JPH06140560A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

リードフレームおよびその製造方法

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JPH06140560A
JPH06140560A JP4261878A JP26187892A JPH06140560A JP H06140560 A JPH06140560 A JP H06140560A JP 4261878 A JP4261878 A JP 4261878A JP 26187892 A JP26187892 A JP 26187892A JP H06140560 A JPH06140560 A JP H06140560A
Authority
JP
Japan
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pattern
lead
lead frame
inner lead
frame body
Prior art date
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Pending
Application number
JP4261878A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiya Matsubara
俊也 松原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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Publication date
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Publication of JPH06140560A publication Critical patent/JPH06140560A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern

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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、リードパターンの剥離を生じるこ
となく、放熱性が良好で、機械的応力の発生もなく、製
造が容易でかつ信頼性の高いリードフレームを提供する
ことを目的とする。 【構成】 本発明の第1では、複数のリードを備えたリ
ードフレーム本体と、表面にインナーリードパターンを
形成した剛性の基板2とを具備したリードフレームにお
いて、該リードフレーム本体のリードの内方端が該基板
上に固着され、リード1とインナーリードパターン3と
がボンディングワイヤ5を介して接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
その製造方法に係り、特に半導体集積回路チップを実装
するリードフレーム構体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の小形化および高集積
化は進む一方であり、この組み立てに使用されるリード
フレームも多ピン化傾向が進んでおり、従来のようなリ
ードフレームでは対応できないため、多層フレームやT
AB技術とリードフレームを組み合わせたものも使用さ
れている。
【0003】また、高出力型半導体集積回路の場合は、
高いパワーを用いるために、半導体チップからの発熱量
が大きいため、放熱板が張り付けられた構造のリードフ
レームも提案されている。このように金属板が1枚だけ
でなく複数の層からなるものの多くは接着剤を塗布した
絶縁性フィルムを用いて積層されている。また、微細形
状のインナーリードにTAB技術を用いたものも、絶縁
性フィルム上にリードパターンを形成している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フィル
ム上に形成されたリードパターンは、半導体装置の組み
立て工程における熱履歴や、パターンへの外力によっ
て、パターンがフィルムから剥離したり、隣接するリー
ドパターンと接触するなどの問題があり、また絶縁性フ
ィルムを所望の形状にカットし、張り付けを行う際、表
面に塗布された接着剤が飛散するなどの問題も発生して
いた。
【0005】また、従来のパワーデバイスでは、接地用
のグランドプレートやパワープレート等とリードフレー
ム本体との接続が、各々所定の部位に設けられた舌片を
介して溶接によりなされているため、溶接強度も弱く確
実な溶接が困難であり、また接続不良や変形を生じ易
く、これがデバイスとしての信頼性低下の原因となって
いた。
【0006】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、リードパターンの剥離を生じることなく、放熱性が
良好で、機械的応力の発生もなく、製造が容易でかつ信
頼性の高いリードフレームを提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第1で
は、複数のリードを備えたリードフレーム本体と、表面
にインナーリードパターンを形成した剛性の基板とを具
備したリードフレームにおいて、該リードフレーム本体
のリードの内方端が該基板上に固着され、リードとイン
ナーリードパターンとが電気的に接続されている。
【0008】本発明の第2では、剛性の基板を多層配線
構造で構成している。
【0009】本発明の第3では、複数のリードを備えた
リードフレーム本体と、表面に少なくとも電源プレート
を構成する第1の導電性パターンと、接地プレートと構
成する第2の導電性パターンとを積層するとともに、さ
らにこの上層に絶縁層を介してインナーリードパターン
を形成した剛性の基板と、前記インナーリードパターン
上に、前記リードフレーム本体の対応するリードの内方
端がそれぞれ電気的に接続せしめられるとともに前記絶
縁層を介して形成されたスルーホールを介して前記第1
および第2の導電性パターンと前記インナーリードパタ
ーンの少なくとも1つとがそれぞれ接続されていること
を特徴とする。
【0010】本発明の第4では、複数のリードを備えた
リードフレーム本体を形成するリードフレーム本体形成
工程と、剛性の絶縁基板表面のインナーリードパターン
形成領域に、導体パターンを形成し、前記導体パターン
上に選択的に貴金属めっきを行いインナーリードパター
ンを得るインナーリード部形成工程と、該絶縁基板上に
リードフレーム本体のリードの内方端を固着せしめ、該
リードとインナーリードパターンとの間をボンディング
ワイヤにより接続する工程とを含むことようにしてい
る。
【0011】本発明の第5では、第4と同様にリードフ
レーム本体およびインナーリード部を形成し、剛性の基
板上のインナーリードパターン上にそれぞれ対応する前
記リードフレーム本体のリードの内方端を前記バンプを
介して熱圧着させ、前記インナーリードパターンを、前
記リードフレーム本体の少なくとも1つのリードに接続
するように、固着するようにしている。
【0012】また望ましくは、このインナーリード部お
よびリードフレーム本体に形成される金属めっきは金め
っきとする。
【0013】望ましくは、バンプのみならずバンプに対
応する領域に同一金属のめっき層を形成しておく。
【0014】例えば、本発明のリードフレームは、複数
のリードを備えたリードフレーム本体と、表面にインナ
ーリードパターンを形成した剛性の基板とを具備し、前
記リードフレーム本体のリードの内方端が前記基板上に
固着され、前記リードと前記インナーリードパターンと
がボンディングワイヤを介して接続されていることを特
徴とする。
【0015】また本発明のリードフレームは、複数のリ
ードを備えたリードフレーム本体と、表面にインナーリ
ードパターンを形成した剛性の基板と、前記インナーリ
ードパターン上に、前記リードフレーム本体の対応する
リードの内方端がそれぞれ直接接合せしめられたことを
特徴とする。
【0016】本発明のリードフレームは、複数のリード
を備えたリードフレーム本体と、表面に少なくとも1層
の導電性パターンを具備するとともに、さらにこの上層
に絶縁層を介してインナーリードパターンを形成した剛
性の基板と、前記インナーリードパターン上に、前記リ
ードフレーム本体の対応するリードの内方端がそれぞれ
直接接合せしめられたことを特徴とする。
【0017】本発明のリードフレームの製造方法は、複
数のリードを備えたリードフレーム本体を形成するリー
ドフレーム本体形成工程と、剛性の基板表面にインナー
リードパターンを形成するインナーリード部形成工程
と、前記基板上に前記リードフレーム本体のリードの内
方端を固着せしめる固着工程と、前記リードと前記イン
ナーリードパターンとの間をボンディングワイヤにより
接続する接続工程とを含むことを特徴とする。
【0018】望ましくは前記インナーリード部形成工程
が、剛性の絶縁基板表面のインナーリードパターン形成
領域に、接着剤パターンをスクリーン印刷により形成す
る接着剤パターン形成工程と、前記接着剤パターン上に
金属粉末を付着せしめる金属粉末層パターンを形成する
粉末付着工程と、前記金属粉末層パターン上に選択的に
めっきを行いインナーリードパターンを得るめっき工程
とを含むことを特徴とする。
【0019】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、剛性の絶縁基板表面のインナーリードパターン形
成領域に、絶縁性の接着剤層を塗布する接着剤層形成工
程と、前記接着剤層上に金属粉末を付着せしめ金属粉末
層を形成する粉末付着工程と、前記金属粉末層のインナ
ーリードパターン形成領域を除く他の領域を選択的にエ
ッチング除去し金属粉末層パターンを形成する金属粉末
層パターン形成工程と、前記金属粉末層パターン上に選
択的にめっきを行いインナーリードパターンを得るめっ
き工程とを含むことを特徴とする。
【0020】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、絶縁基板表面に導体薄膜パターンを形成する導体
薄膜パターン形成工程と、前記導体薄膜パターン上に選
択的に貴金属めっきを行いインナーリードパターンを得
る選択めっき工程とを含むことを特徴とする。
【0021】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、絶縁基板表面に厚膜印刷法により厚膜導体層パタ
ーンを形成する厚膜パターン形成工程と、前記厚膜導体
層パターン上に選択的に貴金属めっきを行いインナーリ
ードパターンを形成する選択めっき工程とを含むことを
特徴とする。
【0022】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、導電性の基板表面に絶縁性の接着剤層を塗布する
接着剤層形成工程と、前記接着剤層上に金属粉末を付着
せしめ金属粉末層を形成する粉末付着工程と、前記金属
粉末層のインナーリードパターン形成領域を除く他の領
域を選択的にエッチング除去し金属粉末層パターンを形
成する金属粉末層パターン形成工程と、前記金属粉末層
パターン上に選択的にめっきを行いインナーリードパタ
ーンを得るめっき工程とを含むことを特徴とする。
【0023】望ましくは、複数のリードを備えたリード
フレーム本体を形成するリードフレーム本体形成工程
と、剛性の基板表面にインナーリードパターンを形成す
るインナーリード部形成工程と、前記基板上のインナー
リードパターン上にそれぞれ対応する前記リードフレー
ム本体のリードの内方端を前記バンプを介して熱圧着さ
せ、前記インナーリードパターンを、前記リードフレー
ム本体の少なくとも1つのリードに接続するように、固
着するダイレクトボンディング工程とを含むことを特徴
とする。
【0024】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、剛性の絶縁基板表面のインナーリードパターン形
成領域に、接着剤パターンをスクリーン印刷により形成
する接着剤パターン形成工程と、前記接着剤パターン上
に金属粉末を付着せしめる金属粉末層パターンを形成す
る粉末付着工程と、前記金属粉末層パターン上に選択的
にめっきを行いインナーリードパターンを得るめっき工
程とを含むことを特徴とする。
【0025】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、剛性の絶縁基板表面のインナーリードパターン形
成領域に、絶縁性の接着剤層を塗布する接着剤層形成工
程と、前記接着剤層上に金属粉末を付着せしめ金属粉末
層を形成する粉末付着工程と、前記金属粉末層のインナ
ーリードパターン形成領域を除く他の領域を選択的にエ
ッチング除去し金属粉末層パターンを形成する金属粉末
層パターン形成工程と、前記金属粉末層パターン上に選
択的にめっきを行いインナーリードパターンを得るめっ
き工程とを含むことを特徴とする。
【0026】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、絶縁基板表面に導体薄膜パターンを形成する導体
薄膜パターン形成工程と、前記導体薄膜パターン上に選
択的に貴金属めっきを行いインナーリードパターンを得
る選択めっき工程とを含むことを特徴とする。
【0027】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、絶縁基板表面に厚膜印刷法により厚膜導体層パタ
ーンを形成する厚膜パターン形成工程と、前記厚膜導体
層パターン上に選択的に貴金属めっきを行いインナーリ
ードパターンを形成する選択めっき工程とを含むことを
特徴とする。
【0028】望ましくは、前記インナーリード部形成工
程が、導電性の基板表面に絶縁性の接着剤層を塗布する
接着剤層形成工程と、前記接着剤層上に金属粉末を付着
せしめ金属粉末層を形成する粉末付着工程と、前記金属
粉末層のインナーリードパターン形成領域を除く他の領
域を選択的にエッチング除去し金属粉末層パターンを形
成する金属粉末層パターン形成工程と、前記金属粉末層
パターン上に選択的にめっきを行いインナーリードパタ
ーンを得るめっき工程とを含むことを特徴とする。
【0029】望ましくは、前記インナーリード部のイン
ナーリードパターン先端およびリードフレーム本体のリ
ードの対応する領域のいずれか一方に金属めっき法によ
りバンプを形成し、絶縁基板上のインナーリードパター
ン上にそれぞれ対応する前記リードフレーム本体のリー
ドの内方端を前記バンプを介して熱圧着させ、前記イン
ナーリードパターンを、前記リードフレーム本体の少な
くとも1つのリードに接続することを特徴とする。
【0030】
【作用】上記構成により、可撓性のフィルム基板ではな
く剛性の基板を用い、またリードパターンについても基
板上に成膜された導体膜からなるリードパターンを用い
ているため、ずれが生じにくい上機械的応力がかから
ず、また、剥がれや歪みを生じることもなく、信頼性の
高いものとなる。
【0031】また本発明によれば、剛性基板上に形成さ
れたインナーリード部とリードフレーム本体とはバンプ
を介して熱圧着により電気接続を達成しているため、フ
ィルムの収縮等もなく、接合が容易かつ強固で確実な電
気的接続を行うことが可能となる。
【0032】さらにバンプも金属めっき工程によって形
成されるため、工程が簡略化されコストも低減される。
【0033】また、インナーリードパターンは、微細で
かつ高精度のパターンとなる。
【0034】加えて、電源プレートと接地プレートとを
有するリードフレームが極めて容易に得られかつ、接続
が容易である。
【0035】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。
【0036】図1(a) および(b) は、それぞれ本発明実
施例のリードフレームの平面図およびA−A断面図であ
る。
【0037】このリードフレームは、銅合金からなる帯
状材料をスタンピングすることによって形成され、複数
のリード1を備えたリードフレーム本体R1 と、セラミ
ック基板2上にインナーリードパターン3を形成してな
るインナーリード部R2 とからなり、このセラミック基
板2の周縁部上に、絶縁性接着層4を介してリードフレ
ーム本体のリード1がそれぞれ固着され、ボンディング
ワイヤ5を介して各リードとインナーリードパターンの
電気的接続を達成したことを特徴とするものである。
【0038】ここで、インナーリード部R2 はセラミッ
ク基板2表面全体を覆う絶縁性接着剤6と、この絶縁性
接着剤によってセラミック基板2に接着せしめられたニ
ッケル粉末パターン7と、この上層に形成された金めっ
き層パターン8とから構成されている。
【0039】次にこのリードフレームの製造方法につい
て説明する。
【0040】まず、図2(a) に示すように、スタンピン
グ法によって、銅合金からなる帯状材料を加工すること
により、半導体素子を搭載するための領域から所定の間
隔をおいて配列され、タイバー9によって中間部を一体
的に接続されたリード1を備えたリードフレーム本体R
1 を成型する。
【0041】次いで、図2(b) に示すように、セラミッ
ク基板2の表面全体に絶縁性接着剤を塗布し、ニッケル
粉末7を散布してこの絶縁性接着剤6上に被着せしめた
後、時間の熱処理を行い硬化せしめる。
【0042】この後図2(c) に示すようにフォトリソグ
ラフィによりレジストパターンRを形成してこれをマス
クとして、ニッケル粉末7をパターニングし、ニッケル
粉末パターンを形成する。
【0043】そしてさらにこれをめっき液に浸漬し、無
電界めっきを行うことにより図2(d) に示すようにニッ
ケル粉末パターンの上層に選択的に金めっき層が形成さ
れ、インナーリードパターン3を備えたインナーリード
部R2 が形成される。
【0044】この後、図2(e) に示すようにこのインナ
ーリード部R2 の周縁部に絶縁性接着剤4を塗布し、リ
ードフレーム本体R1 のリード1の内方端を載置して固
着せしめる。
【0045】最後に、図2(f) に示すように、前記リー
ド1の内方端と前記インナーリードパターン3の外側端
近傍とをワイヤ5を介したワイヤボンディングにより接
続し、リードフレームが完成する。
【0046】このリードフレームを用いた実装に際して
は、インナーリード部の中心近傍に半導体チップ10を
載置して固着し、インナーリードパターンの内側端とチ
ップ10のボンディングパッドとをボンディングワイヤ
5bを介して接続する(図3(a) および(b) )。
【0047】そしてこの後、モ−ルド工程、タイバーお
よび枠体を切除し、アウターリードを所望の形状に折り
まげる成形工程を経て、半導体装置が完成する。
【0048】このようにして形成されたリードフレーム
は、機械的応力による歪みを生じることなく、放熱性が
良好で信頼性の高いものとなる。
【0049】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。
【0050】図4(a) および(b) は、それぞれ本発明の
第2の実施例のリードフレームの平面図およびA−A断
面図である。
【0051】この例ではインナーリードパターンの形成
に際し、絶縁性接着剤6を厚膜印刷法を用いてパターニ
ングし、この絶縁性接着剤パターンの上にニッケル粉末
7を散布してこの絶縁性接着剤パターン6上に被着せし
めるようにしたことを特徴とするもので、他の部分につ
いては前記実施例とまったく同様に形成する。
【0052】すなわちまず、図5(a) に示すように、ス
タンピング法によって、銅合金からなる帯状材料を加工
することにより、半導体素子を搭載するための領域から
所定の間隔をおいて配列され、タイバー9によって中間
部を一体的に接続されたリード1を備えたリードフレー
ム本体R1 を成型する。
【0053】次いで、図5(b) に示すように、セラミッ
ク基板2の表面にスクリーン印刷法により絶縁性接着剤
を塗布し、ニッケル粉末7を散布してこの絶縁性接着剤
パターン6上に被着せしめた後、熱処理を行い硬化せし
める。
【0054】この後図5(c) に示すように、これをめっ
き液に浸漬し、無電界めっきを行うことによりニッケル
粉末パターンの上層に選択的に金めっき層が形成され、
インナーリードパターン3を備えたインナーリード部R
2 が形成される。
【0055】この後、図5(d) に示すようにこのインナ
ーリード部R2 の周縁部に絶縁性接着剤4を塗布し、リ
ードフレーム本体R1 のリード1の内方端を載置して固
着せしめる。
【0056】最後に、図5(e) に示すように、前記リー
ド1の内方端と前記インナーリードパターン3の外側端
近傍とをワイヤ5を介したワイヤボンディングにより接
続し、リードフレームが完成する。
【0057】このリードフレームを用いた実装に際して
は、前記第1の実施例とまったく同様である。
【0058】このようにして形成されたリードフレーム
は、機械的応力による歪みを生じることなく、放熱性が
良好で信頼性の高いものとなる。
【0059】この例では半導体チップは絶縁性接着剤層
6を介することなく直接セラミック基板2上に形成され
るため、放熱効果が増大する。
【0060】またこの変形例として、図6(a) に示すよ
うにセラミック基板2表面に真空蒸着法を用いて、ニッ
ケル層17および金層18を順次形成し、図6(b) に示
すようにフォトリソグラフィによりこれらをパターニン
グするようにしてもよい。
【0061】また図7(a) に示すようにニッケル層17
形成後にフォトリソグラフィを行いパターニングし、こ
のニッケルパターン17上に図7(b) に示すように選択
的に金めっき8を行うようにしてもよい。
【0062】以上に示した実施例では、インナーリード
とリードフレーム本体との接続をワイヤボンディングに
よって行った例について説明したが、ダイレクトボンデ
ィングを用いるようにしてもよい。すなわち図8に示す
ように、インナーリード部R1 のインナーリードパター
ンを構成するニッケルパターン7および金パターン8上
に形成されたバンプBにリードフレーム本体R1 を直接
接合するようにしてもよい。
【0063】さらにまた、セラミック基板等の絶縁性基
板に代えて図9に示すように導電性基板を用いるように
することも可能である。この場合銅板22の表面全体に
絶縁性接着剤6を塗布し、この上層にニッケル層17と
金めっき層18とからなるインナーリードパターンを形
成するようにしてもよい。
【0064】図10は、本発明をパワーデバイスに適用
した例を示す断面図である。
【0065】このデバイスは、銅合金からなる帯状材料
をスタンピングすることによって形成され、複数のリー
ド1を備えたリードフレーム本体R1 と、銅板22上に
絶縁性接着剤層6を介して形成された第1の導電性パタ
ーン31と、さらに絶縁性接着剤層6を介して形成され
た第2の導電性パターン32からなるインナーリードパ
ターンを形成してなるインナーリード部R2 とからな
り、この銅板22の周縁部上に、絶縁性接着層4を介し
てリードフレーム本体のインナーリードパターン33の
一部がそれぞれ固着され、ボンディングワイヤ5を介し
て各リードとインナーリードパターンの電気的接続を達
成し、一方前記銅板は接地プレートとして、用いられ、
第1の導電性パターン31は電源プレートとして、絶縁
性接着剤層6および絶縁性接着剤層4に形成されたスル
ーホールHを介して、インナーリードパターンとしての
第2の導電性パターン32に電気的に接続されるように
したことを特徴とする。またリードフレーム本体のリー
ドはインナーリード部R1 の表面に形成されたスルーホ
ールHを介して接地プレートとしての銅板22および電
源プレートとしての第1の導電性パターン31に接続さ
れている。ここで、インナーリード部R2 のインナーリ
ードパターンは、絶縁性接着剤によって銅板22に接着
せしめられたニッケル粉末パターン32aと、この上層
に形成された金めっき層パターン32bとから構成され
ている。
【0066】次にこのリードフレームの製造方法につい
て説明する。
【0067】リードフレーム本体は前記実施例と同様に
形成するため説明を省略し、インナーリード部のみにつ
いて説明する。
【0068】まず、図11(a) に示すように、銅板22
の表面にスクリーン印刷法により一部を残して絶縁性接
着剤6を塗布する。
【0069】ついで、図11(b) に示すように、この上
層に、ニッケル粉末を散布してこの絶縁性接着剤6上に
被着せしめた後、熱処理を行い硬化せしめ、フォトリソ
グラフィによりレジストパターンを形成してこれをマス
クとして、ニッケル粉末をパターニングし、第1の導電
性パターン31としてのニッケル粉末パターンを形成す
る。
【0070】そしてさらに図11(c) に示すように、ス
クリーン印刷法によりスルーホールHとなる領域を残し
て絶縁性接着剤6を塗布したのち、選択めっきによりス
ルーホールH内に露呈する第1の導電性パターン31表
面および銅板22表面に金層33を形成する。
【0071】さらに、図11(d) に示すように、真空蒸
着法により、ニッケル薄膜を形成しフォトリソグラフィ
によりパターニングしニッケルパターン32aを形成し
さらに、これをめっき液に浸漬し、無電界めっきを行う
ことによりニッケルパターンの上層に選択的に金めっき
層32bが形成され、インナーリードパターン32を備
えたインナーリード部R2 が形成される。
【0072】この後、このインナーリード部R2 の絶縁
性接着剤4を塗布し、リードフレーム本体R1 のリード
1の内方端を載置して固着せしめる。
【0073】最後に、前記リード1の内方端と前記イン
ナーリードパターン32の外側端近傍とをワイヤ5を介
したワイヤボンディングにより接続し、リードフレーム
が完成する。
【0074】このようにして極めて製造が容易で信頼性
の高いパワーデバイス用リードフレームが得られる。
【0075】このようにして形成されたデバイスは、リ
ードと接地プレートおよび電源プレートとがスルーホー
ルリードを介して接続されており、位置ずれもなく、低
コストで高精度の接続を確実に行うことが可能となる。
【0076】また前記実施例では、電源プレートや接地
プレートは、銅板で構成したが、絶縁性基板上に導体層
を形成することによって行っても良い。このとき信号線
およびグランド線のパターンは、真空蒸着法、スパッタ
リング法、電解めっき法などによって形成された銅薄膜
をフォトリソ法によりパターニングして形成する方法な
どの方法をとることも可能である。
【0077】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、絶縁性フィルムを使用することなく剛性の基板に絶
縁層を形成しており、機械加工におけるような機械的外
力を受けることもないため、リードの変形や接着剤の飛
散がない。またリードパターンが熱履歴や外力によって
剥離することもなく、多層構造を容易に得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のリードフレームを示す
【図2】同リードフレームの製造工程図
【図3】同リードフレームにチップを搭載した状態を示
す図
【図4】本発明の実施例のリードフレームを示す図
【図5】同リードフレームの製造工程図
【図6】本発明の他の実施例のリードフレームの製造工
程図
【図7】本発明の他の実施例のリードフレームの製造工
程図
【図8】本発明の他の実施例のリードフレームを示す図
【図9】本発明の他の実施例のリードフレームを示す図
【図10】本発明の第2の実施例のリードフレームを示
す図
【図11】同リードフレームの製造工程図
【符号の説明】
1 リード 2 セラミック基板 3 インナーリードパターン 4 絶縁性接着剤 5 ワイヤ 6 絶縁性接着剤 7 ニッケル粉末パターン 8 金パターン 9 タイバー 10 半導体チップ
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/12

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のリードを備えたリードフレーム本
    体と表面にインナーリードパターンを形成した剛性の基
    板とを具備し、 前記リードフレーム本体のリードの内方端が前記基板上
    に固着され、前記リードと前記インナーリードパターン
    とが電気的に接続されていることを特徴とするリードフ
    レーム。
  2. 【請求項2】 複数のリードを備えたリードフレーム本
    体と表面に少なくとも1層の導電性パターンを具備する
    とともに、さらにこの上層に絶縁層を介してインナーリ
    ードパターンを形成した剛性の基板と、 前記インナーリードパターン上に、前記リードフレーム
    本体の対応するリードの内方端がそれぞれ電気的に接続
    せしめられたことを特徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項3】 複数のリードを備えたリードフレーム本
    体と表面に少なくとも電源プレートを構成する第1の導
    電性パターンと、接地プレートと構成する第2の導電性
    パターンとを積層するとともに、さらにこの上層に絶縁
    層を介してインナーリードパターンを形成した剛性の基
    板と、 前記インナーリードパターン上
    に、前記リードフレーム本体の対応するリードの内方端
    がそれぞれ電気的に接続せしめられるとともに前記絶縁
    層を介して形成されたスルーホールを介して前記第1お
    よび第2の導電性パターンと前記インナーリードパター
    ンの少なくとも1つとがそれぞれ接続されていることを
    特徴とするリードフレーム。
  4. 【請求項4】 複数のリードを備えたリードフレーム本
    体を形成するリードフレーム本体形成工程と剛性の絶縁
    基板表面のインナーリードパターン形成領域に、導体パ
    ターンを形成し、前記導体パターン上に選択的に貴金属
    めっきを行いインナーリードパターンを得るインナーリ
    ード部形成工程と、 前記基板上に前記リードフレーム本体のリードの内方端
    を固着せしめる固着工程と前記リードと前記インナーリ
    ードパターンとの間を接続する接続工程とを含むことを
    特徴とするリードフレームの製造方法。
  5. 【請求項5】 前記インナーリード部のインナーリード
    パターン先端およびリードフレーム本体のリードの対応
    する領域のいずれか一方に金属めっき法によりバンプを
    形成し、絶縁基板上のインナーリードパターン上にそれ
    ぞれ対応する前記リードフレーム本体のリードの内方端
    を前記バンプを介して熱圧着させ、前記インナーリード
    パターンを、前記リードフレーム本体の少なくとも1つ
    のリードに接続するようにしたことを特徴とする請求項
    4に記載のリードフレームの製造方法。
JP4261878A 1992-09-30 1992-09-30 リードフレームおよびその製造方法 Pending JPH06140560A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019067950A (ja) * 2017-10-02 2019-04-25 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法

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