JPH0614128B2 - プレーナー形光導波路及びその製造方法 - Google Patents
プレーナー形光導波路及びその製造方法Info
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- JPH0614128B2 JPH0614128B2 JP60205476A JP20547685A JPH0614128B2 JP H0614128 B2 JPH0614128 B2 JP H0614128B2 JP 60205476 A JP60205476 A JP 60205476A JP 20547685 A JP20547685 A JP 20547685A JP H0614128 B2 JPH0614128 B2 JP H0614128B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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Description
【発明の詳細な説明】 この発明は、非磁性基板にエピタキシャルに施した第１
磁気光学層及び第１磁気光学層にエピタキシャルに施し
た第２磁気光学層を備える非磁性基板よりなり、その際
両磁気光学層が鉄ざくろ石基質材料から構成される、結
晶単位を有するプレーナー形光導波路に関する。
磁気光学層及び第１磁気光学層にエピタキシャルに施し
た第２磁気光学層を備える非磁性基板よりなり、その際
両磁気光学層が鉄ざくろ石基質材料から構成される、結
晶単位を有するプレーナー形光導波路に関する。
更に、この発明は、このような光導波路の製造方法に関
する。
する。
ガラス光ファイバを用いる光通信において、これに用い
る半導体レーザーダイオードを結合部から反射して戻る
光から守るために、単一モード導波路が光アイソレータ
又は恐らく光サーキュレータとしても用いられ、この場
合、磁気光学材料の非相反性（non-reciprocal propert
y）がファラデー効果に基づいて利用される。基板にエ
ピタキシャルに施した磁気光学材料層により形成される
プレーナー形光単一モード導波路は、結合すべき光ファ
イバの寸法に対応する放射伝導層の厚さを有さねばなら
ない；例えば、単一モード光ファイバは、５〜10μｍの
範囲内のコア直径を有し、単一モード導波路の放射伝導
層の層厚さも５〜10μｍの領域になければならないこと
を意味する。
る半導体レーザーダイオードを結合部から反射して戻る
光から守るために、単一モード導波路が光アイソレータ
又は恐らく光サーキュレータとしても用いられ、この場
合、磁気光学材料の非相反性（non-reciprocal propert
y）がファラデー効果に基づいて利用される。基板にエ
ピタキシャルに施した磁気光学材料層により形成される
プレーナー形光単一モード導波路は、結合すべき光ファ
イバの寸法に対応する放射伝導層の厚さを有さねばなら
ない；例えば、単一モード光ファイバは、５〜10μｍの
範囲内のコア直径を有し、単一モード導波路の放射伝導
層の層厚さも５〜10μｍの領域になければならないこと
を意味する。
これらの寸法を有する層は、高度に希釈した溶融溶液か
ら液相エピタクシー(LPE)を経て構成することかでき、
ここで溶媒は通常PbOとB2O3との混合物からなる。磁気
光学層に好適な材料は、例えば、イットリウム−鉄ざく
ろ石(Y3Fe5O12)であり、このような層が上にエピタキシ
ャルに成長する基板に対して好適な材料は、市販の0.5m
m厚さの(111)単結晶スライスの形をしたガドリニウム−
ガリウムざくろ石(Gd3Ga5O12)である。また、例えば、G
d3Fe5O12又はビスマス−置換鉄ざくろ石のような他の鉄
ざくろ石も磁気光学層に対し好適である。
ら液相エピタクシー(LPE)を経て構成することかでき、
ここで溶媒は通常PbOとB2O3との混合物からなる。磁気
光学層に好適な材料は、例えば、イットリウム−鉄ざく
ろ石(Y3Fe5O12)であり、このような層が上にエピタキシ
ャルに成長する基板に対して好適な材料は、市販の0.5m
m厚さの(111)単結晶スライスの形をしたガドリニウム−
ガリウムざくろ石(Gd3Ga5O12)である。また、例えば、G
d3Fe5O12又はビスマス−置換鉄ざくろ石のような他の鉄
ざくろ石も磁気光学層に対し好適である。
異なる組成の二つの鉄ざくろ石層をこのような単結晶基
板スライス上に二つの別々のエピタキシャル方法で二つ
の異なる溶融物から引続いて成長させることは知られ
る。ジェイ、ピストラ(J.Pistora)らは、ダイジェスト
・オブ・ジ・インターマグ・コンフェレンス(Digest of
the INTERMAG Conference)1984 年420 ページに、Sm-
又はGa- 置換イットリウム−鉄ざくろ石層、厚さ0.8μ
ｍ、屈折率ｎ１＝2.18±0.02を溶融物から基板上にエピ
タキシャルにつくる方法及び引続いて厚さ1.5μｍと屈
折率n2＝2.30±0.02を有する第２エピタキシャル層を見
掛け上非置換のイットリウム−鉄ざくろ石から製造する
方法が記載される。
板スライス上に二つの別々のエピタキシャル方法で二つ
の異なる溶融物から引続いて成長させることは知られ
る。ジェイ、ピストラ(J.Pistora)らは、ダイジェスト
・オブ・ジ・インターマグ・コンフェレンス(Digest of
the INTERMAG Conference)1984 年420 ページに、Sm-
又はGa- 置換イットリウム−鉄ざくろ石層、厚さ0.8μ
ｍ、屈折率ｎ１＝2.18±0.02を溶融物から基板上にエピ
タキシャルにつくる方法及び引続いて厚さ1.5μｍと屈
折率n2＝2.30±0.02を有する第２エピタキシャル層を見
掛け上非置換のイットリウム−鉄ざくろ石から製造する
方法が記載される。
次の不利益は、この既知の層構造に関係する：光ファイ
バを用いる光通信において、高速データ伝送に対して単
一モード技術が用いられる。既知層構造の大きな屈折率
差Δｎ＝n2-n1＝0.12により、単一モードデータ伝送は
可能でなく、多重モードデータ伝送のみ可能である。既
知導波路の他の不利益は、二つの異なる溶融物を磁気光
学層の製造のため用いねばならず、したがって二つの別
の作業工程が必要であり、二つの磁気光学層の間の屈折
率ｎの差の設定は極めて不正確である。更に、既知層の
不利益は、二つの鉄ざくろ石層(Y3(Fe,Ga)5O12及びY3Fe
5O12)の間に、過渡層が既につくられたY3(Fe,Ga)5O12層
とつくられるべきY3Fe5O12層との間の第２エピタキシャ
ル過程の結果としてつくられ、該過渡層は異なる組成、
したがってまた異なる屈折率を有する。
バを用いる光通信において、高速データ伝送に対して単
一モード技術が用いられる。既知層構造の大きな屈折率
差Δｎ＝n2-n1＝0.12により、単一モードデータ伝送は
可能でなく、多重モードデータ伝送のみ可能である。既
知導波路の他の不利益は、二つの異なる溶融物を磁気光
学層の製造のため用いねばならず、したがって二つの別
の作業工程が必要であり、二つの磁気光学層の間の屈折
率ｎの差の設定は極めて不正確である。更に、既知層の
不利益は、二つの鉄ざくろ石層(Y3(Fe,Ga)5O12及びY3Fe
5O12)の間に、過渡層が既につくられたY3(Fe,Ga)5O12層
とつくられるべきY3Fe5O12層との間の第２エピタキシャ
ル過程の結果としてつくられ、該過渡層は異なる組成、
したがってまた異なる屈折率を有する。
この発明の目的は、単一モードデータ伝送に適する、前
記のようなプレーナー形光導波路を提供し、これについ
て屈折率が極めて僅かに異なる二つの磁気光学層を極め
て簡単に、なかんずく一つの作業工程で製造することが
できるようにすることである。
記のようなプレーナー形光導波路を提供し、これについ
て屈折率が極めて僅かに異なる二つの磁気光学層を極め
て簡単に、なかんずく一つの作業工程で製造することが
できるようにすることである。
この目的は、この発明に従って、磁気光学層の材料中に
Ｐｂおよび／またはＢｉの置換基(substituent)がざく
ろ石格子の十二面体位置にあり、その割合が第１及び第
２磁気光学層に対する材料中で異なることにより、また
第２磁気光学層が第１磁気光学層の屈折率より約１×10
-3〜１×10-2大きい屈折率ｎを有することにより達成さ
れる。
Ｐｂおよび／またはＢｉの置換基(substituent)がざく
ろ石格子の十二面体位置にあり、その割合が第１及び第
２磁気光学層に対する材料中で異なることにより、また
第２磁気光学層が第１磁気光学層の屈折率より約１×10
-3〜１×10-2大きい屈折率ｎを有することにより達成さ
れる。
このような単一モード導波路の製造方法は、屈折率を修
正するイオンの混入によりつくられ、１×10-3〜１×10
-2の範囲内の屈折率の差Δｎを有する二つの磁気光学層
を同じ溶融物から基板上にエピタキシャルに析出させ、
その際、屈折率を修正するのに役立つイオンの混入を、
溶融物を過冷しながら、同時に溶融物中での基板の回転
速度ωを変えることにより制御することを特徴とする。
正するイオンの混入によりつくられ、１×10-3〜１×10
-2の範囲内の屈折率の差Δｎを有する二つの磁気光学層
を同じ溶融物から基板上にエピタキシャルに析出させ、
その際、屈折率を修正するのに役立つイオンの混入を、
溶融物を過冷しながら、同時に溶融物中での基板の回転
速度ωを変えることにより制御することを特徴とする。
この発明の有利な進展に従えば、磁気光学層の材料は、
式Y3-xPbxFe5O12で表される組成を有し、式中基板に直
接接合する第１磁気光学層に対してはｘ＝0.007〜0.025
であり、式中第１磁気光学層に施す第２磁気光学層に対
してはｘ＝0.02〜0.05である。
式Y3-xPbxFe5O12で表される組成を有し、式中基板に直
接接合する第１磁気光学層に対してはｘ＝0.007〜0.025
であり、式中第１磁気光学層に施す第２磁気光学層に対
してはｘ＝0.02〜0.05である。
したがって、この発明に従う導波路は、光単一モード導
波路、特にスペクトルレンジ0.8λ1.6μｍにおけ
る、したがって近赤外領域からの放射に対する導波路の
製造に有利に用いることができる。
波路、特にスペクトルレンジ0.8λ1.6μｍにおけ
る、したがって近赤外領域からの放射に対する導波路の
製造に有利に用いることができる。
この発明は、屈折率を修正するのに役立つイオンの鉄ざ
くろ石層への混入が、十二面体位置で混入されるイオ
ン、例えばPb及び／又はBi並びに八面体位置で混入され
るイオン、例えばGaの両方に関して、溶融物の過冷と同
時の溶融物中における基板の回転速度によってのみ制御
されることができるという知識に基づく。基板の回転を
増加すれば、Pbの混入の割合が、例えば増加するが、同
時に、例えばGa- ドープ鉄ざくろ石溶融物の場合、Gaの
割合が減少する；両方共エピタキシャル層の屈折率の増
加をもたらす。
くろ石層への混入が、十二面体位置で混入されるイオ
ン、例えばPb及び／又はBi並びに八面体位置で混入され
るイオン、例えばGaの両方に関して、溶融物の過冷と同
時の溶融物中における基板の回転速度によってのみ制御
されることができるという知識に基づく。基板の回転を
増加すれば、Pbの混入の割合が、例えば増加するが、同
時に、例えばGa- ドープ鉄ざくろ石溶融物の場合、Gaの
割合が減少する；両方共エピタキシャル層の屈折率の増
加をもたらす。
この発明で達成される利点は、二つのエピタキシャル磁
気光学層間の屈折率差Δｎをエピタキシャル条件により
最小偏差の範囲内に極めて正確に調節することができる
こと及びまた異なる屈折率、したがって異なる組成を有
するこれらのエピタキシャル磁気光学層の成長方法を中
断なく同じ溶融物から行うことができることである。
気光学層間の屈折率差Δｎをエピタキシャル条件により
最小偏差の範囲内に極めて正確に調節することができる
こと及びまた異なる屈折率、したがって異なる組成を有
するこれらのエピタキシャル磁気光学層の成長方法を中
断なく同じ溶融物から行うことができることである。
例えば、イットリウム−鉄ざくろ石の薄いエピタキシャ
ル層は、一般にPbO 及びB2O3から構成される溶媒で高度
に希釈された溶融溶液から製造されるので、屈折率修正
イオンとしてのPbの混入を異なる回転速度の助けを借り
て行うことを研究するのが適当であると考えた。したが
って、組成Y3-xPbxFe5O12の異なる磁気光学層の製造を
この発明の実施態様の一例として述べる。
ル層は、一般にPbO 及びB2O3から構成される溶媒で高度
に希釈された溶融溶液から製造されるので、屈折率修正
イオンとしてのPbの混入を異なる回転速度の助けを借り
て行うことを研究するのが適当であると考えた。したが
って、組成Y3-xPbxFe5O12の異なる磁気光学層の製造を
この発明の実施態様の一例として述べる。
この場合、PbO とB2O3から構成される溶媒を使用する
が、成長層に含まれるホウ素は最小であるので無視しう
ることに注意すべきである。
が、成長層に含まれるホウ素は最小であるので無視しう
ることに注意すべきである。
第１図は、Gd3Ga5O12 の基板３を備えるプレーナー形光
導波路１を示し。この際基板は500μｍ厚さの(111)-配
向の単結晶スライスからなる。第１磁気光学層５とし
て、エピタキシャル Y3-xPbxFe5O12層を施すが、式中ｘ＝0.0007〜0.025 で
あり、屈折率ｎ１は2.2109〜2.2203の範囲内である。第
２磁気光学層７としてエピタキシャルY3-xPbxFe5O12層
を施し、式中ｘは0.02〜0.04であり、屈折率n2は2.2155
〜2.2250である。この場合、屈折率差Δｎ＝n2-n1は1.8
〜4.7 ×10-3の範囲内である。
導波路１を示し。この際基板は500μｍ厚さの(111)-配
向の単結晶スライスからなる。第１磁気光学層５とし
て、エピタキシャル Y3-xPbxFe5O12層を施すが、式中ｘ＝0.0007〜0.025 で
あり、屈折率ｎ１は2.2109〜2.2203の範囲内である。第
２磁気光学層７としてエピタキシャルY3-xPbxFe5O12層
を施し、式中ｘは0.02〜0.04であり、屈折率n2は2.2155
〜2.2250である。この場合、屈折率差Δｎ＝n2-n1は1.8
〜4.7 ×10-3の範囲内である。
磁気光学層５及び７をつくるために、例えばJ.Crystal
Gtowth 第52巻(1981年）、722 〜728ページに見られる
液相エピタキシャル方法を、基板とする、水平に支持し
た0.5mm厚さ(111)配向のGd3Ga5O12単結晶の、直径30mm
のスライスについて用いた。磁気光学層５及び７の製造
のためには、次の表１に示す組成（溶融物中のカチオン
の割合）を有する溶融物Ｉ又は溶融物IIのいずれかを用
いた。
Gtowth 第52巻(1981年）、722 〜728ページに見られる
液相エピタキシャル方法を、基板とする、水平に支持し
た0.5mm厚さ(111)配向のGd3Ga5O12単結晶の、直径30mm
のスライスについて用いた。磁気光学層５及び７の製造
のためには、次の表１に示す組成（溶融物中のカチオン
の割合）を有する溶融物Ｉ又は溶融物IIのいずれかを用
いた。
溶融物Ｉ及びIIは、使用した酸化物に関して次の組成を
有していた（詳細は重量％で）： 異なる組成、したがって異なる屈折率n1、n2を有する二
重層No.１〜No.３を溶融物Ｉ及びIIから表２に示した条
件下に製造した。
有していた（詳細は重量％で）： 異なる組成、したがって異なる屈折率n1、n2を有する二
重層No.１〜No.３を溶融物Ｉ及びIIから表２に示した条
件下に製造した。
二重層No.１は、表１に示す組成を有する溶融物Ｉから
Δｎ＝1.8×10-3で表２に示す実験条件下に製造され
た。回転速度ωの増加の結果としてのPb含有量の増加、
したがって屈折率値のn1からｎ2への増加は、0.2μｍよ
り小さい層帯域で起こる。これは、J.Crystal Growth第
52巻(1981 年）722〜728 ページ（２次イオン質量分析
法SIMS）に従う鉛深さ輪郭分析(Lead depth profile an
alysis)により同一溶融物から製造した二重層について
測定された。この二重層については、過冷はΔＴ＝51K
であり、基板に直接施した第１磁気光学層に対する回転
速度はω１＝40min-1であり、第１磁気光学層に施した
第２磁気光学層に対する回転速度はω２＝160min-1であ
った。結果を第２図に示す。これらの溶融物に関して、
エピタキシャル方法の初期に常に起こる、したがって前
記の場合ガドリニウムガリウムざくろ石基板において起
こるように、鉛に富む過渡帯域が5100ｎｍの深さで明ら
かに検出される。約0.2μｍの厚さを有するこの狭い不
均一帯域を考慮に入れる場合、２段階エピタキシャル方
法における屈折率の飛躍は、二つの磁気光学層に対して
異なる過冷ΔＴを選択することにより更に増加させるこ
とができる。このようにして溶融物Ｉから製造した二重
層（表２の二重層No.２）に対する実験条件及び結果を
表２にまとめる。下層と上層との間の過渡層にかかわら
ず、上層において単一モード伝送を証明することができ
た。単に回転速度の増加による一段階非中断エピタキシ
ャル法が可能であるように、エピタキシャル方法を中断
することなくΔＴを増加することは、系の高い熱時定数
により問題外である。
Δｎ＝1.8×10-3で表２に示す実験条件下に製造され
た。回転速度ωの増加の結果としてのPb含有量の増加、
したがって屈折率値のn1からｎ2への増加は、0.2μｍよ
り小さい層帯域で起こる。これは、J.Crystal Growth第
52巻(1981 年）722〜728 ページ（２次イオン質量分析
法SIMS）に従う鉛深さ輪郭分析(Lead depth profile an
alysis)により同一溶融物から製造した二重層について
測定された。この二重層については、過冷はΔＴ＝51K
であり、基板に直接施した第１磁気光学層に対する回転
速度はω１＝40min-1であり、第１磁気光学層に施した
第２磁気光学層に対する回転速度はω２＝160min-1であ
った。結果を第２図に示す。これらの溶融物に関して、
エピタキシャル方法の初期に常に起こる、したがって前
記の場合ガドリニウムガリウムざくろ石基板において起
こるように、鉛に富む過渡帯域が5100ｎｍの深さで明ら
かに検出される。約0.2μｍの厚さを有するこの狭い不
均一帯域を考慮に入れる場合、２段階エピタキシャル方
法における屈折率の飛躍は、二つの磁気光学層に対して
異なる過冷ΔＴを選択することにより更に増加させるこ
とができる。このようにして溶融物Ｉから製造した二重
層（表２の二重層No.２）に対する実験条件及び結果を
表２にまとめる。下層と上層との間の過渡層にかかわら
ず、上層において単一モード伝送を証明することができ
た。単に回転速度の増加による一段階非中断エピタキシ
ャル法が可能であるように、エピタキシャル方法を中断
することなくΔＴを増加することは、系の高い熱時定数
により問題外である。
所望の屈折率差Δｎに導くPb含有量の差は、エピタキシ
ャル条件によるのみでなく溶融物の組成によっても影響
されうる。Pb：Ｂの比は本質的な役割を演ずる。溶融物
Ｉにおいてモル比はR1＝Pb：Ｂ＝7.1であったのに対
し、溶融物II（表１参照）はR1＝4.0でホウ素がいっそ
う多い；しかし、同時にFe及びＹのカチオン部分は増加
し、その際それらの比R3＝Fe：Ｙも16.2に増加した。鉛
の絶対混入は、この溶融物に対して匹敵する条件下に溶
融物Ｉより大きいので、それによっても表２の二重層N
o.３に対するデータが示すように回転速度を増すことに
よっていっそう高い値Δｎを得ることができる。Δｎ＝
4.7×10-3でこの場合に上層も単一モード導波路であっ
た。
ャル条件によるのみでなく溶融物の組成によっても影響
されうる。Pb：Ｂの比は本質的な役割を演ずる。溶融物
Ｉにおいてモル比はR1＝Pb：Ｂ＝7.1であったのに対
し、溶融物II（表１参照）はR1＝4.0でホウ素がいっそ
う多い；しかし、同時にFe及びＹのカチオン部分は増加
し、その際それらの比R3＝Fe：Ｙも16.2に増加した。鉛
の絶対混入は、この溶融物に対して匹敵する条件下に溶
融物Ｉより大きいので、それによっても表２の二重層N
o.３に対するデータが示すように回転速度を増すことに
よっていっそう高い値Δｎを得ることができる。Δｎ＝
4.7×10-3でこの場合に上層も単一モード導波路であっ
た。
ある要求される光導波路を製造するために二つの磁気光
学層の間の屈折率を最も有効な風に修正するのに役立つ
パラメータは、各個々の場合において熟練者が選択する
ことができる。例えば、鉄ざくろ石層に鉛を加えてガリ
ウム又はアルミニウムを同時に混入することにより、屈
折率の差をさらに増加させることができる。溶融物中に
おける基板の回転速度の増加、及び溶融物の過冷の増加
も八面体位置へのガリウム及び／又はアルミニウムの混
入の減少、したがって屈折率の増加をもたらす（例え
ば、J.Crystal Growth 第52巻(1981年）、722〜728ペ
ージ参照）。
学層の間の屈折率を最も有効な風に修正するのに役立つ
パラメータは、各個々の場合において熟練者が選択する
ことができる。例えば、鉄ざくろ石層に鉛を加えてガリ
ウム又はアルミニウムを同時に混入することにより、屈
折率の差をさらに増加させることができる。溶融物中に
おける基板の回転速度の増加、及び溶融物の過冷の増加
も八面体位置へのガリウム及び／又はアルミニウムの混
入の減少、したがって屈折率の増加をもたらす（例え
ば、J.Crystal Growth 第52巻(1981年）、722〜728ペ
ージ参照）。
第１図は、この発明に従うプレーナー形光一方向導波路
の基本図であり、 第２図は、基板の二つの異なる回転速度（w1及びw2）に
おけるPb含有量(x)を表面からの距離(d)の関数として示
すグラフである。 １……プレーナー形光導波路 ３……基板、５……第１磁気光学層 ７……第２磁気光学層
の基本図であり、 第２図は、基板の二つの異なる回転速度（w1及びw2）に
おけるPb含有量(x)を表面からの距離(d)の関数として示
すグラフである。 １……プレーナー形光導波路 ３……基板、５……第１磁気光学層 ７……第２磁気光学層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−145653（ＪＰ，Ａ)
Claims (13)
- 【請求項１】非磁性基板にエピタキシャルに施した第１
磁気光学層及び第１磁気光学層にエピタキシャルに施し
た第２磁気光学層を備える非磁性基板よりなり、その際
両磁気光学層が鉄ざくろ石基質材料から構成される、結
晶単位を有するプレーナー形光導波路において、磁気光
学層の材料中にＰｂおよび／またはＢｉの置換基がざく
ろ石格子の十二面体位置にあり、その割合が第１及び第
２磁気光学層に対する材料中で異なり、また第２磁気光
学層が第１磁気光学層の屈折率より約１×10-3〜１×10
-2大きい屈折率ｎを有することを特徴とするプレーナー
形光導波路。 - 【請求項２】磁気光学層の材料が式（Ｙ，Pb)3Fe5O12に
従う組成を有する特許請求の範囲第１項記載の光導波
路。 - 【請求項３】磁気光学層の材料が式Y3-xPbxFe5O12に従
う組成を有し、式中基板に直接接合する第１磁気光学層
に対してｘ＝0.007〜0.025であり、第１磁気光学層に施
す第２磁気光学層に対してｘ＝0.02〜0.04である特許請
求の範囲第１項または２項に記載の光導波路。 - 【請求項４】基板が式Gd3Ga5O12に従う組成を有する特
許請求の範囲第１〜３項のいずれか一つの項に記載の光
導波路。 - 【請求項５】スペクトルレンジ0.8λ1.6μｍにおけ
る単一モード伝送に対する導波路として用いるのに適す
る特許請求の範囲第１〜４項のいずれか一つの項に記載
の光導波路。 - 【請求項６】非磁性基板にエピタキシャルに施した第１
磁気光学層及び第１磁気光学層にエピタキシャルに施し
た第２磁気光学層を備える非磁性基板よりなり、その際
両磁気光学層が鉄ざくろ石基質材料から構成される、結
晶単位を有するプレーナー形光導波路において、磁気光
学層の材料中にＰｂおよび／またはＢｉの置換基がざく
ろ石格子の十二面体位置にあり、その割合が第１及び第
２磁気光学層に対する材料中で異なり、また第２磁気光
学層が第１磁気光学層の屈折率より約１×10-3〜１×10
-2大きい屈折率ｎを有するプレーナー形光導波路を製造
するにあたり、屈折率を修正するイオンの混入によりつ
くられ、１×10-3〜１×10-2の範囲内の屈折率の差Δｎ
を有する二つの磁気光学層を同じ溶融物から基板上にエ
ピタキシャルに析出させ、その際屈折率を修正するのに
役立つイオンの混入を溶融物を過冷しながら同時に溶融
物中での基板の回転速度ωを変えることにより制御する
ことを特徴とするプレーナー形光導波路の製造方法。 - 【請求項７】磁気光学層の材料が式（Ｙ，Pb)3Fe5O12に
従う組成を有する特許請求の範囲第６項記載の方法。 - 【請求項８】磁気光学層の材料が式Y3-xPbxFe5O12に従
う組成を有し、式中基板に直接接合する第１磁気光学層
に対してｘ＝0.007〜0.025であり、第１磁気光学層に施
す第２磁気光学層に対してｘ＝0.02〜0.04である特許請
求の範囲第６項または７項に記載の方法。 - 【請求項９】基板が式Gd3Ga5O12に従う組成を有する特
許請求の範囲第６〜８項のいずれか一つの項に記載の方
法。 - 【請求項１０】スペクトルレンジ0.8λ1.6μｍにお
ける単一モード伝送に対する導波路として用いるのに適
する特許請求の範囲第６〜９項のいずれか一つの項に記
載の方法。 - 【請求項１１】組成(Y,Pb)3Fe5O12の磁気光学層を組成G
d3Ga5O12の基板上にエピタキシャルに析出させる特許請
求の範囲第６〜10項のいずれか一つの項に記載の方法。 - 【請求項１２】組成Y3-xPbxFe5O12、式中ｘ＝0.007〜0.
025、の第１磁気光学層を基板上にエピタキシャルに析
出させる特許請求の範囲第11項記載の方法。 - 【請求項１３】組成Y3-xPbxFe5O12、式中ｘ＝0.02〜0.0
4、の第２磁気光学層を第１磁気光学層上にエピタキシ
ャルに析出させる特許請求の範囲第11項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843434631 DE3434631A1 (de) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | Planarer optischer wellenleiter und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3434631.7 | 1984-09-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180110A JPS6180110A (ja) | 1986-04-23 |
| JPH0614128B2 true JPH0614128B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=6245935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60205476A Expired - Lifetime JPH0614128B2 (ja) | 1984-09-21 | 1985-09-19 | プレーナー形光導波路及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4707058A (ja) |
| EP (1) | EP0175425B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0614128B2 (ja) |
| CA (1) | CA1253372A (ja) |
| DE (2) | DE3434631A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3514413A1 (de) * | 1985-04-20 | 1986-10-23 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Planarer optischer wellenleiter und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3630741A1 (de) * | 1986-09-10 | 1988-03-17 | Philips Patentverwaltung | Optischer polarisationsregler mit einer wellenleiterstruktur |
| FR2614999B1 (fr) * | 1987-05-04 | 1989-06-16 | Thomson Csf | Guide d'onde optique bidimensionnel monomode ferrimagnetique, son procede de fabrication, et son utilisation dans un isolateur optique integre |
| JP2671391B2 (ja) * | 1988-06-21 | 1997-10-29 | ブラザー工業株式会社 | 光アイソレータ |
| US4961618A (en) * | 1989-06-05 | 1990-10-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical communication system having a wide-core single-mode planar waveguide |
| JPH03288104A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 一方向性モード変換器およびそれを用いた光アイソレータ |
| EP0754309A1 (de) * | 1995-02-07 | 1997-01-22 | LDT GmbH & Co. Laser-Display-Technologie KG | Streifen-wellenleiter und verwendungen |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA953191A (en) * | 1970-11-16 | 1974-08-20 | Larry K. Shick | Magnetic devices utilizing garnet epitaxial materials and method of production |
| BE794853A (fr) * | 1972-02-02 | 1973-05-29 | Western Electric Co | Guide d'ondes optiques a monocristal de granat |
| FR2281585A1 (fr) * | 1974-08-09 | 1976-03-05 | Thomson Csf | Dispositif de conversion du mode de propagation de l'energie rayonnee utilisant des effets magneto-optiques et son application aux jonctions non reciproques |
| JPS6049281B2 (ja) * | 1977-05-25 | 1985-11-01 | 日本電信電話株式会社 | 磁性薄膜光導波路 |
| FR2396985A1 (fr) * | 1977-07-08 | 1979-02-02 | Thomson Csf | Dispositif de modulation, par un champ magnetique variable, de rayonnements optiques, realise en couche mince |
-
1984
- 1984-09-21 DE DE19843434631 patent/DE3434631A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-09-13 US US06/775,551 patent/US4707058A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-17 CA CA000490934A patent/CA1253372A/en not_active Expired
- 1985-09-18 DE DE8585201486T patent/DE3587134D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-18 EP EP85201486A patent/EP0175425B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-19 JP JP60205476A patent/JPH0614128B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0175425A2 (de) | 1986-03-26 |
| EP0175425A3 (en) | 1987-09-09 |
| EP0175425B1 (de) | 1993-03-03 |
| JPS6180110A (ja) | 1986-04-23 |
| DE3434631A1 (de) | 1986-04-03 |
| CA1253372A (en) | 1989-05-02 |
| US4707058A (en) | 1987-11-17 |
| DE3587134D1 (de) | 1993-04-08 |
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