時、通常時は、バル
ブ２８を閉じ、バルブ２９を開けてバイパス配管２７を
通過させた窒素ガスをロードロック室１４内に供給す
る。On the other hand, the load lock chamber 14 for carrying out is evacuated in advance and set to a predetermined degree of vacuum. Then, when the ion implantation process of the semiconductor wafer 12 is completed, the gate valve 20 on the vacuum processing chamber 13 side is opened, and by a transfer mechanism (not shown) provided in the vacuum processing chamber 13,
The semiconductor wafer 12 on the platen 11 is transferred and placed on the wafer support pins 22. And the gate valve 20,
After closing both 21 and introducing nitrogen gas into the load lock chamber 14 from the nitrogen gas supply pipe 25 and returning to normal pressure,
Open the gate valve 21 on the atmosphere side and turntable 15
The semiconductor wafer 12 in the load lock chamber 14 is taken out by the fork 16 and is housed in order from the upper stage of the empty wafer cassette 19. At this time, normally, the valve 28 is closed and the valve 29 is opened to supply the nitrogen gas that has passed through the bypass pipe 27 into the load lock chamber 14.
【００２５】上述した一連の半導体ウエハ１２の搬入、
搬出操作において、ロードロック室１４内には、真空排
気および窒素ガスのパージに伴って、気体流が生じ、こ
の気体流によってロードロック室１４天井面の樹脂製の
塵埃吸着機構２３が帯電し、ロードロック室１４内の塵
埃を吸着する。したがって、このような気体流によって
ロードロック室１４内の塵埃が舞い上がり、半導体ウエ
ハ１２に付着することを防止することができる。Loading of the series of semiconductor wafers 12 described above,
In the carry-out operation, a gas flow is generated in the load lock chamber 14 in association with vacuum exhaustion and purging of nitrogen gas, and the resin dust adsorption mechanism 23 on the ceiling surface of the load lock chamber 14 is charged by this gas flow. The dust in the load lock chamber 14 is adsorbed. Therefore, it is possible to prevent dust in the load lock chamber 14 from rising and adhering to the semiconductor wafer 12 due to such a gas flow.
【００２６】図４は、このようなロードロック室１４に
よって、6 インチ径の半導体ウエハ１２を搬入、搬出
し、半導体ウエハ１２上に付着した0.3 μｍ以上の塵埃
の数を調べた結果を示すもので、この図に示す場合、ラ
ンニング枚数が400 枚を越えると、急激に半導体ウエハ
１２上の塵埃の数が増加している。これは、塵埃吸着機
構２３が、ある程度塵埃を吸着すると、静電的に飽和
し、それまでに吸着した塵埃を放出するためであると考
えられる。FIG. 4 shows a result of carrying in and out a semiconductor wafer 12 having a diameter of 6 inches by such a load lock chamber 14 and examining the number of dust particles of 0.3 μm or more adhered on the semiconductor wafer 12. In the case shown in this figure, when the number of running sheets exceeds 400, the number of dust particles on the semiconductor wafer 12 rapidly increases. It is considered that this is because the dust adsorbing mechanism 23 electrostatically saturates the dust after adsorbing the dust to some extent and releases the dust that has been adsorbed up to that point.
【００２７】そこで、本実施例では、所定枚数、例えば
250 枚の半導体ウエハ１２を処理する毎に、一旦イオン
注入処理を休止し、図１のバルブ２８を開け、バルブ２
９を閉じて静電気除去装置２６を通過させた窒素ガスを
ロードロック室１４内にパージすることにより、塵埃吸
着機構２３の静電気を除去し、付着した塵埃のクリーニ
ングを行う。クリーニングにより放出された塵埃は、真
空ポンプにより装置外に排出される。これにより、塵埃
吸着機構２３の塵埃吸着機能を保つことができ、半導体
ウエハ１２に対する塵埃の付着を防止することができ
る。Therefore, in this embodiment, a predetermined number of sheets, for example,
Every time 250 semiconductor wafers 12 are processed, the ion implantation process is temporarily stopped, the valve 28 shown in FIG.
By closing 9 and purging the load lock chamber 14 with nitrogen gas that has passed through the static electricity removing device 26, the static electricity of the dust adsorbing mechanism 23 is removed and the attached dust is cleaned. The dust discharged by the cleaning is discharged to the outside of the device by the vacuum pump. As a result, the dust adsorption function of the dust adsorption mechanism 23 can be maintained and the adhesion of dust to the semiconductor wafer 12 can be prevented.
【００２８】なお、静電気除去装置２６としては、電極
間に電圧を印加することにより、気体分子をイオン化
し、このイオンを帯電部分に作用させて除電する装置等
を使用することができる。As the static electricity removing device 26, it is possible to use a device which ionizes gas molecules by applying a voltage between the electrodes, and causes the ions to act on the charged portion to eliminate the charge.
【００２９】以上のように、本実施例によれば、従来に
較べて半導体ウエハ１２に付着する塵埃の量を低減する
ことができ、半導体デバイスの製造工程における歩留ま
りの向上を図ることができる。As described above, according to this embodiment, it is possible to reduce the amount of dust adhering to the semiconductor wafer 12 as compared with the prior art, and it is possible to improve the yield in the manufacturing process of semiconductor devices.
【００３０】なお、上記実施例では、本発明をイオン注
入装置に適用した場合について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、減圧雰囲気下で
被処理物に所定の処理を施す真空処理装置、例えば、エ
ッチング装置、アッシング装置、スパッタ装置、減圧Ｃ
ＶＤ装置等に適用することができる。また、被処理物と
しては、半導体ウエハ１２に限らず、例えばＬＣＤ用基
板の処理等に対しても同様にして適用することができ
る。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the ion implantation apparatus has been described, but the present invention is not limited to such an embodiment, and the object to be processed is subjected to a predetermined treatment under a reduced pressure atmosphere. A vacuum processing device for performing etching, for example, an etching device, an ashing device, a sputtering device, a reduced pressure C
It can be applied to VD devices and the like. Further, the object to be processed is not limited to the semiconductor wafer 12, but can be similarly applied to, for example, processing of a substrate for LCD.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の真
空処理装置によれば、従来に較べて被処理物に付着する
塵埃の量を低減することができ、歩留まりの向上を図る
ことができる。As described in detail above, according to the vacuum processing apparatus of the present invention, the amount of dust adhering to the object to be processed can be reduced and the yield can be improved as compared with the prior art. it can.
【図１】本発明の一実施例の真空処理装置の要部構成を
示す図。FIG. 1 is a diagram showing a main configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例の真空処理装置の全体構成を
示す図。FIG. 2 is a diagram showing an overall configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図３】図２の真空処理装置のエンドステーションの構
成を示す図。3 is a diagram showing a configuration of an end station of the vacuum processing apparatus of FIG.
【図４】半導体ウエハに対する塵埃の付着量とランニン
グ枚数との関係を示す図。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the amount of dust attached to a semiconductor wafer and the number of running sheets.
１２ 半導体ウエハ １３ 真空処理室 １４ ロードロック室 ２０ ゲートバルブ ２２ ウエハ支持ピン ２３ 塵埃吸着機構 ２４ 排気配管 ２５ 窒素ガス供給配管 ２６ 静電気除去装置 ２７ バイパス配管 ２８，２９ バルブ 12 semiconductor wafer 13 vacuum processing chamber 14 load lock chamber 20 gate valve 22 wafer support pin 23 dust adsorption mechanism 24 exhaust pipe 25 nitrogen gas supply pipe 26 static eliminator 27 bypass pipe 28, 29 valve
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/285 Ｓ 7376−4Ｍ 21/31 Ｂ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/205 21/285 S 7376-4M 21/31 B
Claims (3)
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空
処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置
において、 前記予備真空室内に設けられ、静電気により塵埃を吸着
する塵埃吸着手段と、 前記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
る真空処理装置。1. A vacuum processing chamber for performing a predetermined process on an object to be processed, and a preliminary vacuum chamber configured so that the inside can be evacuated, and the object to be processed is vacuumed through the preliminary vacuum chamber. In a vacuum processing apparatus configured to be carried in and out of a processing chamber, a dust suction unit that is provided in the preliminary vacuum chamber and that sucks dust by static electricity, and removes the static electricity of the dust suction unit to remove the sucked dust. A vacuum processing apparatus comprising: a cleaning means for removing the cleaning material.
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空
処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置
において、 前記予備真空室内の前記被処理物と対向する位置に設け
られ、樹脂からなり、静電気により塵埃を吸着する塵埃
吸着手段と、 前記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
る真空処理装置。2. A vacuum processing chamber for subjecting an object to be processed to a predetermined process, and a preliminary vacuum chamber configured to be capable of evacuating the inside, and the object to be processed is vacuumed through the auxiliary vacuum chamber. In a vacuum processing apparatus configured to be carried in and out of a processing chamber, a dust adsorbing unit that is provided at a position facing the object to be processed in the preliminary vacuum chamber, is made of resin, and adsorbs dust by static electricity, and the dust. A vacuum processing apparatus comprising: a cleaning unit that removes static electricity from the adsorption unit and removes the adsorbed dust.
イオンを注入する真空処理室と、内部を真空排気可能に
構成された予備真空室とを備え、この予備真空室を介し
て、前記半導体ウエハを前記真空処理室内に搬入、搬出
するよう構成されたイオン注入装置において、 前記予備真空室内の前記半導体ウエハと対向する位置に
設けられ、樹脂からなり、静電気により塵埃を吸着する
塵埃吸着手段と、 前記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
るイオン注入装置。3. A vacuum processing chamber for irradiating a semiconductor wafer with an ion beam to implant ions, and a preliminary vacuum chamber configured to be able to evacuate the inside, and the semiconductor wafer is provided through the preliminary vacuum chamber. In the ion implantation apparatus configured to carry in and carry out into the vacuum processing chamber, provided in a position facing the semiconductor wafer in the preliminary vacuum chamber, made of resin, and dust adsorbing means for adsorbing dust by static electricity, An ion implantation apparatus comprising: a cleaning unit that removes static electricity from the dust adsorbing unit and removes the adsorbed dust.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP304192A JPH06140294A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Vacuum processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP304192A JPH06140294A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Vacuum processing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140294A true JPH06140294A (en) | 1994-05-20 |
Family
ID=11546231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP304192A Withdrawn JPH06140294A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Vacuum processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140294A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325733A (en) * | 1995-05-26 | 1996-12-10 | Tel Varian Ltd | Vacuum treatment and vacuum treating device |
| KR100213448B1 (en) * | 1996-07-25 | 1999-08-02 | 윤종용 | Air supply device of semiconductor manufacturing system |
| US6544890B2 (en) | 1999-02-26 | 2003-04-08 | Nec Corporation | Process for fabricating semiconductor device having silicide layer with low resistance and uniform profile and sputtering system used therein |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP304192A patent/JPH06140294A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325733A (en) * | 1995-05-26 | 1996-12-10 | Tel Varian Ltd | Vacuum treatment and vacuum treating device |
| KR100213448B1 (en) * | 1996-07-25 | 1999-08-02 | 윤종용 | Air supply device of semiconductor manufacturing system |
| US6544890B2 (en) | 1999-02-26 | 2003-04-08 | Nec Corporation | Process for fabricating semiconductor device having silicide layer with low resistance and uniform profile and sputtering system used therein |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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