JPH06142555A - ジェットノズル及びその製造方法 - Google Patents
ジェットノズル及びその製造方法Info
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- JPH06142555A JPH06142555A JP29425292A JP29425292A JPH06142555A JP H06142555 A JPH06142555 A JP H06142555A JP 29425292 A JP29425292 A JP 29425292A JP 29425292 A JP29425292 A JP 29425292A JP H06142555 A JPH06142555 A JP H06142555A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハを加工して形成されたジェット
ノズルにおいて、ノズルピッチを縮小すると共に、製造
途中にオリフィス近傍に欠けが発生することを抑制す
る。 【構成】 結晶構造が（１００）のＳｉ結晶層１，３
と、このＳｉ結晶層１，３の間に設けられたＳｉＯ2 層
２とにより構成されたＳＯＩウェハを用い、このウェハ
の表裏にＳｉＮ又はＳｉＯ2 膜４，５で所定のパターン
のエッチングマスクを形成する。そして、異方性エッチ
ングによりＳｉ結晶層１，３をエッチングし、その後露
出した部分のＳｉＯ2 層２をフッ酸等で除去して開口部
（オリフィス８）を形成する。
ノズルにおいて、ノズルピッチを縮小すると共に、製造
途中にオリフィス近傍に欠けが発生することを抑制す
る。 【構成】 結晶構造が（１００）のＳｉ結晶層１，３
と、このＳｉ結晶層１，３の間に設けられたＳｉＯ2 層
２とにより構成されたＳＯＩウェハを用い、このウェハ
の表裏にＳｉＮ又はＳｉＯ2 膜４，５で所定のパターン
のエッチングマスクを形成する。そして、異方性エッチ
ングによりＳｉ結晶層１，３をエッチングし、その後露
出した部分のＳｉＯ2 層２をフッ酸等で除去して開口部
（オリフィス８）を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハにより形
成されたジェットノズル及びその製造方法に関し、特に
自動車及び航空機等において燃料噴射用ノズルとして使
用するのに好適のジェットノズル及びその製造方法に関
する。
成されたジェットノズル及びその製造方法に関し、特に
自動車及び航空機等において燃料噴射用ノズルとして使
用するのに好適のジェットノズル及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図５（ａ）は半導体ウェハにより形成さ
れた従来のジェットノズルを示す断面図、図５（ｂ）は
同じくその平面図である。
れた従来のジェットノズルを示す断面図、図５（ｂ）は
同じくその平面図である。
【０００３】このジェットノズルは、１辺が数ｍｍの正
方形のシリコン基板２１にその表面側に広がった角錘状
の穴２７を設けることにより形成されており、前記角錘
状の穴は平面視で格子状に配列されている。シリコン基
板２１の表面及び裏面にはＳｉＮ又はＳｉＯ2 膜２４，
２５が設けられており、基板２１の裏面側の開口部がオ
リフィス２８となっている。
方形のシリコン基板２１にその表面側に広がった角錘状
の穴２７を設けることにより形成されており、前記角錘
状の穴は平面視で格子状に配列されている。シリコン基
板２１の表面及び裏面にはＳｉＮ又はＳｉＯ2 膜２４，
２５が設けられており、基板２１の裏面側の開口部がオ
リフィス２８となっている。
【０００４】この種のジェットノズルにおいては、燃料
等を均一に噴射することができるという利点がある。
等を均一に噴射することができるという利点がある。
【０００５】次に、上述のジェットノズルの製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００６】先ず、その結晶方位が（１００）であり、
例えば厚さが０．４ｍｍのシリコンウェハを用意する。
そして、このウェハの表面及び裏面にＳｉＮ又はＳｉＯ
2 膜からなるエッチングマスクを所定のパターンで形成
する。
例えば厚さが０．４ｍｍのシリコンウェハを用意する。
そして、このウェハの表面及び裏面にＳｉＮ又はＳｉＯ
2 膜からなるエッチングマスクを所定のパターンで形成
する。
【０００７】次に、このシリコンウェハに異方性エッチ
ングを施す。この場合、エッチャントとして、例えば、
ＫＯＨ、ＥＰＷ、ヒドラジン及びＴＭＡＨ等を使用する
ことができる。この異方性エッチングによりシリコンウ
ェハの表面から裏面に貫通する角錘状の穴を形成するこ
とができる。次いで、このシリコンウェハを所定のサイ
ズに切断することにより、図５（ａ），（ｂ）に示すジ
ェットノズルが完成する。
ングを施す。この場合、エッチャントとして、例えば、
ＫＯＨ、ＥＰＷ、ヒドラジン及びＴＭＡＨ等を使用する
ことができる。この異方性エッチングによりシリコンウ
ェハの表面から裏面に貫通する角錘状の穴を形成するこ
とができる。次いで、このシリコンウェハを所定のサイ
ズに切断することにより、図５（ａ），（ｂ）に示すジ
ェットノズルが完成する。
【０００８】ところで、上述の異方性エッチングによれ
ば、図６に示すように、穴２７の傾斜角度（即ち、エッ
チングの角度）θは約５５°となる。従って、基板２１
の厚さをｄとすると、穴２７のテーパー部の幅ｘはｄ／
√２となる。例えば、ウェハ厚さが４００μｍ（０．４
ｍｍ）のときには、テーパー部の幅ｘは２８３μｍ（４
００／√２）となる。予め所望のオリフィス径ｙが得ら
れるようにマスクパターンを設計しておけば、再現性よ
く多数のオリフィスを形成することができる。
ば、図６に示すように、穴２７の傾斜角度（即ち、エッ
チングの角度）θは約５５°となる。従って、基板２１
の厚さをｄとすると、穴２７のテーパー部の幅ｘはｄ／
√２となる。例えば、ウェハ厚さが４００μｍ（０．４
ｍｍ）のときには、テーパー部の幅ｘは２８３μｍ（４
００／√２）となる。予め所望のオリフィス径ｙが得ら
れるようにマスクパターンを設計しておけば、再現性よ
く多数のオリフィスを形成することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のジェットノズルにおいては、最小ノズルピッチ
がシリコンウェハの厚さにより決定され、それ以上にノ
ズルピッチを小さくすることができないという問題点が
ある。つまり、図６に示すように、角錘状の穴２７のシ
リコン基板２１の表面側の開口幅は、ｙ＋｛（ｄ／√
２）×２｝となる。従って、ノズルピッチＰは隣接する
穴２７間の距離をｚとすると、ｙ＋ｚ＋｛（ｄ／√２）
×２｝となる。このように、最小ノズルピッチはシリコ
ンウェハの厚さにより必然的に決定され、それ以上にノ
ズルピッチを小さくすることができない。
た従来のジェットノズルにおいては、最小ノズルピッチ
がシリコンウェハの厚さにより決定され、それ以上にノ
ズルピッチを小さくすることができないという問題点が
ある。つまり、図６に示すように、角錘状の穴２７のシ
リコン基板２１の表面側の開口幅は、ｙ＋｛（ｄ／√
２）×２｝となる。従って、ノズルピッチＰは隣接する
穴２７間の距離をｚとすると、ｙ＋ｚ＋｛（ｄ／√２）
×２｝となる。このように、最小ノズルピッチはシリコ
ンウェハの厚さにより必然的に決定され、それ以上にノ
ズルピッチを小さくすることができない。
【００１０】また、従来のジェットノズルは、図７に示
すように、オリフィスの近傍が製造途中で欠けやすいと
いう難点があり、多数のオリフィスを均一に作ることが
困難であるという欠点もある。
すように、オリフィスの近傍が製造途中で欠けやすいと
いう難点があり、多数のオリフィスを均一に作ることが
困難であるという欠点もある。
【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、オリフィスを従来に比してより一層高密度
に配列することができると共に、製造途中におけるオリ
フィス近傍の欠けを抑制できるジェットノズル及びその
製造方法を提供することを目的とする。
のであって、オリフィスを従来に比してより一層高密度
に配列することができると共に、製造途中におけるオリ
フィス近傍の欠けを抑制できるジェットノズル及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るジェットノ
ズルは、第１のＳｉ結晶層と、この第１のＳｉ結晶層上
に設けられたＳｉＯ2 層と、このＳｉＯ2 層上に設けら
れた第２のＳｉ結晶層と、前記第１のＳｉ結晶層に錘状
に設けられた第１の凹部と、この第１の凹部に整合して
前記第２のＳｉ結晶層に設けられた第２の凹部と、前記
第１及び第２の凹部間の前記ＳｉＯ2 層を選択的に開口
して形成されたオリフィスとを有することを特徴とす
る。
ズルは、第１のＳｉ結晶層と、この第１のＳｉ結晶層上
に設けられたＳｉＯ2 層と、このＳｉＯ2 層上に設けら
れた第２のＳｉ結晶層と、前記第１のＳｉ結晶層に錘状
に設けられた第１の凹部と、この第１の凹部に整合して
前記第２のＳｉ結晶層に設けられた第２の凹部と、前記
第１及び第２の凹部間の前記ＳｉＯ2 層を選択的に開口
して形成されたオリフィスとを有することを特徴とす
る。
【００１３】本発明に係るジェットノズルの製造方法
は、結晶方位が（１００）の第１及び第２のＳｉ結晶層
とこの第１及び第２のＳｉ結晶層間に設けられたＳｉＯ
2 層からなる半導体ウェハの表面及び裏面に所定のパタ
ーンでエッチングマスクを形成する工程と、異方性エッ
チングを施して前記ＳｉＯ2 層を選択的に露出させる工
程と、この露出した部分のＳｉＯ2 層の表面から裏面に
貫通する孔を選択的に形成する工程とを有することを特
徴とする。
は、結晶方位が（１００）の第１及び第２のＳｉ結晶層
とこの第１及び第２のＳｉ結晶層間に設けられたＳｉＯ
2 層からなる半導体ウェハの表面及び裏面に所定のパタ
ーンでエッチングマスクを形成する工程と、異方性エッ
チングを施して前記ＳｉＯ2 層を選択的に露出させる工
程と、この露出した部分のＳｉＯ2 層の表面から裏面に
貫通する孔を選択的に形成する工程とを有することを特
徴とする。
【００１４】
【作用】本発明においては、ＳｉＯ2 層を挟んで第１及
び第２のＳｉ結晶層が配設されており、この第１及び第
２のＳｉ結晶層には夫々第１の凹部及び第２の凹部が設
けられている。そして、この第１及び第２の凹部の間の
前記ＳｉＯ2 層が選択的に開口されてオリフィスが形成
されている。つまり、本発明に係るジェットノズルで
は、オリフィスが半導体チップの厚さ方向の中央部に配
置される。従って、ノズルピッチを従来のジェットノズ
ルに比して約半分にすることができる。
び第２のＳｉ結晶層が配設されており、この第１及び第
２のＳｉ結晶層には夫々第１の凹部及び第２の凹部が設
けられている。そして、この第１及び第２の凹部の間の
前記ＳｉＯ2 層が選択的に開口されてオリフィスが形成
されている。つまり、本発明に係るジェットノズルで
は、オリフィスが半導体チップの厚さ方向の中央部に配
置される。従って、ノズルピッチを従来のジェットノズ
ルに比して約半分にすることができる。
【００１５】また、本発明方法においては、結晶方位が
（１００）の第１及び第２のＳｉ結晶層とこの第１及び
第２のＳｉ結晶層間に設けられたＳｉＯ2 層とにより構
成された半導体ウェハの表面及び裏面に所定のパターン
でエッチングマスクを形成した後、異方性エッチングを
施して前記ＳｉＯ2 層を選択的に露出させる。この場合
に、前記ＳｉＯ2 層がエッチングストッパ層として作用
し、第１及び第２のＳｉ結晶層に錘状の凹部が形成され
る。その後、露出した部分のＳｉＯ2 層に貫通孔（即
ち、オリフィス）を形成する。これにより、従来のノズ
ルに比して約半分のノズルピッチでノズルを形成するこ
とができる。また、オリフィスが半導体ウェハの厚さ方
向の中央部に配置されると共にオリフィス近傍のシリコ
ン層の厚さが従来の約２倍になるため、製造途中におけ
るオリフィス近傍の欠けを抑制することができる。
（１００）の第１及び第２のＳｉ結晶層とこの第１及び
第２のＳｉ結晶層間に設けられたＳｉＯ2 層とにより構
成された半導体ウェハの表面及び裏面に所定のパターン
でエッチングマスクを形成した後、異方性エッチングを
施して前記ＳｉＯ2 層を選択的に露出させる。この場合
に、前記ＳｉＯ2 層がエッチングストッパ層として作用
し、第１及び第２のＳｉ結晶層に錘状の凹部が形成され
る。その後、露出した部分のＳｉＯ2 層に貫通孔（即
ち、オリフィス）を形成する。これにより、従来のノズ
ルに比して約半分のノズルピッチでノズルを形成するこ
とができる。また、オリフィスが半導体ウェハの厚さ方
向の中央部に配置されると共にオリフィス近傍のシリコ
ン層の厚さが従来の約２倍になるため、製造途中におけ
るオリフィス近傍の欠けを抑制することができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１７】図１（ａ）は本発明の第１の実施例に係る
ジェットノズルを示す断面図、図１（ｂ）は同じくその
平面図である。
ジェットノズルを示す断面図、図１（ｂ）は同じくその
平面図である。
【００１８】このジェットノズルは、Ｓｉ結晶層１，３
と、このＳｉ結晶層１，３間に設けられたＳｉＯ2 層２
とにより構成されており、Ｓｉ結晶層１，３には夫々角
錘状の凹部６，７が平面視で格子状に配列して設けられ
ている。そして、この凹部６，７間のＳｉＯ2 層２は開
口されており、この開口部がオリフィス８となってい
る。また、Ｓｉ結晶層１の下側及びＳｉ結晶層３の上側
にはＳｉＮ又はＳｉＯ2膜４，５が設けられている。
と、このＳｉ結晶層１，３間に設けられたＳｉＯ2 層２
とにより構成されており、Ｓｉ結晶層１，３には夫々角
錘状の凹部６，７が平面視で格子状に配列して設けられ
ている。そして、この凹部６，７間のＳｉＯ2 層２は開
口されており、この開口部がオリフィス８となってい
る。また、Ｓｉ結晶層１の下側及びＳｉ結晶層３の上側
にはＳｉＮ又はＳｉＯ2膜４，５が設けられている。
【００１９】本実施例においては、オリフィスが半導体
チップの厚さ方向の中央部に配置されているため、ノズ
ルピッチを図５に示す従来のジェットノズルに比して約
半分にすることができる。
チップの厚さ方向の中央部に配置されているため、ノズ
ルピッチを図５に示す従来のジェットノズルに比して約
半分にすることができる。
【００２０】図２（ａ），（ｂ）は本実施例に係るジェ
ットノズルの製造方法を工程順に示す断面図である。
ットノズルの製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２１】先ず、Ｓｉ結晶層１と、このＳｉ結晶層１
上に設けられたＳｉＯ2 層２と、このＳｉＯ2 層２上に
設けられたＳｉ結晶層３とにより構成されたＳＯＩ（Si
licon On Insulator）ウェハを用意する。この場合に、
Ｓｉ結晶層１，３の厚さは同一（例えば、２００μｍ）
であり、ＳｉＯ2 層２の厚さはこれらのＳｉ結晶層１，
２の厚さに比して実質的に無視できる厚さ（例えば、
０．５乃至２．０μｍ）とする。
上に設けられたＳｉＯ2 層２と、このＳｉＯ2 層２上に
設けられたＳｉ結晶層３とにより構成されたＳＯＩ（Si
licon On Insulator）ウェハを用意する。この場合に、
Ｓｉ結晶層１，３の厚さは同一（例えば、２００μｍ）
であり、ＳｉＯ2 層２の厚さはこれらのＳｉ結晶層１，
２の厚さに比して実質的に無視できる厚さ（例えば、
０．５乃至２．０μｍ）とする。
【００２２】そして、図２（ａ）に示すように、このＳ
ＯＩウェハの表面及び裏面に、ＳｉＮ又はＳｉＯ2 膜
４，５からなる同一パターンのエッチングマスクを形成
する。
ＯＩウェハの表面及び裏面に、ＳｉＮ又はＳｉＯ2 膜
４，５からなる同一パターンのエッチングマスクを形成
する。
【００２３】次に、例えば、ＫＯＨ、ＥＰＷ、ヒドラジ
ン及びＴＭＡＨ等のエッチャントを使用して、ウェハに
異方性エッチングを施す。これにより、図２（ｂ）に示
すように、ウェハの表面側及び裏面側に角錘状の凹部
６，７が形成される。この異方性エッチングにおいて
は、ＳｉＯ2 層２がエッチングストッパ層として作用す
るため、このＳｉＯ2 層２の所定部分が露出した時点で
エッチングが終了し、それ以上にエッチングは進行しな
い。
ン及びＴＭＡＨ等のエッチャントを使用して、ウェハに
異方性エッチングを施す。これにより、図２（ｂ）に示
すように、ウェハの表面側及び裏面側に角錘状の凹部
６，７が形成される。この異方性エッチングにおいて
は、ＳｉＯ2 層２がエッチングストッパ層として作用す
るため、このＳｉＯ2 層２の所定部分が露出した時点で
エッチングが終了し、それ以上にエッチングは進行しな
い。
【００２４】次に、凹部６，７間のＳｉＯ2 層２をフッ
酸等で除去して、オリフィス８を形成する。次いで、ウ
ェハを所定のサイズに切断する。これにより、図１
（ａ），（ｂ）に示すジェットノズルが完成する。
酸等で除去して、オリフィス８を形成する。次いで、ウ
ェハを所定のサイズに切断する。これにより、図１
（ａ），（ｂ）に示すジェットノズルが完成する。
【００２５】本実施例においては、半導体ウェハの両面
から異方性エッチングを行なってウェハの厚さ方向の中
央部にオリフィスを形成する。従って、角錘状の凹部の
テーパー部分の幅を従来の約半分とすることができて、
単位面積当たりのオリフィス数を従来の約４倍とするこ
とができる。
から異方性エッチングを行なってウェハの厚さ方向の中
央部にオリフィスを形成する。従って、角錘状の凹部の
テーパー部分の幅を従来の約半分とすることができて、
単位面積当たりのオリフィス数を従来の約４倍とするこ
とができる。
【００２６】また、オリフィスがウェハの厚さ方向の中
央部に設けられているため、オリフィス近傍の厚さが従
来の２倍となり、製造途中にオリフィス近傍に欠け等が
発生することを回避できる。
央部に設けられているため、オリフィス近傍の厚さが従
来の２倍となり、製造途中にオリフィス近傍に欠け等が
発生することを回避できる。
【００２７】図３（ａ），（ｂ）は夫々本発明の第２の
実施例に係るジェットノズルを示す断面図及び平面図で
ある。
実施例に係るジェットノズルを示す断面図及び平面図で
ある。
【００２８】本実施例が第１の実施例と異なる点はチッ
プの表面側と裏面側とで凹部６，７ａの形状が異なるこ
とにあり、その他の構成は基本的には第１の実施例と同
様であるので、図３（ａ），（ｂ）において図１
（ａ），（ｂ）と同一物には同一符号を付してその詳し
い説明は省略する。
プの表面側と裏面側とで凹部６，７ａの形状が異なるこ
とにあり、その他の構成は基本的には第１の実施例と同
様であるので、図３（ａ），（ｂ）において図１
（ａ），（ｂ）と同一物には同一符号を付してその詳し
い説明は省略する。
【００２９】本実施例においては、チップの表面側の凹
部７ａが裏面側の凹部６に比して大きく形成されてい
る。即ち、裏面側の４個の凹部６が表面側の１個の凹部
７ａに対応している。従って、表面側の凹部７ａ１個に
対して４個のオリフィス８ａが設けられている。本実施
例に係るジェットノズルは、異方性エッチングの際のマ
スクパターンの形状をウェハの表裏で異なるようにする
ことにより形成できる。
部７ａが裏面側の凹部６に比して大きく形成されてい
る。即ち、裏面側の４個の凹部６が表面側の１個の凹部
７ａに対応している。従って、表面側の凹部７ａ１個に
対して４個のオリフィス８ａが設けられている。本実施
例に係るジェットノズルは、異方性エッチングの際のマ
スクパターンの形状をウェハの表裏で異なるようにする
ことにより形成できる。
【００３０】本実施例においても、第１の実施例と同様
の効果を得ることができる。
の効果を得ることができる。
【００３１】図４は本発明の第３の実施例に係るジェッ
トノズルを示す平面図である。本実施例は、チップの表
面側の凹部７ｂをスリット状にしたものであり、オリフ
ィス８ｂはこの凹部７ｂの長手方向に沿う直線上に配列
されている。本実施例においても、第１及び第２の実施
例と同様の効果を得ることができる。
トノズルを示す平面図である。本実施例は、チップの表
面側の凹部７ｂをスリット状にしたものであり、オリフ
ィス８ｂはこの凹部７ｂの長手方向に沿う直線上に配列
されている。本実施例においても、第１及び第２の実施
例と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るジェッ
トノズルは、第１及び第２のＳｉ結晶層とこの第１及び
第２のＳｉ結晶層間に配設されたＳｉＯ2 層とを有し、
前記第１及び第２のＳｉ結晶層に夫々設けられた第１及
び第２の凹部の間のＳｉＯ2 層が選択的に開口されてオ
リフィスが形成されているから、従来のジェットノズル
に比してノズルピッチを約半分にすることができて、単
位面積当たりのオリフィスの数を従来の約４倍にするこ
とができる。
トノズルは、第１及び第２のＳｉ結晶層とこの第１及び
第２のＳｉ結晶層間に配設されたＳｉＯ2 層とを有し、
前記第１及び第２のＳｉ結晶層に夫々設けられた第１及
び第２の凹部の間のＳｉＯ2 層が選択的に開口されてオ
リフィスが形成されているから、従来のジェットノズル
に比してノズルピッチを約半分にすることができて、単
位面積当たりのオリフィスの数を従来の約４倍にするこ
とができる。
【００３３】また、本発明方法によれば、結晶方位が
（１００）の第１及び第２のＳｉ結晶層とこの第１及び
第２のＳｉ結晶層間に設けられたＳｉＯ2 層とにより構
成された半導体ウェハをその両方の面側から異方性エッ
チングして前記ＳｉＯ2 層を露出させ、その後露出した
部分のＳｉＯ2 層に孔を形成するから、製造途中におけ
るオリフィス近傍の欠けを抑制できると共に、従来のジ
ェットノズルに比して単位面積当たりのオリフィスの数
を約４倍にすることができる。
（１００）の第１及び第２のＳｉ結晶層とこの第１及び
第２のＳｉ結晶層間に設けられたＳｉＯ2 層とにより構
成された半導体ウェハをその両方の面側から異方性エッ
チングして前記ＳｉＯ2 層を露出させ、その後露出した
部分のＳｉＯ2 層に孔を形成するから、製造途中におけ
るオリフィス近傍の欠けを抑制できると共に、従来のジ
ェットノズルに比して単位面積当たりのオリフィスの数
を約４倍にすることができる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例に係るジェット
ノズルを示す断面図、（ｂ）は同じくその平面図であ
る。
ノズルを示す断面図、（ｂ）は同じくその平面図であ
る。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例に係る
ジェットノズルの製造方法を工程順に示す断面図であ
る。
ジェットノズルの製造方法を工程順に示す断面図であ
る。
【図３】（ａ），（ｂ）は夫々本発明の第２の実施例に
係るジェットノズルを示す断面図及び平面図である。
係るジェットノズルを示す断面図及び平面図である。
【図４】本発明の第３の実施例に係るジェットノズルを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】（ａ）は従来のジェットノズルを示す断面図、
（ｂ）は同じくその平面図である。
（ｂ）は同じくその平面図である。
【図６】従来のジェットノズルの問題点を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】従来のジェットノズルの他の問題点を示す断面
図である。
図である。
１，３；Ｓｉ結晶層 ２；ＳｉＯ2 層 ４，５，２４，２５；ＳｉＮ又はＳｉＯ2 膜 ６，７，７ａ，７ｂ；凹部 ８，８ａ，８ｂ；オリフィス ２１；シリコン基板
Claims (2)
- 【請求項１】 第１のＳｉ結晶層と、この第１のＳｉ結
晶層上に設けられたＳｉＯ2 層と、このＳｉＯ2 層上に
設けられた第２のＳｉ結晶層と、前記第１のＳｉ結晶層
に錘状に設けられた第１の凹部と、この第１の凹部に整
合して前記第２のＳｉ結晶層に設けられた第２の凹部
と、前記第１及び第２の凹部間の前記ＳｉＯ2 層を選択
的に開口して形成されたオリフィスとを有することを特
徴とするジェットノズル。 - 【請求項２】 結晶方位が（１００）の第１及び第２の
Ｓｉ結晶層とこの第１及び第２のＳｉ結晶層間に設けら
れたＳｉＯ2 層からなる半導体ウェハの表面及び裏面に
所定のパターンでエッチングマスクを形成する工程と、
異方性エッチングを施して前記ＳｉＯ2 層を選択的に露
出させる工程と、この露出した部分のＳｉＯ2 層の表面
から裏面に貫通する孔を選択的に形成する工程とを有す
ることを特徴とするジェットノズルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29425292A JP3219867B2 (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | ジェットノズル及びその製造方法 |
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1992
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| JP3219867B2 (ja) | 2001-10-15 |
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