JPH06143885A - Icカードのモジュール構造 - Google Patents

Icカードのモジュール構造

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JPH06143885A
JPH06143885A JP4314298A JP31429892A JPH06143885A JP H06143885 A JPH06143885 A JP H06143885A JP 4314298 A JP4314298 A JP 4314298A JP 31429892 A JP31429892 A JP 31429892A JP H06143885 A JPH06143885 A JP H06143885A
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conductive pattern
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Toyoji Kanazawa
豊次 金沢
Akira Nagasaki
彰 長崎
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SHICHIZUN DENSHI KK
Citizen Watch Co Ltd
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SHICHIZUN DENSHI KK
Citizen Watch Co Ltd
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICカードのモジュールを簡単な構造で、か
つ、耐衝撃、遮光性が優れ、しかも製造を容易にする。 【構成】 一層で片面パターンの回路基板1で、遮光パ
ターン5を残したフィンガー部6を回路基板1のデバイ
スホール3内で、かつ、下面と略等しい位置になる如く
曲げ成形し、フィンガー部6端とICチップ2をバンプ
7で接続し、押え治具8を用いてサイドポッティングを
行い、樹脂領域11が回路基板1上の導電パターン4と
同一平面から回路基板1の厚み含みICチップ2の側面
を覆うことにより、ICチップ2が回路基板1より突出
して実装される。 【効果】 外部よりの衝撃、光線からICチップを保護
し、成形金型不要等で、信頼性、生産性が優れ、かつ、
廉価に製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICチップを実装する
回路基板の片面に導電パターンを形成したICカードの
モジュール構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、キャッシュカードやクレジットカ
ードをはじめ各種メンバーズカード、病院の診療券など
様々な種類のカードが流通し、われわれの日常生活には
欠かせないものになりつつある。現在、これらのカード
は磁気カードが主流となっているが、磁気カードは、そ
の記憶容量が小さいために機能拡大に限界があり、ま
た、セキュリティ、信頼性の面でも限界がある。この磁
気カードの限界を打ち破り、大きな記憶容量を有し、高
度なセキュリティ機能を有する多機能カードとして、C
PU、メモリチップ等を搭載したICカードが登場して
きたのは周知の通りである。
【0003】そこで、ICチップを実装する回路基板の
片面に導電パターンを形成した従来技術のICカードの
モジュール構造として、特公平1−58657号公報及
び特開昭57−10258号公報に具体例が開示されて
いる。
【0004】まず、特公平1−58657号公報に開示
されている従来技術の概要を図3で説明する。フィルム
30の窓31内に配置されたICチップ32は、別工程
において形成されたコンタクトリード33の端部に、別
の適当の装置により結合され、コンタクトリード33の
一方の端のコンタクト領域34には、導電性の層35が
形成される。その後モールド金型を用い樹脂36にて封
止されるが、導電性の層35はモールド面よりわずかに
高めに形成され、識別カードに組込まれた時に、この層
35は識別カード本体の被膜と同一平面上に位置し、こ
の層35が導電性材料の場合には、直接コンタクト方式
が使える。この層が非導電性材料により形成されている
場合には、この層を介して針がコンタクト領域が貫通さ
れるとよいなどの技術が開示されている。
【0005】次に、他の従来技術として、特開昭57−
10258号公報の概要を図4で説明する。フィルム状
の支持体40はICチップ41を受け入れるため開口4
2を有し、公知のフォトエッチング法によって支持体4
0上にラミネートされた導電性フィルムから形成された
リード43が開口42の中まで延びてICチップ41と
接続されている。支持体40の厚さは、ICチップ41
の厚みと、このICチップ41上に設けられた接続リー
ド43の厚みを加えた厚さより厚くしてある。更に、I
Cチップ41を実装するための開口42は、ICチップ
を接続したのちにその開口42に注ぎ込むことができる
成形可能な材料44で充填されている。これによってI
Cチップ41及び接続リード43を保護するなどの技術
が開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来技術にはそれぞれ次のような問題点がある。前述
した特公平1−58657号公報に開示されている従来
技術では、図4に示すように、モールド工程においてI
Cチップを正確に位置合わせをする必要があり、全体を
モールドしないとICチップを固定することができず、
外部接続端子がモールド面よりわずかに高めに形成する
必要があるので、高いモールド精度を要求されるなど、
ICチップの位置合わせ装置及びモールド金型により製
造コストが高くなる。また、全体モールドのため単体ユ
ニットの厚みも厚くなるなどの問題点があった。
【0007】また、前述した特開昭57−10258号
公報に開示されている他の従来技術では、図5に示すよ
うに、支持体の厚みの中にICチップと接続リードを納
め樹脂封止するもので、支持体の厚さに対して樹脂封止
領域が薄く少ないので、ICチップ上面を外部からの衝
撃及び光線などから十分に保護することができず、耐衝
撃、遮光性に問題があり信頼性に欠ける。
【0008】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、構造が簡単で、かつ耐衝撃、遮
光性に優れ、しかも製造容易なICカードのモジュール
を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明におけるICカードのモジュール構造の構成
は、ICチップを実装する開口部を配設した一層からな
る回路基板の上面に導電パターンを形成し、前記回路基
板の開口部内で、遮光パターンを残し、導電パターンの
フィンガー部を前記回路基板の下面と略等しい位置にな
る如く曲げ成形し、該曲げ成形したフィンガー部端と前
記ICチップをパンプで接続し、樹脂領域が前記回路基
板の上面に形成した導電パターンと同一平面から、回路
基板の厚みを含みICチップの側面を覆う如く、前記回
路基板にICチップを一体的に樹脂封止することによ
り、前記ICチップが回路基板の下面より突出すること
を特徴とするものである。
【0010】
【作用】従って、本発明により得られるICカードのモ
ジュール構造においては、片面に導電パターンを形成し
た一層の回路基板で、ICチップが回路基板の導電パタ
ーン形成面と反対側の面より突出して実装され、樹脂領
域が回路基板の厚みより厚く確保できるので、回路基板
の開口部の強度を増し、かつ、ICチップの耐衝撃性、
遮光性を高めることができる。
【0011】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例
を説明する。図1は本発明のICカードのモジュール構
造を示す断面図、図2は図1のICカードのモジュール
をカード基板に収納した状態を示す断面図、図3は図1
の要部平面図である。
【0012】まず、図1及び図3において、回路基板1
はガラスエポキシ樹脂、例えば、FR−4よりなり、板
厚も、例えば、0.1mm程度と薄く、前記回路基板1
は一層でICチップ2の実装部相当位置にデバイスホー
ル3を配設する。前記回路基板1の片面(上面)に銅箔
パターンを形成した後所定形状にエッチングすることに
より導電パターン4を形成する。次に、前記導電パター
ン4の中で遮光パターン5をICチップ2を覆うように
残し、フィンガー部6が前記回路基板1に配設したデバ
イスホール3内で回路基板1の下面と略等しい位置にな
る如くフォーミング加工(曲げ成形)を施し、更に、フ
ォーミングしたフィンガー部6の端部と前記ICチップ
2とをパンプ7で接続する。前記したフォーミング加工
は回路基板1の下面を平坦な定盤にのせて下面基準で行
なうことにより、曲げ寸法はバラツクことなく、精度よ
く成形される。その後、少なくとも片面に樹脂と剥がれ
易い性質を有する物質、例えば、テフロン板又は、テフ
ロンをコートした板状の押え治具8で、テフロン面が前
記回路基板1上に形成した導電パターン4及び遮光パタ
ーン5を押えて封止樹脂の流れ防止を行なう。回路基板
1の下面でICチップ2の側方から樹脂注入器9を使っ
て、所謂、サイドポッティング方式で熱可塑性で遮光性
のある黒色ポッティング樹脂を注入すると、樹脂10は
毛細管現象でICチップ2と回路基板1の間に入り込み
両者を一体的に封止する。この際、樹脂領域11は、回
路基板1の導電パターン4と同一平面から回路基板1の
厚みを含みICチップ2の側面を覆う範囲に達し、厚い
樹脂領域11は、薄い一層の回路基板1のデバイスホー
ル3の強度を増し、かつ、遮光性を高め、ICチップ2
を外部からの衝撃、光線等から保護する機能をもつ。
尚、ICチップ2の上部に位置する遮光パターン5はI
Cチップ2への遮光に役立つものである。前記サイドポ
ッティング終了後に前記押え治具8を除去することによ
り、ポッティングされた樹脂10は回路基板1の上面に
膨むことなく導電パターン4と同一平面となり、また、
ICチップ2は回路基板1の下面より突出して実装され
て、ICカードのモジュール12が完成される。
【0013】次に、図2において、上記で完成したIC
カードのモジュール12をカード基板20に収納固着す
るのに、カード基板20にICカードのモジュール12
を収納する凹部21を設け、上記回路基板1の下面が当
接する段部22で熱圧着シート23等の接着手段により
確実に固着するが、カード基板20の上面と収納された
ICカードのモジュール12の導電パターン4、遮光パ
ターン5及び樹脂10の上面は同一平面になるように部
材相互の厚みを予め設定しておくとよい。図2から明ら
かなように、ICチップ2はカード基板20の凹部21
内に入るので、前記した樹脂領域11はICチップ2の
下面まで覆うことは不要である。
【0014】従って、本実施例の特徴とするところは、
前述した如く、一層で片面パターンの薄い回路基板で、
ICチップはパターンと反対側で回路基板の下面より突
出して、パターン側を押え治具で押えてサイドポッティ
ングすることにより、樹脂領域は上面はパターン面に同
一平面になり、デバイスホールを埋めて補強し、かつ、
ICチップ上面の樹脂領域が厚いので、ICチップの上
面を覆う遮光パターンと共同して、ICチップを外部衝
撃と光線より保護するものである。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ICカードモジュールは、一層で片面パターンの薄い回
路基板で、ICチップを回路基板の下面より突出してサ
イドポッティングし、樹脂領域は、回路基板の上面では
導電パターンと同一平面となり、ICカードとして好適
である。また、樹脂領域は、回路基板の厚みを埋めてい
るので開口部の強度を増し、厚い樹脂領域は外部からの
衝撃、光線からICチップのエレメント形成面を保護す
る。更に、樹脂封止は、設備費の高いモールド金型が不
要となるなど、構造が簡単で信頼性、生産性が優れ、か
つ、廉価なICカードのモジュールを提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るICカードのモジュール
構造を示す断面図。
【図2】図1のICカードのモジュールをカード基板に
収納した状態を示す断面図。
【図3】図1の要部平面図。
【図4】従来のICカードのモジュール構造を示す断面
図。
【図5】他の従来のICカードのモジュール構造を示す
断面図。
【符号の説明】
1 回路基板 2 ICチップ 3 デバイスホール 4 導電パターン 5 遮光パターン 6 フィンガー部 8 押え治具 10 樹脂 11 樹脂領域 12 ICカードのモジュール 20 カード基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/28 Z 8617−4M T 8617−4M

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICチップを実装する開口部を配設した
    一層からなる回路基板の上面に導電パターンを形成し、
    前記回路基板の開口部内で、遮光パターンを残し、導電
    パターンのフィンガー部を前記回路基板の下面と略等し
    い位置になる如く曲げ成形し、該曲げ成形したフィンガ
    ー部端と前記ICチップをパンプで接続し、樹脂領域が
    前記回路基板の上面に形成した導電パターンと同一平面
    から、回路基板の厚みを含みICチップの側面を覆う如
    く、前記回路基板にICチップを一体的に樹脂封止する
    ことにより、前記ICチップが回路基板の下面より突出
    することを特徴とするICカードのモジュール構造。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1246241A3 (en) * 2001-03-30 2005-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package
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