JPH06145599A - コーティング用組成物 - Google Patents
コーティング用組成物Info
- Publication number
- JPH06145599A JPH06145599A JP29695392A JP29695392A JPH06145599A JP H06145599 A JPH06145599 A JP H06145599A JP 29695392 A JP29695392 A JP 29695392A JP 29695392 A JP29695392 A JP 29695392A JP H06145599 A JPH06145599 A JP H06145599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating composition
- water
- catalyst
- siloxane polymer
- alkoxysilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、アルコキシシランに水および触媒を
加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水および触媒
を除去して得られるシロキサンポリマーを含有すること
を特徴とするコーティング用組成物に関する。 【効果】本発明のコーティング用組成物は、塗布性に優
れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥が発生し
ない。また、保存中も粘度変化、塗布性劣化がなく、保
存安定性が優れている。
加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水および触媒
を除去して得られるシロキサンポリマーを含有すること
を特徴とするコーティング用組成物に関する。 【効果】本発明のコーティング用組成物は、塗布性に優
れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥が発生し
ない。また、保存中も粘度変化、塗布性劣化がなく、保
存安定性が優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シロキサンポリマーを
含有したコーティング用組成物に関するものであり、さ
らに詳しくは塗布性および保存安定性の優れたコーティ
ング用組成物に関するものである。
含有したコーティング用組成物に関するものであり、さ
らに詳しくは塗布性および保存安定性の優れたコーティ
ング用組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シロキサンポリマーを含有したコーティ
ング用組成物を得る方法としては、クロロシランを加水
分解縮合させる方法が古くから知られている。しかし、
この方法では原料が塩素化合物であるために、得られる
コーティング用組成物にクロルイオンが混入し、電子材
料用途には適さないものであった。
ング用組成物を得る方法としては、クロロシランを加水
分解縮合させる方法が古くから知られている。しかし、
この方法では原料が塩素化合物であるために、得られる
コーティング用組成物にクロルイオンが混入し、電子材
料用途には適さないものであった。
【０００３】このクロルイオンの混入を防ぐ方法として
アルコキシシランを原料とする方法が開示されている。
すなわち、親水性溶媒中でアルコキシシランを水および
触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液を必要に応じ
て、所定の濃度に濃縮あるいは希釈したものをコーティ
ング用組成物とするものである。
アルコキシシランを原料とする方法が開示されている。
すなわち、親水性溶媒中でアルコキシシランを水および
触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液を必要に応じ
て、所定の濃度に濃縮あるいは希釈したものをコーティ
ング用組成物とするものである。
【０００４】しかし、この方法では、得られるコーティ
ング用組成物の塗布性は悪く、保存安定性にも劣るもの
であった。
ング用組成物の塗布性は悪く、保存安定性にも劣るもの
であった。
【０００５】すなわち、塗布性不良の原因について本発
明者らが詳細な検討を行なったところ、シロキサンポリ
マーが疎水性であるにもかかわらず、加水分解のために
加えた水の過剰分や縮合反応によって生成した水の除去
が不十分であるため、溶剤成分に水が含まれていること
が主原因であることが判った。
明者らが詳細な検討を行なったところ、シロキサンポリ
マーが疎水性であるにもかかわらず、加水分解のために
加えた水の過剰分や縮合反応によって生成した水の除去
が不十分であるため、溶剤成分に水が含まれていること
が主原因であることが判った。
【０００６】また、保存安定性不良については、加水分
解促進用に加えた触媒の除去についても不十分であるた
めに、保存中に徐々に加水分解縮合が進行していること
が主原因であることが判った。
解促進用に加えた触媒の除去についても不十分であるた
めに、保存中に徐々に加水分解縮合が進行していること
が主原因であることが判った。
【０００７】つまり、水の除去のみ、あるいは触媒の除
去のみでは塗布性の向上、保存安定性の向上のいずれを
も達成不可能なことが判明した。すなわち、水の除去の
みを行なって塗布性の向上を図っても、触媒が存在する
限りは脱水縮合反応の進行によって水が生成するため、
経時的に塗布性が劣化してしまうのである。また、触媒
の除去のみを行なって保存安定性の向上を図っても、水
の存在は加水分解を十分に進行させてしまうのである。
去のみでは塗布性の向上、保存安定性の向上のいずれを
も達成不可能なことが判明した。すなわち、水の除去の
みを行なって塗布性の向上を図っても、触媒が存在する
限りは脱水縮合反応の進行によって水が生成するため、
経時的に塗布性が劣化してしまうのである。また、触媒
の除去のみを行なって保存安定性の向上を図っても、水
の存在は加水分解を十分に進行させてしまうのである。
【０００８】すなわち、水および触媒の双方を除去した
場合のみ、塗布性および保存安定性が共に優れたコーテ
ィング用組成物が得られることを見出だし、本発明に到
達したものである。
場合のみ、塗布性および保存安定性が共に優れたコーテ
ィング用組成物が得られることを見出だし、本発明に到
達したものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、塗布
性および保存安定性が共に優れたコーティング用組成物
を提供することにある。
性および保存安定性が共に優れたコーティング用組成物
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
アルコキシシランに水および触媒を加えて加水分解縮合
させた反応溶液から、水および触媒を除去して得られる
シロキサンポリマーを含有することを特徴とするコーテ
ィング用組成物により達成される。
アルコキシシランに水および触媒を加えて加水分解縮合
させた反応溶液から、水および触媒を除去して得られる
シロキサンポリマーを含有することを特徴とするコーテ
ィング用組成物により達成される。
【００１１】以下、本発明の構成を順に説明する。
【００１２】本発明において用いられるシロキサンポリ
マーは、アルコキシシランに水および触媒を加えて加水
分解縮合させた反応溶液から、水および触媒を除去して
得られるものである。
マーは、アルコキシシランに水および触媒を加えて加水
分解縮合させた反応溶液から、水および触媒を除去して
得られるものである。
【００１３】シロキサンポリマーの原料となるアルコキ
シシランは、そのアルコキシ基が加水分解性を有してい
るものであれば特に限定されないが、好ましくは、次の
一般式（１）で表されるものである。
シシランは、そのアルコキシ基が加水分解性を有してい
るものであれば特に限定されないが、好ましくは、次の
一般式（１）で表されるものである。
【００１４】Ｒx Ｓｉ（ＯＲ´）4-x
（１） （ただし、Ｒ、Ｒ´は同一もしくは異なっていてもよ
く、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、フルオロアルキル基を表す。また、ｘは０〜３の整
数である。） 一般式（１）で表されるアルコキシシランの具体例とし
ては、テトラヒドロキシシラン、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリエトキシシランフェニルトリメトキシ
シラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメト
キシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジ
メトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、トリフ
ルオロメチルメトキシシラン、トリフルオロエチルトリ
メトキシシランなどを挙げることができる。好ましく
は、メチルトリメトキシシラン４０〜１００モル％、フ
ェニルトリメトキシシラン０〜４０モル％、およびジメ
チルジメトキシシラン０〜４０モル％から成る組成物で
あり、さらに好ましくはメチルトリメトキシシラン５０
〜８０モル％、フェニルトリメトキシシラン１０〜３０
モル％、およびジメチルジメトキシシラン１０〜４０モ
ル％から成る組成物である。
（１） （ただし、Ｒ、Ｒ´は同一もしくは異なっていてもよ
く、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、フルオロアルキル基を表す。また、ｘは０〜３の整
数である。） 一般式（１）で表されるアルコキシシランの具体例とし
ては、テトラヒドロキシシラン、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリエトキシシランフェニルトリメトキシ
シラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメト
キシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジ
メトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、トリフ
ルオロメチルメトキシシラン、トリフルオロエチルトリ
メトキシシランなどを挙げることができる。好ましく
は、メチルトリメトキシシラン４０〜１００モル％、フ
ェニルトリメトキシシラン０〜４０モル％、およびジメ
チルジメトキシシラン０〜４０モル％から成る組成物で
あり、さらに好ましくはメチルトリメトキシシラン５０
〜８０モル％、フェニルトリメトキシシラン１０〜３０
モル％、およびジメチルジメトキシシラン１０〜４０モ
ル％から成る組成物である。
【００１５】アルコキシシランの加水分解縮合反応は無
溶媒で行っても良いが、通常は溶媒中で行なわれる。溶
媒としては、有機溶媒が好ましく、メチルイソブチルケ
トン、ジイソブチルケトン、ジエチルエーテル、酢酸エ
チル、ヘキサン、シクロヘキサン、ノルマルブタノール
などの疎水性有機溶媒がさらに好ましい。溶媒の量とし
ては、任意に選択可能であるが、アルコキシシラン１重
量に対して、０．１〜３．０倍重量の範囲で用いるのが
好ましい。
溶媒で行っても良いが、通常は溶媒中で行なわれる。溶
媒としては、有機溶媒が好ましく、メチルイソブチルケ
トン、ジイソブチルケトン、ジエチルエーテル、酢酸エ
チル、ヘキサン、シクロヘキサン、ノルマルブタノール
などの疎水性有機溶媒がさらに好ましい。溶媒の量とし
ては、任意に選択可能であるが、アルコキシシラン１重
量に対して、０．１〜３．０倍重量の範囲で用いるのが
好ましい。
【００１６】加水分解縮合反応をさせるために用いられ
る水としては、イオン交換水が好ましく、その量として
は、アルコキシシラン１モルに対して、１〜４倍モルの
範囲で用いるのが好ましい。また、加水分解縮合反応さ
せるために用いる触媒は酸触媒が好ましく、塩酸、硫
酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、リン酸、ほう酸などが好
ましい例としてあげられる。
る水としては、イオン交換水が好ましく、その量として
は、アルコキシシラン１モルに対して、１〜４倍モルの
範囲で用いるのが好ましい。また、加水分解縮合反応さ
せるために用いる触媒は酸触媒が好ましく、塩酸、硫
酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、リン酸、ほう酸などが好
ましい例としてあげられる。
【００１７】加水分解縮合反応の温度および時間として
は、反応系の凝固点から沸点の範囲で適宜選択される
が、高分子量のシロキサンポリマーを得るには、還流下
で１〜１００時間行なうのが好ましい。
は、反応系の凝固点から沸点の範囲で適宜選択される
が、高分子量のシロキサンポリマーを得るには、還流下
で１〜１００時間行なうのが好ましい。
【００１８】反応溶液から水および触媒を除去する方法
としては特に限定されない。例えば、イオン交換樹脂、
イオン交換繊維、モレキュラーシーブなどの吸着剤およ
び乾燥剤などを用いて行うことができるが、好ましく
は、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジ
エチルエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの疎水性
有機溶剤を用いて該反応溶液からシロキサンポリマーを
抽出し、その有機層を水洗する方法である。上記疎水性
有機溶剤の中で特に好ましいものは、メチルイソブチル
ケトン、ジイソブチルケトン、酢酸エチルである。有機
層を、水洗後、完全に水分を除去するために、無水硫酸
ナトリウム、無水硫酸マグネシウムなどの乾燥剤を用い
ることも可能である。
としては特に限定されない。例えば、イオン交換樹脂、
イオン交換繊維、モレキュラーシーブなどの吸着剤およ
び乾燥剤などを用いて行うことができるが、好ましく
は、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジ
エチルエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの疎水性
有機溶剤を用いて該反応溶液からシロキサンポリマーを
抽出し、その有機層を水洗する方法である。上記疎水性
有機溶剤の中で特に好ましいものは、メチルイソブチル
ケトン、ジイソブチルケトン、酢酸エチルである。有機
層を、水洗後、完全に水分を除去するために、無水硫酸
ナトリウム、無水硫酸マグネシウムなどの乾燥剤を用い
ることも可能である。
【００１９】水洗後、あるいは水洗乾燥後の溶液をその
ままコーティング用組成物とすることも可能であるが、
必要に応じて、溶剤を追加あるいは除去して粘度を調製
すること、さらには溶剤を除去してシロキサンポリマー
を単離し、再び所望の溶剤に溶解しコーティング用組成
物とすることも好ましく行われる。コーティング用組成
物中のシロキサンポリマーの好ましい割合としては、１
０〜６０重量％である。
ままコーティング用組成物とすることも可能であるが、
必要に応じて、溶剤を追加あるいは除去して粘度を調製
すること、さらには溶剤を除去してシロキサンポリマー
を単離し、再び所望の溶剤に溶解しコーティング用組成
物とすることも好ましく行われる。コーティング用組成
物中のシロキサンポリマーの好ましい割合としては、１
０〜６０重量％である。
【００２０】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、ノルマルブタノール、メチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなど
を挙げることができる。
パノール、ノルマルブタノール、メチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなど
を挙げることができる。
【００２１】本発明におけるコーティング用組成物は、
さらに、熱によって反応促進剤を発生する化合物を含有
することが好ましい。すなわち、該化合物は、後述の加
熱キュア時に反応促進剤を発生するので、該化合物を添
加することによって、加熱後の膜をより緻密なものとす
ることができる。
さらに、熱によって反応促進剤を発生する化合物を含有
することが好ましい。すなわち、該化合物は、後述の加
熱キュア時に反応促進剤を発生するので、該化合物を添
加することによって、加熱後の膜をより緻密なものとす
ることができる。
【００２２】熱によって反応促進剤を発生する化合物と
しては、特に限定されないが、熱酸発生剤、あるいは熱
塩基発生剤が好ましい。具体的には、熱酸発生剤として
は、ベンゾイントシレート、トリ（ニトロベンジル）フ
ォスフェート、トリアニソインフォスフェート、ジアリ
ールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩な
ど、熱塩基発生剤としては、ニトロベンジルシクロヘキ
シルカルバメート、ジ（メトキシベンジル）ヘキサメチ
レンジカルバメートなどを挙げることができる。これら
の化合物の使用量としては、シロキサンポリマーに対し
て、０．１〜５重量％の範囲にあることが好ましく、よ
り好ましくは０．２〜２重量％である。
しては、特に限定されないが、熱酸発生剤、あるいは熱
塩基発生剤が好ましい。具体的には、熱酸発生剤として
は、ベンゾイントシレート、トリ（ニトロベンジル）フ
ォスフェート、トリアニソインフォスフェート、ジアリ
ールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩な
ど、熱塩基発生剤としては、ニトロベンジルシクロヘキ
シルカルバメート、ジ（メトキシベンジル）ヘキサメチ
レンジカルバメートなどを挙げることができる。これら
の化合物の使用量としては、シロキサンポリマーに対し
て、０．１〜５重量％の範囲にあることが好ましく、よ
り好ましくは０．２〜２重量％である。
【００２３】次に、本発明のコーティング用組成物の使
用方法を説明する。
用方法を説明する。
【００２４】本発明のコーティング用組成物をスピンナ
ー、ディッピングなどの公知の方法によってシリコンウ
ェハー、セラミックス板などの基板上に塗布し、乾燥す
る。乾燥後の膜厚としては、０．５〜５．０μｍ、乾燥
温度としては、５０〜１５０℃の範囲にあることが好ま
しい。
ー、ディッピングなどの公知の方法によってシリコンウ
ェハー、セラミックス板などの基板上に塗布し、乾燥す
る。乾燥後の膜厚としては、０．５〜５．０μｍ、乾燥
温度としては、５０〜１５０℃の範囲にあることが好ま
しい。
【００２５】つづいて、乾燥後の膜を、加熱キュアする
ことによって、組成物は、完全に硬化しコーティング膜
となる。キュア温度としては、２００〜４５０℃の範囲
にあることが好ましい。
ことによって、組成物は、完全に硬化しコーティング膜
となる。キュア温度としては、２００〜４５０℃の範囲
にあることが好ましい。
【００２６】本発明のコーティング用組成物は、半導体
素子の保護膜、層間絶縁膜、導波路形成用材料、位相シ
フター用材料、さらには各種電子部品の保護膜として用
いることができるが、これらに限定されない。
素子の保護膜、層間絶縁膜、導波路形成用材料、位相シ
フター用材料、さらには各種電子部品の保護膜として用
いることができるが、これらに限定されない。
【００２７】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【００２８】実施例１ メチルトリメトキシシラン１３６ｇ（１．０ｍｏｌ）
に、イオン交換水６０ｇ、酢酸３ｇを攪拌しながら加え
た。得られた溶液を加熱し、還流させながら、２４時間
反応させた。その後、酢酸ブチル５００ｇを用いてシロ
キサンポリマーを抽出し、得られた有機層にイオン交換
水２００ｇを加えて振とうし、静置後、水層を分離除去
した。得られた有機層を濃縮して、コーティング用組成
物を得た。上記コーティング用組成物をシリコンウェハ
上にスピンコーターを用いて塗布したところ、ムラのな
い良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。
に、イオン交換水６０ｇ、酢酸３ｇを攪拌しながら加え
た。得られた溶液を加熱し、還流させながら、２４時間
反応させた。その後、酢酸ブチル５００ｇを用いてシロ
キサンポリマーを抽出し、得られた有機層にイオン交換
水２００ｇを加えて振とうし、静置後、水層を分離除去
した。得られた有機層を濃縮して、コーティング用組成
物を得た。上記コーティング用組成物をシリコンウェハ
上にスピンコーターを用いて塗布したところ、ムラのな
い良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。
【００２９】また、このコーティング用組成物は室温で
３ケ月保存後も、粘度上昇は見られず、塗布性の劣化も
見られず、良好な保存安定性を有していた。
３ケ月保存後も、粘度上昇は見られず、塗布性の劣化も
見られず、良好な保存安定性を有していた。
【００３０】比較例１ 実施例１と同様に、メチルトリメトキシシラン１３６ｇ
（１．０ｍｏｌ）に、イオン交換水６０ｇ、酢酸３ｇを
攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還流させ
ながら、２４時間反応させた。得られた溶液を濃縮し
て、コーティング用組成物を得た。
（１．０ｍｏｌ）に、イオン交換水６０ｇ、酢酸３ｇを
攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還流させ
ながら、２４時間反応させた。得られた溶液を濃縮し
て、コーティング用組成物を得た。
【００３１】上記コーティング用組成物をシリコンウェ
ハ上にスピンコーターを用いて塗布したところ、多数の
クレーター状のムラが見られた。さらに、このコーティ
ング用組成物は室温保存により、粘度上昇が見られ、塗
布性および保存安定性に劣るものであった。
ハ上にスピンコーターを用いて塗布したところ、多数の
クレーター状のムラが見られた。さらに、このコーティ
ング用組成物は室温保存により、粘度上昇が見られ、塗
布性および保存安定性に劣るものであった。
【００３２】実施例２ メチルトリメトキシシラン１９０ｇ（１．４ｍｏｌ）、
ジメチルジメトキシシラン７２ｇ（０．６ｍｏｌ）、フ
ェニルトルメトキシシラン７．９ｇ（０．４ｍｏｌ）を
メチルイソブチルケトン９０ｇに溶解し、これに、イオ
ン交換水１２０ｇ、リン酸１０ｇを攪拌しながら加え
た。得られた溶液を加熱し、還流させながら、３時間反
応させた。その後、メチルイソブチルケトン１０００ｇ
を用いてシロキサンポリマーを抽出し、得られた有機層
にイオン交換水１０００ｇを加えて振とうし、静置後、
水層を分離除去した。得られた有機層を濃縮して、コー
ティング用組成物を得た。
ジメチルジメトキシシラン７２ｇ（０．６ｍｏｌ）、フ
ェニルトルメトキシシラン７．９ｇ（０．４ｍｏｌ）を
メチルイソブチルケトン９０ｇに溶解し、これに、イオ
ン交換水１２０ｇ、リン酸１０ｇを攪拌しながら加え
た。得られた溶液を加熱し、還流させながら、３時間反
応させた。その後、メチルイソブチルケトン１０００ｇ
を用いてシロキサンポリマーを抽出し、得られた有機層
にイオン交換水１０００ｇを加えて振とうし、静置後、
水層を分離除去した。得られた有機層を濃縮して、コー
ティング用組成物を得た。
【００３３】上記コーティング用組成物をシリコンウェ
ハ上にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラ
のない良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。
ハ上にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラ
のない良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。
【００３４】また、このコーティング用組成物は室温で
３ケ月保存後も、粘度上昇は見られず、塗布性の劣化も
見られず、良好な保存安定性を有していた。
３ケ月保存後も、粘度上昇は見られず、塗布性の劣化も
見られず、良好な保存安定性を有していた。
【００３５】比較例２ 実施例２と同様に、メチルトリメトキシシラン１９０ｇ
（１．４ｍｏｌ）、ジメチルジメトキシシラン７２ｇ
（０．６ｍｏｌ）、フェニルトルメトキシシラン７．９
ｇ（０．４ｍｏｌ）をメチルイソブチルケトン９０ｇに
溶解し、これに、イオン交換水１２０ｇ、リン酸１０ｇ
を攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還流さ
せながら、３時間反応させた。得られた溶液を濃縮し
て、コーティング用組成物を得た。
（１．４ｍｏｌ）、ジメチルジメトキシシラン７２ｇ
（０．６ｍｏｌ）、フェニルトルメトキシシラン７．９
ｇ（０．４ｍｏｌ）をメチルイソブチルケトン９０ｇに
溶解し、これに、イオン交換水１２０ｇ、リン酸１０ｇ
を攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還流さ
せながら、３時間反応させた。得られた溶液を濃縮し
て、コーティング用組成物を得た。
【００３６】上記コーティング用組成物をシリコンウェ
ハ上にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラ
のない良好な膜が得られ、良好な塗布性を示したが、室
温で３ケ月保存後、ゲル化し、保存安定性に劣るもので
あった。
ハ上にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラ
のない良好な膜が得られ、良好な塗布性を示したが、室
温で３ケ月保存後、ゲル化し、保存安定性に劣るもので
あった。
【００３７】実施例３ テトラメトキシシラン３０４ｇ（２．０ｍｏｌ）、メチ
ルトリメトキシシラン１３６ｇ（１．０ｍｏｌ）、ジメ
チルジメトキシシラン６０ｇ（０．５ｍｏｌ）、をメタ
ノール１００ｇに溶解し、これに、イオン交換水２００
ｇ、塩酸１５ｇを攪拌しながら加えた。得られた溶液を
加熱し、還流させながら、８時間反応させた。その後、
この溶液をイオン交換樹脂１ｋｇを充填したカラムに通
し、水および触媒を除去し、得られた有機層を濃縮し
て、シロキサンポリマーを得た。このポリマー２０ｇを
プロピレングリコールモノメチルエーテル３０ｇに溶解
し、さらにベンゾイントシレート０．１ｇを加え、コー
ティング用組成物を得た。
ルトリメトキシシラン１３６ｇ（１．０ｍｏｌ）、ジメ
チルジメトキシシラン６０ｇ（０．５ｍｏｌ）、をメタ
ノール１００ｇに溶解し、これに、イオン交換水２００
ｇ、塩酸１５ｇを攪拌しながら加えた。得られた溶液を
加熱し、還流させながら、８時間反応させた。その後、
この溶液をイオン交換樹脂１ｋｇを充填したカラムに通
し、水および触媒を除去し、得られた有機層を濃縮し
て、シロキサンポリマーを得た。このポリマー２０ｇを
プロピレングリコールモノメチルエーテル３０ｇに溶解
し、さらにベンゾイントシレート０．１ｇを加え、コー
ティング用組成物を得た。
【００３８】上記コーティング用組成物をシリコンウェ
ハ上にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラ
のない良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。
ハ上にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラ
のない良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。
【００３９】また、さらに、このコーティング用組成物
は室温で３ケ月保存後も、粘度上昇は見られず、塗布性
の劣化も見られず、良好な保存安定性を有していた。
は室温で３ケ月保存後も、粘度上昇は見られず、塗布性
の劣化も見られず、良好な保存安定性を有していた。
【００４０】比較例３ 実施例３と同様に、テトラメトキシシラン３０４ｇ
（２．０ｍｏｌ）、メチルトリメトキシシラン１３６ｇ
（１．０ｍｏｌ）、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ
（０．５ｍｏｌ）、をメタノール１００ｇに溶解し、こ
れに、イオン交換水２００ｇ、塩酸１５ｇを攪拌しなが
ら加えた。得られた溶液を加熱し、還流させながら、８
時間反応させた。
（２．０ｍｏｌ）、メチルトリメトキシシラン１３６ｇ
（１．０ｍｏｌ）、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ
（０．５ｍｏｌ）、をメタノール１００ｇに溶解し、こ
れに、イオン交換水２００ｇ、塩酸１５ｇを攪拌しなが
ら加えた。得られた溶液を加熱し、還流させながら、８
時間反応させた。
【００４１】得られた溶液をシリコンウェハ上にスピン
コーターを用いてコートしたところ、多数のクレーター
状のムラが見られ、また、室温で１ケ月保存後ゲル化
し、塗布性および保存安定性に劣るものであった。
コーターを用いてコートしたところ、多数のクレーター
状のムラが見られ、また、室温で１ケ月保存後ゲル化
し、塗布性および保存安定性に劣るものであった。
【００４２】実施例４ 実施例２で得たコーティング用組成物にさらにベンゾイ
ントシレートをシロキサンポリマーに対して、０．５重
量％添加した。
ントシレートをシロキサンポリマーに対して、０．５重
量％添加した。
【００４３】上記コーティング用組成物をシリコンウエ
ハ上にスピンコーターを用いて塗布したところ、ベンゾ
イントシレート未添加品と同様の良好な塗布性と保存安
定性を有していた。
ハ上にスピンコーターを用いて塗布したところ、ベンゾ
イントシレート未添加品と同様の良好な塗布性と保存安
定性を有していた。
【００４４】塗布膜を、１００℃で乾燥後、３００℃で
加熱キュアし、コーティング膜を得た。電子顕微鏡によ
り観察したところ、キュア後の膜はより緻密な膜となっ
ていた。
加熱キュアし、コーティング膜を得た。電子顕微鏡によ
り観察したところ、キュア後の膜はより緻密な膜となっ
ていた。
【００４５】実施例５ 実施例３で得たコーティング用組成物にさらにニトロベ
ンジルシクロヘキシルカルバメートをシロキサンポリマ
ーに対して、２．０重量％添加した。
ンジルシクロヘキシルカルバメートをシロキサンポリマ
ーに対して、２．０重量％添加した。
【００４６】上記コーティング用組成物をシリコンウエ
ハ上にスピンコーターを用いて塗布したところ、ニトロ
ベンジルシクロヘキシルカルバメート未添加品と同様の
良好な塗布性と保存安定性を有していた。
ハ上にスピンコーターを用いて塗布したところ、ニトロ
ベンジルシクロヘキシルカルバメート未添加品と同様の
良好な塗布性と保存安定性を有していた。
【００４７】塗布膜を、８５℃で乾燥後、３５０℃で加
熱キュアし、コーティング膜を得た。電子顕微鏡により
観察したところ、キュア後の膜はより緻密な膜となって
いた。
熱キュアし、コーティング膜を得た。電子顕微鏡により
観察したところ、キュア後の膜はより緻密な膜となって
いた。
【００４８】
【発明の効果】本発明のコーティング用組成物は、塗布
性に優れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥が
発生しない。また、保存中も粘度変化、塗布性劣化がな
く、保存安定性が優れている。
性に優れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥が
発生しない。また、保存中も粘度変化、塗布性劣化がな
く、保存安定性が優れている。
Claims (6)
- 【請求項１】アルコキシシランに水および触媒を加えて
加水分解縮合させた反応溶液から、水および触媒を除去
して得られるシロキサンポリマーを含有することを特徴
とするコーティング用組成物。 - 【請求項２】シロキサンポリマーが、アルコキシシラン
に水および触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液か
ら疎水性有機溶剤を用いて抽出した有機層を水洗するこ
とによって、水および触媒を除去して得られるシロキサ
ンポリマーであることを特徴とする請求項１記載のコー
ティング用組成物。 - 【請求項３】シロキサンポリマーの原料であるアルコキ
シシランが、下記一般式（１）で表されるアルコキシシ
ランであることを特徴とする請求項１または２記載のコ
ーティング用組成物。 Ｒx Ｓｉ（ＯＲ´）4-x （１） （ただし、Ｒ、Ｒ´は同一もしくは異なっていてもよ
く、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、フルオロアルキル基を表す。また、ｘは０〜３の整
数である。） - 【請求項４】さらに、熱によって反応促進剤を発生する
化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３いずれ
か記載のコーティング用組成物。 - 【請求項５】熱によって反応促進剤を発生する化合物が
熱酸発生剤であることを特徴とする請求項４記載のコー
ティング用組成物。 - 【請求項６】熱によって反応促進剤を発生する化合物が
熱塩基発生剤であることを特徴とする請求項４記載のコ
ーティング用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29695392A JPH06145599A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | コーティング用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29695392A JPH06145599A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | コーティング用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145599A true JPH06145599A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=17840325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29695392A Pending JPH06145599A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | コーティング用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06145599A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004044073A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 |
| JP2006522861A (ja) * | 2003-04-02 | 2006-10-05 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | マイクロ電子デバイスでの使用のためのオルガノシリケート樹脂調合物 |
| US7119354B2 (en) | 2003-04-09 | 2006-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film |
| US7132473B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| US7205338B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-04-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| US7239018B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-07-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming a porous film prepared by hydrolysis and condensation of an alkoxysilane using a trialkylmethylammonium hydroxide catalyst |
| JP2008003624A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-01-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| US7332446B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-02-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film and semiconductor device |
| US7341775B2 (en) | 2002-11-13 | 2008-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| US7357961B2 (en) | 2003-04-09 | 2008-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| JP2008170984A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-07-24 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| JP2012057136A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Sakai Chem Ind Co Ltd | 透明被膜形成用樹脂組成物、積層体、及び透明被膜の製造方法 |
| JP2014051595A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Nippon Soda Co Ltd | 有機無機複合薄膜の製造方法 |
| US9257576B2 (en) | 2008-05-21 | 2016-02-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Amino acid generator and polysiloxane composition containing the same |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP29695392A patent/JPH06145599A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008003624A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-01-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| JP2008170984A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-07-24 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| US7341775B2 (en) | 2002-11-13 | 2008-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| US7126208B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| US7132473B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| WO2004044073A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 |
| US7205338B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-04-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| US7239018B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-07-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming a porous film prepared by hydrolysis and condensation of an alkoxysilane using a trialkylmethylammonium hydroxide catalyst |
| US7332446B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-02-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film and semiconductor device |
| JP2006522861A (ja) * | 2003-04-02 | 2006-10-05 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | マイクロ電子デバイスでの使用のためのオルガノシリケート樹脂調合物 |
| US7119354B2 (en) | 2003-04-09 | 2006-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film |
| US7357961B2 (en) | 2003-04-09 | 2008-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
| US9257576B2 (en) | 2008-05-21 | 2016-02-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Amino acid generator and polysiloxane composition containing the same |
| JP2012057136A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Sakai Chem Ind Co Ltd | 透明被膜形成用樹脂組成物、積層体、及び透明被膜の製造方法 |
| JP2014051595A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Nippon Soda Co Ltd | 有機無機複合薄膜の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6806161B2 (en) | Process for preparing insulating material having low dielectric constant | |
| US5614251A (en) | Method and liquid coating composition for the formation of silica-based coating film on substrate surface | |
| JPH06145599A (ja) | コーティング用組成物 | |
| KR100222499B1 (ko) | 실리카계 피박형성용 도포액 및 그 제조방법 | |
| KR101767083B1 (ko) | 개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 | |
| EP1559761B1 (en) | Porous-film-forming composition, preparation method of the composition, porous film and semiconductor device | |
| KR101799361B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| JPH06148895A (ja) | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 | |
| JP4180417B2 (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 | |
| JP4473352B2 (ja) | 低比誘電率シリカ系被膜、それを形成するための塗布液、その塗布液の調製方法 | |
| JPWO2001048806A1 (ja) | 低誘電率シリカ系被膜の形成方法および低誘電率被膜付半導体基板 | |
| JP2621760B2 (ja) | コーティング用組成物 | |
| US7135064B2 (en) | Silica-based coating film on substrate and coating solution therefor | |
| JPH03188179A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液，半導体基板の製造法および半導体デバイス | |
| JPH1150007A (ja) | 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 | |
| JP2004269692A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 | |
| JPH11340220A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法 | |
| TWI358427B (ja) | ||
| TWI580815B (zh) | 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層及其製造方法以及包含二氧化矽層的電子裝置 | |
| JP4734815B2 (ja) | 組成物、その組成物を用いた低誘電率膜の形成方法、低誘電率膜及びその低誘電率膜を有する電子部品 | |
| JPH07157715A (ja) | コーティング用組成物の製造方法 | |
| KR101968224B1 (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
| US5932676A (en) | Liquid coating composition for forming silicon-containing coating film | |
| JP2001262062A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜、これを用いた半導体素子及び多層配線板 | |
| WO2007111271A1 (ja) | シリカ系被膜形成用組成物およびシリカ系被膜 |